JPH03276797A - 窒化アルミニウム基板の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム基板の製造方法Info
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- JPH03276797A JPH03276797A JP7795790A JP7795790A JPH03276797A JP H03276797 A JPH03276797 A JP H03276797A JP 7795790 A JP7795790 A JP 7795790A JP 7795790 A JP7795790 A JP 7795790A JP H03276797 A JPH03276797 A JP H03276797A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
窒化アルミニウム・ビア基板の製造方法に関し、抵抗率
が小で且つ基板との密着性に優れたビアを備えた窒化ア
ルミニウム基板を実用化することを目的とし、 窒化アルミニウム基板形成用のグリーンシートを穴開け
してビアホールを形成する工程と、該ビアホールに銅ボ
ール、銅粉末、銅ペースト、或いはこれを組合わせた銅
材料の充填を行う工程と、ビアホールを設けたグリーン
シートを積層して後、該積層体の上下をビアホールのな
いグリーンシートで覆い、加圧して一体化させる工程と
、不活性雰囲気中で加熱して窒化アルミニウムの焼結を
行う工程と、基板焼成後に該基板の表面層を切削研磨し
てビアを露出させる工程とを少なくとも含むことを特徴
として窒化アルミニウム基板の製造方法を構成する。
が小で且つ基板との密着性に優れたビアを備えた窒化ア
ルミニウム基板を実用化することを目的とし、 窒化アルミニウム基板形成用のグリーンシートを穴開け
してビアホールを形成する工程と、該ビアホールに銅ボ
ール、銅粉末、銅ペースト、或いはこれを組合わせた銅
材料の充填を行う工程と、ビアホールを設けたグリーン
シートを積層して後、該積層体の上下をビアホールのな
いグリーンシートで覆い、加圧して一体化させる工程と
、不活性雰囲気中で加熱して窒化アルミニウムの焼結を
行う工程と、基板焼成後に該基板の表面層を切削研磨し
てビアを露出させる工程とを少なくとも含むことを特徴
として窒化アルミニウム基板の製造方法を構成する。
本発明は窒化アルミニウム基板の製造方法に関する。
大量の情報を高速に処理する必要から情報処理装置は小
形化と大容量化とが行われており、この装置の主体を占
める半導体集積回路は集積度が向上してＬＳＩやＶＬＳ
Ｉが実用化されている。
形化と大容量化とが行われており、この装置の主体を占
める半導体集積回路は集積度が向上してＬＳＩやＶＬＳ
Ｉが実用化されている。
そして、これらの集積回路はチップのま−で複数個をセ
ラミックスからなるチップ搭載用基板（ビア基板）に搭
載してＬＳＩモジュールを作す、これを取替え単位とし
て印刷配線基板などに装着する実装形体がとられつ＼あ
る。
ラミックスからなるチップ搭載用基板（ビア基板）に搭
載してＬＳＩモジュールを作す、これを取替え単位とし
て印刷配線基板などに装着する実装形体がとられつ＼あ
る。
このように半導体集積回路の集積度が増し、また高密度
実装が行われるに従って装置の発熱量も加速度的に増加
している。
実装が行われるに従って装置の発熱量も加速度的に増加
している。
すなわち、当初はＩＣ−チップ当たりの発熱量は約３．
５Ｗ程度と少なかったが、現在ＬＳＩ−チップ当たりの
発熱量は約１０Ｗ程度に増加しており、これがマトリッ
クス状に多数個装着されている場合は発熱量は膨大であ
り、これは更に増加する傾向にある。
５Ｗ程度と少なかったが、現在ＬＳＩ−チップ当たりの
発熱量は約１０Ｗ程度に増加しており、これがマトリッ
クス状に多数個装着されている場合は発熱量は膨大であ
り、これは更に増加する傾向にある。
従来、ＬＳＩ チップなどを搭載するチップ搭載用基板
には熱伝導度が高く、耐熱性が優れたアルミナ（ＡＮ２
０３）が使用されてきた。
