JPH03295826A - 半導体微粒子ドープシリカガラスの製造方法 - Google Patents
半導体微粒子ドープシリカガラスの製造方法Info
- Publication number
- JPH03295826A JPH03295826A JP9953190A JP9953190A JPH03295826A JP H03295826 A JPH03295826 A JP H03295826A JP 9953190 A JP9953190 A JP 9953190A JP 9953190 A JP9953190 A JP 9953190A JP H03295826 A JPH03295826 A JP H03295826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sol
- glass
- thereafter
- silica glass
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 5
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 5
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- -1 silicon alkoxide Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007578 melt-quenching technique Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N germanium monoxide Inorganic materials [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/006—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/12—Other methods of shaping glass by liquid-phase reaction processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
- C03C1/006—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels to produce glass through wet route
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/58—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with metals in non-oxide form, e.g. CdSe
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ゾル−ゲル法による半導体微粒子ドブシリカ
ガラスの製造方法に関する。
ガラスの製造方法に関する。
［従来の技術１
従来の半導体微粒子ドープシリカガラスの製造方法は、
熔融急冷法、スパッタリング、あるいはシリカ微粒子を
用いないゾル−ゲル法によるものであった。
熔融急冷法、スパッタリング、あるいはシリカ微粒子を
用いないゾル−ゲル法によるものであった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術は、次のような問題点を有する
。先ず、既に市販されている半導体ドープガラスの製造
方法である熔融急冷法においては半導体微粒子量を熔融
中の蒸発のため１ｗｔ％またはそれ以下にしかできない
こと、全体の融点を下げるためにＮａやＫなどの、イオ
ン性で動き易い粒子を多量に含んでいること、更に、不
純物が混合し易く、粒径およびその分布の制御も容易で
はないことなどが挙げられる０次に、スパッタリングに
関しては、形状的に薄膜しかできないこと、装置が複雑
でしかも高価であること、薄膜での非線形性など光学的
評価が困難なことなどである。また従来からのシリカ微
粒子を用いないゾル−ゲル法においては、製造工程中に
割れやクラックが生じ易いこと、水酸基が多量にガラス
中に残存していることなどの問題点を有する。
。先ず、既に市販されている半導体ドープガラスの製造
方法である熔融急冷法においては半導体微粒子量を熔融
中の蒸発のため１ｗｔ％またはそれ以下にしかできない
こと、全体の融点を下げるためにＮａやＫなどの、イオ
ン性で動き易い粒子を多量に含んでいること、更に、不
純物が混合し易く、粒径およびその分布の制御も容易で
はないことなどが挙げられる０次に、スパッタリングに
関しては、形状的に薄膜しかできないこと、装置が複雑
でしかも高価であること、薄膜での非線形性など光学的
評価が困難なことなどである。また従来からのシリカ微
粒子を用いないゾル−ゲル法においては、製造工程中に
割れやクラックが生じ易いこと、水酸基が多量にガラス
中に残存していることなどの問題点を有する。
そこで、本発明の目的とするところは、前述のような従
来技術の問題点を解決し、容易に半導体微粒子ドープシ
リカガラスを製造する方法を提供することである。
来技術の問題点を解決し、容易に半導体微粒子ドープシ
リカガラスを製造する方法を提供することである。
［課題を解決するための手段］
本発明のシリコンアルコキシドおよびシリカ微粒子を主
原料とするツルーゲル法による半導体微粒子ドープシリ
