JPH03283673A - 半導体放射線検出素子アレイ - Google Patents
半導体放射線検出素子アレイInfo
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- JPH03283673A JPH03283673A JP2085094A JP8509490A JPH03283673A JP H03283673 A JPH03283673 A JP H03283673A JP 2085094 A JP2085094 A JP 2085094A JP 8509490 A JP8509490 A JP 8509490A JP H03283673 A JPH03283673 A JP H03283673A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、医療や産業分野において利用される放射線像
受像装置等に用いられる半導体放射線検出素子プレイに
関する。
受像装置等に用いられる半導体放射線検出素子プレイに
関する。
〈従来の技術〉
ＣｄＴｅやＨｇ１．等の化合物半導体を用いた放射線検
出素子アレイとしては、一般に、半導体基板の片面に、
各画素に対応させるべく複数個の信号取り出し電極を形
成し、その裏面には、共通のバイアス電極を形成して、
バイアス電極側を放射線入射側とする、いわゆる後方電
極分離型のもの、また、信号取り出し電極側を放射線入
射側とする、いわゆる入射側電極分離型のものが知られ
ている。これらの検出素子アレイの形状は、受像装置等
の使用目的等の関係上、長方形状が主である。
出素子アレイとしては、一般に、半導体基板の片面に、
各画素に対応させるべく複数個の信号取り出し電極を形
成し、その裏面には、共通のバイアス電極を形成して、
バイアス電極側を放射線入射側とする、いわゆる後方電
極分離型のもの、また、信号取り出し電極側を放射線入
射側とする、いわゆる入射側電極分離型のものが知られ
ている。これらの検出素子アレイの形状は、受像装置等
の使用目的等の関係上、長方形状が主である。
このような長方形状の検出素子プレイは、第６図（ａ）
に示すように、化合物半導体を（１１１）面で面出しし
た正六角形の基板６１ａを、ダイシングソー等を用いて
、図中の破線で示すラインに沿って切断して同図（ロ）
に示すような長方形のチップ６１を作成し、このチップ
６１の一面側にバイアス電極を形成し、またその反対側
の面に正方形状の複数の信号取り出し電極を形成するこ
とによって作成されている。
に示すように、化合物半導体を（１１１）面で面出しし
た正六角形の基板６１ａを、ダイシングソー等を用いて
、図中の破線で示すラインに沿って切断して同図（ロ）
に示すような長方形のチップ６１を作成し、このチップ
６１の一面側にバイアス電極を形成し、またその反対側
の面に正方形状の複数の信号取り出し電極を形成するこ
とによって作成されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、長方形状の化合物半導体チップを得るには、
どうしてもグイシングツ−等による機械的な切断が必要
となる。これは、（１１１）面で面出しした化合物半導
体基板の（１１０）面であるへき開面ば、第６図に示す
ように正六角形の辺方向にしか存在しないためである。
どうしてもグイシングツ−等による機械的な切断が必要
となる。これは、（１１１）面で面出しした化合物半導
体基板の（１１０）面であるへき開面ば、第６図に示す
ように正六角形の辺方向にしか存在しないためである。
従って、長方形のチップを得るには２辺を機械的に切断
しなければならず、この切断時に結晶に物理的なダメー
ジが入りその切断面Ｃ近傍の画素において特性の劣化や
漏れ電流の増加等が生じる。
しなければならず、この切断時に結晶に物理的なダメー
ジが入りその切断面Ｃ近傍の画素において特性の劣化や
漏れ電流の増加等が生じる。
く課題を解決するための手段〉
本発明は上記の従来の問題点に鑑みてなされたもので、
その構成を実施例に対応する第１図を参照しつつ説明す
ると、本発明は、ＣｄＴｅ等の化合物半導体を（１１１
）面で面出しした基板を（１１０）面に沿ってへき関す
ることによって、例えば正三角形状のチップ１を形成し
、このチップ１の一面側に共通のバイアス電極２を形成
するとともに、その反対側の面には各画素に対応させる
べく、例えば正三角形状の複数の信号取り出し電極３・
・・３を１次元もしくは２次元状に形成している。
その構成を実施例に対応する第１図を参照しつつ説明す
ると、本発明は、ＣｄＴｅ等の化合物半導体を（１１１
）面で面出しした基板を（１１０）面に沿ってへき関す
ることによって、例えば正三角形状のチップ１を形成し
、このチップ１の一面側に共通のバイアス電極２を形成
するとともに、その反対側の面には各画素に対応させる
べく、例えば正三角形状の複数の信号取り出し電極３・
・・３を１次元もしくは２次元状に形成している。
〈作用〉
化合物半導体を面（１１１）で面出しした基板において
は、へき開面である（１１０）面は正六角形の辺方向で
ある、互いに角度１２０°をなす３方向が存在している
。従って、面出しした基板を（１１０）面に沿ってへき
関するのみで、機械的な切断を行うことなく、正三角形
、平行四辺形あるいは台形状の化合物半導体チップを得
ることができる。
は、へき開面である（１１０）面は正六角形の辺方向で
ある、互いに角度１２０°をなす３方向が存在している
。従って、面出しした基板を（１１０）面に沿ってへき
関するのみで、機械的な切断を行うことなく、正三角形
、平行四辺形あるいは台形状の化合物半導体チップを得
ることができる。
〈実施例〉
本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説明する。