には熱伝導度が高く、耐熱性が優れたアルミナ（ＡＮ２
０３）が使用されてきた。
然し、アルミナの熱伝導度は優れているもの＼２０Ｗ／
ｍＫ程度であり、上記のチップ搭載用基板用材料として
は不充分である。
ｍＫ程度であり、上記のチップ搭載用基板用材料として
は不充分である。
そこで、熱伝導度が３２０ Ｗ／ｍＫ （理論値）と大
きく、また熱膨張係数がシリコン（Ｓｉ）に近いＡｌ４ Ｎが着目され、この基板の実用化が進められている。
きく、また熱膨張係数がシリコン（Ｓｉ）に近いＡｌ４ Ｎが着目され、この基板の実用化が進められている。
また、Ａｎは熱伝導度が優れている以外に熱膨張係数は
４．４ Ｘｌ０−６／ ’ＣとＬＳＩを構成するＳｉＯ
熱膨張係数（３，６ｘ１０−６／ ’ｃ）に近いと云う
利点もある。
４．４ Ｘｌ０−６／ ’ＣとＬＳＩを構成するＳｉＯ
熱膨張係数（３，６ｘ１０−６／ ’ｃ）に近いと云う
利点もある。
そこで、Ａｎを用いてビア基板を構成することが望まし
く、この実用化が望まれている。
く、この実用化が望まれている。
ビア基板の製造方法としては、まず、ＡｒＮ基板を焼成
した後にレーザ光の照射を行うなどの方法でビアホール
を形成し、この穴に導体ペーストを充填して再焼成する
方法がある。
した後にレーザ光の照射を行うなどの方法でビアホール
を形成し、この穴に導体ペーストを充填して再焼成する
方法がある。
然し、この方法は工数が嵩み、コスト高になることから
量産方法としては適当でない。
量産方法としては適当でない。
一方、グリーンシートの段階でビアホールを形成し、こ
れに導体ペーストを充填した状態で一体焼成する方法が
あり、この方法は量産に適することから期待されてい名
。
れに導体ペーストを充填した状態で一体焼成する方法が
あり、この方法は量産に適することから期待されてい名
。
然し、Ａｎの融点は２２００°Ｃ（但し、４気圧の蒸気
圧で）と高く、これ以上の温度では昇華すると云う特徴
があり、そのため、ＩＮの焼結には１５００’Ｃ以上の
高温焼成が必要である。
圧で）と高く、これ以上の温度では昇華すると云う特徴
があり、そのため、ＩＮの焼結には１５００’Ｃ以上の
高温焼成が必要である。
一方、ビア形成材料としては、これに見合った高融点金
属が必要であり、従来よりアルミナ基板（Ａ １２０３
）に使用されているタングステン（Ｗ、融点３３８７’
Ｃ）が最も適した材料と見做されている。
属が必要であり、従来よりアルミナ基板（Ａ １２０３
）に使用されているタングステン（Ｗ、融点３３８７’
Ｃ）が最も適した材料と見做されている。
然し、ＡｎＮグリンシートに設けたビアホールにＷペー
ストを充填し、不活性雰囲気中で加熱すると、ビアにク
ラックが生じ、密着不良となる。
ストを充填し、不活性雰囲気中で加熱すると、ビアにク
ラックが生じ、密着不良となる。
この理由は、Ｗの焼成において焼結による収縮は１００
０”Ｃ付近から起こるのに対して、Ａｎの焼成において
は焼結助剤■との反応が生ずる約１５００°Ｃまでは全
く収縮が生じないためである。
０”Ｃ付近から起こるのに対して、Ａｎの焼成において
は焼結助剤■との反応が生ずる約１５００°Ｃまでは全
く収縮が生じないためである。
この問題を解決する方法としては、ＩＮ粉末を添加した
ＷペースＩ−を使用すると良く、Ｗの収縮開始温度が向
上すること一１Ａｌ相互の親和力により密着力を向上す
ることができる。
ＷペースＩ−を使用すると良く、Ｗの収縮開始温度が向
上すること一１Ａｌ相互の親和力により密着力を向上す
ることができる。
然し、ＡＩＮの添加量に反比例してビアの抵抗率が増加
してしまうために不適当である。
してしまうために不適当である。
そこで、この改良が要望されていた。
Ａｌ２Ｎ基板の製造において、Ａｌｌグリーンシートに
導体ペーストを充填し、同時焼成する方法では、焼成に
際して八ρＮと導体との収縮開始温度が異なるために基
板とビアとの界面にクラックが生ずると云う問題がある
。
導体ペーストを充填し、同時焼成する方法では、焼成に
際して八ρＮと導体との収縮開始温度が異なるために基
板とビアとの界面にクラックが生ずると云う問題がある
