JPH03276489A - 半導体記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、記憶技術さらにはデータベースを形成するた
めの半導体記憶装置に関し、例えばＡＩ（人工知能）シ
ステムに適用して有効な技術に関する。 〔従来の技術〕 ＡＩシステムは、人がその知能に基づいて行う動作を代
行するシステムであり、基本的にはデータベースとルー
ルベースとを推論エンジンに結合して成る。このような
システムでは推論エンジンにより単一化処理が行われ、
この処理においては、与えられた質問に対してデータベ
ースの探索（検索とも称される）が行われ、当該質問に
適合する事実が見い出される。例えばデータベースに下
記（１）〜（３）のような事実が含まれているものとす
る。 １ｉｋｅｓ（ｔａｒｏ、ｆｌｏｗｅｒ）　−・・・・＝
　”・・＝　−−（１）１ｉｋｅｓ（ｔａｒｏ、ｈａｎ
ａｋｏ）−−−−・・−・−＝　　（２）ｌｉｋｅｓ（
ｈａｎａｋｏ、ｔａｒｏ）・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・　（３）これらの事実の意味するとこ
ろは次の通りである。 太部は花が好き。 太部は花子が好き。 花子は太部が好き。 そして推論エンジンに対して、 ？　−１ｉｋｅｓ（ｔａｒｏ、　Ｘ　）という質問が与
えられたとする。この質問は［太部の好む何があるか」
という意味であり、Ｘは変数とされる。これに対して推
論エンジンは上記データベースを探索し、 １ｉｋｅｓ　（ｔａｒｏ　、　ｆ　ｌｏｗｅｒｓ）なる
事実を発見することにより、Ｘ＝ｆｌｏｗｅｒｓつまり
「太部の好むものとして花がある」と応答する。ＡＩシ
ステムでのデータベース検索は。 データの入力された順に、換言すればデータベースに含
まれるデータの配列順に行われるため、１ｉｋｅｓ（ｔ
ａｒｏ＋　ｆｉｏｗｅｒｓ）が最初に発見される。変数
×はこのときの事物ｆｌｏ＋＋＋ｅｒｓを表わしている
。 尚、ＡＩデータベースにおけるデータベース探索につい
て記載された文献の例としては、昭和５８年７月２５日
にマイクロソフトウェア社より発行されたｒｐｒｏｌｏ
ｇ　プログラミング（Ｗ、Ｆ。 Ｃ１ｏｃｋｓｉｎ／Ｃ，Ｓ、Ｍｅｌｌｉｓｋ著、中村克
彦訳）がある。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら上記従来技術について本発明者が検討した
ところによれば、以下のような問題点のあることが見い
出された。 すなわち上述したようにデータベースの探索がデータの
入力順に行われるため、与えられた質問に対する事実が
データベースの初めの方に存在する場合はともかくとし
て、当該事実が膨大なデータベースの終わりの方に存在
する場合若しくは対応する事実が存在しない場合にはデ
ータ探索に長時間を要し、このことがＡＩシステムのス
ループットの低下を招来する主たる要因となっている。 本発明の目的は、データの高速探索を可能とする半導体
記憶装置を提供することにある。 本発明の前記並びにそのほかの目的と新規な特徴は本明
細書の記述及び添付図面より明らかになるであろう。 〔課題を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記の通りである。 すなわち、外部より取込まれたデータの属性を判定する
手段と、この判定結果に基づいてメモリのアクセス領域
指定を行う手段とを含んで半導体記憶装置を構成するも
のである。ここで、上記メモリへのデータ格納は、同一
属性毎にメモリ番地が連続するように行うことができ、
この場合のデータ探索は探索用データの属性に従って該
当領域について行われる。そして新たに取込まれたデー
タの該当領域への書込みを可能とするには、メモリ内の
格納データの一部をシフトすることにより当該データの
書込み番地を確保するようにするとよい。またこのよう
な半導体記憶装置は一つの半導体基板に形成することが