第１図は本発明実施例の全体斜視図、第２図はその実施
例の平面図である。
例の平面図である。
正二角形のチップ１は、ＣｄＴｅやＨｇ Ｉ、等の結晶
からなる化合物半導体を、（１１１）面で面出しした基
板を（１１０）面に沿ってへき関することによって得ら
れ、その３辺はいずれもへき開面である。
からなる化合物半導体を、（１１１）面で面出しした基
板を（１１０）面に沿ってへき関することによって得ら
れ、その３辺はいずれもへき開面である。
このチップ１の一面側には、Ａｕ等を一様に蒸着してな
る共通のバイアス電極２が形成されていおり、その反対
側の面には、各画素に対応させるべく、複数個の正三角
形状信号取り出し電極３・・・３が２次元状に一様に形
成されており、全体として正三角形状２の画素Ｐ・・・
Ｐが行列状に並ぶ放射線検出素子プレイＡ、を形成して
いる。
る共通のバイアス電極２が形成されていおり、その反対
側の面には、各画素に対応させるべく、複数個の正三角
形状信号取り出し電極３・・・３が２次元状に一様に形
成されており、全体として正三角形状２の画素Ｐ・・・
Ｐが行列状に並ぶ放射線検出素子プレイＡ、を形成して
いる。
第３図は本発明実施例の変形例を示す平面図である。
この例においては、先の実施例と同様にして得られた平
行四辺形状のチップに、同じくバイアス電極および複数
個の正三角形状の信号取り出し電極を形成して、全体と
して、正三角形状の複数の画素ｐ・・・ｐが行列状に並
ぶ放射線２次元検出素子アレイＡ、を形成している。な
お、この例においても平行四辺形状のチップの４辺はい
ずれもへき開面である。
行四辺形状のチップに、同じくバイアス電極および複数
個の正三角形状の信号取り出し電極を形成して、全体と
して、正三角形状の複数の画素ｐ・・・ｐが行列状に並
ぶ放射線２次元検出素子アレイＡ、を形成している。な
お、この例においても平行四辺形状のチップの４辺はい
ずれもへき開面である。
次に、本発明実施例の実装構造の例を、第４図および第
５図を参照して、以下に説明する。なお検出素子アレイ
としては第３図に示した平行四辺形状のものを適用して
いる。
５図を参照して、以下に説明する。なお検出素子アレイ
としては第３図に示した平行四辺形状のものを適用して
いる。
まず、第４図のものは、大面積のプリント基板４０上に
、複数個の放射線検出素子アレイＡ、・・・Ａ、を行列
状に配列して、大規模の面積を有する検出素子アレイを
構成している。この場合、各検出素子Ａ、の全ての端面
がへき開面であることから、その端面部の画素における
特性の劣化等がなく、これにより不感領域の全（ない大
面積の２次元放射線感受像装置の実現化が可能となる。
、複数個の放射線検出素子アレイＡ、・・・Ａ、を行列
状に配列して、大規模の面積を有する検出素子アレイを
構成している。この場合、各検出素子Ａ、の全ての端面
がへき開面であることから、その端面部の画素における
特性の劣化等がなく、これにより不感領域の全（ない大
面積の２次元放射線感受像装置の実現化が可能となる。
また、第５図のものは、平行四辺形状のプリント配線基
板５０に放射線検出素子アレイＡ、を実装して一つのモ
ジュールＭを構成し、このモジュールＭを複数個１次元
状に配列して大面積の検出器アレイを構成している。な
お、この場合、モジュールＭを検出素子アレイの幅分シ
フトして階段状に積み重ねて３次元的に実装すれば、さ
らに大規模の面積をもつ検出器アレイを構築することも
可能である。
板５０に放射線検出素子アレイＡ、を実装して一つのモ
ジュールＭを構成し、このモジュールＭを複数個１次元
状に配列して大面積の検出器アレイを構成している。な
お、この場合、モジュールＭを検出素子アレイの幅分シ
フトして階段状に積み重ねて３次元的に実装すれば、さ
らに大規模の面積をもつ検出器アレイを構築することも
可能である。
以上の本発明実施例においては、信号取り出し電極の形
状を正三角形としているが、平行四辺形あるいは台形と
してもよい。また、チップとしては台形状のものを用い
てもよい。
状を正三角形としているが、平行四辺形あるいは台形と
してもよい。また、チップとしては台形状のものを用い
てもよい。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、端面が全てへき
開面である化合物半導体チップの一面側に共通のバイア
ス電極を形成し、その反対側の面には、例えば三角形状
の信号取り出し電極を形成したから、従来問題とされて
いた、端面付近の画素における特性の劣化や漏れ電流の
増大等がなくなって、全ての画素について不感領域をな
くすることができる。これにより、本発明の放射線検出
素子アレイを、例えば放射線像受像装置等に用いた場合
、画像ムラ等のない鮮明な画像を得ることができる。
開面である化合物半導体チップの一面側に共通のバイア
ス電極を形成し、その反対側の面には、例えば三角形状
の信号取り出し電極を形成したから、従来問題とされて
いた、端面付近の画素における特性の劣化や漏れ電流の
増大等がなくなって、全ての画素について不感領域をな
くすることができる。これにより、本発明の放射線検出
素子アレイを、例えば放射線像受像装置等に用いた場合
、画像ムラ等のない鮮明な画像を得ることができる。
第１図は本発明実施例の全体斜視図、第２図はその実施
例の平面図である。また第３図は本発明実施例の変形例
を示す平面図である。 第４図および第５図は本発明実施例の実装構造の例を説
明するための図である。 第６図は従来の化合物半導体チップの加工工程の例を説
明するための図である。 １・・・化合物半導体チップ ２・・・バイアス電極 ３・・・３・・・信号取り出し電極 ｐ・・・ｐ・・・画素
例の平面図である。また第３図は本発明実施例の変形例