。
そこで、ビアの抵抗率を上げることなく、またクランク
発生のないＡｆｆｉＮ基板の製造方法を実用化すること
が課題である。
発生のないＡｆｆｉＮ基板の製造方法を実用化すること
が課題である。
上記の課題は、ＡＩＮ基板基板用成用リーンシートを穴
開けしてビアホールを形成する工程と、このビアホール
に銅ボール、銅粉末、銅ペースト。
開けしてビアホールを形成する工程と、このビアホール
に銅ボール、銅粉末、銅ペースト。
或いはこれを組合わせた銅材料の充填を行う工程と、ビ
アホールを設けたグリーンシートを積層して後、この積
層体の上下をビアホールのないグリ− −ンシートで覆い、加圧して一体化させる工程と、不活
性雰囲気中で加熱してＡＩ！、Ｎの焼結を行う工程と、
基板焼成後にこの基板の表面層を切削研磨してビアを露
出させる工程とを少なくとも含んでＩＮ基板の製造方法
を構成することにより解決することができる。
アホールを設けたグリーンシートを積層して後、この積
層体の上下をビアホールのないグリ− −ンシートで覆い、加圧して一体化させる工程と、不活
性雰囲気中で加熱してＡＩ！、Ｎの焼結を行う工程と、
基板焼成後にこの基板の表面層を切削研磨してビアを露
出させる工程とを少なくとも含んでＩＮ基板の製造方法
を構成することにより解決することができる。
本発明は＾ｆＮ基板の形成において、ビアホールに充填
する導体材料として銅（Ｃｕ）を使用するものである。
する導体材料として銅（Ｃｕ）を使用するものである。
ニーで、Ｃｕは融点が１０８４°Ｃ１沸点が２５９５°
Ｃであり、へＩ！、Ｎグリーンシートの焼成温度である
１８００°Ｃ近傍では溶融状態にある。
Ｃであり、へＩ！、Ｎグリーンシートの焼成温度である
１８００°Ｃ近傍では溶融状態にある。
本発明はビアホールに、Ｃｕボール、Ｃｕ粉末、ｃｕペ
ースト或いはこの混合物を充填した後、＾ｊ２Ｎの焼成
温度にまで高めて溶融させることにより、ビアホールに
面したＡｆＮの粒界にまでＣｕを浸透させるもので、こ
れにより、八ｌＮへの密着性を向上するものである。
ースト或いはこの混合物を充填した後、＾ｊ２Ｎの焼成
温度にまで高めて溶融させることにより、ビアホールに
面したＡｆＮの粒界にまでＣｕを浸透させるもので、こ
れにより、八ｌＮへの密着性を向上するものである。
第１図は本発明の製造方法を示す原理図であって、ビア
ホールを設けたグリーンシート１に予めスクリーン印刷
法などにより、Ｃｕボール、Ｃｏ粉やＣｕペーストなど
のＣｕ材料２を充填しておき、このグリーンシート１を
積層した後、この積層体の上下をビアホールを開けてな
いグリーンシート３で覆い、金型を用いて加圧し、一体
化しておく、（以上同図Ａ） このようにして一体化した積層体を脱脂処理した後、不
活性ガス雰囲、気中で＾ｆｉＮの焼結開始温度以上（約
１８００″Ｃ）にまで加熱すると、ＩＩ！、Ｎの焼結が
進行すると共に、ビアホール中で溶融しているＣｕ材料
２は、これが接触しているＡｆＮ粒子の粒界に浸透し、
また、上部には空隙４が生じ、また、Ｃｕの蒸気圧も上
昇するが、これによりＣｕの浸透は促進される。
ホールを設けたグリーンシート１に予めスクリーン印刷
法などにより、Ｃｕボール、Ｃｏ粉やＣｕペーストなど
のＣｕ材料２を充填しておき、このグリーンシート１を
積層した後、この積層体の上下をビアホールを開けてな
いグリーンシート３で覆い、金型を用いて加圧し、一体
化しておく、（以上同図Ａ） このようにして一体化した積層体を脱脂処理した後、不
活性ガス雰囲、気中で＾ｆｉＮの焼結開始温度以上（約
１８００″Ｃ）にまで加熱すると、ＩＩ！、Ｎの焼結が
進行すると共に、ビアホール中で溶融しているＣｕ材料
２は、これが接触しているＡｆＮ粒子の粒界に浸透し、
また、上部には空隙４が生じ、また、Ｃｕの蒸気圧も上
昇するが、これによりＣｕの浸透は促進される。
そして、常温にまで戻すとビアホールにＣｕが詰まった
ＡｆＮビア基板を得ることができる。
ＡｆＮビア基板を得ることができる。
（以上同図Ｂ）
次に、上下のグリーンシート３相当分の厚さのＡＲＮを
切削研磨してビア５を露出させることによりＩＮビア基
