JPH03295251A - 半導体基板の表面状態検査方法 - Google Patents
半導体基板の表面状態検査方法Info
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- JPH03295251A JPH03295251A JP2097386A JP9738690A JPH03295251A JP H03295251 A JPH03295251 A JP H03295251A JP 2097386 A JP2097386 A JP 2097386A JP 9738690 A JP9738690 A JP 9738690A JP H03295251 A JPH03295251 A JP H03295251A
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板の表面状態検査方法に関する。
半導体集積回路装置を作成する際、集積回路を作成する
半導体基板の表面状態、特に結晶状態がその集積回路の
特性、歩留まりに大きな影響を与える。そして、従来こ
の表面状態の検査は、透過顕微鏡法（ＴＥＭ）やラマン
分光分析法等を利用することにより行っていた。
半導体基板の表面状態、特に結晶状態がその集積回路の
特性、歩留まりに大きな影響を与える。そして、従来こ
の表面状態の検査は、透過顕微鏡法（ＴＥＭ）やラマン
分光分析法等を利用することにより行っていた。
しかし、上記方法を実施するためには、高価で大きな装
置を使用しなければならす、また検査を行うためには、
化学エツチング等の処理を半導体基板に施さなければな
らす、非常に長い時間を要していた。
置を使用しなければならす、また検査を行うためには、
化学エツチング等の処理を半導体基板に施さなければな
らす、非常に長い時間を要していた。
本発明は上記課題を解決し、安価な設備でかつ簡単に半
導体基板の表面状態を検査できる方法を提供することを
目的とする。
導体基板の表面状態を検査できる方法を提供することを
目的とする。
本件発明者は、半導体基板の表面結晶状態、すなわち損
傷状態が、その表面での光反射状態と関連していること
に着目し、所定の損傷量を施した半導体基板の表面での
光の反射状態と、検査すべき半導体基板の表面反射状態
とを比較することにより半導体基板の表面結晶状態を検
査することを考え、以下の発明を行った。
傷状態が、その表面での光反射状態と関連していること
に着目し、所定の損傷量を施した半導体基板の表面での
光の反射状態と、検査すべき半導体基板の表面反射状態
とを比較することにより半導体基板の表面結晶状態を検
査することを考え、以下の発明を行った。
本発明の半導体基板の表面状態検査方法は、予め既知の
損傷量を与えた半導体基板の表面に所定の可視光を照射
し、その表面での光反射状態を記憶しておく記憶工程と
、検査すべき半導体基板の表面に所定の可視光と同じ可
視光を照射する光照射工程と、半導体基板の表面からの
反射光の状態を測定する測定工程と、記憶工程で記憶さ
れた光反射状態と測定工程で測定された光反射状態とを
比較し、検査すべき半導体基板の表面状態を判断する工
程とを含むことを特徴とする。
損傷量を与えた半導体基板の表面に所定の可視光を照射
し、その表面での光反射状態を記憶しておく記憶工程と
、検査すべき半導体基板の表面に所定の可視光と同じ可
視光を照射する光照射工程と、半導体基板の表面からの
反射光の状態を測定する測定工程と、記憶工程で記憶さ
れた光反射状態と測定工程で測定された光反射状態とを
比較し、検査すべき半導体基板の表面状態を判断する工
程とを含むことを特徴とする。
本発明の方法では、基板表面の損傷量の対数値とその結
晶表面に於ける可視光の反射率との間には、線形関係が
あることを利用し、検査すべき半導体基板表面の光反射
状態と、既知の損傷量を有する半導体基板上に所定の膜
を所定の厚さに施した基準基板の結晶表面での光反射状
態とを比較することにより容易にかつ簡単な設備で検査
すべき基板表面の結晶状態が判別できる。
晶表面に於ける可視光の反射率との間には、線形関係が
あることを利用し、検査すべき半導体基板表面の光反射
状態と、既知の損傷量を有する半導体基板上に所定の膜
を所定の厚さに施した基準基板の結晶表面での光反射状
態とを比較することにより容易にかつ簡単な設備で検査
すべき基板表面の結晶状態が判別できる。
以下図面を参照しつつ本発明に従う実施例について説明
する。
する。
同一符号を付した要素は同一機能を有するため重複する
説明は省略する。
説明は省略する。
図は本発明に従う半導体基板の結晶表面の検査方法の工
