JPH03278854A - エッジビード除去機構を備えた回転塗布装置 - Google Patents
エッジビード除去機構を備えた回転塗布装置Info
- Publication number
- JPH03278854A JPH03278854A JP8032690A JP8032690A JPH03278854A JP H03278854 A JPH03278854 A JP H03278854A JP 8032690 A JP8032690 A JP 8032690A JP 8032690 A JP8032690 A JP 8032690A JP H03278854 A JPH03278854 A JP H03278854A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- peripheral edge
- coating liquid
- solvent
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000011324 bead Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 10
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 10
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003595 mist Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
エツジビード除去機構を備えた回転塗布装置に関し、
基板上に回転塗布した塗布液の基板周縁部に形成された
エツジビード（基板周縁部の液溜り）が除去される回転
塗布装置を目的とし、 基板を設置し、該基板を回転する回転手段と、該基板上
に塗布する塗布液を収容する容器と、該塗布液の溶媒を
収容する容器と、 前記基板の周縁部の位置を検知する位置検知手段と、 前記基板の周縁部上に設置され、前記塗布液の溶媒を噴
霧状に噴射するノズルを備えた噴射手段とより成り、 前記基板に塗布液を回転塗布して停止した基板の周縁位
置を検知し、該検知情報に基づいて塗布液溶媒を基板の
周縁部に噴霧状に噴射し、前記基板の周縁部に形成され
たエツジビードを除去するようにして構成する。
エツジビード（基板周縁部の液溜り）が除去される回転
塗布装置を目的とし、 基板を設置し、該基板を回転する回転手段と、該基板上
に塗布する塗布液を収容する容器と、該塗布液の溶媒を
収容する容器と、 前記基板の周縁部の位置を検知する位置検知手段と、 前記基板の周縁部上に設置され、前記塗布液の溶媒を噴
霧状に噴射するノズルを備えた噴射手段とより成り、 前記基板に塗布液を回転塗布して停止した基板の周縁位
置を検知し、該検知情報に基づいて塗布液溶媒を基板の
周縁部に噴霧状に噴射し、前記基板の周縁部に形成され
たエツジビードを除去するようにして構成する。
本発明はスピンナーのような回転塗布装置に係り、特に
基板周縁部に形成されるエツジビード除去機構を備えた
回転塗布装置に関する。
基板周縁部に形成されるエツジビード除去機構を備えた
回転塗布装置に関する。
プリント基板、或いはＩＣ等の半導体装置形成に於いて
、基板上にホトレジスト膜を塗布後、該ホトレジスト膜
を露光後、現像して所定のパターンに形成し、該パター
ン形成されたホトレジスト膜をマスクとして用いて導体
膜を所定の回路パターンに形成する手法が採られている
。
、基板上にホトレジスト膜を塗布後、該ホトレジスト膜
を露光後、現像して所定のパターンに形成し、該パター
ン形成されたホトレジスト膜をマスクとして用いて導体
膜を所定の回路パターンに形成する手法が採られている
。
このようなホトレジスト膜を形成するための粘性の大き
いレジスト液を基板上に均一な厚さで塗布形成するには
、第４図に示すように例えばセラミック基板１を真空チ
ャックを用いて基板設置台２に設置し、該基板の中央部
よりレジスト液３を滴下した後、該基板設置台２をモー
タ４にて高速回転させて、この回転する基板設置台の遠
心力で基板上に滴下されたレジスト液３を基板全面に渡
って均一な厚さに拡散させるスピンナーと称する回転塗
布装置が用いられている。
いレジスト液を基板上に均一な厚さで塗布形成するには
、第４図に示すように例えばセラミック基板１を真空チ
ャックを用いて基板設置台２に設置し、該基板の中央部
よりレジスト液３を滴下した後、該基板設置台２をモー
タ４にて高速回転させて、この回転する基板設置台の遠
心力で基板上に滴下されたレジスト液３を基板全面に渡
って均一な厚さに拡散させるスピンナーと称する回転塗
布装置が用いられている。
然し、このような回転塗布装置を用いて基板上にレジス
ト膜を回転塗布する場合、このレジスト液が基板の回転