板６を得ることができる。
切削研磨してビア５を露出させることによりＩＮビア基
板６を得ることができる。
（以上同図Ｃ）
なお、グリーンシートに設けるビアホールの径は１００
〜２００μ艶と小さく、そのため、グリーンシートを積
層する際のビアホールの位置合わせは容易ではなく、位
置ずれによる断線が生じ易い。
〜２００μ艶と小さく、そのため、グリーンシートを積
層する際のビアホールの位置合わせは容易ではなく、位
置ずれによる断線が生じ易い。
この対策として、本発明は第２図に示すようにＣｏ材料
２を充填したビアホールを中心きしてＣｕペーストをス
クリーン印刷し、パッド７を作って導体部を拡げておく
。
２を充填したビアホールを中心きしてＣｕペーストをス
クリーン印刷し、パッド７を作って導体部を拡げておく
。
そして、第１図に示した゛と全く同様にして積層したの
ち、上下にビアホールのないグリーンシート３を覆った
状態で加圧して一体化する。
ち、上下にビアホールのないグリーンシート３を覆った
状態で加圧して一体化する。
（以上第２図Ａ）
次に、焼成して＾ｌ・Ｎを焼結とＣｕの溶融浸透を行っ
て基板を作り、（以上同図Ｂ） 次に、両面を研磨してビア５を露出させることによりＡ
ｆＮビア基板６を得ることができる。
て基板を作り、（以上同図Ｂ） 次に、両面を研磨してビア５を露出させることによりＡ
ｆＮビア基板６を得ることができる。
（以上同図Ｃ）
０
なお、本発明の工程によると切削研磨工程が新たに増す
ように思われるが、そうではなく、従来でも行われてい
る。
ように思われるが、そうではなく、従来でも行われてい
る。
すなわち、約１８００°Ｃのような高温焼成によってＡ
ＩＮ基板の表面は荒れており、実用するためには表面の
研磨が必要である。
ＩＮ基板の表面は荒れており、実用するためには表面の
研磨が必要である。
本発明はこの工程を利用してビアホール出しを行うもの
で、Ｃｕをビアとして使用することにより低抵抗でまた
熱伝導性の優れたＡｎＮ基板を得ることができる。
で、Ｃｕをビアとして使用することにより低抵抗でまた
熱伝導性の優れたＡｎＮ基板を得ることができる。
実施例１
へ１Ｎ粉末 ・・・１００重量部焼
結助剤〔炭酸カルシウム（ＣａＣ０３）・・・５重量部
バインダ（ポリビニルブチラール、略称ＰＶＢ）・・・
１０重量部 可塑剤 （ジプチルフタレート、略称ＤＢＰ）・・・１
０重量部 分散剤 （エチルアルコール） ・・・５０重量部■ ■ をボールミルを用いて混練してスラリーを作り、ドクタ
ーブレード法で厚さが２５０ μｍ１密度が１゜７０８
／ｃｍ３のグリーンシートを作った。
結助剤〔炭酸カルシウム（ＣａＣ０３）・・・５重量部
バインダ（ポリビニルブチラール、略称ＰＶＢ）・・・
１０重量部 可塑剤 （ジプチルフタレート、略称ＤＢＰ）・・・１
０重量部 分散剤 （エチルアルコール） ・・・５０重量部■ ■ をボールミルを用いて混練してスラリーを作り、ドクタ
ーブレード法で厚さが２５０ μｍ１密度が１゜７０８
／ｃｍ３のグリーンシートを作った。
このグリーンシートを９０ｍｍ角に打ち抜き、パンチで
径２５０ μｍのビアホールを３００個形成した。
径２５０ μｍのビアホールを３００個形成した。
そして、このビアホールに径２５０ μｍのＣｕポルを
充填した。
充填した。
このグリーンシートの６枚を１組として積層した後、こ
の上下面をビアホールのない無垢のグリーンシートで挟
み、６０°Ｃで６０ＭＰａの圧力を加えて一体化した。
の上下面をビアホールのない無垢のグリーンシートで挟
み、６０°Ｃで６０ＭＰａの圧力を加えて一体化した。
この積層体をＮ２気流中で１０００°Ｃで５時間加熱し
て脱脂し、次にＮ２気流中で１８００’Ｃ，３０時間の
焼成を行ってＡρＮ基板を得た。
て脱脂し、次にＮ２気流中で１８００’Ｃ，３０時間の
焼成を行ってＡρＮ基板を得た。
次に、研磨機を用いて表面層を切削研磨してビアを露出
させた。
させた。
このビアにはクラックは認められず、また導体抵抗を測
定した結果、体積抵抗率は１８μΩｃｍであった。
定した結果、体積抵抗率は１８μΩｃｍであった。