できる。 〔作　用〕 上記した手段によれば、外部より取込まれたデータの属
性の判定結果に基づいてメモリのアクセス対象領域指定
が行われ、このことが、当該データと異なる属性のデー
タ参照を不要とし、データ検索の高速化を達成する。 〔実　施　例〕 第９図には本発明の一実施例であるＡＩシステムが示さ
れる。同図に示されるＡＩシステムは、特に制限されな
いが、推論エンジンとしてのＭＰＵ（マイクロ・プロセ
ッシング・ユニット）２と、所定のルール（一般則）が
含まれるルールベース３と、外部とのデータ入出力製可
能とするｌ１０（インプット・アウトプット）４と、推
論エンジンに与えられた質問に応答するに際して参照さ
れるデータが含まれるデータベース５とがバス６によっ
て結合されて成る。そしてこのパス６を介してのデータ
のやりとりはバスコントローラ１の制御下で行われる。 　第１図には、上記データベース５が形成される半導体
記憶装置が示される。同図に示される半導体記憶装置９
は、特に制限されないが、公知の半導体集積技術により
シリコンなどの一つの半導体基板に形成される。 第１図に示される半導体記憶装置９は、３個のメモリ１
２，１３，２２と、２個のアップ・ダウンカウンタ１１
，１９と、４個のデ・マルチプレクサ１６，２１，２４
，２７と、１個のマルチプレクサ２３と、４個のレジス
タ１７，２５，２６゜２８と、３個の比較器１４．１８
．２９を含む。 」二記メモリ１２，１３．２２には、スタティック型又
はダイナミック型メモリセルをマトリクス配置して成る
ものが適用される。メモリ１２．１３の番地指定はアッ
プ・ダウンカウンタ１１の出力に基づいて行われる。メ
モリ２２には推論において参照されるデータが格納され
、メモリ１２にはデータの種類すなわちデータの属性を
判別する際に参照されるデータが格納され、メモリ１３
には上記メモリ２２のアドレス特にメモリ２２のリード
・ライトの際の先頭アドレス情報が格納される。 この半導体記憶装置９へのデータ入力を可能とするデー
タ入力端子にはレジスタ２５が結合され、このレジスタ
２５の後段にはデ・マルチプレクサ２４が配置されてい
る。レジスタ２５に保持された入力データは、デ・マル
チプレクサ２４によりアンド回路２０、マルチプレクサ
２３）比較器２９に振分は可能とされる。レジスタ２６
には、入力データの比較ビットを切出すための情報が格
納されており、このレジスタ２６の保持値とデ・マルチ
プレクサ２４の出力値との論理積を、８ビツト構成のア
ンド回路群２０で得ることで比較ビットが切出される。 入力データの何ビット目を比較ビットとするかは予め決
定され、本実施例では８ビツト構成の入力データのうち
３ビツト目、４ビツト目、５ビツト目が比較ビットどさ
れ、この比較ビットによって入力データの属性が特定さ
れるようになっている。ここにいうデータの属性は、例
えば１ｉｋｅｓ（ｔａｒｏ、ｆｌｏｗｅｒ）の場合の１
ｉｋｅｓに相当する部分（これはＡＩシステムのＰｒｏ
ｌｏｇにおいて述語とされる）によって区別される。Ｐ
ｒｏｌｏｇにおける述語は多数存在し、それらを識別可
能とするコードが予め割当てられ、それに対応して、比
較ビットの内容が決定される。アンド回路群２０によっ
て切出された比較ビット情報は、後段の比較器１４に伝
達され、メモリ１２より順次出力されるデータと比較さ
れる。 メモリ１２．１３の番地はアップ・ダウンカウンタ１１
のカウント出力によって行われる。本実施例においてメ
モリ１．２．１３は、アップ・ダウンカウンタ１１のカ
ウント出力に基づいて同一アドレスが同時に指定される
ようになっている。 上記比較器１４の比較結果は、８ビツト構成のゲート回
路群１５の出力制御端子に伝達されるようになっており
、上記比較器１４でのデータ比較において比較ビットと
メモリ１２の出力データとが一致した場合にゲート回路
群１５が出力可能状態とされ、このときメモリ１３より
読出されたデータ（アドレス情報）がデ・マルチプレク
サ１６により、後段のレジスタ１７とアップ・ダウンカ
