JPH03277015A - Ｅｃｌクランプ型カットオフドライバ回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、マルチＥＣＬ出力ゲートか共通バスへ結合さ
れている場合に適用するのに有用なＥＣＬ出力ゲート用
の新規なカットオフドライバ回路に関するものである。

共通バス適用においては、他のものをカットオフ状態に
維持した状態で、つのＥＣＬ出力ゲートを活性スインチ
ングモードとさせることか可能である。本発明のＥＣＬ
カットオフドライバ回路は、カットオフ状態から活性ス
イッチツクモードへのＥＣＬ出力ゲートの復帰動作を高
速化させるものである。

従来技術 カプトオフトライバ回路を具備する従来の温度補償’１
２ＥＣＬ差動出力ゲートを第１図に示しである。基本的
なＥＣＬ出力ゲートは、ゲートトランジスタ要素Ｑ５及
びＱ６によって与えられており、それは、本明細書にお
いては、ＥＣＬゲート又はＥＣＬ差動ゲートと呼称する
。この例においては、ゲートトランジスタ要素Ｑ５が、
直接的な入力端ＳＸにおいて、ＥＣＬ論理高及び低電位
レベルのＥＣＬ論理入力信号を受取るための直接的な入
力トランジスタ要素を与えている。ゲートトランジスタ
要素Ｑ６は、反転型入力トランジスタ要素を与えており
、それに対して、ＥＣＬ論理反転入力信号が反転型信号
入力端ＳＸＮに印加される。

方、ゲートトランジスタ要素Ｑ６は、基準トランジスタ
要素を与えており、それに対して、ＥＣＬ論理入力信号
高及び低電位レベルの間の中間基準電圧レベルにおいて
基準電圧信号か印加される。

何れの構成も、本明細書においては、ＥＣＬゲート、Ｅ
ＣＬ差動ゲート、又はＥＣＬ出力ゲートと呼称する。

ＥＣＬゲートトランジスタＱ５及びＱ６のエミッタノー
ドは、共通エミッタノードカップリングＥ１において共
通的に結合されている。電流シンク１１は、共通エミッ
タノードカップリングＥ１及びＥＣＬ低電位電力レーし
■８゜の間の回路内において結合されている。低電位電
力レールｖ８６の電圧レベルは、典型的には、−４，２
Ｖ乃至−４゜８Ｖである。第１図の例においては、出力
イネーブルゲートトランジスタ要素Ｑ７及び抵抗要素Ｒ
４が、ＥＣＬゲート共通エミッタノードカップリングＥ
１と実効的にカットオフ電流ジンクスイッチを形成する
電流シンク１１との間に結合されている。

電流シンク１１は、電流源トランジスタ要素Ｑ１３によ
って与えられており、シンク電流乃至はテール電流を発
生するためにそのエミッタ電流経路内にテール抵抗要素
Ｒ５を有している。バイアス電圧発生器（不図示）は、
電流シンク■１の電流源トランジスタ要素０１３のベー
スへ印加される電流源電圧■。５を与える。電流源電圧
レベルＶＣ５は、典型的には、低電位電力レールＶ６８
よりも例えば１．３２Ｖ高い値に選択されている。

ＥＣＬ差動差動ゲートトランジスタ要素及５Ｑ６は、そ
れぞれのコレクタ経路スイング電圧抵抗要素Ｒ１及びＲ
２を介して別々の電流経路をり、えており、該抵抗要素
Ｒ１及びＲ２はＥＣＬＫ電位電力レールし０へ結合され
ている。ＥＣＬ高電位電力レーしＶ（Ｃは、例えば、接
地電位ＯＶ（又は、ＧＮＤ）である。典型的には、スイ
ング電圧抵抗要素Ｒ１及びＲ２は、実質的に等しい抵抗
値を有している。電流シンク■１は、ＥＣＬゲートトラ
ンジスタ要素要素及５Ｑ６のそれぞれのベースノードに
おける相補的入力端ＳＸ及びＳＸＮにおける差動入力信
号に従って、スイング抵抗要素Ｒ１又はＲ２の何れかを
介して別々の電流経路の一方においてＥＣＬ差動ゲート
電流を発生する。

第１図に示した如く、ＥＣＬゲート差動乃至は相補的出
力信号は、ＥＣＬゲートトランジスタ要素要素及５Ｑ６
のそれぞれのコレクタノードから派生される。該コレク
タノードは、それぞれの差動及び相補的出力端ＱＸＮ及
びＱＸにおいてそれぞれの出力バッファエミッタホロワ
トランジスタ要素Ｑ１及びＱ４を介して高及び低電位の
出力信号を与える出力スイッチングノードである。ＥＣ
Ｌゲートトランジスタ要素Ｑ６のコレクタノードは、出
力バッファエミッタホロワトランジスタ要素Ｑ４を介し
て、ゲートトランジスタ要素Ｑ５のベースノードにおい
て入力信号ＳＸに対し真の出力信号ＱＸを与える。逆に
、ゲートトランジスタ要素Ｑ５のコレクタノードは、出
力バッファエミソタホロワトランシスタ要素Ｑ１を介し
て、ゲートトランジスタ要素Ｑ６のベースノードにおい
て反転した人力信号ＳＸＮに対し反転した出力信号ＱＸ
Ｎを与える。

出力バッファエミッタホロワトランジスタ要素Ｑ１及び
Ｑ４は、それぞれ、コレクタノードにおいて、別個のＥ
ＣＬ高電位電力レール又は出力電力レール■。ＣＡへ結
合されている。外部乃至は出力高電位電力レールＶ　Ｃ
ＣＡは、内部高電位電力レールｖｃｏから比較的分離さ
れており、内部回路を、共通バス上のスイッチング動作
に起因して出力電力レール上に発生する電力レールノイ
ス摂動から分離させている。エミッタホロワトランンス
タ要素Ｑ１及びＱ４のエミッタ端子は、典型的には、例
えば−２，ＯＶの終端電圧レベルＶＴＴにおいてそれぞ
れの終端抵抗ＲＴを介して終端されている。

従って、相補的出力端ＱＸ及びＱＸＮにおけるＥＣＬ論
理高及び低電位レベルは、ＥＣＬ高電位電力レーしＶＣ
Ｃにおける接地電位ＯＶと、スイング抵抗Ｒ１及びＲ２
を介しての電圧降下及び電圧スイツタに従って終端電圧
源ｖＴＴにおける終端電圧−２，ＯＶとの間に確立され
る。これは、スイング抵抗の寸法及び電流シンク１１に
よって発生されるシンク電流の大きさによって設定され
る。

ＥＣＬ出力ゲート用の従来のカットオフドライバ回路は
、この例においては、第一及び第二出力イネーブル（Ｏ
Ｅ）差動ゲートによって与えられている。この第一ＯＥ
差動ゲートは、ＯＥトランジスタ要素Ｑ１２及びカット
オフトランジスタ要素Ｑ１０及びＱｌｌを有しており、
これらは全て共通エミッタノードカップリングＥ２にお
いて一体的に結合されている。第二電流シンク■２が、
ＯＥ差動ゲートトランジスタ要素ＱＩＯ，Ｑｌｌ。

Ｑ１２の共通エミッタノードカップリングＥ２とＥＣＬ
低電位電力レーしＶ６［：との間に結合されている。電
流シンクＩ２は、電流源トランジスタ要素Ｑ１４及びテ
ール抵抗Ｒ６によって与えられている。電流源電圧ＶＣ
３は、電流源トランジスタ要素Ｑ１４に対するベース駆
動を与えている。出力イネーブル人力信号ＯＥはＯＥト
ランジスタ要素Ｑ１２のベースノードに印加され、一方
相補的乃至は反転した出力イネーブル信号ＯＥＮはカッ
トオフトランジスタ要素ＱＩＯ及びＱｌｌのベースノー
ドに印加される。

ＯＥトランジスタ要素Ｑ１２のコレクタ端子は、通常の
スイッチングモード動作期間中にＯＥ）ランジスタ要素
Ｑ１２が導通状態となる場合に電流シンクＩ２を供給す
るためにＥＣＬ高電位電力レルしＣＣへ直接的に結合さ
れている。カットオフトランジスタ要素ＱＩＯの一つの
コレクタノードはＥＣＬゲート人力トランジスタ要素Ｑ
５のコレクタノードにおいてスイング抵抗Ｒ１へ結合さ
れており、一方他方のカットオフトランジスタ要素Ｑｌ
ｌのコレクタノードは、ＥＣＬゲート相補的入力トラン
ジスタ要素Ｑ６のコレクタノードにおいてスイング抵抗
要素Ｒ２へ結合されている。この様に、カットオフトラ
ンジスタ要素ＱＩＯ及びＱｌｌかカットオフ状態におい
て導通状態にある場合に、スイング抵抗要素Ｒ１及びＲ
２を横断しての電圧降下は電流シンク■２によって発生
されるテール電流によって増加される場合がある。

第二ＯＥ差動ゲートは、第三共通エミッタノードカップ
リングＥ３に一体的に結合されているＯＥトランジスタ
要素Ｑ７及びカットオフトランジスタ要素Ｑ８及びＱ９
によって与えられている。

第一電流シンクＩＩは、ＯＥ差動ゲートトランジスタ要
素Ｑ７．Ｑ８．Ｑ９の共通エミッタノードカップリング
Ｅ３と低電位電力レールＶＲＩ：との間に結合されてい
る。出力イネーブル入力信号ＯＥはＯＥトランジスタ要
素Ｑ７のベースノードに印加され、一方相補的乃至は逆
出カイネーブル信号ＯＥＮはカットオフトランジスタ要
素Ｑ８及びＱ９の共通ベースノードカップリングに印加
される。

この様に、カットオフトランジスタ要素Ｑ８及びＱ９が
導通状態にある場合には、スイング抵抗要素Ｒ１及びＲ
２を横断しての電圧降下は、カットオフトランジスタ要
素Ｑ８及びＱ９がカットオフ状態において導通状態にあ
る場合に、電流シンク１１によって発生されるシンク電
流乃至はテール電流によって増加される場合がある。

ＯＥトランジスタ要素Ｑ７が導通状態にある場合、ＥＣ
Ｌゲート電流が、スイング抵抗要素Ｒ１及びＲ２によっ
て画定されるＥＣＬゲートトランジスタ要素コレクタ経
路の何れかを介して流れる。

従って、第一電流シンクＩ］の電流条件は、本ＥＣＬゲ
ートを介して充足される。並列抵抗要素Ｒ４と結合して
ＯＥトランジスタ要素Ｑ７は、ＥＣＬ差動ゲートの第一
共通エミンタノードカップリングＥ１と第二ＯＥ差動ゲ
ートの共通エミッタノードカップリングＥ３との間に実
効的な電流スイッチを与えている。ＯＥ）ランジスタ要
素Ｑ７が導通状態にない場合には、第一電流シンク■１
は、実効的に、ＥＣＬ出力ゲートから切断される。

ＥＣＬ出力ゲートの通常のスイッチング動作期間中、出
力イネーブル人力信号ＯＥは高電位にあり且っＯＥトラ
ンジスタ要素Ｑ７及びＱ１２は導通状態にある。相補的
出力イネーブル信号ＯＥＮは低電位にあり且つカットオ
フトランジスタ要素Ｑ８．Ｑ９．ＱＩＯ，Ｑｌｌはオフ
である。ＯＥトランジスタ要素Ｑ１２は電流シンクＩ２
に対するテール電流条件を満足し、一方ＯＥトランジス
タ要素Ｑ７は、電流シンク１１をＥＣＬ出力ゲートへ接
続し、相補的入力端Ｓ−Ｘ及びＳＸＮ及び相補的出力端
ＱＸ及びＱＸＮにおいてＥＣＬ論理高及び低電位レベル
間の通常のスイッチング動作を与える。

カットオフ状態の場合、出力イネーブル信号ＯＥは低電
位であり、且つ相補的出力イネーブル信号ＯＥＮは高電
位である。その結果、ＯＥ）ランジスタ要素Ｑ７及びＱ
１２は比較的非導通状態てあり、一方カットオフトラン
ジスタ要素Ｑ８．Ｑ９．ＱＩＯ，Ｑｌｌはスイング抵抗
要素Ｒ１及びＲ２を介して電流を導通させ、電流シンク
１１及びＩ２の比較的大きな電流条件を満足させる。

電流シンク■１及びＩ２の全シンク電流は、スイング抵
抗要素乃至は負荷抵抗要素Ｒ１及びＲ２を介して強制的
に流される。非常に大きな電流は、スイング抵抗要素Ｒ
１及びＲ２を横断して大きな電圧降下を発生する。出力
バッファエミッタホロワトランジスタ要素Ｑ１及びＱ４
のそれぞれのエミッタノードＥＣＬ出力端ＱＸＮ及びＱ
Ｘにおける出力電圧レベルは、ＥＣＬ論理信号低電位レ
ヘしベ。、より低く例えば−２，Ｏｖの負荷終端電圧Ｖ
Ｔ工に近付くカットオフ電位レベルＶ。、２ヘシフトダ
ウンされる。従って、相補的ＥＣＬ出力端ＱＸ及びＱＸ
Ｎは、共通バス上に複数個のＥＣＬ出カデカゲート在す
る適用に対しての高インピーダンス第三状態に類似して
、カットオフ電位レベルＶ　ＯＬＺに維持される。

従来のＥＣＬ出力ゲート力ットオフドライバ回路の一つ
の欠点は、ＥＣＬゲートの通常のスイッチングモード動
作期間中動作するＥＣＬ論理高及び低電位レベルＶＯＬ
＋及びＶＯＬに対する温度補償かカゾトオフ状態期間中
動作不能となり効渠がないことである。ＥＣＬゲートに
おける温度補償は、ＥＣＬゲートトランジスタ要素要素
及５Ｑ６のコレクタノード間に結合されているベースコ
レクタ短絡型（ＢＣ５）ダイオードトランジスタ要素Ｑ
２及びＱ３及び抵抗要素Ｒ３によって与えられる三部構
成回路即ちクロスオーバ回路網によって実施される。温
度補償用回路網Ｑ２．Ｑ３．Ｒ３は、電流シンクＩ２に
よって発生される電流かＯＥ）ランジスタ要素Ｑ１−２
を介して流れる場合に、通常のスイッチングモード動作
期間中、ＥＣＬ論理高及び低電位レベルＶ。１■及びＶ
ｏＬに対しての所望の温度範囲に亘って動作する。電流
シンクＩ２によって発生されるシンク電流が、カットオ
フ状態期間中、カットオフトランジスタ要素ＱＩＯ及び
Ｑｌｌ及びスイング抵抗要素Ｒ１及びＲ２を介して流れ
る場合、温度補償は行なわれない。

温度が増加すると、ベースエミッタ接合の負の温度係数
がＶＩＩＥを減少させる。このことは、電流シンクによ
って発生されるシンク電流を増加させ、且つスイング抵
抗Ｒ１及びＲ２を横断しての電圧降下を増加させる。高
温においては、全ての構成要素を横断しての容量が増加
する。非カットオフ状態において、即ちＥＣＬゲートの
通常のスイッチングモード動作状態において、スイング
抵抗の正の温度係数は、温度が増加する場合に、ｖｓｐ
：の負の温度係数を実質的に補償する。

しかしながら、カットオフ状態において、ＥＣＬスイン
グ抵抗要素Ｒ１及びＲ２を介しての電流が誇張される。

この抵抗の正の温度係数は高温度においてもはや実質的
な補償を与えるものではない。スイング抵抗Ｒ１及びＲ
２を横断しての電圧降下を増加させるエキストラな電流
は、出力端ＱＸ及びＱＸＮを例えば−１，９５Ｖの所望
のカットオフ電位レベルＶ。ＬＺ以下の例えば終端電圧
ＶＴＴに近付くより深いカットオフ条件へプルダウンす
る。従って、カットオフ状態からＶＯＨ及びＶＯＩ（の
間の通常のスイッチングモード動作範囲へ復帰するのに
一層時間がかかる。

この従来のＥＣＬゲートカットオフドライバ回路によっ
て提起される問題は、ＥＣＬゲートスイング抵抗要素を
介して通過する付加的な電流が存在する場合に、高温動
作範囲において且つカットオフ状態においての該回路の
動作によって発生される問題である。カットオフ状態か
ら有効なＥＣＬ論理高又は低電位レベルへの遷移の開始
時において遅延が存在するばかりが、開始時及びスイッ
チング時の両方において全体的な遅延に対する遷移の勾
配が減少し、■つＥＣＬゲートの動作において正味の遅
滞化が発生する。

前述した如きＥＣＬ高及び低電位レベル電力レールＶＣ
Ｃ及びＶＥＥの間に結合されている典型的なＥＣＬゲー
トの場合、温度補償型ＥＣＬ論理高及び低電位レベル■
。１．及びＶ。Ｌは、例えば、それぞれ、−０，９５Ｖ
及び−１，７０Ｖである。室温カットオフ電圧レベルＶ
ＯＬＺは、約−１，９５Ｖに設定され、それは−２，Ｏ
ｖの終端電圧ＶＴＴに近付いているがそれよりも多少高
い。その結果、室温においてのエミッタホロワ出力バッ
ファトランジスタ要素Ｑ１及びＱ４は僅かにオンである
。

このことは、カットオフ状態におけるカットオフ電位レ
ベルＶ。、２からスイッチングモードにおける有効なＥ
ＣＬ論理高及び低電位レベルＶＯ＋＋＋ＶＯＣの一方へ
出力端ＱＸ及びＱＸＮが復帰する場合の伝搬遅れを減少
させる。しかしながら、カットオフ状態において温度補
償がない場合には、エミッタホロワ出力バッファトラン
ジスタ要素Ｑ１及びＱ４は完全にターンオフする場合が
ある。温度が上昇する場合のＶ。Ｌｚの下方向へのドリ
フトは、ＤＣカットオフ条件に対し何ら問題を提起する
ことはない。しかしながら、過渡的なＡＣスイッチング
及びスイッチングモードへの復帰の場合、不所望の伝搬
遅れ即ち「ステップアウト」が高温度動作範囲内に導入
される。

この室温と比較して高温においてカットオフ状態から高
及び低状態への変位における不所望の遅延を第２図に示
しである。この例において、カットオフ状態における高
電位から通常のスイッチングモードにおける低電位への
相補的出力イネーブル信号ＯＥＮの遷移に続いて、それ
ぞれの相補的出力ｍＱＸ及びＱＸＮにおいて、ＥＣＬ論
理高及び低電位レベルへの比較的遷移か発生する。この
それぞれの出力端ＱＸ及びＱＸＮにおける遷移は、室温
と比較して高温において実質的に遅延される。

目　　的 本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、改善した動作速度を
持ったカットオフドライバ回路を具備するＥＣＬ差動ゲ
ートを提供するものであって、特に、出力端においてカ
ットオフ状態から有効なＥＣＬ論理高及び低電位レベル
への遷移速度を増加させたカットオフドライバ回路を提
供することを目的とする。本発明の別の目的とするとこ
ろは、遷移の開始時における遅延を減少し且つ出力端に
おいてカットオフ状態からＥＣＬ論理高及び低電位レベ
ルへの遷移速度及び勾配を増加させることである。本発
明の更に別の目的とするところは、出力端における電圧
レベルか深いカットオフ状態へシフトダウンすることを
回避し且つ出カバソファトランジスタ要素を非導通状態
とさせることを回避するＥＣＬゲート用のカットオフド
ライバ回路を提供することである。本発明は、出力端に
おいてカットオフ状態から通常のスイッチングモードへ
高速で復帰させるためにＥＣＬ出力バッフ７トランジス
タ要素を多少オン状態に維持する。本発明の更に別の目
的とするところは、特定した最小クランプ電圧レベルを
動作温度範囲に亘ってクランプ回路を介して流れる電流
と実質的に独立的に維持するＥＣＬゲートカットオフド
ライバ回路用のカットオフドライバクランプ回路を提供
することである。

構成 本発明によれば、差動入力節−及び第二ゲートトランジ
スタ要素を具備しており且つ該第一及び第二ゲートトラ
ンジスタ要素の一方のコレクタノードにおいて少なくと
も１個の出力ノードを具備しておりＥＣＬ高及び低電位
電力レール間に結合されるＥＣＬゲート用のＥＣＬカッ
トオフドライバ回路が提供される。この出力ノードは、
スイッチングモードてＥＣＬゲートが動作期間中に高及
び低電位レベルＶ。４．及びＶ。ＬのＥＣＬ出力信号を
供給するためにＥＣｌ４ｆカ端へ結合されている。

このカットオフドライバ回路は、ＥＣＬ出力端において
、少なくともカットオフ状態におけるＥＣＬ低電位レベ
しベ。ｌ、より下側の最大カットオフ電位レベルＶＯＬ
Ｚへの電圧シフトダウンを発生する。

本発明によれば、カットオフ状態期間中にＥＣＬ出力端
を実質的に特定したカットオフ電圧レベルＶＯＬ□であ
る最小電圧レベルにクランプするために、カットオフク
ランプ回路がＥＣＬ高電位電力レールと出力ノードとの
間に動作結合されている。この構成の特徴は、カットオ
フクランプ回路が、ＥＣＬゲートがスイッチングモード
における動作へ高速で復帰することを確保し、且つ所望
の動作温度範囲に亘って出力端におけるカプトオフ電位
レベルＶ。、２からＥＣＬ論理高及び低電位レベルＶ。

ｌＩ及び■。、への所望の遷移速度を維持するというこ
とである。

好適実施例においては、カットオフクランプ回路は、Ｅ
ＣＬ高及び低電位電力？−ル間に直列的に動作結合され
ているクランプ抵抗要素とクランプ電流シンクとを有し
ている。クランプ電流シンクは、一定のシンク電流を発
生し、従ってクランプ抵抗要素を横断して実質的に一定
の電圧降下を発生する。このクランプ回路は、更に、Ｅ
ＣＬ高電位電力レールと出力ノードとの間においてクラ
ンプ抵抗要素と直列的に結合されている電圧ダウンシフ
ト要素を有している。この電圧ダウンシフト要素は、例
えば、クランプトランジスタ要素の電圧降下Ｖ北を有す
るベースエミッタ接合、又はダイオード接合によって与
えられる。

本発明の最適実施形態によれば、クランプ抵抗要素は、
低インピーダンスマツチングを与えるため且つカットオ
フ状態期間中のカットオフドライバ回路電流シンクの電
流条件を与えるためにエミッタホロワトランジスタ要素
として結合されている。従って、出力ノードにおける電
圧レベルがカットオフ状態期間中に降下すると、このエ
ミッタホロワクランプトランジスタ要素はＥＣＬゲート
トランジスタ要素のコレクタ電流経路内のスイング抵抗
からの電流を変位させる。従って、出力ノードの電圧レ
ベルは、特定したクランプ電圧レベルＶＯＬにクランプ
される。

第一及び第二ゲートトランジスタ要素のそれぞれのコレ
クタノードにおける相補的出力ノードを具備するＥＣＬ
ゲートの場合、相補的出力ノードは、それぞれ、第一及
び第二エミッタホロワ出力バッファトランジスタ要素を
介して、差動乃至は相補的ＥＣＬ出力端へ結合されてい
る。従って、本発明に基づくカットオフクランプ回路は
、両方の相補的ＥＣＬ出力端を実質的にカットオフ状態
における最小電圧レベルＶ。１，２にクランプするため
に、ＥＣＬ高電位電力レールと相補的出力ノードとの間
にそれぞれ結合された第一及び第二カットオフクランプ
回路分岐部を与えている。

該カントオフクランプは、ＥＣＬ高及び低電位電力レー
ル間に直列的に結合されているクランプ抵抗要素とクラ
ンプ電流シンクとを使用している。

クランプ電流シンクによって発生される一定電流は、ク
ランプ抵抗要素を横断して実質的に一定の電圧降下を確
立する。第一クランプ回路分岐部は、ＥＣＬ高電位電力
レールと相補的出力ノードの一方との間においてクラン
プ抵抗要素と直列的に結合されている第一電圧ダウンシ
フト要素を有している。第二クランプ回路分岐部は、Ｅ
ＣＬ高電位電力レールと相補的出力ノードの他方との間
においてクランプ抵抗要素と直列的に結合されている第
二電圧ダウンシフト要素によって与えられている。これ
らの電圧ダウンシフト要素は、好適実施例においては、
第一及び第二エミッタホロワクランプトランジスタ要素
の電圧降下ＶＢＥを有するベスエミソタ接合によって与
えられている。

好適実施例によれば、それぞれの相補的ＥＣＬ出力端Ｑ
Ｘ及びＱＸＮにおけるカットオフ電圧レベルＶ。、２が
終端電圧Ｖｔｔよりも多少大きいようにクランプ抵抗要
素及び電圧ダウンシフト要素の値が選択されている。従
って、ゲートトランジスタ要素のそれぞれのコレクタノ
ードにおける出力ノードＶ１及びＶ２は、好適には、所
望のカットオフ出力電圧レベルＶ。ＬＺよりも約１ＶＩ
］、高いレベルにクランプされる。

本発明に基づくクランプカットオフドライバ回路は、Ｅ
ＣＬ高電位電力レーしＶ。Ｃを基準として出力ノードＶ
１及び■２においてクランプした電圧レベルを与える。

その結実、ＥＣＬゲート出力出力ノード及１Ｖ２におけ
るＶＣＣを基準としたクランプした電圧レベルは、ＶＣ
ＣＶＲ７ＶＢＥに等しく、且つＶ。、２は終端電圧Ｖエ
エよりも多少大きな電圧レベルにクランプされる。

実施例 以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
について詳細に説明する。

本発明の一実施例に基づいて構成したクランプ型カット
オフドライバを有するＥＣＬ差動ゲートを第３図に示し
である。第１図に示した要素と同−又は同様の機能を達
成する構成要素には同一の参照番号を付しである。しか
しながら、第１図の回路要素に加えて、トランジスタ要
素Ｑ１５．Ｑ１６．Ｑ１７及び抵抗要素Ｒ７及びＲ８に
よって与えられるカットオフクランプ回路が付加されて
いる。このカットオフクランプ回路は、スイッチング出
力ノードＶ１及びＶ２における電圧に対する最小電圧レ
ベル乃至は下限を確立する。出力ノード■１及びＶ２は
、それぞれ、ＥＣＬゲートトランジスタ要素要素及５Ｑ
６のコレクタノードに対応し且つ出カニミッタホロワ出
力トランジスタ要素Ｑ１及びＱ４のベースノードに対応
している。

このカットオフクランプ回路は、ＥＣＬ高電位レーしＶ
。Ｃに関して以下に説明する如く、出力ノードＶ１及び
Ｖ２におけるクランプ電圧レベルを確立する。

このカットオフクランプ回路は、ＥＣＬ高及び低電位電
力レールＶｃｃ及びＶＥＥの間に直列的に結合されてい
るクランプ抵抗要素Ｒ７及びクランプ電流シンクＩ３を
有している。電流シンク■３は、ＥＣＬゲート及びカッ
トオフドライバ回路における第三電流シンクを構成して
おり、且つ実質的に一定の電流を発生し、従ってクラン
プ抵抗要素Ｒ７を横断して実質的に一定の電圧降下ｖ、
＋７を発生しクランプ回路の安定な動作を与えている。

電流シンクＩ３は、電流源トランジスタ要素Ｑ１７、テ
ール抵抗Ｒ８及び電流源トランジスタ要素Ｑ１７のベー
ス端子へ印加される電流源電圧ＶＣ５によって与えられ
ている。電流源電圧ＶＣ３は、バンドギャップバイアス
発生器（不図示）からの温度補償された供給電圧であり
、典型的には、例えばＥＣＬ低電位電力レーし電圧ＶＥ
Ｒよりも１．　３２Ｖ高いレベルに設定されている。

カットオフクランプ回路は、クラシブトランジスタ要素
Ｑ１５及びＱ１６を有しており、それらのトランジスタ
は、ＥＣＬ高電位電力レーしＶＣＣとそれぞれの相補的
出力ノードＶ１及びｖ２との間においてクランプ抵抗要
素Ｒ７と直列的に結合されている第一及び第二クランプ
回路分岐部を与えている。第３図に示した如く、クラン
プトランジスタ要素Ｑ１５及びＱ１６は、ベースエミッ
タ接合をクランプ抵抗要素Ｒ７とそれぞれの出力ノード
ｖ１及びＶ２との間に並列的に結合したエミッタホロワ
形態で結合されている。従って、クランプトランジスタ
要素Ｑ１５は、ＥＣＬ高電位電力レールとＥＣＬゲート
トランジスタ要素Ｑ５のコレクタノードに対応する第一
スイツチング出力ノードＶ１との間にクランプ抵抗要素
Ｒ７と直列的な第一ベースエミッタ接合を与えている。

クランプトランジスタ要素Ｑ１６は、ＥＣＬ高電位電力
レールとＥＣＬゲートトランジスタ要素Ｑ６のコレクタ
ノードに対応する第二スイッチング出力ノードＶ２との
間においてクランプ抵抗要素Ｒ７と直列したベースエミ
ッタ接合を与えている。

カットオフクランプ回路の第一及び第二分岐回路は、出
力ノードｖ１及びｖ２における電圧レベルを以下の如＜
　ＥＣＬ高電位電力レールを基準としたクランプ用電圧
レベルＶＣＬにクランプする。

ＶＣＬ″″ＶＣＣ’Ｒ７ＶＢＥ カットオフクランプ回路の構成のために、クランプ電圧
レベルＶＣＬは、クランプ回路が動作している場合にク
ランプ回路を介して流れる電流から実質的に独立的であ
る。このクランプ回路電流は、エミッタホロワ形態で結
合されているそれぞれのクランプトランジスタ要素Ｑ１
５及びＱ１６のコレクターエミッタ経路を介して流れる
。クランプ電流シンク乃至は第三電流シンク■３によっ
て発生される独立的なシンク電流は、実質的に一定の状
態を維持し、クランプ抵抗Ｒ７を横断しての電圧降下を
実質的に一定に維持する。クランプトランジスタ要素Ｑ
１５及びＱ１６のそれぞれのベースエミッタ接合を横断
しての電圧降下Ｖ８Ｆ、は、同様に、実質的に一定の状
態を維持し、該トランジスタ要素を介しての電流レベル
に僅かに依存するのみである。

本発明に基づいて出力ノードＶｌ、Ｖ２におけるクラン
プ電圧ＶＣＬに対しての所望のレベルについて以下の如
く解析する。相補的出力端ＱＸ及びＱＸＮは、それぞれ
の終端用抵抗要素ＲＴを介して終端電圧源ＶＴＴへ終端
しており、終端電圧源Ｖ７□は、例えば、−２，ＯＶに
選択されている。

相補的出力端ＱＸ及びＱＸＮにおけるカットオフ電圧レ
ベルＶ。、２がｖＴＴに等しい場合、出力バッファエミ
ッタホロワトランジスタ要素Ｑ１及びＱ４は完全にター
ンオフされる。このことは、出力端ＱＸ及びＱＸＮがカ
ットオフ状態からスイッチングモードへ復帰する場合及
びカットオフ電圧レベルＶＯＬ、２からＥＣＬ論理高及
び低電位レベルＶＯＨ及び■。、へ遷移する場合の出力
トランジスタ要素Ｑ１及びＱ４のターンオンにおいて幾
らかの遅延を発生する。Ｖ□Ｈは、典型的には、例えば
０．９５Ｖであり、且つＶ。Ｌは、典型的には、例えば
−１，７０Ｖである。

従って、ＶｏＬ２が、例えば−１，９５ＶであるＶＴＴ
よりも多少大きく選択され且つ特定されることが望まし
い。その結果、出カニミッタホロワトランジスタ要素Ｑ
１及びＱ４は、カットオフ状態からスイッチングモード
へ高速で復帰するために且つ出力端ＱＸ及びＱＸＮにお
いてカットオフ電位レベルからＥＣＬ論理高及び低電位
レベルへ高速で遷移するために常に多少オン状態である
。しかしながら、第２図に示した如きステップアウト即
ち遅延のために高温動作範囲において失われるのはこの
■、工より高い電圧増分ｖＯしｚである。

従って、クランプ電圧レベルＶｃＬは、高温動作範囲に
亘ってＥＣＬ出力端における最小カットオフ電位レベル
Ｖ。Ｒ２をＶＴＴよりも多少大きいレベルに維持すべく
選択される。これを実施するために、出力スイッチンク
ノードＶ１及びｖ２におけるクランプ電圧レベルｖｃＬ
は、出力端ＱＸ及びＱＸＮにおける最小の特定したカッ
トオフ電圧レベルＶ。、２よりも１ｖ８８高いレベルに
設定される。

従って、クランプ電圧レベルｖＣＬは−１，９５Ｖ＋Ｖ
ＢＨに設定することか可能である。

より一般的には、本発明に基づくクランプ電圧方程式は
次式の如く表わすことか可能である。

Ｖ　（Ｌ　＞　Ｖ　７７　＋　Ｖ　［１Ｅ従って、 ｖＣＣ’　Ｒ７Ｖ　ＩＩＥ　＞　Ｖ　７７＋　Ｖ　Ｂ２
クランプ抵抗要素Ｒ７を横断しての電圧降下ＶＲ７につ
いて解くと、次式か得られる。

ＶＨ２＜　ＶＣＣ２ＶＢＥ　　ＶＴＴ ＶＣＣに対する接地がＯＶてあり、Ｖエエが−２，ＯＶ
であり、ＶＢＨに対する高温値が０．７Ｖてあり、且つ
２ＶＢＥが１．４■である典型的な値に対して、ＶＨ２
に対する値は以下の如くに示される。

■Ｒ□＜Ｑ、５Ｖ このクランプ抵抗要素Ｒ７を横断しての電圧降下レベル
は、電流シンク■３によって発生される電流レベル及び
抵抗Ｒ７の抵抗値を選択することによって設定すること
が可能である。

本発明の別の実施例である第３Ａ図に示した実施例によ
ると、クランプ抵抗要素Ｒ７及びクランプ電流シンク■
３は、クランプ抵抗要素Ｒ７と同一の位置においてクラ
ンプ回路内に結合されているショットキーダイオードＳ
Ｄ７によって置換されている。ショットキーダイオード
ＳＤ７は、バイアス抵抗ＲＢを介してＥＣＬ低電位電力
レーしＶオヘ結合されており、ＳＣ２を横断して実質的
に一定の電圧降下を維持している。従って、カットオフ
クランプ回路は、第一及び第二ダイオードスタック分岐
部を具備するダイオードスタック回路によって与えられ
ている。第一ダイオ−トスタック分岐部は、ＥＣＬ高電
位電力レーしＶＣＣと第一出力スイッチングモードＶ１
との間に直列的に結合されているクランプトランジスタ
要素Ｑ１５のベースエミッタ接合によって与えられるＰ
ＮダイオードとショットキーダイオードＳＤ７によって
与えられている。第二ダイオードスタック分岐部は、Ｅ
ＣＬ高電位電力レーしＶＣＣと第二出力ノードｖ２との
間に直列的に結合されているクランプトランジスタ要素
Ｑ１６のベースエミッタ接合によって与えられるＰＮダ
イオードとショットキダイオードＳＤ７によって与えら
れている。ＳＣ２及びＲＢからＶＥＥを介して確立され
るバイアス電流を有するショットキーダイオードＳＤ７
は、実質的に一定の電圧降下ＶＳ［）７を与え、それは
クランプ回路を介して導通される電流と実質的に独立的
である。ｖｌへ結合されているショットキーダイオード
ＳＤ７及び抵抗ＲＢは、クランプ電流シンク■３とクラ
ンプ抵抗要素Ｒ７との結合したものに類似した機能を達
成する。ショットキーダイオードの直列抵抗に起因する
電流に関しての電圧降下ＶＳＤ７の僅かな依存性は、シ
ョットキーダイオードＳＤ７及び抵抗ＲＢからＶＥＥへ
のバイアス電流回路によって最小とされている。

第３図に示した如くクランプ抵抗要素Ｒ７及びクランプ
電流シンクＩ３を使用するカットオフクランプ回路は、
好適な実施例を与えるものであり、なぜならば、クラン
プ抵抗要素Ｒ７を横断しての一定電圧降下を他の回路パ
ラメータ及び回路適用に従って連続的に調節することが
可能たからである。第３図のクランプ回路は、第３Ａ図
に示した如く、純粋なダイオードスタックのＶＳＤ及び
ＶＢ□の電圧降下の倍数に制限されるものではない。

カットオフ状態への遷移期間中における出力ノードＶＩ
　　Ｖ２におけるクランプ動作を解析する二と（こより
、エミッタホロワクランプトランジスタ要素Ｑ１５及び
Ｑ　１６の重要性が理解される。

ＥＣＬゲートトランジスタ要素要素及５Ｑ６がタンオフ
し且つカットオフトランジスタ要素Ｑ８゜Ｑ９．ＱＩＯ
，Ｑｌｌがターンオンする場合の出力ノードＶ１及びｖ
２における初期的なダウンシフト電圧変動は、エミッタ
ホロワクランプトランジスタ要素Ｑ１５及びＱ１６を多
少導通状態とさせ、それぞれのベースエミッタ接合を横
断して例えば０．５Ｖの小さな電圧降下ＶＢＥを発生さ
せる。

スイング抵抗要素Ｒ１及びＲ２を介しての電流が増加し
て合体した電流シンク１１及び■２の電流要求を満足さ
せると、出力ノードＶ１及びＶ２における電圧レベルは
継続的に降下し、且つエミッタホロワトランジスタ要素
Ｑ１５及びＱ　１．６を介しての電流は、それぞれのベ
ースエミッタ接合を横断しての電圧降下ＶＢＥが例えば
０．７Ｖの高温限界に到達するまで、増加する。クラン
ピング機能は、エミッタホロワトランジスタ要素Ｑ１５
及びＱ１６かスイング抵抗要素Ｒ１及びＲ２を介しての
シンク電流の流れを変位させ、出力ノードＶ１及びＶ２
における電圧レベルが次式で表わされるクランプ電圧レ
ベル以下に降下することができないようにすることによ
って達成される。

Ｖ　ＣＬ＝　Ｖ　ＣＣＶ　Ｒ７Ｖ　ＢＥカットオフドラ
イバ回路の高温動作範囲内において、例えば１２５℃に
おいて、ＶＣＣ−０、ＶＩ１７−０．５５、高温ＶＢＥ
−０，７Ｖの場合の出力ノードＶ１及びＶ２におけるク
ランプ電圧レベルＶｏ、は−１，２５Ｖである。この結
果は、更に、クランプ電圧レベルＶＣＬ−１，２５Ｖが
終端電圧Ｖｔｔ＝　　２．ＯＶ＋１ＶＢＥ（０，７Ｖ又
バー１゜３Ｖにおいて）よりも大きいという条件も満足
している。

カットオフドライバ回路の低温動作範囲の場合、例えば
Ｖｃｃ＝ＯＶ、ＶＨ２−０，５５Ｖ及び低温ＶＢＥ＝０
．９Ｖの場合、クランプ機能は必要ではなく且つクラン
プは実効的に動作することはない。

回路条件は、出力端におけるＶＯＬＺが−１，９５■て
あり、−力出力ノードｖ１及びＶ２における電圧レベル
がＶＯＬＺ＋低温ＶＢＥ　（０，９Ｖ又ハ１．０５Ｖに
おいて）と等しいという所望の条件と一致している。電
流■２の値は以下の如くに設定される。

（Ｉ　１＋　１２）　Ｒ１／２−　（１１＋　７２）　
Ｒ２／２−１．　０５Ｖ カットオフクランプ回路の動作が上述した如きものであ
り且つ第３図に示した如きものである場合、出力端にお
いてのカットオフ状態から高温動作範囲におけるスイッ
チングモードＥＣＬ論理高及び低電位レベルへの遷移に
おける「ステップアウト」即ち遅延は、実質的に第４図
に示した如く除去される。

以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明し
たが、本発明は、これら具体例にのみ限定されるべきも
のではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに
種々の変形が可能であることは勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図はカットオフドライバ回路を具備する従来のＥＣ
Ｌ差動ゲートを示した概略回路図、第２図は第１図の従
来回路に対し相補的出力イネーブルＯＥ及びＯＥＮ信号
のスイッチングに続いて室温動作ＱＸ、ＱＸＮと比較し
て１２５℃における高温動作ＱＸＨＯＴ、ＱＸＮＨＯＴ
に対し出力端においでカットオフ状態Ｖ。Ｌ２からＥＣ
Ｌ論理高及び低電位レベルＶ０．．．　ＶＯＬへの遷移
における「ステップアウト」即ち遅延を示した概略図、
第３図は本発明の一実施例に基づいて構成されたクラン
プ型カットオフドライバ回路を具備するＥＣＬ差動ゲー
トを示した概略回路図、第３Ａ図はカットオフドライバ
クランプ回路の別の実施例を示した概略回路図、第４図
は高温及び低温動作を比較する第３図の回路に対しての
カットオフ状態から有効なＥＣＬ論理高及び低電位レベ
ルへの出力端における遷移においての「ステップアウト
」即ち遅延を除去した状態を示した概略説明図、である
。 １ ｖＣＣ： Ｖｐ、Ｈ： １３　： Ｖ（５： ＶＣＬ： （符号の説明） Ｖ２：出力ノード ＥＣＬ高電位電力レール ＥＣＬ低電位電力レール クランプ電流シンク 電流源電圧 クランプ電圧レベル Ｖ、Ｔ： ＶＯｌ、Ｚ ｏｌｌ Ｖｏｌ： 終端電圧源 ：カットオフ電圧レベル ＥＣＬ論理高電位レベル ＥＣＬ論理低電位レベル

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ＥＣＬ高及び低電位電力レール間に結合されたＥＣ
   Ｌゲート用のＥＣＬカットオフドライバ回路において、
   前記ＥＣＬゲートが差動信号入力端を具備する差動入力
   第一及び第二ゲートトランジスタ要素を有しており、前
   記ＥＣＬゲートは前記第一及び第二ゲートトランジスタ
   要素の一方のコレクタノードにおいて少なくとも１個の
   出力ノードを有しており、前記出力ノードは前記ＥＣＬ
   ゲートがスイッチングモードでの動作期間中高及び低電
   位レベルＶ＿Ｏ＿Ｈ及びＶ＿Ｏ＿ＬのＥＣＬ出力信号を
   供給するためのＥＣＬ出力端へ結合されており、前記カ
   ットオフドライバ回路は前記ＥＣＬ出力端をカットオフ
   状態において最大カットオフ電位レベルＶ＿Ｏ＿Ｌ＿Ｚ
   へシフトダウンさせるために前記出力ノードへ動作結合
   されており、前記ＥＣＬカットオフドライバ回路が、前
   記ＥＣＬゲートをスイッチングモードにおける動作へ高
   速で帰還させるために実質的に前記カットオフ状態にお
   けるカットオフ電圧レベルＶ＿Ｏ＿Ｌ＿Ｚにおける最小
   電圧レベルに前記ＥＣＬ出力端をクランプさせるために
   前記ＥＣＬ高電位電力レールと前記出力ノードとの間に
   動作結合されているカットオフクランプ回路手段を有す
   ることを特徴とするＥＣＬカットオフドライバ回路。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記カットオフク
   ランプ回路が、定電流、従ってクランプ抵抗要素を横断
   して一定の電圧降下を発生させるためにＥＣＬ高及び低
   電位電力レール間に直列的に動作結合したクランプ抵抗
   要素及びクランプ電流シンクを有することを特徴とする
   ＥＣＬカットオフドライバ回路。 ３、特許請求の範囲第２項において、前記クランプ回路
   が前記クランプ抵抗要素を有すると共に、少なくとも、
   ＥＣＬ高電位電力レールと前記出力ノードとの間に直列
   して動作結合されているクランプトランジスタ要素のベ
   ースエミッタ接合を有することを特徴とするＥＣＬカッ
   トオフドライバ回路。 ４、特許請求の範囲第３項において、前記クランプトラ
   ンジスタ要素が、コレクタノードをＥＣＬ高電位電力レ
   ールへ結合した状態のエミッタホロワ形態に結合されて
   いることを特徴とするＥＣＬカットオフドライバ回路。 ５、特許請求の範囲第１項において、前記カットオフク
   ランプ回路が、ＥＣＬ高電位電力レールと前記出力ノー
   ドとの間に直列して動作結合されているダイオードスタ
   ックを有することを特徴とするＥＣＬカットオフドライ
   バ回路。 ６、特許請求の範囲第５項において、前記ダイオードス
   タックが、直列して動作結合されているクランプトラン
   ジスタ要素のベースエミッタ接合及び第一ダイオード要
   素を有することを特徴とするＥＣＬカットオフドライバ
   回路。 ７、特許請求の範囲第６項において、前記第一ダイオー
   ド要素が、少なくとも１個のショットキーダイオード要
   素を有すると共に、前記ショットキーダイオード要素と
   前記ＥＣＬ低電位電力レールとの間に結合されているバ
   イアス電流回路を有することを特徴とするＥＣＬカット
   オフドライバ回路。 ８、特許請求の範囲第７項において、前記クランプトラ
   ンジスタ要素が、コレクタノードをＥＣＬ高電位電力レ
   ールへ結合した状態でエミッタホロワ形態に結合されて
   いることを特徴とするＥＣＬカットオフドライバ回路。 ９、特許請求の範囲第１項において、前記カットオフド
   ライバ回路が、前記出力ノードと共通エミッタノードカ
   ップリングとの間に動作結合された少なくとも１個のカ
   ットオフトランジスタ要素及びＥＣＬ高電位電力レール
   と前記共通エミッタノードカップリングとの間に動作結
   合されたＯＥトランジスタ要素を具備する出力イネーブ
   ルゲートを有しており、前記出力イネーブルゲートは相
   補的なＯＥ及びＯＥＮ入力信号を受取るための差動入力
   端を持っており、前記カットオフトランジスタ要素はカ
   ットオフ状態において導通状態であり、且つ前記ＯＥト
   ランジスタ要素はスイッチングモード期間中は導通状態
   であり、前記カットオフクランプ回路は前記カットオフ
   トランジスタ要素が導通状態にある場合のカットオフ状
   態期間中動作可能であることを特徴とするＥＣＬカット
   オフドライバ回路。 １０、特許請求の範囲第３項において、前記ＥＣＬゲー
   トの出力ノードに結合したエミッタホロワ出力バッファ
   トランジスタ要素が設けられており、前記ＥＣＬ出力端
   は前記エミッタホロワ出力バッファトランジスタ要素の
   エミッタノードへ結合されており且つ終端抵抗要素及び
   終端電圧源Ｖ＿Ｔ＿Ｔも前記エミッタノードへ結合され
   ており、且つ前記カットオフクランプ回路は、カットオ
   フ状態において、クランプ抵抗要素を横断しての電圧降
   下Ｖ＿Ｒ＿７及びベースエミッタ接合Ｖ＿Ｂ＿Ｅによっ
   て確立される前記出力ノードにおけるクランプ電圧レベ
   ルを終端電圧Ｖ＿Ｔ＿Ｔ＋１Ｖ＿Ｂ＿Ｅの和よりも多少
   大きなクランプ電圧レベルへ維持することを特徴とする
   ＥＣＬカットオフドライバ回路。 １１、特許請求の範囲第１項において、前記ＥＣＬゲー
   トの第一及び第二ゲートトランジスタ要素は、第一共通
   エミッタノードカップリングで結合されており、且つＥ
   ＣＬ第一電流シンクが前記第一共通エミッタノードカッ
   プリングと前記ＥＣＬ低電位電力レールとの間の回路内
   に結合されており、前記カットオフドライバ回路は、第
   二及び第三共通エミッタノードカップリングにおいて動
   作結合されている複数個のカットオフドライバトランジ
   スタ要素を有しており、且つカットオフ第二電流シンク
   が第三共通エミッタノードカップリングとＥＣＬ低電位
   電力レールとの間に動作結合されており、前記第二共通
   エミッタノードカップリングがＥＣＬ第一電流シンクへ
   結合されており、前記カットオフトランジスタ要素が、
   ＥＣＬゲートをスイッチングモードで動作するために少
   なくとも１個のＯＥトランジスタ要素を持った少なくと
   も１個の出力イネーブルゲートを有しており、前記カッ
   トオフトランジスタ要素は前記カットオフ状態において
   導通状態であり、且つ前記クランプ回路は前記カットオ
   フ状態において動作可能でありＥＣＬ出力端における最
   小電圧を前記カットオフ電圧レベルＶ＿Ｏ＿Ｌ＿Ｚにク
   ランプし、前記カットオフクランプ回路がクランプ抵抗
   要素を有すると共にＥＣＬ高及び低電位電力レール間に
   直列的に動作結合されているクランプ第三電流シンクを
   有しており、前記クランプ第三電流シンクは前記クラン
   プ抵抗要素を横断して一定電圧降下Ｖ＿Ｒ＿７を確立す
   るために前記クランプ抵抗要素を介して定電流を発生し
   、且つクランプトランジスタ要素の少なくとも１個のベ
   ースエミッタ接合がＥＣＬ高電位電力レールと前記出力
   ノードとの間の前記カットオフクランプ回路内の前記ク
   ランプ抵抗要素と直列して動作結合されていることを特
   徴とするＥＣＬカットオフドライバ回路。 １２、特許請求の範囲第１項において、第一及び第二ス
   イング抵抗要素が、それぞれ、ＥＣＬ高電位電力レール
   と第一及び第二ゲートトランジスタ要素のそれぞれのコ
   レクタノードとの間に結合されており、且つ温度補償用
   クロスオーバ回路網が前記第一及び第二ゲートトランジ
   スタ要素のコレクタノード間に動作結合されており、前
   記温度補償用クロスオーバ回路網はＶ＿Ｏ＿ＨからＶ＿
   Ｏ＿Ｌの電圧範囲に亘ってＥＣＬゲートがスイッチング
   モードで動作する所望の温度範囲に亘って温度補償を与
   えるように構成されており、前記カットオフクランプ回
   路は前記カットオフ状態期間中ＥＣＬ出力端における温
   度によって誘起される電圧降下が所定の最小カットオフ
   電圧レベルＶ＿Ｏ＿Ｌ＿Ｚ以下になることを防止するこ
   とを特徴とするＥＣＬカットオフドライバ回路。 １３、特許請求の範囲第１１項において、第一及び第二
   出力イネーブルゲートが設けられており、前記第一出力
   イネーブルゲートは、前記出力ノードとＥＣＬ第一電流
   シンクとの間に動作結合されている少なくとも１個のカ
   ットオフドライバトランジスタ要素を有すると共に、Ｅ
   ＣＬゲートがスイッチングモードで動作する期間中ＥＣ
   Ｌゲートを第一電流シンクへ結合し且つカットオフ状態
   期間中ＥＣＬゲートを第一電流シンクから切断するため
   に第一及び第二ゲートトランジスタ要素の第一共通エミ
   ッタノードカップリングと前記ＥＣＬ第一電流シンクと
   の間に動作結合した第一ＯＥトランジスタ要素を有して
   いることを特徴とするＥＣＬカットオフドライバ回路。 １４、特許請求の範囲第１項において、前記差動信号入
   力端が、それぞれ、相補的な直接的及び反転入力信号を
   受取るために結合されていることを特徴とするＥＣＬカ
   ットオフドライバ回路。 １５、ＥＣＬ高及び低電位電力レールＶ＿Ｃ＿Ｃ及びＶ
   ＿Ｅ＿Ｅの間に結合されているＥＣＬゲート用のＥＣＬ
   カットオフドライバ回路において、前記ＥＣＬゲートは
   それぞれのベースノードにおいて差動信号入力端を具備
   すると共に第一共通エミッタノードカップリングを具備
   する差動入力第一及び第二ゲートトランジスタ要素を有
   しており、ＥＣＬ第一電流シンクが前記第一共通エミッ
   タノードカップリングとＥＣＬ低電位電力レールとの間
   の回路内に結合されており、前記ＥＣＬゲートは前記第
   一及び第二ゲートトランジスタ要素のそれぞれのコレク
   タノードにおいて相補的出力ノードを有しており、前記
   出力ノードはＥＣＬゲートがスイッチングモードで動作
   期間中にＥＣＬ高及び低電位レベルＶ＿Ｏ＿Ｈ及びＶ＿
   Ｏ＿ＬのＥＣＬ出力信号を供給するために、それぞれ、
   第一及び第二エミッタホロワ出力バッファトランジスタ
   要素を介して、差動的乃至は相補的ＥＣＬ出力端へ結合
   されており、前記カットオフドライバ回路が、それぞれ
   前記相補的出力ノードへ動作結合されている複数個のカ
   ットオフドライバトランジスタ要素と、前記カットオフ
   トランジスタ要素の少なくとも一つと第二共通エミッタ
   ノードカップリングを具備する第一ＯＥトランジスタ要
   素を有する少なくとも１個の出力イネーブルゲート、前
   記第二共通エミッタノードカップリングとＥＣＬ低電位
   電力レールとの間に動作結合されているカットオフ第二
   電流シンクを有しており、前記第一ＯＥトランジスタ要
   素はＥＣＬゲートがスイッチングモードでの動作期間中
   にＥＣＬ高電位電力レールと前記カットオフ第二電流シ
   ンクとの間を導通させるべく結合されており、前記カッ
   トオフドライバトランジスタ要素はＯＥ又はＯＥＮ信号
   に応答してカットオフ状態において導通状態となり且つ
   相補的ＥＣＬ出力端を最大カットオフ電位レベルＶ＿Ｏ
   ＿Ｌ＿Ｚへシフトダウンし、前記ＥＣＬカットオフドラ
   イバ回路が、ＥＣＬ高電位電力レールと前記相補的出力
   ノードとの間にそれぞれ結合されている第一及び第二カ
   ットオフクランプ回路分岐部を持ったカットオフクラン
   プ回路を有しており、前記カットオフトランジスタ要素
   がターンオフする場合にＥＣＬゲートの動作をスイッチ
   ングモードへ高速で帰還させるために相補的ＥＣＬ出力
   端をカットオフ状態において実質的に最小電圧レベルＶ
   ＿Ｏ＿Ｌ＿Ｚにクランプすることを特徴とするＥＣＬカ
   ットオフドライバ回路。 １６、特許請求の範囲第１５項において、前記カットオ
   フクランプ回路がＥＣＬ高及び低電位電力レール間に直
   列して動作結合されているカットオフ抵抗要素及びクラ
   ンプ第三電流シンクを有しており、前記クランプ第三電
   流シンクは、前記クランプ抵抗要素を横断して実質的に
   一定な電圧降下Ｖ＿Ｒ＿７を確立するために前記クラン
   プ抵抗要素を介して実質的に一定な電流を発生し、前記
   第一クランプ回路分岐部は、ＥＣＬ高電位電力レールと
   前記相補的出力ノードの一つとの間において前記クラン
   プ抵抗要素と直列して動作結合されている第一クランプ
   トランジスタ要素の少なくとも一つのベースエミッタ接
   合を有しており、且つ前記第二クランプ回路分岐部は、
   ＥＣＬ高電位電力レールと前記相補的出力ノードの他方
   との間において前記クランプ抵抗要素と直列して動作結
   合されている第二クランプトランジスタ要素の少なくと
   も１個のベースエミッタ接合を有していることを特徴と
   するＥＣＬカットオフドライバ回路。 １７、特許請求の範囲第１６項において、前記第一及び
   第二クランプトランジスタ要素は、コレクタノードをＥ
   ＣＬ高電位電力レールへ結合させたエミッタホロワ形態
   であることを特徴とするＥＣＬカットオフドライバ回路
   。 １８、特許請求の範囲第１５項において、第一及び第二
   スイング抵抗要素が、それぞれ、ＥＣＬ高電位電力レー
   ルと第一及び第二ゲートトランジスタ要素のそれぞれの
   コレクタノードとの間に結合されており、且つ温度補償
   用クロスオーバ回路網が第一及び第二ゲートトランジス
   タ要素のコレクタノード間に動作結合されており、前記
   温度補償用クロスオーバ回路網が、Ｖ＿Ｏ＿ＨからＶ＿
   Ｏ＿Ｌの電圧範囲に亘ってスイッチングモードてＥＣＬ
   ゲートの動作の所望の温度範囲に亘って温度補償を与え
   るべく構成されており、前記カットオフクランプ回路が
   カットオフ状態期間中においてＥＣＬ出力端における温
   度によって誘起される電圧降下が所定の最小カットオフ
   電圧レベルＶ＿Ｏ＿Ｌ＿Ｚ以下となることを防止するよ
   うに構成されていることを特徴とするＥＣＬカットオフ
   ドライバ回路。 １９、特許請求の範囲第１５項において、前記カットオ
   フクランプ回路が第一及び第二ダイオード分岐部を具備
   するダイオードスタック回路を有することを特徴とする
   ＥＣＬカットオフドライバ回路。 ２０、スイッチングモードで動作期間中にＥＣＬ出力端
   において高及び低電位レベルＶ＿Ｏ＿Ｈ及びＶ＿Ｏ＿Ｌ
   のＥＣＬ出力信号を供給するための少なくとも１個のＥ
   ＣＬ出力ノードを具備すると共にＥＣＬ出力ノードへ結
   合されておりカットオフ状態においてＥＣＬ出力を最大
   カットオフ電位レベルＶ＿Ｏ＿Ｌ＿Ｚへシフトダウンさ
   せるための少なくとも１個のカットオフトランジスタ要
   素を具備するＥＣＬゲート用のＥＣＬカットオフドライ
   バ回路において、カットオフクランプ回路手段が前記Ｅ
   ＣＬ出力ノードへ結合されており、ＥＣＬゲートをスイ
   ッチングモードにおける動作へ高速で復帰させるために
   ＥＣＬ出力端を実質的にカットオフ状態におけるカット
   オフ電圧レベルＶ＿Ｏ＿Ｌ＿Ｚにおける最小電圧レベル
   へクランプすることを特徴とするＥＣＬカットオフドラ
   イバ回路。 ２１、特許請求の範囲第２０項において、前記ＥＣＬゲ
   ートがＥＣＬ高及び低電位電力レールの間に動作結合さ
   れており、且つ前記カットオフクランプ回路手段がＥＣ
   Ｌ高電位電力レールとＥＣＬ出力ノードとの間に結合さ
   れており前記カットオフクランプ回路手段の動作を前記
   ＥＣＬ高電位電力レールへ参照させることを特徴とする
   ＥＣＬカットオフドライバ回路。 ２２、特許請求の範囲第１５項において、前記カットオ
   フクランプ回路手段がＥＣＬ高及び低電位電力レール間
   に直列的に動作結合されているクランプ抵抗要素とクラ
   ンプ電流シンクとを有しており、前記クランプ電流シン
   クは前記クランプ抵抗要素を横断して一定の電圧降下Ｖ
   ＿Ｒ＿７を確立するために前記クランプ抵抗要素を介し
   て定電流を発生し、且つ前記カットオフクランプ回路手
   段は少なくとも１個のクランプトランジスタ要素を有し
   ており、その電圧降下Ｖ＿Ｂ＿Ｅを持ったベースエミッ
   タ接合はＥＣＬ高電位電力レールと前記出力ノードとの
   間において前記クランプ抵抗要素と直列的に結合されて
   いることを特徴とするＥＣＬカットオフドライバ回路。 ２３、特許請求の範囲第２２項において、前記クランプ
   トランジスタ要素は、コレクタノードがＥＣＬ高電位電
   力レールへ結合されているエミッタホロワ形態であるこ
   とを特徴とするＥＣＬカットオフドライバ回路。 ２４、特許請求の範囲第２０項において、前記カットオ
   フクランプ回路がダイオードスタックを有することを特
   徴とするＥＣＬカットオフドライバ回路。 ２５、特許請求の範囲第２４項において、前記ダイオー
   ドスタックが、第一ダイオード要素と少なくとも１個の
   クランプトランジスタ要素とを有しており、前記クラン
   プトランジスタ要素の電圧降下Ｖ＿Ｂ＿Ｅを持ったベー
   スエミッタ接合はＥＣＬ高電位電力レールと前記出力ノ
   ードとの間において前記第一ダイオード要素と直列的に
   結合されていることを特徴とするＥＣＬカットオフドラ
   イバ回路。 ２６、特許請求の範囲第２５項において、前記クランプ
   トランジスタ要素がエミッタホロワ形態に結合されてい
   ることを特徴とするＥＣＬカットオフドライバ回路。 ２７、特許請求の範囲第２５項において、前記第一ダイ
   オード要素が少なくとも１個のショットキーダイオード
   を有すると共に、前記ショットキーダイオードと前記Ｅ
   ＣＬ低電位電力レールとの間に結合されているバイアス
   電流回路を有することを特徴とするＥＣＬカットオフド
   ライバ回路。