実施例２：
２
実施例１と全く同様にしてグリーンシートを作り、パン
チで径２５０ μｍのビアホールを３００個形成した。
チで径２５０ μｍのビアホールを３００個形成した。
そして、このビアホールにスキージを用いて粒径２５０
μｍのＣａ粉を充填した。
μｍのＣａ粉を充填した。
このグリーンシートの６枚を１組として積層した後、こ
の上下面をビアホールのない無垢のグリーンシートで挾
み、６０°Ｃで６０ Ｍ Ｐａの圧力を加えて一体化し
た。
の上下面をビアホールのない無垢のグリーンシートで挾
み、６０°Ｃで６０ Ｍ Ｐａの圧力を加えて一体化し
た。
この積層体をＮ２気流中で１０００°Ｃで５時間加熱し
て脱脂し、次にＮ２気流中で１８００°Ｃ１３０時間の
焼成を行ってＡｌｌ基板を得た。
て脱脂し、次にＮ２気流中で１８００°Ｃ１３０時間の
焼成を行ってＡｌｌ基板を得た。
次に、研磨機を用いて表面層を切削研磨してビアを露出
させた。
させた。
このビアにはクラックは認められず、また導体抵抗を測
定した結果、体積抵抗率は１６μΩｃｍであった。
定した結果、体積抵抗率は１６μΩｃｍであった。
実施例３：
実施例１と全く同様にしてグリーンシートを作り、パン
チで径２５０ μｍのビアホールを３００個形個形 成した。
チで径２５０ μｍのビアホールを３００個形個形 成した。
そして、このビアホールにスキージを用いて粘度３００
０ ｐポイズのＣｕペーストを充填した。
０ ｐポイズのＣｕペーストを充填した。
乾燥の終わったグリーンシートの６枚を１組として積層
した後、この上下面をビアホールのない無垢のグリーン
シートで挟み、６０°Ｃで６０ＭＰａの圧力を加えて一
体化した。
した後、この上下面をビアホールのない無垢のグリーン
シートで挟み、６０°Ｃで６０ＭＰａの圧力を加えて一
体化した。
この積層体をＮ２気流中で１０００°Ｃで５時間加熱し
て脱脂し、次にＮ２気流中で１８００°Ｃ１３０時間の
焼成を行ってｉＮ基板を得た。
て脱脂し、次にＮ２気流中で１８００°Ｃ１３０時間の
焼成を行ってｉＮ基板を得た。
次に、研磨機を用いて表面層を切削研磨してビアを露出
させた。
させた。
このビアにはクラックは認められず、また導体抵抗を測
定した結果、体積抵抗率は１４μΩｃｍであった。
定した結果、体積抵抗率は１４μΩｃｍであった。
実施例４：
実施例１と全く同様にしてグリーンシートを作り、パン
チで径２５０ μｍのビアホールを３００個形成した。
チで径２５０ μｍのビアホールを３００個形成した。
そして、このビアホールに径２５０ μｍのＣｕボ４
ルを充填した後、更にスキージを用いてＣｕ粉を充填し
た。
た。
このグリーンシートの６枚を１組として積層した後、こ
の上下面をビアホールのない無垢のグリーンシートで挾
み、６０°Ｃで６０ Ｍ Ｐａの圧力を加えて一体化し
た。
の上下面をビアホールのない無垢のグリーンシートで挾
み、６０°Ｃで６０ Ｍ Ｐａの圧力を加えて一体化し
た。
この積層体をＮ２気流中で１０００°Ｃで５時間加熱し
て脱脂し、次にＮ２気流中で１８００°Ｃ１３０時間の
焼成を行ってＡＩ！、Ｎ基板を得た。
て脱脂し、次にＮ２気流中で１８００°Ｃ１３０時間の
焼成を行ってＡＩ！、Ｎ基板を得た。
次に、研磨機を用いて表面層を切削研磨してビアを露出
させた。
させた。
このビアにはクランクは認められず、また導体抵抗を測
定した結果、体積抵抗率は９μΩｃｍであった。
定した結果、体積抵抗率は９μΩｃｍであった。
実施例５：
実施例１と全く同様にしてグリーンシートを作り、パン
チで径２５０μｍのビアホールを３００個形成した。
チで径２５０μｍのビアホールを３００個形成した。
そして、このビアホールに径２５０ μｍのＣｕボール
を充填した後、更にスキージを用いて粘度が３０５ ００ポイズのＣｕペーストを充填した。
を充填した後、更にスキージを用いて粘度が３０５ ００ポイズのＣｕペーストを充填した。
乾燥の終わったグリーンシートの６枚を１組として積層
した後、この上下面をビアホールのない無垢のグリーン
シートで挟み、６０°Ｃで６０ Ｍ Ｐａの圧力を加え
て一体化した。