を示す平面図である。 第４図および第５図は本発明実施例の実装構造の例を説
明するための図である。 第６図は従来の化合物半導体チップの加工工程の例を説
明するための図である。 １・・・化合物半導体チップ ２・・・バイアス電極 ３・・・３・・・信号取り出し電極 ｐ・・・ｐ・・・画素
Claims (1)
- 化合物半導体を（１１１）面で面出しした基板を、（
１１０）面に沿ってへき開することによって、正三角形
、平行四辺形もしくは台形のいずれかの形状のチップを
形成し、このチップの一面側に共通のバイアス電極を形
成するとともに、その反対側の面には各画素に対応させ
るべく、正三角形、平行四辺形もしくは台形のいずかの
形状の複数の信号取り出し電極を１次元もしくは２次元
状に形成してなる、半導体放射線検出素子アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2085094A JPH03283673A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体放射線検出素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2085094A JPH03283673A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体放射線検出素子アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03283673A true JPH03283673A (ja) | 1991-12-13 |
Family
ID=13849020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2085094A Pending JPH03283673A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体放射線検出素子アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03283673A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130056617A1 (en) * | 2010-04-06 | 2013-03-07 | Dominic Massetti | Imager with variable area color filter array and pixel elements |
| WO2019201544A1 (en) * | 2018-04-20 | 2019-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Pixel shape and section shape selection for large active area high speed detector |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2085094A patent/JPH03283673A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130056617A1 (en) * | 2010-04-06 | 2013-03-07 | Dominic Massetti | Imager with variable area color filter array and pixel elements |
| US8723994B2 (en) * | 2010-04-06 | 2014-05-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Imager with variable area color filter array and pixel elements |
| WO2019201544A1 (en) * | 2018-04-20 | 2019-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Pixel shape and section shape selection for large active area high speed detector |
| KR20200130441A (ko) * | 2018-04-20 | 2020-11-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 광범위 활성 영역 고속 검출기를 위한 픽셀 형상 및 섹션 형상 선택 |
| US20210043416A1 (en) * | 2018-04-20 | 2021-02-11 | Asml Netherlands B.V. | Pixel shape and section shape selection for large active area high speed detector |
| TWI735859B (zh) * | 2018-04-20 | 2021-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 電子偵測裝置及偵測系統 |
| US11594395B2 (en) | 2018-04-20 | 2023-02-28 | Asml Netherlands B.V. | Pixel shape and section shape selection for large active area high speed detector |
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