程を示す。この図に示すように、本発明の方法は準備工
程１と測定工程２と評価工程３とにより構成されている
。
程を示す。この図に示すように、本発明の方法は準備工
程１と測定工程２と評価工程３とにより構成されている
。
この準備工程１では、基準となる半導体基板を準備する
。まず、処理が施されていない半導体基板、例えば、Ｓ
Ｉ−ｇｒａｄｅ基板を準備し、この基板に角度、加速
電圧を一定として所定のイオンを注入量を変えてイオン
注入する。具体的には、１１３ Ｓｉイオンを２Ｘ１０ ２Ｘ１０ ２×１０１５ｃ
ｍ−２でイオン注入する。半導体基板の損傷量はイオン
注入量と相関関係を有している。したがって、半導体基
板は先のイオン注入量に応じてその基板表面は損傷を受
は荒れていることになる。次に、このイオン注入したそ
れぞれの半導体基板の表面に、Ｓ ｉＯ２膜を、１００
０オングストロームの厚さで、化学気相成長法に（ＣＶ
Ｄ）より形成する。次に、この基準基板上に形成された
Ｓ １０２膜の屈折率をエリプソメトリ−を用いて算出
する。この屈折率の算出の際、まず、基準基板の表面の
反射率が一定であると仮定して、基準基板表面にそれぞ
れ形成されたＳ ｉＯ２膜の屈折率を算出する。ここで
算出された屈折率は、基準基板それぞれにより異なるが
、実際は実質的に同一なＳ ＩＯ２膜を測定しているも
のである。ここで、屈折率か同じになるように、各基準
基板の反射率を逆算し、各基準基板の反射率α１、α２
、α３を求める。そして、イオン注入量と、反射率との
関係の検量線を作成する。
。まず、処理が施されていない半導体基板、例えば、Ｓ
Ｉ−ｇｒａｄｅ基板を準備し、この基板に角度、加速
電圧を一定として所定のイオンを注入量を変えてイオン
注入する。具体的には、１１３ Ｓｉイオンを２Ｘ１０ ２Ｘ１０ ２×１０１５ｃ
ｍ−２でイオン注入する。半導体基板の損傷量はイオン
注入量と相関関係を有している。したがって、半導体基
板は先のイオン注入量に応じてその基板表面は損傷を受
は荒れていることになる。次に、このイオン注入したそ
れぞれの半導体基板の表面に、Ｓ ｉＯ２膜を、１００
０オングストロームの厚さで、化学気相成長法に（ＣＶ
Ｄ）より形成する。次に、この基準基板上に形成された
Ｓ １０２膜の屈折率をエリプソメトリ−を用いて算出
する。この屈折率の算出の際、まず、基準基板の表面の
反射率が一定であると仮定して、基準基板表面にそれぞ
れ形成されたＳ ｉＯ２膜の屈折率を算出する。ここで
算出された屈折率は、基準基板それぞれにより異なるが
、実際は実質的に同一なＳ ＩＯ２膜を測定しているも
のである。ここで、屈折率か同じになるように、各基準
基板の反射率を逆算し、各基準基板の反射率α１、α２
、α３を求める。そして、イオン注入量と、反射率との
関係の検量線を作成する。
次に測定工程２を行う。
この測定工程２では、検査すべき半導体基板の表面に、
可視光を照射し、その反射光を測定し、先の工程で測定
した屈折率を用いて、半導体基板の表面の反射率βを算
出する。
可視光を照射し、その反射光を測定し、先の工程で測定
した屈折率を用いて、半導体基板の表面の反射率βを算
出する。
次に評価工程３を実施する。
この評価工程３ては、先の測定工程２で算出された反射
率βを先の準備工程１で求めたα１、α２、ａ３とを比
較し、どの範囲にはいっているか、例えばα くβくα
２の場合には、基板表面■ （Ｆ） １ｍ （ａ ｍ カ、２×１０１１ｃｍ−２か
ら２×１０１１０ｌ３の濃度でイオン注入した場合の基
板表面の損傷量と同等であると判断し、検査すべき半導
体基板表面の損傷量を評価する。すなわち基板表面の反
射率と、その表面の結晶損傷量の対数値とが線形関係に
あり、この関係を利用することにより、更に詳細な損４
ＦＪｒｔｈを求めることもできる。
率βを先の準備工程１で求めたα１、α２、ａ３とを比
較し、どの範囲にはいっているか、例えばα くβくα
２の場合には、基板表面■ （Ｆ） １ｍ （ａ ｍ カ、２×１０１１ｃｍ−２か
ら２×１０１１０ｌ３の濃度でイオン注入した場合の基
板表面の損傷量と同等であると判断し、検査すべき半導
体基板表面の損傷量を評価する。すなわち基板表面の反
射率と、その表面の結晶損傷量の対数値とが線形関係に
あり、この関係を利用することにより、更に詳細な損４
ＦＪｒｔｈを求めることもできる。
本発明は上記実施例に限定されず、種々の変形例が考え
られ得る。
られ得る。
具体的には、上記実施例では、エリプソメトリ−を用い
て、基準となる半導体基板の反射率を求めているが、こ
の方法以外にも基板表面の反射率を測定できるものであ