する遠心力によって基板の周縁部に移動し、この周縁部
より上記レジスト液が粘性が大であるために、回転終了
時に外部に飛び出さずに停滞して溜まる問題がある。
ト膜を回転塗布する場合、このレジスト液が基板の回転
する遠心力によって基板の周縁部に移動し、この周縁部
より上記レジスト液が粘性が大であるために、回転終了
時に外部に飛び出さずに停滞して溜まる問題がある。
このようなレジスト液が基板の周縁部に溜まることをエ
ツジビードと称しており、第５図に示すようにこのエツ
ジビードが生したレジスト液を乾燥してレジスト膜５と
すると該レジスト膜の周縁部が中央部に比して凸状とな
り、この上に露光用マスク６を設置し、上部より紫外線
のような光を照射して露光すると、この露光用マスクと
セラミック基板が密着せずに隙間が生し、この隙間より
光が入って確実な露光が行われない問題がある。
ツジビードと称しており、第５図に示すようにこのエツ
ジビードが生したレジスト液を乾燥してレジスト膜５と
すると該レジスト膜の周縁部が中央部に比して凸状とな
り、この上に露光用マスク６を設置し、上部より紫外線
のような光を照射して露光すると、この露光用マスクと
セラミック基板が密着せずに隙間が生し、この隙間より
光が入って確実な露光が行われない問題がある。
本発明は上記した問題点を除去し、前記上・７ジビード
が容易に除去できるようなエツジビード除去機構を備え
た回転塗布装置を目的とする。
が容易に除去できるようなエツジビード除去機構を備え
た回転塗布装置を目的とする。
上記目的を達成する本発明のエツジビード除去機構を備
えた回転塗布装置は、基板を設置し、該基板を回転する
回転手段と、 該基板上に塗布する塗布液を収容する容器と、該塗布液
の溶媒を収容する容器と、 前記基板の周縁部の位置を検知する位置検知手段と、 前記基板の周縁部上に設置され、前記塗布液の溶媒を噴
霧状に噴射するノズルを備えた噴射手段とより成り、 前記基板に塗布液を回転塗布して停止した基板の周縁位
置を検知し、該検知情報に基づいて塗布液溶媒を基板の
周縁部に噴霧状に噴射し、前記基板の周縁部に形成され
たエツジビードを除去するようにしたことを特徴として
いる。
えた回転塗布装置は、基板を設置し、該基板を回転する
回転手段と、 該基板上に塗布する塗布液を収容する容器と、該塗布液
の溶媒を収容する容器と、 前記基板の周縁部の位置を検知する位置検知手段と、 前記基板の周縁部上に設置され、前記塗布液の溶媒を噴
霧状に噴射するノズルを備えた噴射手段とより成り、 前記基板に塗布液を回転塗布して停止した基板の周縁位
置を検知し、該検知情報に基づいて塗布液溶媒を基板の
周縁部に噴霧状に噴射し、前記基板の周縁部に形成され
たエツジビードを除去するようにしたことを特徴として
いる。
レジスト液の溶媒（レジスト膜の除去剤）を収容する容
器を別個に設けるとともに、基板上の周縁部に沿って井
桁状に配置され、かつ基板の周縁部に沿ってＸ、および
Ｙ方向に沿って移動可能なノズルを設け、このノズルと
前記容器とを配管で結び、この配管の途中に電磁バルブ
を設ける。
器を別個に設けるとともに、基板上の周縁部に沿って井
桁状に配置され、かつ基板の周縁部に沿ってＸ、および
Ｙ方向に沿って移動可能なノズルを設け、このノズルと
前記容器とを配管で結び、この配管の途中に電磁バルブ
を設ける。
また上記レジスト膜を回転塗布した後、回転停止した基
板の周縁部の位置を検知する検知手段を設け、この検知
手段によって基板の周縁部の位置を検知した後、この検
知情報に基づいて電磁弁を開放にしてレジスト液を塗布
した基板の周縁部にレジスト液の溶媒（レジスト膜除去
剤）を前記ノズルより噴霧状に噴射させる。これによっ
て基板の周縁部に形成されたエツジビードが容易に溶解
して除去できる。
板の周縁部の位置を検知する検知手段を設け、この検知
手段によって基板の周縁部の位置を検知した後、この検
知情報に基づいて電磁弁を開放にしてレジスト液を塗布
した基板の周縁部にレジスト液の溶媒（レジスト膜除去
剤）を前記ノズルより噴霧状に噴射させる。これによっ
て基板の周縁部に形成されたエツジビードが容易に溶解
して除去できる。
以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第１図に示すように本発明のエツジビード除去機構を備
えた回転塗布装置は、レジスト液を塗布すべき基板１１
を真空チャック等を用いて設置する基板設置台１２と、
該基板設置台を回転するモータ１３のような回転手段を
設ける。
えた回転塗布装置は、レジスト液を塗布すべき基板１１
を真空チャック等を用いて設置する基板設置台１２と、
該基板設置台を回転するモータ１３のような回転手段を
設ける。
また基板上に塗布するレジスト液を収容するレジスト液
収容容器１４と、このレジスト液の溶媒つまりレジスト
膜の除去剤を収容するレジスト膜除去剤収容容器１５を
設ける。
