JPH03285300A - 加速器の制御装置 - Google Patents
加速器の制御装置Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
制御装置に関する。
子にエネルギーを与えて加速を行う過程で、偏向電磁石
の電流値等をエネルギーに依存して変化させること、す
なわち1時間的に変化するパターンとする必要がある。
荷電粒子を取り出す周期などによって決められていて、
パターン信号発生用のメモリに記録されている。パター
ン信号の発生は、このメモリのデータを所定の周期で読
み出して出力することにより行われる。
すもので、電磁石1に電磁石電源2より電流を供給し、
加速器動作に必要な磁場Bを発生することを示している
。電磁石電源2に対し、磁場パターン発生器3より磁場
基準値BRが時間的に変化するパターン信号として与え
られる。磁場パターン発生器3には、タイミング信号発
生器4よりタイムクロック信号CTが与えられ、これに
より磁場パターン発生器3は動作する。電磁石1の発生
する磁場Bの強さは磁場センサ5により電気信号に変換
されて磁場クロック発生器6に入力される。磁場クロッ
ク発生器6では、一定量の磁場値の変化に応じて1個の
パルス信号を磁場クロック信号CBとして出力する(例
えば、0.2gauss相当の磁場変化につき1個のパ
ルス信号を出力する)、この磁場クロック信号CBは周
波数パターン発生器7に入力される。この周波数パター
ン発生器7には、タイミング信号発生器4よりリセット
信号Rも入力される。
て動作して周波数基準値fRを時間的に変化するパター
ン信号として出力し、この周波数基準値fRは高周波発
生装置18に入力される。高周波発生器W8は、入力さ
れた周波数基準値fRで与えられる周波数の高周波出力
PRFを発生し、この高周波出力PRFが加速器リング
に取付けられた高周波加速空胴9に供給される。
場Bと高周波出力PRPの周波数fとの関係を示す図で
、横軸に時間5縦軸に磁場89周波数fをとり、加速前
の荷電粒子の入射Injから加速完了後の荷電粒子の取
り出しExtまでの一周期の時間的変化を示したもので
ある。
はアドレスカウンタ71、メモリ72、出力レジスタ7
3およびこれら相互のデータ入出力を行うデータバス7
4より構成されている。
成を示すもので、クロックパルスカウンタ711゜アド
レスレジスタ712より構成される。
グラフで示すような磁場Bのパターンを発生させるため
に、タイミング信号発生器4がクロック信号CTを磁場
パターン発生装置3に対して与える。これにより、磁場
パターン発生器N3のメモリに書かれているパターンデ
ータが順次読み出されて磁場基準値BRが出力される。
ような時間的な変化パターンとなっていて、電磁石電源
2に与えられる。電磁石電源2はこの磁場基準値BRの
変化に従って、電磁石に電流を供給する。電磁石1の発
生する磁場はセンサ5によって検出される。
の大きさに比例する電圧出力Vであり、これが磁場クロ
ック発生器6に入力される。磁場クロック発生器6は積
分回路を備え、入力電圧の積分値、すなわち磁場の大き
さが一定*(例えば1ガウスに相当する[)に達したと
ころで1個のパルス出力を行うとともに、この積分値を
Oにクリアする。従って、出力としては、磁場の大きさ
が一定値増加するごとに1個のパルスが出力されるよう
な磁場クロック信号CBを得る7周波数パターン発生器
7はリセット信号Rおよび 磁場クロック信号(Jを入
力する二とにより、次のように動作する、まず、リセッ
ト信号Rにより、第7図、第8図に示したように、クロ
ックパルスカウンタ711がリセットされ、アドレスレ
ジスタ712に0をセットする、アドレスレジスタ71
2はメモリ72の読み出しアドレスを示しているので、
この時点でメモリ72の先頭アドレスのデータが読み出
され、出力レジスタ73にセットされる。出力レジスタ
73にセットされたデータはそのまま周波数基準値fR
として出力される7次に、磁場クロック信号CBより1
個のパルλが入力されるごとに、クロックパルスカウン
タ711はカウントアツプを行い、そのたびにメモリ7
2の読み出しアドレスを1アトしスずつ進ませながら、
その読み出しまたデータを出力レジスタ73にtツLL
、、、ff波数基準値fRの出力とする1、このような
動作により、周波数基準lfRは磁場Bの関数とし7て
与えられるので、al場Bの変化に対応したパターンと
して得ることができる。
て7荷電粒子の加速に用いられる昼!8波電力の周波数
を変化させる必要性は、特にシンクロトロン加速器1.