した後、この上下面をビアホールのない無垢のグリーン
シートで挟み、６０°Ｃで６０ Ｍ Ｐａの圧力を加え
て一体化した。
この積層体をＮ２気流中で１０００°Ｃで５時間加熱し
て脱脂し、次にＮ２気流中で１８００″ｃ、３０時間の
焼成を行ってＡｆｆｉＮ基板を得た。
て脱脂し、次にＮ２気流中で１８００″ｃ、３０時間の
焼成を行ってＡｆｆｉＮ基板を得た。
次に、研磨機を用いて表面層を切削研磨してビアを露出
させた。
させた。
このビアにはクラックは認められず、また導体抵抗を測
定した結果、体積抵抗率は９μΩｃｍであった。
定した結果、体積抵抗率は９μΩｃｍであった。
実施例６：
実施例１と全く同様にしてグリーンシートを作り、パン
チで径２５０μｍのビアホールを３００個形成した。
チで径２５０μｍのビアホールを３００個形成した。
そして、このビアホールに径２５０μｍのＣｕボールを
充填した後、更にスキージを用いて粘度が３０００ポイ
ズのＣｕペーストを充填すると共にビアホー６ ルの上面に径３５０ μｍのパッドを印刷した。
充填した後、更にスキージを用いて粘度が３０００ポイ
ズのＣｕペーストを充填すると共にビアホー６ ルの上面に径３５０ μｍのパッドを印刷した。
乾燥の終わったグリーンシートの６枚を１組として積層
した後、この上下面をビアホールのない無垢のグリーン
シートで挟み、６０°Ｃで６０ＭＰａの圧力を加えて一
体化した。
した後、この上下面をビアホールのない無垢のグリーン
シートで挟み、６０°Ｃで６０ＭＰａの圧力を加えて一
体化した。
この積層体をＮ２気流中で１０００°Ｃで５時間加熱し
て脱脂し、次にＮ２気流中で１８００°Ｃ１３０時間の
焼成を行ってＡｆｆｉＮ基板を得た。
て脱脂し、次にＮ２気流中で１８００°Ｃ１３０時間の
焼成を行ってＡｆｆｉＮ基板を得た。
次に、研磨機を用いて表面層を切削研磨してビアを露出
させた。
させた。
このビアにはクラックは認められず、また導体抵抗を測
定した結果、体積抵抗率は９μΩｃｍであった。
定した結果、体積抵抗率は９μΩｃｍであった。
本発明によれば、ＣｕをＡｌ２Ｎ基板のビアとして用い
ることができ、且つクランクが無く密着性のよいビア基
板を作ることができ、導体抵抗もＷを使用した場合に較
べ、約１／６に減少することができる。
ることができ、且つクランクが無く密着性のよいビア基
板を作ることができ、導体抵抗もＷを使用した場合に較
べ、約１／６に減少することができる。
７
第１図は本発明の製造方法を示す原理図、第２図は本発
明の別の製造方法を示す原理図、である。 図において、 １．３はグリーンシート、２はＣｕ材料、４は空隙、
５はビア、６はＡＩ！、Ｎ基板、
７はパッド、である。 ８ 図面の浄書 ｔ１藤唐 木年明の別の或猪乃法Ｉ示Ｔ片理図 手続補正書（其 平成年月日 ２．７．１３ １゜ 事件の表示 平成 ２年特許願第 ７７９５７号 ２゜ 発明の名称 ３゜ ４゜ 窒化アルミニウム基板の製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地（５
２２）韻富士通株式会社
明の別の製造方法を示す原理図、である。 図において、 １．３はグリーンシート、２はＣｕ材料、４は空隙、
５はビア、６はＡＩ！、Ｎ基板、
７はパッド、である。 ８ 図面の浄書 ｔ１藤唐 木年明の別の或猪乃法Ｉ示Ｔ片理図 手続補正書（其 平成年月日 ２．７．１３ １゜ 事件の表示 平成 ２年特許願第 ７７９５７号 ２゜ 発明の名称 ３゜ ４゜ 窒化アルミニウム基板の製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地（５
２２）韻富士通株式会社
Claims (6)
- （１）窒化アルミニウム基板形成用のグリーンシートを
穴開けしてビアホールを形成する工程と、該ビアホール
に銅材料の充填を行う工程と、ビアホールを設けたグリ
ーンシートを積層して後、該積層体の上下をビアホール
のないグリーンシートで覆い、加圧して一体化させる工
程と、不活性雰囲気中で加熱して窒化アルミニウムの焼
結を行う工程と、 基板焼成後に該基板の表面層を切削研磨してビアを露出