ウンタ１９とに振分は可能とされる。このアップ・ダウ
ンカウンタ１９はデ・マルチプレクサ１６の出力を初期
値としてカウント動作し、このカウント動作は、当該カ
ウンタ１９のカウント値が上記レジスタ１７の保持値と
一致した場合に比較器１８の比較出力に従って停止され
る。また、このアップ・ダウンカウンタ１９のカウント
出力はデ・マルチプレクサ２１を介することによりメモ
リ２２のアドレス指定情報とされ、更にメモリ１３への
書込みデータとされる。 また上記比較器１８での比較結果はマルチプレクサ２３
の動作制御信号とされる。 メモリ２２のデータ出力端子にはデ・マルチプレクサ２
７が結合され、このデ・マルチプレクサ２７によって上
記メモリ２２の読出しデータが後段のレジスタ２８と比
較器２９とに振分は可能とされる。レジスタ２８の保持
値はマルチプレクサ２３に伝達され、このマルチプレク
サ２３により、当該レジスタ２８の保持値と、上記デ・
マルチプレクサ２４の呂カデータが択一的に上記メモリ
２２のデータ入力端子に伝達可能とされる。 上記比較器２９は、上記デ・マルチプレクサ２４．２７
の出力データの比較を行うもので１両データの比較結果
は、第９図に示されるパス６を介してＭＰＵ２に伝達可
能とされる。 尚、第１図に示される半導体記憶装置９の各部の動作は
、ＭＰＵ２に結合されたコントローラ１０によって制御
されるようになっている。 第２図には上記デ・マルチプレクサ１６の詳細な構成が
示される。同図に示されるようにこのデ・マルチプレク
サ１６は、特に制限されないが、８ビツト構成のバッフ
ァ回路群３１．３２を有し、このうちバッファ回路群３
１にはコントローラ１０からの１ビット切換え信号φ１
が直接入力され、バッファ回路群３２には、この切換え
信号φ１がインバータ３５を介することにより反転され
て入力されるようになっているにの結果、切換え信号φ
□がロウレベルの場合にバッファ回路群３１が出力可能
状態とされることでメモリ１３の出力データがレジスタ
１７へ転送可能とされ、逆に切換え信号φ１がハイレベ
ルの場合にバッファ回路群３２が出力可能状態とされる
ことでメモリ１３の出力データがアップ・ダウンカウン
タ１９へ転送可能とされる。 第３図には上記デ・マルチプレクサ２１の詳細な構成が
示される。同図に示されるようにこのデ・マルチプレク
サ２１は、特に制限されないが、８ビツト構成のバッフ
ァ回路群３７．３８．３９を有し、このうちバッファ回
路群３７にはコントローラ１０からの切換え信号φ２が
入力され、バッファ回路群３８にはコントローラ１０か
らの切換え信号φ３が入力され、バッファ回路群３９に
はコントローラ１０からの切換え信号φ、が入力される
ようになっている。切換え信号φ２がロウレベルの場合
にバッファ回路群３７が出力可能状態とされ、切換え信
号φ、がロウレベルの場合にバッファ回路群３８が出力
可能状態とされ、切換え信号φ、がロウレベルの場合に
バッファ回路群３９が出力可能状態とされる。従って本
デ・マルチプレクサ２１においては、切換え信号φ２が
ロウレベルとされた場合にアップ・ダウンカウンタ１９
のカウント出力が比較器１８へ伝達可能とされ、切換え
信号φ、がロウレベルとされた場合にアップ・ダウンカ
ウンタ１９のカウント出力がメモリ１３へ伝達可能とさ
れ、切換え信号φ、がロウレベルとされた場合にアップ
・ダウンカウンタ１９のカウント出力がメモリ２２へ伝
達可能とされる。 第４図には上記デ・マルチプレクサ２７の詳細な構成が
示される。同図に示されるようにこのデ・マルチプレク
サ２７は、特に制限されないが、上記デ・マルチプレク
サ１６と同様に、８ビツト構成のゲート回路群４４．４
５及びインバータ４８を有し、コントローラ１０からの
切換え信号φ。 がロウレベルの場合にバッファ回路群４４が出力可能状
態とされることでメモリ２２の出力データが比較器２９
へ伝達可能とされ、切換え信号φ５がハイレベルの場合
にバッファ回路群４５が出力可能状態とされることでメ