カガラスの製造方法は、以下の工程から成ることを特徴
とする。
原料とするツルーゲル法による半導体微粒子ドープシリ
カガラスの製造方法は、以下の工程から成ることを特徴
とする。
ａ）目的ガラス成分組成の液状ゾルを調整するより）該
液状ゾルのｐＨ値を３〜６に調整し所望形状の密閉容器
中あるいは薄膜コーティングした後、ゲル化させる工程 Ｃ）ゲル化後、加熱処理により、乾燥、更に仮焼結し多
孔性のゲル体あるいは薄膜を作製する工程ｄ）該ゲル体
あるいは薄膜をＳやＳｅ等の半導体微粒子成分を含む硫
化水素やセレン化水素などのガス雰囲気中で処理する工
程 ｅ）更に加熱しガラス化（無孔化）させる工程ｆ）ガラ
ス化後、１５０〜７００℃にて処理し半導体微結晶を析
出させる工程。
液状ゾルのｐＨ値を３〜６に調整し所望形状の密閉容器
中あるいは薄膜コーティングした後、ゲル化させる工程 Ｃ）ゲル化後、加熱処理により、乾燥、更に仮焼結し多
孔性のゲル体あるいは薄膜を作製する工程ｄ）該ゲル体
あるいは薄膜をＳやＳｅ等の半導体微粒子成分を含む硫
化水素やセレン化水素などのガス雰囲気中で処理する工
程 ｅ）更に加熱しガラス化（無孔化）させる工程ｆ）ガラ
ス化後、１５０〜７００℃にて処理し半導体微結晶を析
出させる工程。
［作 用］
本発明は、液状ゾルの状態において半導体微粒子成分を
ドープするため高濃度化が可能であり、溶液原料の精製
、液状ゾルを取り扱う雰囲気のクリーン化により不純物
の混入を防止することができ極めて高純度である、また
形状的にも、ゲル化させる型容器の選択により、任意形
状のものが作製可能であり、従来のゾル−ゲル法の欠点
であつた熱処理工程における割れやクラックの発生も、
シリカ微粒子を添加することによりゲル体の多孔化をは
かり、溶媒の移動を容易にし、更に、ｐＨ値を調整する
ことで重合度を高＜シ、構造的に強化することにより、
解決されるものである。
ドープするため高濃度化が可能であり、溶液原料の精製
、液状ゾルを取り扱う雰囲気のクリーン化により不純物
の混入を防止することができ極めて高純度である、また
形状的にも、ゲル化させる型容器の選択により、任意形
状のものが作製可能であり、従来のゾル−ゲル法の欠点
であつた熱処理工程における割れやクラックの発生も、
シリカ微粒子を添加することによりゲル体の多孔化をは
かり、溶媒の移動を容易にし、更に、ｐＨ値を調整する
ことで重合度を高＜シ、構造的に強化することにより、
解決されるものである。
［実 施 例］
エチルシリケート、エタノール、水、アンモニア水（２
９％）をモル比で１ニア、６：４：０．０８の割合にな
るように混合し約３時間撹拌した後、室温にて静置し、
粒子を成長、熟成させた。この後、減圧濃縮することに
より、分散性の良好なシリカ微粒子分散液を調整した。
９％）をモル比で１ニア、６：４：０．０８の割合にな
るように混合し約３時間撹拌した後、室温にて静置し、
粒子を成長、熟成させた。この後、減圧濃縮することに
より、分散性の良好なシリカ微粒子分散液を調整した。
次に先のエチルシリケートの１／４量のエチルシリケー
トを用い、重量比で１＝１になるように００２規定の塩
酸を加え、水冷しながら約２時間撹拌することにより加
水分解溶液を調整した。
トを用い、重量比で１＝１になるように００２規定の塩
酸を加え、水冷しながら約２時間撹拌することにより加
水分解溶液を調整した。
ここで、前記シリカ微粒子分散液のｐＨ値を２規定の塩
酸を添加し４．５に調整した後、エチルシリケートの加
水分解溶液およびガラス化時の割合がＣｄＳ／Ｓ ｉ
Ｏ＝ ＝Ｏ，Ｏｌ、０．０３゜０．０５となるようにＣ
ｄ Ｃ１２ｍの水溶液を混合し、均質な液状ゾルになる
まで十分に撹拌した。
酸を添加し４．５に調整した後、エチルシリケートの加
水分解溶液およびガラス化時の割合がＣｄＳ／Ｓ ｉ
Ｏ＝ ＝Ｏ，Ｏｌ、０．０３゜０．０５となるようにＣ
ｄ Ｃ１２ｍの水溶液を混合し、均質な液状ゾルになる
まで十分に撹拌した。
その後、該液状ゾルに０．２規定のアンモニア水を添加
し、ｐＨ値を５．０に調整し、直径１０ｃｍの円筒状の
型に２ｃｍの高さまで該ゾルを注入した。他方、アルミ
ナ板にデイツプコーティングも同じ液状ゾルを用いて行
なった。この後、密閉状態にし、ゲル化させた後、７０
℃に保持された恒温乾燥機にて乾燥し、バルク状ゲルは
、はぼ５日間で乾燥が終し、直径的７ｃｍ、厚さ１．４
ｃｍの白色ゲルを得た。１．３．５ｗｔ％ドープの場合
で大きさにほとんど差は見られなかった。
し、ｐＨ値を５．０に調整し、直径１０ｃｍの円筒状の
型に２ｃｍの高さまで該ゾルを注入した。他方、アルミ
ナ板にデイツプコーティングも同じ液状ゾルを用いて行
なった。この後、密閉状態にし、ゲル化させた後、７０
℃に保持された恒温乾燥機にて乾燥し、バルク状ゲルは
、はぼ５日間で乾燥が終し、直径的７ｃｍ、厚さ１．４
ｃｍの白色ゲルを得た。１．３．５ｗｔ％ドープの場合
で大きさにほとんど差は見られなかった。
ここで得たゲル体を、酸素／窒素雰囲気中で一旦８００
℃まで加熱し、縮合反応の促進、脱水、脱有機残基など
の各種処理を行なった後、冷却し硫化水素（Ｈ２Ｓ）雰
囲気中に２０時間静置した。この後、再加熱し、減圧下
で１２５０℃まで昇温し、無孔化（ガラス化）した、こ
こで得られたガラス体の大きさは、はぼ、直径５ｃｍ、
厚さ１ｃｍであった。
℃まで加熱し、縮合反応の促進、脱水、脱有機残基など
の各種処理を行なった後、冷却し硫化水素（Ｈ２Ｓ）雰
囲気中に２０時間静置した。この後、再加熱し、減圧下
