JPH03283708A

JPH03283708A - Ａｇｃ回路

Info

Publication number: JPH03283708A
Application number: JP2080715A
Authority: JP
Inventors: Minoru Mogi; 稔茂木; Katsumasa Yokouchi; 克政横内
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1990-03-30
Filing date: 1990-03-30
Publication date: 1991-12-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】３、発明の詳細な説明［産業上の利用分野］本発明は衛星放送受信機等に用いられるＡＧＣ回路の温
度補償方法に関する。

［従来技術］衛星放送受信機等の高周波受信回路に要求される性能の
一つに利得制御特性がある。たとえば衛星放送受信機に
おいては入力信号レベルに応じて４０ｄＢ以上の利得制
御量が必要である。一方、利得制御特性は歪妨害特性お
よび雑音特性とも密接な関係があり、そのために利得制
御回路をＲＦ部とＩＦ部に分離して配置し、ＰＩＮダイ
オードやデュアルゲートＦＥＴ等を用いた利得制御回路
を組み合わせて使用することで、歪妨害特性および雑音
特性を考慮した利得制御量のバランス設計を行っている
。

一方、最近はＧ　ａ　Ａ　ｓ　Ｆ　Ｅ　Ｔを用いて入力
段の広帯域増幅器から利得制御増幅器１周波数変換器、
発振器にいたるまで多くの回路を取り込んだＩＣが開発
されてきている。

［発明が解決しようとしている課題］上記ＧａＡｓＦＥＴを用いたＩＣは温度が変化するとＦ
ＥＴのしきい電圧やｇｍ値が変化するために回路の利得
が変わるという問題点がある。したがってＩＣおよびそ
の他の利得制御回路を組み合わせて用いることで、歪妨
害特性および雑音特性のバランス設計を行っている場合
、ＩＣの利得変動が大きいと全体の利得制御量のバラン
スに支障を来たし、特性劣化を招く恐れがある。

本発明は上記問題点を解決し、ＩＣの利得変動をおさえ
ることで受信機の特性の安定化を図ることを目的とする
。

［課題を解決するための手段］上記目的はＡＧＣ制御電圧を温度補償回路を介してＩＣ
の利得制御端子に印加することにより解決される。

［作用］ＧａＡｓＦＥＴを用いたＩＣは温度が高くなるとＦＥＴ
のしきい電圧やｇｍ値が変化するために利得が低下する
。そこでＩＣのＡＧＣバイアス印加端子に温度補償回路
を接続して、温度上昇時にＩＣに印加されるＡＧＣ電圧
を高くして利得を上げるように補償を行なうと、ＩＣの
温度による利得変化とＡＧＣ電圧の温度補償による利得
変化が相殺され、外部より供給されるＡＧＣ制御電圧に
対してＩＣの利得は安定化される。

［実施例］以下、本発明の一実施例を第１図を用いて説明する。第
１図は本発明を用いたＡＧＣ回路の一実施例で、１は内
部に利得制御回路を内蔵した高周波信号処理ＩＣ１２は
高周波信号入力端子、３は高周波信号出力端子、４はＡ
ＧＣ電圧供給端子、５はＩＣへのＡＧＣ電圧印加端子、
６は温度補償回路である。高周波信号入力端子２より入
力された高周波信号はＩＣＩにて増幅、周波数変換等の
信号処理が行おれた後、高周波信号出力端子３より出力
される。また、ＩＣＩはＡＧＣ電圧印加端子５より印加
される電圧により利得が制御される。

ここでＩＣＩをＧ　ａ　Ａ　ｓ　Ｆ　Ｅ　Ｔにより構成
した場合、温度が変化するとＦＥＴのしきい電圧やｇｍ
値が変化するためにＩＣの利得が変動する。したがって
入力信号に対して一定の出力信号レベルを得るためのＡ
ＧＣ電圧は温度番こよりＩＣの利得が変化した分だけ変
動する。そこでＡＧＣ電圧供給端子４より供給される電
圧を温度補償回路６を介してＩＣのＡＧＣ電圧印加端子
５に印加し、温度補償回路６はＩＣの利得変化分が相殺
されるよう４ニーＩＣに印加ＡＧｃ電圧を補正すること
により、ＡＧＣ電圧供給端子４から供給するＡＧＣ電圧
はけ温度に無関係とすることができる。

