JPH0328563Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0328563Y2
JPH0328563Y2 JP1986040324U JP4032486U JPH0328563Y2 JP H0328563 Y2 JPH0328563 Y2 JP H0328563Y2 JP 1986040324 U JP1986040324 U JP 1986040324U JP 4032486 U JP4032486 U JP 4032486U JP H0328563 Y2 JPH0328563 Y2 JP H0328563Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric resonator
microstrip line
fet
magnetic field
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1986040324U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62152507U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP1986040324U priority Critical patent/JPH0328563Y2/ja
Publication of JPS62152507U publication Critical patent/JPS62152507U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0328563Y2 publication Critical patent/JPH0328563Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔概要〕 マイクロストリツプライン上面に導体片を設け
て誘電体共振器と磁界結合させることにより、マ
イクロストリツプラインと誘電体共振器を近ずけ
ることが難かしい場合にも両者を密に磁界結合さ
せることができる。
〔産業上の利用分野〕
本考案はマイクロ波集積回路に係り、特にマイ
クロストリツプラインと誘電体共振器の磁界結合
構造に関する。
〔従来の技術〕
マイクロ波集積回路(MIC)での信号伝搬は、
接地導体上に誘電体基板を介し設けられたストリ
ツプラインにより行なわれる。即ち、2導体間に
電界を加えて電磁波を伝搬させるものである。
ここに於いて電磁界は誘電体と自由空間にまた
がつており、よつて誘電体基板上で高誘電率の物
質をストリツプラインに隣接させることにより誘
電体共振器を構成できる。
しかし乍らパツケージ型FETを用いたマイク
ロ波発振器等では、物理的に誘電体共振器を十分
にストリツプラインに近接させることができず、
両者の磁界結合が疎となることがある。この場
合、発振効率が低下する等の問題が生じる。
この様にマイクロストリツプラインと誘電体共
振器との間隔が大きくならざるを得ない場合で
も、両者の磁界結合を密にする従来の技術を、上
記パツケージFETを用いたマイクロ波発振器の
例で説明する。
第3図は、マイクロストリツプライン9の誘電
体共振器1と磁界結合する部分の巾を広くして、
両者の磁界結合を密にしようとするものである。
図に示すように誘電体共振器1は、パツケージ型
FET2の突出部に接触してしまうため、FET2
の出力端付近でストリツプラインに接近させるこ
とができない。FET2の突出部との接触を避け
るためにある程度の高さを有するスペーサを介し
て誘電体共振器を配置した場合にも、上下方向に
間隔があき、両者を十分に接近させることができ
ない。よつて、第3図のようにマイクロストリツ
プライン9の誘電体共振器1との磁界結合部の巾
のみを広くするものである。
また、第4図に示すようにFET2のパラメー
タで決まる所望の磁界結合点から略λ/2離れた
地点、即ち誘電体共振器とマイクロストリツプラ
インを磁界結合させるべき位置のうちFET2に
2番目に近い地点で、結合させる方法もある。
〔考案が解決しようとする問題点〕
しかし乍ら上記第3図に示す構成では、FET
2と誘電体共振器1とが接触しない程度にマイク
ロストリツプライン9の巾を広くすると、その部
分に容量性スタブが付加されることになり、発振
条件が満たされなくなる問題がある。
また、第4図に示す構成では、理想的には誘電
体共振器1とマイクロストリツプライン3が所望
の電磁結合位置で結合させた場合と同一の状況に
なるはずであるが、実際にはマイクロストリツプ
ラインによる信号伝搬時の損失があるため発振効
率が低下することになる。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の如き問題点は本考案により接地導体上に
誘電体基板を介して配置されるストリツプライン
におけるFETとの結合端部上にストリツプライ
ンと同一幅の導体片が設けられ、かつ誘電体基板
上でスペーサを介して導体片の上方に配置された
誘電体共振器と磁界結合させたことを特徴とする
マイクロ波集積回路によつて解決される。
〔作用〕
マイクロストリツプライン上の導体片により電
磁界が上方に押し広げられることになるため、誘
電体共振器をマイクロストリツプラインの上方に
隔しても両者の磁界結合を密にすることができ
る。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本考案の実施例について
説明する。
第1図は、本考案によるMIC、即ちパツケー
ジFETを用いたマイクロ波発振器の上面図を示
すものである。
ここに於いて誘電体共振器1は、帯域阻止フイ
ルタとして機能するものであり、FET2からの
出力のうち、所定の共振周波数信号をFET2に
反射するものである。よつて、誘電体共振器1は
FET2のパラメータで決まる出力端近傍でマイ
クロストリツプライン3と磁界結合すべきもので
ある。
しかし乍ら前述の如く、パツケージ型FET2
がマイクロストリツプライン3,4の表面から突
出しているため、誘電体共振器1を誘電体基板表
面にそのまま配置していたのでは、マイクロスト
リツプライン3へ十分近ずけて両者の磁界結合を
密にすることができない。そこで、本考案では第
1図に示すように、マイクロストリツプライン3
上に導体片6を設けて、スペーサに支持された誘
電体共振器1と磁界結合させている。
導体片6は自由空間に漏れる磁界を更に上方に
押し広げるため、スペーサに支持された誘電体共
振器1との電磁界結合を密にするものにする。ま
た、第1図の上面図にも示されるように導体片6
の巾はマイクロストリツプライン3と同程度にす
べきである。即ち、導体片6の巾を広げた場合に
は第3図に示した従来例と同様に実質的にマイク
ロストリツプラインの巾を広げることになつてし
まうからである。
第2図に第1図の発振器の断面図を示す。
接地導体8上に誘電体基板7が設けられ、その
上面に形成されたストリツプラインにより電磁波
が伝搬される。FET2のパラメータで決まる所
望の位置(ここではFET2の出力端近傍)に導
体片6が設けられている。誘電体共振器1は、例
えば石英の如く誘電率が低く、マイクロ波の損失
が少なく、且つ温度膨張係数の小さな物質から成
るスペーサ5で支持されている。従つて、マイク
ロストリツプライン3,4表面から突出する
FET2に接触すること無く誘電体共振器1をマ
イクロストリツプライン3との所望の結合部へ近
ずけることができる。また、導体片6によりマイ
クロ波磁界を上方に押し広げられるために、マイ
クロストリツプライン3との磁界結合を密に保
ち、発振効率の低下を防止できる。
〔考案の効果〕
以上述べたように、マイクロストリツプライン
を伝搬するマイクロ波の電磁界において、その磁
界はマイクロストリツプラインの表面導体を、伝
搬方向に垂直な断面内で、取り巻くように分布し
ている。よつて、マイクロストリツプラインの表
面上に導体片を置いた本考案では、取り巻く磁界
の輪は、その導体片の断面積だけ外側に押し広げ
られるので、誘電体共振器をマイクロストリツプ
ラインの上方に隔しても磁界結合を密に保つこと
ができる。
また、本考案によれば、発振効率の低下を防止
できるので、定格の一段上のFETを使わなくて
も済み、コストを下げる効果もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案によるMICの上面図を、第2
図は本考案によるMICの断面図を、第3図は第
1の従来例の構成を、第4図は第2の従来例の構
成を示す。 図中、1は誘電体共振器を、2はFETを、3,
4,9はマイクロストリツプラインを、5はスペ
ーサを、6は導体片を、7は誘電体基板を、8は
接地導体を表わす。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 接地導体上に誘電体基板を介して配置されるス
    トリツプラインにおけるFETとの結合端部上に
    ストリツプラインと同一幅の導体片が設けられ、
    かつ誘電体基板上でスペーサを介して導体片の上
    方に配置された誘電体共振器と磁界結合させたこ
    とを特徴とするマイクロ波集積回路。
JP1986040324U 1986-03-19 1986-03-19 Expired JPH0328563Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1986040324U JPH0328563Y2 (ja) 1986-03-19 1986-03-19