ればどの様なものであってもよい。
て、基準となる半導体基板の反射率を求めているが、こ
の方法以外にも基板表面の反射率を測定できるものであ
ればどの様なものであってもよい。
また、上記実施例では、Ｓ Ｌ Ｏ２膜を用いて基板表
面の反射率を求めているが、これに限定されず、その他
の種類の膜をもちいてもよい。
面の反射率を求めているが、これに限定されず、その他
の種類の膜をもちいてもよい。
本発明の半導体基板の表面状態検査方法では、先に説明
したように、半導体基板の表面状態を簡単な方法でその
損傷状態を評価することができる。
したように、半導体基板の表面状態を簡単な方法でその
損傷状態を評価することができる。
第１図は本発明に従う半導体基板の表面状態検査方法の
一実施例の工程図である。
一実施例の工程図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 予め既知の損傷量を与えた半導体基板の表面に所定の
可視光を照射し、その表面での光反射状態を記憶してお
く記憶工程と、 検査すべき半導体基板の表面に前記所定の可視光と同じ
可視光を照射する光照射工程と、前記半導体基板の表面
からの反射光の状態を測定する測定工程と、 前記記憶工程で記憶された光反射状態と前記測定工程で
測定された光反射状態とを比較し、前記検査すべき半導
体基板の表面状態を判断する工程とを含む半導体基板の
表面状態検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097386A JPH03295251A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 半導体基板の表面状態検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097386A JPH03295251A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 半導体基板の表面状態検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03295251A true JPH03295251A (ja) | 1991-12-26 |
Family
ID=14191077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2097386A Pending JPH03295251A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 半導体基板の表面状態検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03295251A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2737806A1 (fr) * | 1995-08-11 | 1997-02-14 | Soc D Production Et De Rech Ap | Dispositif et procede de traitement de surface par laser |
-
1990
- 1990-04-12 JP JP2097386A patent/JPH03295251A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2737806A1 (fr) * | 1995-08-11 | 1997-02-14 | Soc D Production Et De Rech Ap | Dispositif et procede de traitement de surface par laser |
| WO1997007539A1 (fr) * | 1995-08-11 | 1997-02-27 | Societe De Production Et De Recherches Appliquees | Dispositif et procede de traitement de surface par laser |
| US6073464A (en) * | 1995-08-11 | 2000-06-13 | Societe De Production Et De Recherches | Laser surface treatment device and method |
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