第２図に衛星放送受信機のチューナ部の回路ブロック図
を示す、９は第１ＩＦ信号入方端子、ｌｏＯは広帯域増
幅器、１１はＰＩＮ　　ＡＧＣ回路、１２はＲＦ　　Ａ
ＧＣ回路、１３はミクサ回路、１４はＩＦ　　ＡＧＣ＠
路、１５は局部発振器、１６は第２ＩＦ信号比力端子、
１７はＡＧＣ電圧供給端子である。衛星放送受信機では
第１ＩＦ信号入力端子９には入力信号レベルがおよそ−
６５〜−２５ｄＢｍの多チャンネルの信号が入力され、
広帯域増幅１１１０．ＰＩＮ　　ＡＧＣ回路１１、ＲＦ
ＡＧＣ回路１２でレベル制御された後、ミクサ回路１３
にて局部発振器１３の発振信号と混合され、受信チャン
ネルのみがＩＦ　　ＡＧＣ回８１４に入力され、一定信
号レベルに制御されて第２工Ｆ信号出力端子１６より出
力される。ここでＰＩＮ　　ＡＧＣ回路１１、ＲＦ　　
ＡＧＣ回路１２およびＩＦ　　ＡＧＣ回路１４にはＡＧ
Ｃ電圧供給端子１７より供給されるＡＧＣ制御電圧が印
加され、第１ＩＦ信号入力端子９に入力される信号レベ
ルの如何にかかわらず、第２ＩＦ信号呂力端子１６より
出力される第２ＩＦ信号出力レベルを一定に保つように
利得制御を行なっている。ここで第１ＩＦ信号入力端子
９には多波の信号が入力されるために、入力信号レベル
が大゛きいときには歪妨害特性が問題となり、入力段の
ＰＩＮ　　ＡＧＣ回路１１の減衰量が大きくなるよう回
路設計を行うことで特性の改善を図ることができる。一
方、入力レベルが小さいときには入力部の損失が雑音特
性に影響をおよぼすために、入力部の減衰量を小さくし
、ＩＦ部で減衰量をとることが望ましい、そこでＡＧＣ
回路の設計を行う際には歪妨害特性および雑音特性を考
慮した各ＡＧＣ回路の利得制御量のバランス設計が必要
である。

ここで第２図に示す衛星放送受信機に第１図で説明した
ＧａＡｓ　　ＦＥＴにより構成されたＩＣを適用した場
合、前述したように本発明の温度補償回路６を用いない
と、温度に対してＩＣの利得が変化することから、第２
ＩＦ信号出力レベルを一定に保つためのＡＧＣ電圧が変
化し、各ＡＧＣ回路の利得制御量のバランスに狂いが生
じるために、歪妨害特性もしくは雑音特性の特性劣化を
招く恐れがある。一方、本発明の温度補償回路６を用い
た場合は温度による工Ｃ１の利得変化は温度補償回路６
で補正されるためにＡＧＣ電圧供給端子１７より印加さ
れる制御電圧は温度に対して安定化され、全体の利得制
御量のバランスは一定に保たれるので、特性の安定化が
図れる。

第３図に本発明を用いた利得制御回路の１実施例を示す
、同図は利得制御回路にデュアルゲートＦＥＴを用いた
例で第１図と同じ機能を有するものは同一記号を付して
説明を略す、１８は温度補償素子、１９，２０．２４は
バイアス抵抗、２１は電源電圧供給端子、２２は接地端
子、２３はデュアルゲートＦＥＴ、２５．２６は接地容
量で、ある、ＩＣの高周波信号入力端子２より入力され
た高周波信号はデュアルゲートＦＥＴ２３のゲート１に
入力され、増幅してドレイン端子より出力され、その他
の回路で処理された後、高周波信号出力端子３より出力
される。デュアルゲートＦＥＴ２３の利得はＡＧＣ電圧
供給端子４よりＡＧＣ電圧印加端子５を介して印加され
る電圧で制御される。前述のように温度が上昇するとし
きい電圧やｇｍ値が変化するためにデュアルゲートＦＥ
Ｔ２３の利得は低下する。一方、第３図の実施例に示す
ように、ＡＧＣ電圧供給端子４とＡＧＣ電圧印加端子５
の間に温度補償回路を挿入すると、たとえば温度補償素
子１８に温度上昇に対して抵抗値が減少するようなサー
ミスタを用いた場合、温度が上昇すると温度補償素子１
８の抵抗値が減少し。

ＡＧＣ電圧印加端子５に印加される電圧は大きくなるた
めに、デュアルゲートＦＥＴ２３の利得は増加する。し
たがって、ＦＥＴ自身の温度による利得変化と温度補償
素子１８によるＦＥＴ２３の利得変化が相殺されるよう
に温度補償素子１８の定数を設定することにより、ＩＣ
Ｉの利得の安定化を図ることができる。