させる工程と、 を少なくとも含むことを特徴とする窒化アルミニウム基
板の製造方法。 - （２）請求項１記載の銅材料が、銅ボールであることを
特徴とする窒化アルミニウム基板の製造方法。 - （３）請求項１記載の銅材料が、銅粉末であることを特
徴とする窒化アルミニウム基板の製造方法。 - （４）請求項１記載の銅材料が、銅粉末ペーストである
ことを特徴とする窒化アルミニウム基板の製造方法。 - （５）請求項１記載の銅材料が、銅ボールと銅粉末であ
ることを特徴とする窒化アルミニウム基板の製造方法。 - （６）請求項１記載の銅材料が、銅ボールと銅ペースト
であることを特徴とする窒化アルミニウム基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7795790A JP2692332B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7795790A JP2692332B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276797A true JPH03276797A (ja) | 1991-12-06 |
| JP2692332B2 JP2692332B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=13648473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7795790A Expired - Fee Related JP2692332B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2692332B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0587382A2 (en) * | 1992-09-05 | 1994-03-16 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Aluminum nitride circuit board and method of producing it |
| EP0604952A1 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-06 | TDK Corporation | Multilayer ceramic parts |
| EP0670598A2 (en) * | 1994-03-03 | 1995-09-06 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Ceramic circuit board and manufacturing method thereof |
| EP0690505A2 (en) * | 1994-07-01 | 1996-01-03 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Sintered body for and manufacture of ceramic substrates |
| US6054652A (en) * | 1997-04-18 | 2000-04-25 | Fujitsu Limited | Thin-film multi-layer substrate and electronic device |
| JP2007053294A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Tdk Corp | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP7795790A patent/JP2692332B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5464950A (en) * | 1992-09-05 | 1995-11-07 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Aluminum nitride circuit board and method of producing same |