で１２５０℃まで昇温し、無孔化（ガラス化）した、こ
こで得られたガラス体の大きさは、はぼ、直径５ｃｍ、
厚さ１ｃｍであった。
このようにして得られたガラス体を、５００℃にて２０
時間処理することにより、半導体微粒子結晶（ＣｄＳ）
を析出させた。この結果とれも着色し、特にドーパント
量の高いガラスはど濃い着色（オレンジ色）が見られた
。
時間処理することにより、半導体微粒子結晶（ＣｄＳ）
を析出させた。この結果とれも着色し、特にドーパント
量の高いガラスはど濃い着色（オレンジ色）が見られた
。
また、アルミナ基板状のコーテイング膜に対しては、７
０℃で乾燥した後、硫化水素雰囲気中で１０００℃まで
昇温し、−旦冷却した。この後、２５０℃で２０時間処
理することにより、半導体微粒子結晶（ＣｄＳ）を析出
させた。
０℃で乾燥した後、硫化水素雰囲気中で１０００℃まで
昇温し、−旦冷却した。この後、２５０℃で２０時間処
理することにより、半導体微粒子結晶（ＣｄＳ）を析出
させた。
以上のようにして得られた、ガラスバルク体およびガラ
ス薄膜は、Ｘ線回折の結果、結晶（ＣｄＳ）の析出が確
認できた。なお、この結晶微粒子の大きさは、Ｈａ Ｓ
処理における時間、温度により５〜３００ｎｍの範囲で
制御可能であった。
ス薄膜は、Ｘ線回折の結果、結晶（ＣｄＳ）の析出が確
認できた。なお、この結晶微粒子の大きさは、Ｈａ Ｓ
処理における時間、温度により５〜３００ｎｍの範囲で
制御可能であった。
［発明の効果］
以上のように本発明の方法によれば、高ドーパント量の
半導体微粒子ドープシリカガラスを容易に製造すること
ができる。
半導体微粒子ドープシリカガラスを容易に製造すること
ができる。
また、液状ゾル調整時に、種々の元素がドープ可能であ
り、Ｃｄ５ｘＳｅＨ−ｘ＋ 、 ＣｄＴｅ、 ＣｄＳｅ
、 ＣｕＣ１，ＧａＡｓ、 ＧｅＯ□などドーパントの
異なる半導体微粒子ドープシリカガラスの製造も可能で
ある。
り、Ｃｄ５ｘＳｅＨ−ｘ＋ 、 ＣｄＴｅ、 ＣｄＳｅ
、 ＣｕＣ１，ＧａＡｓ、 ＧｅＯ□などドーパントの
異なる半導体微粒子ドープシリカガラスの製造も可能で
ある。
更に、半導体微粒子ドープガラスは、非線形材料として
、光ゲート、光スィッチ、光双安定素子、波長変換、選
択素子等への広汎な応用が期待され、光コンピューター
や光デイスプレィ等への利用に高いポテンシャルを持つ
ものとして注目される。
、光ゲート、光スィッチ、光双安定素子、波長変換、選
択素子等への広汎な応用が期待され、光コンピューター
や光デイスプレィ等への利用に高いポテンシャルを持つ
ものとして注目される。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シリコンアルコキシドおよびシリカ微粒子を主原料とす
るゾル−ゲル法において、以下の工程から成ることを特
徴とする半導体微粒子ドープシリカガラスの製造方法。 ａ）目的ガラス成分組成の液状ゾルを調整する工程 ｂ）該液状ゾルのｐＨ値を３〜６に調整し所望形状の密
閉容器中あるいは薄膜コーティングした後、ゲル化させ
る工程 ｃ）ゲル化後、加熱処理により、乾燥、更に仮焼結し多
孔性のゲル体あるいは薄膜を作製する工程ｄ）該ゲル体
あるいは薄膜をＳやＳｅ等の半導体微粒子成分を含む硫
化水素やセレン化水素などのガス雰囲気中で処理する工
程 ｅ）更に加熱しガラス化（無孔化）させる工程ｆ）ガラ
ス化後、１５０〜７００℃にて処理し半導体微結晶を析
出させる工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9953190A JPH03295826A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 半導体微粒子ドープシリカガラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9953190A JPH03295826A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 半導体微粒子ドープシリカガラスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03295826A true JPH03295826A (ja) | 1991-12-26 |
Family
ID=14249802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9953190A Pending JPH03295826A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 半導体微粒子ドープシリカガラスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03295826A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0672466A1 (fr) * | 1994-03-17 | 1995-09-20 | Institut Français du Pétrole | Méthode de collage de particules minérales sur des supports |
| US5955528A (en) * | 1996-07-04 | 1999-09-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Polymeric composite material and process for manufacturing the same |
| EP1285888A3 (de) * | 2001-08-22 | 2004-01-07 | Schott Glas | Verfahren zur Herstellung optischer Gläser und Farbgläser bei niederen Temperaturen |
| US7140202B2 (en) | 2001-08-22 | 2006-11-28 | Schott Ag | Method for manufacturing optical glasses and colored glasses at low temperatures |
-
1990
- 1990-04-16 JP JP9953190A patent/JPH03295826A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0672466A1 (fr) * | 1994-03-17 | 1995-09-20 | Institut Français du Pétrole | Méthode de collage de particules minérales sur des supports |
| FR2717488A1 (fr) * | 1994-03-17 | 1995-09-22 | Inst Francais Du Petrole | Méthode de collage de particules minérales sur des supports. |
| US5695592A (en) * | 1994-03-17 | 1997-12-09 | Institut Francais Du Petrole | Method of adhesively bonding mineral particles to supports |
| US5955528A (en) * | 1996-07-04 | 1999-09-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Polymeric composite material and process for manufacturing the same |
| EP1285888A3 (de) * | 2001-08-22 | 2004-01-07 | Schott Glas | Verfahren zur Herstellung optischer Gläser und Farbgläser bei niederen Temperaturen |
| US7140202B2 (en) | 2001-08-22 | 2006-11-28 | Schott Ag | Method for manufacturing optical glasses and colored glasses at low temperatures |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03295826A (ja) | 半導体微粒子ドープシリカガラスの製造方法 | |
| JPH038729A (ja) | 多孔質ガラスの製造法 | |
| JP2691276B2 (ja) | 半導体ドープマトリックスの製造方法 | |
| Battisha | Physical properties of nanoparticle silica gel doped with CdS prepared by sol-gel technique | |
| JPH0114177B2 (ja) | ||
| JPS6065735A (ja) | 石英ガラスの製造方法 | |
| JPH01320232A (ja) | 石英ガラスの製造方法 | |
| JPH03109236A (ja) | 半導体超微粒子分散ガラスの製造方法 | |
| JPH02221130A (ja) | 半導体ドープガラス | |
| JP2742366B2 (ja) | ＣｄＳｘＳｅ（１−ｘ）半導体微結晶含有ガラスの製造方法 | |
| JPH01179739A (ja) | ドープト石英ガラス及びその製造方法 | |
| JPS62100424A (ja) | ガラスの製造方法 | |
| JPS59107937A (ja) | 石英ガラスの製造法 | |
| JPH02129037A (ja) | ガラスの製造方法 | |
| JPH02230223A (ja) | 非線形光学媒体の製造方法 | |
| JPH0264032A (ja) | 塊状ガラスの製造方法 | |
| JPS643812B2 (ja) | ||
| JPH04187524A (ja) | 半導体ドープガラスの製造方法 | |
| JPS62292626A (ja) | ガラスの製造方法 | |
| JPH04276724A (ja) | 半導体微粒子分散ガラスの製造方法 | |
| JPH02145447A (ja) | 塊状ガラスの製造方法 | |
| JPH09281534A (ja) | Ｓｈｇ素子用シリカガラスおよびその製造方法 | |
| JPH03141134A (ja) | 半導体微粒子を分散させた石英ガラスの製造方法 | |
| JPH01183420A (ja) | ガラスの製造方法 | |
| JPH03137028A (ja) | 大型塊状ガラスの製造方法 |