モリ２２の出力データがレジスタ２８へ伝達可能とされ
る。 第５図には上記デ・マルチプレクサ２４の詳細な構成が
示される。同図に示されるようにこのデ・マルチプレク
サ２４は、特に制限されないが、上記デ・マルチプレク
サ２１と同様に、８ビツト構成のゲート回路群５０，５
１．５２を有し、コントローラ１０からの切換え信号φ
６がロウレベルとされた場合にバッファ回路群５０が出
力可能状態とされることでレジスタ２５の保持値出力が
比較器２９へ伝達可能とされ、コントローラ１０からの
切換え信号φ７がロウレベルとされた場合にバッファ回
路群５１が出力可能状態とされることでレジスタ２５の
保持値出力がマルチプレクサ２３へ伝達可能とされ、コ
ントローラ１０からの切換え信号φ８がロウレベルとさ
れた場合にバッファ回路群５２が出力可能状態とされる
ことでレジスタ２５の保持値出力がアンド回路群２０へ
伝達可能とされる。 第６図には上記マルチプレクサ２３の詳細な構成が示さ
れる。同図に示されるようにこのマルチプレクサ２３は
、特に制限されないが、８ビツト構成のバッファ回路群
５７．５８を有し、このうちバッファ回路群５７には切
換え信号φｌｌ（比較器１８の出力）が直接入力され、
バッファ回路群２８にはこの切換え信号φ９がインバー
タ６１により反転されて入力される。この結果、切換え
信号φ、がロウレベルの場合にはバッファ回路群５７が
出力可能状態とされ、このときデ・マルチプレクサ２４
の出力データがメモリ２２へ伝達可能とされる。また切
換え信号φ、がハイレベルの場合にはバッファ回路群５
８が出力可能状態とされ、このときレジスタ２８の保持
値出力がメモリ２２へ伝達可能とされる。 次に上記のように構成された実施例装置の作用について
説明する。 第７図にはデータ書込み時の動作例が示される。 データベース形成用の８ビツトデータ例えば”００１１
１１１１”がレジスタ２５に保持され。 それがデ・マルチプレクサ２４を介してアンド回路群２
０に伝達されると、このアンド回路群２０において、当
該データと、レジスタ２６に予め設定された比較ビット
切出し用情報例えば”００１１１０００”との論理積が
求められることにより入力データ“００１１１１１１”
の比較ビット（３ビツト目、４ビツト目、５ビツト目）
が切出される。本例の場合アンド回路群２０の出力は”
　ＯＯ１１１０００”とされ、これが当該入力データの
属性すなわち種類を示している。 アンド回路群２０の出力”　ＯＯ１１１０００”は比較
器１４に伝達され、このとき、アップ・ダウンカウンタ
出力に基づいてメモリ１２．１３の記憶データがアドレ
ス下位より順に読出される。 そして比較器１４の比較動作において、上記アンド回路
群２０の出力とメモリ１２の読出しデータとが一致した
場合には、ゲート回路群１５が出力可能状態とされ、メ
モリ１３の出力データがデ・マルチプレクサ１６に伝達
される。本例において７’／ド回路群２０の出力”００
１１１０００”と一致するデータはメモリ１２のＯ番地
に存在するため、このＯ番地のデータが読出された時点
でゲート回路群１５が出力可能状態とされ、メモリ１３
のＯ番地に格納されているデータ＄１０００がゲート回
路群１５を介してデ・マルチプレクサＩ６に伝達され、
更にこのデ・マルチプレクサ１６を介してレジスタ１７
に書込まれる。このレジスタ１７に書込まれたデータ＄
１０００は１本例において外部より入力されたデータベ
ース形成用データ”００１１１１１１”の属性に対応す
るメモリ２２のアクセス対象領域を特定するための先頭
番地とされる。つまりこのデータ＄１０００に基づいて
当該データベース形成用データ”００１１１１１１　”
の書込み番地が特定される。 ここで、データベース形成のために取込まれたデータは
、同一の属性毎にメモリ番地が連続するようにメモリ２
２へ書込まれる。換言すれば、取込まれた複数のデータ
が同一述語（例えば１ｉｋｅｓ）である限りにおいて、
それらは＄１００１）＄１００２．＄１００３）＄１０