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1986040324U JPH0328563Y2 (ja) 1986-03-19 1986-03-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62152507U JPS62152507U (ja) 1987-09-28
JPH0328563Y2 true JPH0328563Y2 (ja) 1991-06-19

Family

ID=30854319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1986040324U Expired JPH0328563Y2 (ja) 1986-03-19 1986-03-19

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0328563Y2 (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6237408B2 (ja) * 1981-08-28 1987-08-12 Xerox Corp

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0540568Y2 (ja) * 1985-08-26 1993-10-14

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6237408B2 (ja) * 1981-08-28 1987-08-12 Xerox Corp

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62152507U (ja) 1987-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6677837B2 (en) Dielectric waveguide filter and mounting structure thereof
KR100421621B1 (ko) 고주파전송선로,유전체공진기,필터,듀플렉서및통신기
CA2063119C (en) Miniature dual mode planar filters
EP0157505B1 (en) High-frequency semiconductor device
GB1410458A (en) Planar transmission line structures
US4679015A (en) Ferromagnetic resonator
JP2571786B2 (ja) 誘電体共振器への結合のためのマイクロストリツプ伝送線
JPS6271305A (ja) 誘電体共振器
JPH0328563Y2 (ja)
US7183874B2 (en) Casing contained filter
JPH11312903A (ja) 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、通信機装置
JP3013798B2 (ja) 交差線路
JP2909363B2 (ja) 静磁波マイクロ波装置
KR960043492A (ko) 유전체 필터 및 이의 제조 방법
JPH08195606A (ja) マイクロ波結合線路
JPH01125101A (ja) 超高周波用共振器
JPH0465562B2 (ja)
JPH0722889Y2 (ja) 静磁波共振子
JP2608088B2 (ja) フェリ磁性体薄膜共振器
JPH0258401A (ja) フェリ磁性体薄膜フィルタ
JPH0217961B2 (ja)
JP4824869B2 (ja) マイクロ波発振器
JPH06216613A (ja) マイクロ波結合線路
JPS63200545A (ja) 高周波用混成集積回路
JPS60242702A (ja) マイクロ波共振回路