収容容器１４と、このレジスト液の溶媒つまりレジスト
膜の除去剤を収容するレジスト膜除去剤収容容器１５を
設ける。
また基板１１の周縁部の位置を検知するための位置検知
センサ、或いは発光素子１６と受光素子１７を設ける。
センサ、或いは発光素子１６と受光素子１７を設ける。
この位置検知センサはモータの回転数により停止した基
板の位置を自動的に検出できる。
板の位置を自動的に検出できる。
或いは、この発光素子１６は例えば赤外線レーザ素子等
を用い、受光素子は赤外線検知素子を用いる。そしてこ
の発光素子は基板のＸおよびＹ方向に沿って走査し、こ
の発光素子からの反射光を受光素子で検知し、この検知
光の光の強度を検知して基板の端部の位置を検知する。
を用い、受光素子は赤外線検知素子を用いる。そしてこ
の発光素子は基板のＸおよびＹ方向に沿って走査し、こ
の発光素子からの反射光を受光素子で検知し、この検知
光の光の強度を検知して基板の端部の位置を検知する。
また基板の上部にはＸ方向に沿って移動し、両端が封止
され、前記レジスト膜除去剤収容容器１５と接続し、ノ
ズル孔２１を所定の間隔で配置した配管１８Ａ、１８Ｂ
よりなる塗布液噴射手段を設ける。更に該基板の上部に
はＹ方向に沿って移動し、両端が封止され、前記レジス
ト膜除去剤収容容器１５と接続し、ノズル孔２１を所定
の間隔で配置した配管１９Ａ、１９Ｂより成る塗布液噴
射手段を設ける。
され、前記レジスト膜除去剤収容容器１５と接続し、ノ
ズル孔２１を所定の間隔で配置した配管１８Ａ、１８Ｂ
よりなる塗布液噴射手段を設ける。更に該基板の上部に
はＹ方向に沿って移動し、両端が封止され、前記レジス
ト膜除去剤収容容器１５と接続し、ノズル孔２１を所定
の間隔で配置した配管１９Ａ、１９Ｂより成る塗布液噴
射手段を設ける。
この配管１８Ａ、 １８Ｂと１９Ａ、１９Ｂは図示しな
いがステップモータとボールネジ等の駆動手段で、所定
のピッチでＸ、或いはＹ方向へ、前記発光素子と受光素
子で検知された基板の周縁部の位置情報に基づいて、そ
の配管が基板の周縁部の直上の位置になるように移動す
る。
いがステップモータとボールネジ等の駆動手段で、所定
のピッチでＸ、或いはＹ方向へ、前記発光素子と受光素
子で検知された基板の周縁部の位置情報に基づいて、そ
の配管が基板の周縁部の直上の位置になるように移動す
る。
このような本発明の装置の動作について説明すると、基
板１１の中央部にレジスト液収容容器１４の電磁弁２２
を開放にしてレジスト液を滴下した後、基板を所定の回
転速度で回転し、基板上にレジスト液を塗布する。
板１１の中央部にレジスト液収容容器１４の電磁弁２２
を開放にしてレジスト液を滴下した後、基板を所定の回
転速度で回転し、基板上にレジスト液を塗布する。
そして所定時間基板を回転し、基板の停止位置を位置検
出センサ１６Ａで検出する。或いは前記受光素子１６を
基板のＸ、およびＹ方向に所定の間隔で走査させ、その
反射光を受光素子１７で検知して基板の周縁部の位置を
検知する。
出センサ１６Ａで検出する。或いは前記受光素子１６を
基板のＸ、およびＹ方向に所定の間隔で走査させ、その
反射光を受光素子１７で検知して基板の周縁部の位置を
検知する。
次いでこの検知情報に基づきステップモータ（図示せず
）とボールネジ（図示せず）を用いてこの配管１８Ａと
１８Ｂ、および１９Ａと１９Ｂとを基板のＸおよびＹ方
向に移動させ、該配管１８Ａ、１８Ｂと１９＾、１９Ｂ
とが基板の周縁部の直上に来るように移動させる。
）とボールネジ（図示せず）を用いてこの配管１８Ａと
１８Ｂ、および１９Ａと１９Ｂとを基板のＸおよびＹ方
向に移動させ、該配管１８Ａ、１８Ｂと１９＾、１９Ｂ
とが基板の周縁部の直上に来るように移動させる。
次いでレジスト膜除去剤収容容器１５に連なる電磁弁２
３を開放にして該基板の周縁部にノズル孔２１より噴霧
状にレジスト膜除去剤を噴射する。
３を開放にして該基板の周縁部にノズル孔２１より噴霧
状にレジスト膜除去剤を噴射する。
この噴射の要領は第２図に示すように、基板の周縁部よ
り外側に向かって噴射するようにし、基板の内部へ入り
込まないようにノズル孔２１の傾き方向を設定してエツ
ジビード以外のレジスト液が除去されないようにする。
り外側に向かって噴射するようにし、基板の内部へ入り
込まないようにノズル孔２１の傾き方向を設定してエツ
ジビード以外のレジスト液が除去されないようにする。
このようにすれば、基板の周縁部に形成されたエツジビ
ードが容易に除去され、このようにして塗布されたレジ
スト液を乾燥してレジスト膜とすると基板上に平坦なレ
ジスト膜が形成され、露光用マスクがその上に密着する
ので露光むら等が発生せず精度良く露光できる。
ードが容易に除去され、このようにして塗布されたレジ
スト液を乾燥してレジスト膜とすると基板上に平坦なレ
ジスト膜が形成され、露光用マスクがその上に密着する
ので露光むら等が発生せず精度良く露光できる。
また本実施例の他に、他の実施例として第３図に図示す
るように、基板１１が円形な半導体ウェハにレジスト膜
を塗布する場合は、上記ノズル孔２１は一個だけ基板１
１の周縁部の直上に設置すると良い。
るように、基板１１が円形な半導体ウェハにレジスト膜
を塗布する場合は、上記ノズル孔２１は一個だけ基板１
１の周縁部の直上に設置すると良い。
またセラミック基板の寸法が定型寸法の場合は、上記第
１実施例で示した配管１８Ａ、１８Ｂ 、１９Ａ、１９
Ｂは固定した状態で良く、基板に沿ってＸ、およびＹ方
向に移動する機構を設は無くても良い。
１実施例で示した配管１８Ａ、１８Ｂ 、１９Ａ、１９
Ｂは固定した状態で良く、基板に沿ってＸ、およびＹ方
向に移動する機構を設は無くても良い。
以上の説明から明らかなように、本発明のエツジビード
の除去機構を備えた回転塗布装置によれば、基板の周縁
部に形成されたエツジビードが除去されるので、基板上
にレジスト膜が平坦な状態で形成され、高精度に露光、
現像が行われプリント基板や半導体基板に形成される回
路パターンが高精度に形成できる効果がある。
の除去機構を備えた回転塗布装置によれば、基板の周縁
部に形成されたエツジビードが除去されるので、基板上
にレジスト膜が平坦な状態で形成され、高精度に露光、
現像が行われプリント基板や半導体基板に形成される回
路パターンが高精度に形成できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図、第２図は第１
図の要部詳細図、 第３図は本発明の他の実施例の説明図、第４図は従来の
装置を説明する模式図、第５図は従来の装置で形成した
塗布膜の不都合な状態図を示す。 図に於いて、 １１は基板、１２は基板設置台、１３はモータ、１４は
レジスト液収容容器（塗布液収容容器）、１５はレジス
ト膜除去剤収容容器、（塗布液溶媒収容容器）１６Ａは
位置検出センサ、１６は発光素子、１７は受光素子、１
８Ａ、 １８Ｂ、 １９Ａ、 １９Ｂは配管（塗布液噴
射手段）２１はノズル孔、２２．２３は電磁弁を示す。
図の要部詳細図、 第３図は本発明の他の実施例の説明図、第４図は従来の
装置を説明する模式図、第５図は従来の装置で形成した
塗布膜の不都合な状態図を示す。 図に於いて、 １１は基板、１２は基板設置台、１３はモータ、１４は
レジスト液収容容器（塗布液収容容器）、１５はレジス
ト膜除去剤収容容器、（塗布液溶媒収容容器）１６Ａは
位置検出センサ、１６は発光素子、１７は受光素子、１
８Ａ、 １８Ｂ、 １９Ａ、 １９Ｂは配管（塗布液噴
射手段）２１はノズル孔、２２．２３は電磁弁を示す。
Claims (2)
- （１）基板（１１）を設置する基板設置台（１２）を回
転する回転手段（１３）と、 該基板上に塗布する塗布液を収容する塗布液収容容器（
１４）と、 該塗布液の溶媒を収容する塗布液溶媒収容容器（１５）
と、 前記基板の周縁部の位置を検知する位置検知手段（１６
Ａ、１６、１７）と、 前記基板の周縁部上に設置され、前記塗布液の溶媒を噴
霧状に噴射するノズル（２１）を備えた塗布液噴射手段
（１８Ａ、１８Ｂ、１９Ａ、１９Ｂ）とより成り、前記
基板（１１）に塗布液を回転塗布して停止した基板の周
縁位置を検知し，該検知情報に基づいて塗布液溶媒を基
板（１１）の周縁部に噴霧状に噴射し、前記基板（１１
）の周縁部に形成されたエッジビードを除去するように
したことを特徴とするエッジビード除去機構を備えた回
転塗布装置。 - （２）前記塗布液噴射手段（１８Ａ、１８Ｂ、１９Ａ、
１９Ｂ）が前記基板の周縁部上に井桁状に設けられ、前
記基板のＸおよびＹ方向に沿って移動可能で、前記塗布
液の溶媒を噴霧状に噴射することを特徴とする請求項（
１）記載のエッジビード除去機構を備えた回転塗布装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8032690A JPH03278854A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | エッジビード除去機構を備えた回転塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8032690A JPH03278854A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | エッジビード除去機構を備えた回転塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03278854A true JPH03278854A (ja) | 1991-12-10 |
Family
ID=13715137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8032690A Pending JPH03278854A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | エッジビード除去機構を備えた回転塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03278854A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7947131B2 (en) | 2006-03-07 | 2011-05-24 | Applied Materials, Inc. | Copper deposition chamber having integrated bevel clean with edge bevel removal detection |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP8032690A patent/JPH03278854A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7947131B2 (en) | 2006-03-07 | 2011-05-24 | Applied Materials, Inc. | Copper deposition chamber having integrated bevel clean with edge bevel removal detection |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5912049A (en) | Process liquid dispense method and apparatus | |
| US5985363A (en) | Method of providing uniform photoresist coatings for tight control of image dimensions | |
| AU8332587A (en) | Thermal stabilization of photoresist images | |
| JPH03278854A (ja) | エッジビード除去機構を備えた回転塗布装置 | |
| US6682607B1 (en) | Reconditioning of semiconductor substrates to remove photoresist during semiconductor device fabrication | |
| US20040149322A1 (en) | Automatically-adjusting substrate rinsing system | |
| KR100336841B1 (ko) | 도포 및 현상 공정 시스템 | |
| KR100672928B1 (ko) | 포토레지스터 코팅 설비 | |
| KR0120379Y1 (ko) | 감광액 롤 코팅 장치 | |
| JPS61184824A (ja) | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 | |
| KR100663013B1 (ko) | 포토레지스트 도포장치 및 기판 가장자리 포토레지스트제거방법 | |
| KR100744277B1 (ko) | 웨이퍼의 에지 비드 제거장치 | |
| KR100563485B1 (ko) | 에지 비드 제거 장치 및 방법 | |
| KR100706569B1 (ko) | 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식분사시스템 | |
| KR100641540B1 (ko) | 레지스트 코팅 장비 및 이를 세정하는 방법 | |
| JPH05259052A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法および装置 | |
| JPH02284415A (ja) | 半導体ウェハー周縁部レジスト除去装置 | |
| KR100322685B1 (ko) | 스핀코터 | |
| KR100711004B1 (ko) | 감광막 도포장치 | |
| JPS63169727A (ja) | 塗布装置 | |
| KR100706570B1 (ko) | 반도체 제조공정에서의 3축 제어에 의한 코팅액 또는현상액의 스프레이식 분사방법 | |
| KR100801841B1 (ko) | 감광막 현상 장치 | |
| KR20030001862A (ko) | 웨이퍼 주변부의 포토레지스트에 의한 불량을 제거하는 방법 | |
| KR20060012081A (ko) | 웨이퍼 에지 비드 제거 장치 | |
| JPH02281728A (ja) | 洗浄方法 |