０４・・・のように連続する番地に書込まれ、これによ
ってメモリ２２内には同−属性毎のデータブロックが形
成される０本例において入力データ″’００１１１１１
１”が、当該データの属性のうち最初に取込まれたもの
である場合、当該入力データはレジスタ１７によって現
在保持されているデータ＄１０００に従ってメモリ２２
の＄１０００番地に書込まれる。 しかし、データ＄１０００はメモリ２２のアクセス対象
領域を特定するための先頭アドレスとされることから、
当該対象領域に既にデータが格納されている場合には、
当該メモリ２２内に格納されているデータの一部をシフ
トすることにより当該入力データの書込み番地を確保す
る必要がある。 本実施例では、かかる場合に以下のように格納データの
シフトを行うことにより＄１００１１００１番地（デー
タ書込み可能番地を意味する）とし、これにより当該＄
１００１１００１番地力データ”　ＯＯ１１１１１１”
の書込みを行うようにしている。 すなわち、メモリ１３において最後尾のデータ例えば＄
２００９がデ・マルチプレクサ１６を介してアップ・ダ
ウンカウンタ１９にロードされ、このアップ・ダウンカ
ウンタ１９のカウント機能によりメモリ２２の番地が順
次特定されることにより、現在＄２００９番地に格納さ
れていたデータ“ＯＯ１０１０１０”が＄２０１０番地
にシフトされ、＄２００８番地に格納されていたデータ
が＄２００９番地にシフトされ、＄２００７番地に格納
されていたデータが＄２００８番地にシフトされる。こ
のようにメモリ２２内のデータが１番地づつシフトされ
、これによって当該入力データの書込み用空番地が確保
される。尚、このデータシフトにおけるデータのリード
・ライトはデ・マルチプレクサ２７．レジスタ２８及び
マルチプレクサ２３を介して行われる。 上記空番地を確保するための一連のメモリ制御は、レジ
スタ１７の現在の保持値＄１０００と。 アップ・ダウンカウンタ１９よりデ・マルチプレクサ２
１を介して伝達されたカウント値とが比較器１８におい
て一致したと判断された時点で終了される。またこのよ
うな空番地形成が行われることにより、メモリ２２内に
おける同−属性毎のデータブロックの頭出し番地が変わ
ってしまうため。 これに対応するようにメモリ１３の格納データの変更が
行われる。このデータ変更は上記空番地形成のための一
連の処理と平行して行われる。すなわち、アップ・ダウ
ンカウンタ１９のカウント出力をデ・マルチプレクサ２
１を介してメモリ１３に転送することにより、それまで
の記憶内容が変更される。本例では、メモリ２２の格納
データが１番地づつシフトされるため、これに対応して
頭出し番地も１番地づつずらされ、それまでのメモリ１
３の格納データ＄１０５４は＄１０５５に、＄２００９
は＄２０１０に変更される。 そして以上の処理が終了された後に、確保された上記空
番地＄１００１番地に、データベース形成用として入力
されたデータ゛’００１１１１１１”が書込まれる。こ
のデータ書込みは、レジスタ２５の保持値がデ・マルチ
プレクサ２４によってマルチプレクサ２３に転送され、
更にこの転送データがマルチプレクサ２３によって選択
されてメモリ２２に伝達されることにより可能とされる
。 第８図にはデータ検索時の動作例が示される。 上記のデータ書込みが終了された後のデータ検索例えば
データ“００１１０１１１　”の検索は以下のように行
われる。 外部（ＭＰＵ２）から検索用データ”００１１０１１）
１　”レジスタ２５に転送され、上記データの書込みの
場合と同様に、この検索用データ″００１１０１１１’
Ｍ：Ｌ／レジスタ６の保持値”ｏ。 １１１０００”との論理積がアンド回路群２ｏで求めら
れることにより比較ビットの切出しが行われる。この比
較ビットによって当該検索用データ”　ＯＯ１１０１１
１”の属性判別が可能とされる。 本例の場合、アンド回路群２ｏの出力は’００１ｉ　ｏ
　ｏ　ｏ　ｏ　”となり、この値が比較器１４に伝達さ
れることにより、メモリ１２の記憶データとの比較が行