第４図にデュアルゲートＦＥＴを用いた他の実施例を示
す、同図において第３図と同じ機能を有するものは同一
記号を付して説明を略す０本実施例はデュアルゲートＦ
ＥＴ２３のゲート１に温度補償素子１８を接続してゲー
トｌのバイアス条件を変えることで温度補償を行なう例
で、ゲート２に温度補償素子番設ける方法゛に比べて制
御感度が小さい欠点があるが、ＡＧＣ電圧供給端子４よ
り供給される電圧をそのままＩＣに加えることができる
利点がある。

第５図に本発明を用いた利得制御回路の他の１実施例を
示す、、同図は利得制御回路番口差動増輻器を用いた例
で第３図と同じ機能を−有するものは同一記号を付して
説明を略ｉ、２７．２８はＦＥＴ。

２９は接地容量である。２個のＦＥＴ２７はＦＥＴ２８
を定電流源とした差動増幅器を構成しており、増幅器の
利得はＡＧＣ電圧印加端子５よりＦＥＴ２８のゲートに
印加する電圧を変えてＦＥＴ２８の電流値を変化させる
ことにより制御する。

本実施例においても、ＡＧＣ電圧供給端子４とへ〇Ｃ電
圧印加端子５の間に第３図の実施例と同様に温度補償回
路を挿入すると、温度が上昇するとＡＧＣ電圧印加端子
５に印加される電圧は大きくなり、ＦＥＴ２８の電流が
増加し、差動増幅器の利得は増加することから差動増幅
器の利得変化が相殺され、工Ｃ１の利得の安定化を図る
ことができる。

尚、以上の実施例では温度補償素子に温度上昇に対して
抵抗値が減少するサーミスタを用いた場合について説明
したが、逆の特性のものをＡＧＣ電圧印加端子５と接地
端子間に接続しても同様の効果が得られる。また、温度
補償素子として本実施例ではサーミスタを用いたが、温
度により抵抗値、電圧値、電流値等が変わる他の素子を
用いても同様の効果が得られる。

第６図に本発明の回路を基板に実装した１実施例の断面
図を示す、同図において第３図と同じ機能を有するもの
は同一記号を付して説明を略す。

３１はＩＣＩのリード、３２．３３は配線導体、３４は
スルホール導体、３５は実装基板である。

温度補償素子１８をＩＣＩに近接して配し、ＩＣのリー
ド３１と温度補償素子１８を直接接続することにより、
ＩＣＩより発生する熱を迅速に温度補償素子１８に伝え
ることができ、電源投入時の初期変動にも対応すること
が可能となる。

［発明の効果］本発明によれば、温度補償回路を用いてＩＣの温度によ
る利得変動を安定化することにより、利得制御時の各回
路の利得バランスを最適状態に保つことができ、特性の
安定化が図れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を用いた回路のブロック図、第２図は衛
星放送受信機のブロック図、第３図、第４図、第５図は
ＡＧＣ温度補償回路の実施例、第６図は本発明を用いた
１実装回路例の断面図である。１・・・ＩＣ，２・・・ＩＣ入力端子、３・・・ＩＣ出
力端子、４・・・ＡＧＣ電圧入力端子、５・・・ＩＣＡ
ＧＣ入力端子、６・・・温度補償素子、９・・・ＲＦＦ
力端子。１０・・・ＲＦ増増器器１１・・・ＰＩＮＡＧＣ回路、
１２・・・ＲＦＡＧＣＦ路、１３・・・ミクサ、１４・
・・ＩＦＡＧＣＦ路、１５・・・局部発振器、１６・・
・ＩＦＦ力端子、１８・・・サーミスタ、１９．２０．
２４・・・バイアス抵抗、２１・・・ＩＣ電源電圧端子
、２２・・・接地端子、２３・・・デュアルゲートＦＥ
Ｔ、２５．２６．２９・・・接地コンデンサ、２７．２
８・・・ＦＥＴ、３０・・・バイアス用端子、３１・・
・ＩＣのリード、３２．３３・・・回路パターン、３４
・・・スルーホール、３５・・・基板。第口兇図第４晃夕図第図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）利得制御機能を有するＩＣに温度により特性が変
化する回路を接続し、該回路は該ＩＣの温度による利得
変化を補償するように動作することを特徴とするＡＧＣ
回路。
（２）特許請求の範囲第１項記載のＡＧＣ回路において
、該ＩＣは外部より利得を制御するための端子を有し、
利得制御電圧は該温度補償回路を介してＩＣの利得制御
端子に印加されることを特徴とするＡＧＣ回路。
（３）複数の利得制御回路を含む信号処理回路により構
成された高周波受信機において、各利得制御回路は共通
の制御定数により制御され、該利得制御回路のうち少な
くとも１つは特許請求の範囲第２項記載のＡＧＣ回路に
より構成されていることを特徴とする受信機。