おし・て、電子のような軽い粒子に比較して重い粒子(
例えば水素原子)の加速を行うときに生ずるものである
。軽い粒子においては。
スピードはほとんど光速となり、粒子の重量がエネルギ
ーを得るに従って増加する。シンクロトロン加速器にお
いては、粒子の軌道は一定の閉軌道上になければならな
いが、スピードが一定の場合は閉軌道上を周回する周期
は一定となり。
一定で良い。ところが重い粒子の場合は。
光速よりスピードは十分低い領域で使用されるため)、
このため、粒子が周回する周波数はエネルギーの増加と
ともに増加させていく。一方、電磁石(偏向電磁石)の
発生する磁場の強さは、エネルギーに比例させることに
より、一定の曲率を確保し、一定の閉軌道としている。
るということは、エネルギーに依存して変化させること
と等価であり、かつ、エネルギーとスピード、すなわち
周波数は一定の周波数によって与えられるので、結局、
上述のような装置が有効である。
に磁場の変化に応じてパターンを発生しているため、磁
場が一定に達したところで9周波数を若干変更して荷電
粒子の閉軌道を微調整し。
った。
カバターンの変更が可能な加速器の制御装置を提供する
ことを目的とする。
する周波数パターンデータを記録する第1のメモリと、
電磁石の磁場が所定値に達するタイミングでメモリアド
レス分岐信号とタイムクロック信号とを発生するタイミ
ング信号発生器と、このタイムクロック信号に対応する
パターンデータを記録する第2のメモリと、前記メモリ
アドレス分岐信号が出力されたときに前記第1のメモリ
から前記第2のメモリに出力データアドレスを切換える
メモリアドレスカウンタを備えるものである。
ロック信号の出力に応じて第1メモリの内容が順次読み
出されて高周波発生装置に入力する。これにより、加速
器リングに取付けられた高周波加速空胴に供給する高周
波出力の周波数が磁場が所定値に達する迄漸次上昇する
。
リアドレス分岐信号が発生し、こればより第1メモリか
ら第2メモリに切換り、以後はタイミング信号発生器か
ら出力するタイムクロック信号に応じて第2メモリの内
容が順次読み出されて高周波発生装置に入力する。これ
により、前記高周波出力の周波数は磁場が一定に達した
のちも上昇させることができ、荷電粒子ビームの出射時
の閉軌道を微調整してビームの取り出しが容易になる。
成図を示したものである。図中、第5図と同一符号は同
−又は相当部分を示し、第5図の構成と異なる点は、タ
イミング信号発生器10がら周波数パターン発生器11
に、リセット信号Hの地竜磁石1の磁場値が所定値に達
するタイミングで発生するメモリアドレス分岐信号Jと
、タイムクロック信号CTとを入力するようにした点、
および、周波数パターン発生器11内部に磁場クロック
信号CBに対応するパターンデータを記憶し2ている第
1のメモ1月12と、タイムクロック信号CTに対応す
るパターンデータを記憶している第2のメモリ113と
を設けると共に、メモリアドレスカウンタ111カ前記
メモリアドレス分岐信号Jが出力されたときに、前記第
1のメモリがら前記第2のメモ1月7出力データアドレ
スに切換えるようにした点である。 以上の構成で、電
磁石】には、すでに述べたように電磁石電源2より、第
2図で示すようなパターンで磁場Bを発生するように電
流が供給される。この磁場Bのパターンは磁場パターン
発生器3の基準値出力である磁場パターン信号BRによ
って与えられる。一方、磁場Bは磁場センサ5によって
。
。この磁場変化信号によって磁場クロック発生器6は磁
場クロック信号C1lをアドレスカウンタ111に出力
する。アドレスカウンタ111はその磁場クロック信号
CBの入力ごとに、第1のメモリ112内の1ワードの
データを、アドレスをカウントアツプしながら周波数基
準値fRとして出力する。
がタイミング信号発生110より出力されアドレスカウ
ンタ111に与えられる。アドレスカウンタ111はこ
の信号Jによって読み呂し動作を行うメモリアドレスを
第1のメモ1月12から第2のメモ1月13の先頭アド
レスに切換える。この後、タイミング信号発生器3は一
定周期のタイムクロックCTをアドレスカウンタ111
に対して出力する。
2の内容を順次アドレスをカウントアツプしながら周波
数基準値fRとして出力する。従って、第2図に示すよ
うにして、荷電粒子ビームの出射のタイミングExtに
合せて周波数fを変化させることができる。
111に出力されるリセット信号Rは、アドレスを第1
のメモリ112の先頭にもって来ると同時に。
で、1周期の最初に動作する。J、R,CTの動作する
タイミングは予めタイミング信号発生器10にセットさ
れている。また、第1図には示していないが、荷電粒子
ビームの入射(Inj)や出射(Ext)の動作は上記
磁場Bや周波数fのパターンに同期する必要があり、こ
れらの装置に対するタイミング信号の発生もタイミング
信号発生器10で行う場合が多い。
アドレスカウンタ111および出力レジスタ114の関
係をより詳細に示したものである。これら第1のメモリ
112、第2のメモリ113、アドレスカウンタ111
および出力レジスタ114はデータバス115によって
相互につながれている。
示したもので、磁場クロック信号CBとタイムクロック
信号CTのいずれか一方より入力されるパルス信号をク
ロック信号Cとして出力するクロックOR回路+21.
クロック信号Cより入力されるパルス信号の個数を累算
しメモリアドレスAIを出力するカウンタ122、リセ
ット信号Rとアドレス分岐信゛号Jのいずれかのパルス
信号をカウンタ122のリセット信号としてカウンタリ
セット信号Reを出力するリセットOR回路123、第
2のメモリの先頭アドレスJAを保持する分岐アドレス
レジスタ124、アドレス分岐信号J入力後に出力信号
JHをリセット信号Rが入力されるまで出力信号Jl(
をON状態に保持する保持回路125.信号JHがON
の間、分岐アドレスデータJ^をアドレス^2として出
力するAND回路126、アドレスAlとA2との和を
アドレスAとして出力する加算器127、アドレス^の
値を保持するアドレスレジスタ128より構成される。
は1つのメモリを2つに分割したものであり、第1のメ
モリ112の先頭アドレスはO1第2のメモリ113の
先頭アドレスは、分岐アドレスレジスタ124にセット
されている分岐アドレスJAである。これらのメモリに
は、第3図に示すように、周波数基準値fRのデータが
、第1のメモリ112においては、磁場クロック信号C
Bの1クロック信号の単位ΔBごとに、磁場Bの関数と
して記録されており、第2のメモリ113においては、
タイムクロック信号CTの1クロック信号の単位Δtご
とに、時間tの関数として記憶されている。
出力A1はOにクリアされる。また保持回路125の出
力Jl(もクリアされるのでA2も0にクリアされる。
ドレスレジスタ128には第1のメモIJ112の先頭
アドレスがセットされる。同時に、第1のメモ1月12
の先頭アドレスのデータが読み出されて出力レジスタ1
14にセットされる。出力レジスタ114にセットされ
たデータはそのまま周波数基準値fRとして出力される
。
信号CTの入力によって開始すると、磁場Bは第2図に
示すように単調に増加を開始する。この場合、加速器の
性格上、荷電粒子エネルギーと磁場Bとは、はぼ比例の
関係にあるので、エネルギー増加の過程で磁場を減少さ
せるような動作は行わない、この磁場の増加によって、
磁場センサ5及び磁場クロック発生器6によって磁場ク
ロック信号CBを発生し、アドレスカウンタ111に入
力される。アドレスカウンタ111において、入力する
磁場クロック信号CBはクロックOR回路121を経由
してカウンタ122に入力されるので、カウンタ122
はパルスのカウント動作を行う、カウンタ122の1カ
ウントごとにカウント値をアドレスAIとして出力する
と、加算器127において、アドレスA1とA2とは加
算されるが、このときA2はOなので出力AはA1と同
じである。Aはアドレスレジスタ128にセットされる
とともに、第1のメモリのAで示されるアドレスのデー
タが読み出されて出力レジスタ14にセットされ、この
データが周波数基準値fRとして出力される。このよう
にして、磁場Bの増加に伴って第1のメモリ112の内
容が読み出されてfRとして出力される。
号Jがアドレスカウンタ111に入力されると、この信
号によりカウンタ122には、リセットOR回路123
を経てリセット信号が入力されるので、カウント値は0
にクリアされ、アドレスA1も0となる。
岐アドレスレジスタ124にセットされる分岐アドレス
JAがAND回路126を経てアドレスA2となり、加
算回路127に入力される。このときA1は0にクリア
されているので、AはA2に一致する。このアドレスA
がアドレスレジスタ128にセットされると、メモリア
ドレスは第2のメモリ113の先頭アドレスとなり、こ
のアドレスのデータが出力レジスタ14にセットされて
fRとして出力される6次に、タイムクロック信号CT
がアドレスカウンタ111に入力されると、カウンタ1
22には、クロックOR回路121を経てパルス信号が
入力されるので、再びカウント動作を開始し、カウント
値をA1として出力する。
する。A2は、Jの入力以降は第2のメモリ113の先
頭アドレスとなっているので、Aとしては、タイムクロ
ック信号CTが1個人るごとに、第2のメモリ113の
アドレスを順次光に進めるアドレスとなる。
号によって読み出されてfRとして出力される。
号CT、メモリ分岐信号Jをアドレスカウンタ111に
入力することにより、第1のメモリ112の読み出しと
出力、第2のメモ1113への切換え及び第2のメモリ
113読み出しと出力を行うことができるので、磁場の
関数としての周波数基準値fRのパターンと時間の関数
としてのfRのパターンを別々ににメモリに書き込んで
おき、それを所定のタイミングで切換えて出力すること
ができる。
ついて説明したが1周波数基準値以外の他の基準値(例
えば高周波出力電圧パターンなど)にも同様に適用でき
る。
メモリ113の2種類のメモリを備える場合を示したが
、さらに、第3、第4のようにメモリを分け、同時に、
アドレス分岐信号JをJ、、J、 、J、・・・のよう
に増して、メモリの切換えを行うように変形して使用す
ることも本発明の主旨を変えるものではない。
Bは単調に増加するものとしているが、電磁石電源の方
式によっては、電磁石の電流に交流のリップルを含む場
合があり、磁場も微小に変動する。この対策として従来
より磁場クロックに増加方向クロックと減少方向クロッ
クの2種類を設け、増加方向でメモリのアドレスを進め
、減少方向でメモリのアドレスを戻す装置が使用されて
いるが、本発明はこの場合にも、同様に適用可能である
。
ング信号発生器10より得る場合について説明したが、
これら信号を磁場パターン発生器3より得ることもでき
る。その場合は、磁場のパターンデータの他に、パルス
出力のデータを所定のアドレスのデータに付は加えてお
き、そのデータが読み出されたときに、パルス信号を出
力するようにすればよい。
と、タイムクロック信号とを使用することによって、H
1場の増加の過程では、磁場クロック信号によってパタ
ーンデータを磁場の関数として出力することができ、ま
た、磁場が一定値となる領域では、タイムクロック信号
によってパターンデータを時間の関数として出力するこ
とが可能となった。これにより、従来は不可能だった荷
電粒子ビームの出射時におけるパターンのf#、tA盤
が可能となった。
図、第2図は第1図の加速器制御装置の動作を示すタイ
ムチャート、第3図は第1図のパターン発生器の詳細構
成図、第4図は第1図のアドレスカウンタの詳細構成図
、第5図は従来の加速器制御装置の構成図、第6図は第
5図の装置の動作を示すタイムチャート、第7図は第5
図のパターン発生器の構成を示す図、第8図は第5図の
アドレスカウンタの構成を示す図である。 11・・・周波数パターン発生器、111・・・アドレ
スカウンタ、112・・・第1のメモリ、113・・・
第2のメモリ、114・・・出力レジスタ。 (7317) 代理人 弁理士 則 近 憲 佑
Ni3図 第2図 第4図 第5図 第6図
Claims (1)
- 加速器の電磁石の磁場の変化を検出して作られる磁場ク
ロック信号を用いて荷電粒子を加速する高周波電力周波
数のパターンデータを発生させる加速器の制御装置にお
いて、前記磁場クロック信号に対応する第1のパターン
データを記憶している第1のメモリと、前記電磁石の磁
場が所定値に達するタイミングでメモリアドレス分岐信
号に続いてタイムクロック信号を発生するタイミング信
号発生器と、このタイムクロック信号に対応する第2の
パターンデータを記憶している第2のメモリと、前記メ
モリアドレス分岐信号が出力されたときに、前記第1の
メモリから前記第2のメモリに出力データアドレスを切
換えるメモリアドレスカウンタを備えることを特徴とす
る加速器の制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2084908A JPH0824078B2 (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 加速器の制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2084908A JPH0824078B2 (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 加速器の制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03285300A true JPH03285300A (ja) | 1991-12-16 |
JPH0824078B2 JPH0824078B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=13843836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2084908A Expired - Lifetime JPH0824078B2 (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 加速器の制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0824078B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1050498A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Hitachi Ltd | デマルチプレクサ装置及びマルチプレクサ装置並びにそれらを備えた信号処理装置 |
JP2006209972A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Hitachi Ltd | 荷電粒子ビームの出射方法及び粒子線照射システム |
JP2010003538A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Natl Inst Of Radiological Sciences | 高周波加速制御装置 |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP2084908A patent/JPH0824078B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
HIMAC SYNCHROTRON PROCEEDINGS OF THE 7TH SYMPOSIUMON ACCELERATOR SCIENCE AND TECHNOLOGY=1989 * |
RF ACCELERATING SYSTEM FOR TARN2 PROCEEDINGS OF THE 7TH SYMPOSIUM ON ACCELERATORSCIENCE AND TECHNOLOGY=1989 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1050498A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Hitachi Ltd | デマルチプレクサ装置及びマルチプレクサ装置並びにそれらを備えた信号処理装置 |
JP2006209972A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Hitachi Ltd | 荷電粒子ビームの出射方法及び粒子線照射システム |
JP2010003538A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Natl Inst Of Radiological Sciences | 高周波加速制御装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0824078B2 (ja) | 1996-03-06 |
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Legal Events
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