われる。この比較は上記データ書込みの場合と同様にメ
モリ１２の下位アドレスのデータより順に行われる。メ
モリ１２の１番地に′０Ｏ１１００００”が記憶されて
おり、このデータが読出された場合に比較器１４では両
データが一致したと判断され、上記のデータ書込みの場
合と同様に、ゲート回路群１５が出力可能状態とされる
ことにより、メモリ１３内の１番地のデータ＄１０５５
がデ・マルチプレクサ１６に伝達される。 そしてこの読出しデータ＄１０５５はデ・マルチプレク
サ１６を介してアップ・ダウンカウンタ１９にロードさ
れる。そして、同一属性のデータ検索の終了の判定を可
能とするために、検索終了番地情報がレジスタ１７に書
込まれる。この情報書込みは、ゲート回路群１５及びデ
・マルチプレクサ１６を介して行われる。本例ではメモ
リ１３よリデータ検索用の頭出し番地として＄１０５５
が読出されているため、レジスタ１７には＄１００１が
書込まれる。これは、メモリ２２において＄１０５５番
地を読出し時の先頭アドレスとする一連のデータ群、換
言すれば＄１０５５番地の格納データが含まれる同一属
性のデータブロックのみを検索すれば十分とされること
による。 そしてアップ・ダウンカウンタ１９のディクリメントに
よりメモリ２２の格納データが＄１０５５番地より順に
読出され、この読出しデータと、上記レジスタ２５の保
持値（検索用データ）゛′００１１０１１１　”との比
較が比較器２９において行われる。この比較において両
データが一致した場合には、比較器２９の出力状態がア
サートされることにより、そのことがＭＰＵ２に認識さ
れる。 ＡＩシステムにおいてデータベースを検索するするとい
うことは、上記従来技術で述べたように、「〜の事実が
あるか否か」の判別であるから、メモリ２２の読出しデ
ータそのものではなく、上記比較器２９での比較結果を
ＭＰＵ２に伝達すれば十分とされる。尚、本例ではメモ
リ２２の＄１０５３番地のデータが読出されることによ
り、上記比較器２９において１両データが一致する」と
判断されることになるが、一致するデータがメモリ２２
より読出されない場合でも、レジスタ１７の保持値（＄
１００１）とアップ・ダウンカウンタ１９のカウント出
力値とが一致した時点で当該カウント動作が停止され、
当該検索用データ゛′００１　Ｌ　Ｏ１１１”について
の検索が終了される。 本実施例によれば以下の作用効果を得ることができる。 （１）データベース形成用データの書込み、及びデータ
検索において、比較器１４により当該データの属性判別
が行われ、この判別結果に基づいてメモリ２２の先頭番
地指定が行われることにより。 当該メモリ２２のアクセス対象領域指定が行われるため
、データ検索においては当該データと異なる属性のデー
タを参照しないで済み、データ検索時間が大幅に短縮さ
れる１例えばＡＩシステムにおいて１０Ｍバイトのデー
タベースがあり、そのデータの種類すなわち属性を１０
００種類、そして１種類当りのデータ量を１０にバイト
と仮定した場合１本実施例によれば、従来方式に比して
１０Ｍバイト−１０にバイト＝９９９０にバイトものデ
ータベース検索が不要とされ、この場合従来の１／１０
００の時間でデータベース検索が完了されることになる
。 （２）上記（１）の作用効果により半導体記憶装ｗ９に
よりデータベースを形成するＡＩシステムのスループッ
トの向上が図れる。 （３）メモリ２２への格納用として取込まれたデータが
同一の属性毎にメモリ番地が連続するように当該メモリ
２２へ格納されるようになっているため、データベース
検索においては、アップ・ダウンカウンタ１９のディク
リメントにより、当該属性のデータ読出しを容易に行う
ことができる。 （４）メモリ２２へのデータの一部をシフトすることに
より当該データ格納の対象とされるデータの書込み番地
（空番地）を確保するようにしているため、所定データ
ブロック（領域）への同一属性データの追加書込みを簡
単にしかも適確に行うことができる。 以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づいて
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されず
、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であ
る。 例えば、メモリ１２，１３．２２の番地指定を上位番地
より行うようにしてもよい、ＡＩシステムのバス６や半
導体記憶装［９内部を１６ビツト構成若しくは３２ビツ
ト構成としてもよい。 また上記実施例では同−属性毎にメモリ２２の番地が連
続するようにデータベース形成用データの書込みを行う
ようにしたが、同一述語が格納されている番地をメモリ
制御系で把握可能とする限りにおいて、書込み番地を不
連続とすることができる。 更に半導体記憶装！９を複数個備えるようにしてもよい
し、外付けＲＡＭ　（ランダム・アクセス・メモ１月な
どによりメモリ２２等の記憶容量を拡張可能に構成して
もよい。また、データベースが形成されるメモリ２２を
外付けＲＡＭとし、半導体記憶袋！９内部にデータベー
スを持たない仕様とすることもできる。 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＡＩシステムに適用
した場合について説明したが、本発明はそれに限定され
るものではなく１例えばデータベースシステムやそれら
を含む制御装置などにも広く適用することができる０本
発明は少なくとも、データベースが形成される条件のも
のに適用することができる。 〔発明の効果】 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。 すなわち、外部より取込まれたデータの属性判定結果に
基づいてメモリのアクセス対象領域指定が行われ、これ
により、当該データと異なる属性のデータ参照が省略さ
れ、データ検索の高速化。 更にはＡＩシステムのスループットの向上を図ることが
できる。 ４）

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるＡＩシステムに含まれ
る半導体記憶装置のブロック図、第２図乃至第６図は第
１図に示される半導体記憶装置の主要部の回路図、 第７図は第１図に示される半導体記憶装置のデータ書込
み動作側説明図、 第８図は第１図に示される半導体記憶装置のデータ検索
動作例説明図。 第９図は本発明の一実施例であるＡＩシステムのブロッ
ク図である。 ９・・・半導体記憶装置、１ｏ・・・コントローラ、１
１．１９・・・アップ・ダウンカウンタ、１２，１３゜
２２・・・メモリ、１４，１８．２９・・・比較器、１
５・・・ゲート回路群、１６．２１，２４．２７・・・
デ・マルチプレクサ、１７，２５，２６，２８・・・レ
ジスタ、２０・・・アンド回路群、２３・・・マルチプ
レクサ。 第 図 プ゛−ｙＡ／Ｊ ＭＰＬＩどへ 第 図 ６ 第 ５ 図 第 図 第 図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）データの書込み読出しを可能とするメモリと、外部
   より取込まれたデータの属性を判定する手段と、この判
   定結果に基づいて上記メモリのアクセス対象領域指定を
   行う手段とを含んで成る半導体記憶装置。 ２）上記メモリへの格納用として取込まれたデータは同
   一の属性毎にメモリ番地が連続するように上記メモリに
   格納され、この格納データの検索は検索用データの属性
   に従って該当領域に属するデータについて行われる請求
   項１記載の半導体記憶装置。 ３）外部より取込まれたデータの書込みに際して上記メ
   モリ内の格納データの一部をシフトすることにより当該
   データの書込み番地を確保する手段を含む請求項１又は
   ２記載の半導体記憶装置。 ４）一つの半導体基板に形成された請求項１、２又は３
   記載の半導体記憶装置。