| EP0587382A3 (en) * | 1992-09-05 | 1994-11-23 | Shinko Electric Ind Co | Aluminum nitride printed circuit board and process for its manufacture. |
| EP0587382A2 (en) * | 1992-09-05 | 1994-03-16 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Aluminum nitride circuit board and method of producing it |
| EP0604952A1 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-06 | TDK Corporation | Multilayer ceramic parts |
| EP0670598A3 (en) * | 1994-03-03 | 1996-04-10 | Shinko Electric Ind Co | Ceramic circuit board and manufacturing process. |
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| US5702807A (en) * | 1994-03-03 | 1997-12-30 | Shiko Electric Industries Co., Ltd. | Ceramic circuit board and manufacturing method thereof |
| EP0690505A2 (en) * | 1994-07-01 | 1996-01-03 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Sintered body for and manufacture of ceramic substrates |
| EP0690505A3 (en) * | 1994-07-01 | 1996-08-07 | Shinko Electric Ind Co | Sintered material ceramic substrate and its fabricating |
| US5997999A (en) * | 1994-07-01 | 1999-12-07 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Sintered body for manufacturing ceramic substrate |
| EP1005088A1 (en) * | 1994-07-01 | 2000-05-31 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Sintered body for and manufacture of ceramic substrates |
| US6054652A (en) * | 1997-04-18 | 2000-04-25 | Fujitsu Limited | Thin-film multi-layer substrate and electronic device |
| JP2007053294A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Tdk Corp | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2692332B2 (ja) | 1997-12-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |