JPH03274779A - 狭帯域レーザ - Google Patents

狭帯域レーザ

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JPH03274779A
JPH03274779A JP7514190A JP7514190A JPH03274779A JP H03274779 A JPH03274779 A JP H03274779A JP 7514190 A JP7514190 A JP 7514190A JP 7514190 A JP7514190 A JP 7514190A JP H03274779 A JPH03274779 A JP H03274779A
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JP
Japan
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light
reflecting mirror
laser
output
etalon
Prior art date
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Pending
Application number
JP7514190A
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English (en)
Inventor
Atsushi Sugidachi
厚志 杉立
Hitoshi Wakata
若田 仁志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は狭帯域レーザに関するものである。
「従来の技術」 第8図は文献(5PIE 633(1986)p6)に
示された従来の狭帯域レーザの構成を示す図である。
図中、(1)は励起部、(2)は反射鏡、(3)は部分
反射鏡、14+は狭帯域化素子であるエタロンである。
次に各部の働きについて説明する。励起部(1)にエネ
ルギーが投入されると励起部では強い光か発生する。こ
の励起部をはさんで1反射111(21と部分反射鏡(
3;からなる光共振器を構成すると、励起部より出た光
は共振器中を何度も往復するようVC1する。その際、
光は励起部により増幅され、より強い光となる。光の一
部は部分反射鏡より光共振器外に取り出される。
ところで、レーザの内、半導体レーザや色素レーザある
いはエキシマレーザのスペクトルヲ調べてみると数nm
の広がりを持っている。このようなレーザでは光共振器
中に狭帯域素子を入れることによりスペクトルを狭くす
ることができる。
「発明が解決しようとする課題」 従来の狭帯域レーザは以上のように構成されていたので
、レーザ出力をP、部分反射鏡の反射率をrとすると狭
帯域化素子中を次式で表されるレーザ出力より強い光が
通過する。
通過出力= (1+r)/(1−r)・Pレーザ出力か
効率よく得られる反射率として工キシマレーザの場合r
 = 0.1から0.3であるか通過出力を下げるため
に0.1としてもレーザ出力の1.2倍の光出力がエタ
ロンを通過する。
狭帯域化素子の寿命は通過するレーザ出力か強くなるほ
ど短くなるので、狭帯域レーザの寿命を延ばすにはレー
ザ出力を低く抑え、大出力がほしい場合には別のレーザ
で増幅するか、あるいは部分反射鏡の反射率をできるだ
け小さくするしかなかった。
「課題を解決するための手段」 この発明に係わる狭帯域レーザは5PIE Vol。
609(1986) P167に示されている偏光結合
共像器の考え方を利用したものである。この方式は図9
にあるように共振器中に波長板と偏光素子を挿入し、偏
光素子よりもれ出る光をレーザ出力として利用する方式
であるが、共振器中に光強度か強い”熱い領域”と呼ば
れる箇所と光強度の弱い2冷たい領域”が出現すること
に注目し、′冷たい領域°に狭帯域化素子を挿入したも
のである。
「作 用」 レーザ出力に対して狭帯域素子を通過する光強度の割合
か低下する。
「発明の実施例」 以下、この発明の一実施例について説明する。
第1図において、(1)は励起部、t21 a 、 b
は反射鏡、(31は部分反射鏡、(4)は狭帯域化素子
であるエタロン、(5)は偏光素子、!61 F71は
波長板、ここではλ/4板である。
次にこのレーザの動作を説明する。励起部にエネルギー
を投入すると、励起部からは光が発生する。この励起部
をはさんで反射鏡2 fatと部分反射鏡3からなる光
共振器を構成すると、光は増幅され強い光が発生する。
この光共振器中に波長を選択するための狭帯域素子であ
るエタロン4とエタロン4と励起部1の間に偏光成分を
選択する偏光素子5を挿入すると、偏光素子により選択
される直線偏光成分のみが光共振器を往復し、スペクト
ルが狭く、また、強い光が発生する。この光の一部は部
分反射鏡3よりλ/4板6にむけ放射される。
第2図はλ/4板の働きを説明する図である。λ/4板
は例えば水晶を適当な厚さに切断したり、フレネルロム
と呼ばれるプリズムを利用したものである。直線偏光は
λ/4板に入射した後、円偏光に変換される。この円偏
光が反射M 2 (alて反射され、再びλ/4板を通
過すると始めの直線偏光とは直交する直線偏光となる。
第1図においてλ/4板通過後、直交する偏光成分を持
った光は再び励起部lを通り増幅された後、偏光素子I
K入射する。偏光素子では直交する偏光11ii分はす
べて反射され、これがレーザ出力となる。この増幅後の
光がエタロンを通過しないためにエタロン通過出力はレ
ーザ出力にくらべ小さくなる。
偏光素子としては、Glan −Thomsonプリズ
ムなどを利用すればよい。特に耐光強度が必要な場合に
は、接看剤を使用しないGlan−Taylor  プ
リズムや、プリズムの内部反射の利用などが考えられる
さて、部分反射鏡直前の光強度をPO1部分反射鏡の反
射率をr、励起部を1回通過するときの増幅率をGとす
ると次の式が成立する。
レーザ出力; P = (1−r)’GPOエタロンを
通過する出力=2rGPO =2r/(1−r)’P 狭帯域レーザの内、例えばエキシマレーザでは部分反射
鏡の反射率が0.1から0.3の間で効率よく出力が得
られ1反射率かo、o4y下になったり、o、7以上に
なると効率が半減するため0.04から0.7 の範囲
で適当な反射率を捜す必要かある。例えばr=0.04
とするとエタロンを通過する出力はレーザ出力の0.0
9倍になり、同じレーザ出力の場合は狭帯域化素子を通
過する出力が低下した分たけ、狭帯域化素子の寿命を長
くすることができる。ところが、r = 0.3とする
と1.22 倍となり従来方式と変わらなくなる。従っ
て、本実施例を使用するときの部分反射鏡の反射率は0
.0412を上、0.3以下に設定するのが良いと考え
られる。
λ/4板7は取り出されたレーザ出力を円偏光に変える
ためのもので、レーザ出力を利用して加工を行う場合に
は直線偏光より、円偏光の方が善い場合が多い。
また、この例ではレーザ出力を図中下向きに取り出した
が、反射鏡2aとエタロンを図7の位置に配置し、レー
ザ出力を図の右方向に取り出してもよい。
第4図はこの発明の別の実施例で、反射@2aの代わり
に狭帯域化素子の1種であるグレーティングを用いた例
である。この場合でもグレーティングの長寿命化が期待
できる。さらに、狭帯域素子としてはプリズムや、複数
個の狭帯域化素子の組合せでもよいのはもちろんである
第5図はこの発明の別の実施例を示した図で、部分反射
鏡3を除き、2枚の反射fi2a、bで光共振器を構成
する。さらに偏光素子5の偏光選択能力を低下させ、直
交する直線偏光成分の一部を透過するようにしたもので
ある。例えば、Glan −Ty 1 o rプリズム
を光軸に関して回転させることにより実現できる。この
実施例の動作を図3.5を用いて説明する。
励起部1より発した光は偏光素子5に入射する。
第3図において、入射した光PINの内、紙面と平行な
成分の割合をa、紙面と直交する成分を(1−a)とし
、偏光の平行な成分に対するI!!過率をT1.直交す
る成分の透過率をT2とするとレーザ出力P= (a(
1−TI)+(1−a)(1−T2))PINエタロン
通過出力 =2(aT1+(1−a)T2)PIN2(aT1+(
1−a)T2JP (a(1−Tl)+(1−a)(1−T2))励起開始
直後は偏光に関してはランダムであるからa = 0.
5である。T1= 0.9 、 T2 =0.1  と
するとエタロン通過出力はレーザ出力の2@である。た
だし、この時期の光強度は弱いので、狭帯域素子にダメ
ージを与えることはない。ところか、再び・励起部に実
る光の割合を考えるとT1が1に近い場合には紙面に平
行な成分の方がより多くなる、これか増幅され、λ/4
板6、反射鏡2bをへて再び偏光素子に入射するときに
は、第2図で説明した事により偏光Ili!分が逆転す
るから、紙面に直交する成分か圧倒的に増すことになる
。その結果、紙面に平行な入射光成分は小さくなる。a
 = 0.05となったとすると、エタロン通過出力は
上の式よりレーザ出力の0.33 @となる。
従って、励起開始直後は狭帯域素子を通る光の割合か多
いために狭帯域化が促進され、光か増幅されてくると狭
帯域化素子を通らずに光共振器外に出てゆく光の割合か
増加する。全体として、エタロンを通過する光の割合は
レーザ出力に比べて小さくなる。こうしたことはエキシ
マレーザのようにエネルギーか投入される時間か短いレ
ーザにおいて効率よく発振させるために有効である。
同じような効果は第5図においてλ/4板を回転するこ
とによっても実現できる。回転することにより2つの方
向の偏光成分が回転角に応して現れるか、紙面に垂直で
共振器を往復する成分の割合が0.04から0.7にし
ておけば効率よく発振する。ただし、この場合でも割合
が0.4をこえるとエタロン通過の比率が従来の共振器
と同等になりこの実施例の意義かなくなる。
また、狭帯域化素子として複数個のエタロンを用いる場
合、複数のエタロンすべてを反射鏡2bと偏光素子5の
間に配置してもよいが、第6図のようにエタロンの内最
もFSRが狭いものを部分反射m3と反射1t2a の
間に配置してもよい。一般にFSRの狭いエタロンはギ
ャップか広い。これを可干渉距離の短い光が通過しよう
としても透過できない。そこで、第6図のように部分反
射鏡3と反射鏡2a より構成される共振器中にはギャ
ップか狭いために透過率の高いエタロンのみを入れる。
すると、光の強度はすべてのエタロンを共振器中に入れ
た場合より速く増加する。同時にレーザのスペクトルが
狭くなるために可干渉距離か長くなり、ギャップが広い
エタロンも透過できるようになる。この配置もエキシマ
レーザのようにエネルギーを投入する時間が短いレーザ
には有効である。
第7図はこの発明の別の実施例で、反射鏡として球面鏡
を用いた不安定型共振器中に前の実施例と同様の配置を
施したものである。この場合、エタロンを通過するレー
ザビームの径は小さいのでエタロンの面精度の良いとこ
ろだけを利用することができる、一方、増幅された光は
凸面鏡により拡大されて励起部を有効に利用することが
できる。
この場合においても部分反射鏡3かない構成としても上
記実施例と同様の効果を奏する。
「発明の効果」 以上のように、この発明によれば、狭帯域素子を通過す
る光出力を低くすることができたので、狭帯域素子の寿
命を増すことができた。また、大第1図はこの発明の1
実施例による狭帯域レーザを示す図、第2図はλ/4板
の働きを説明するための図、第3図は偏光素子の働きを
説明する図、第4、第5、第6、第7図はこの発明の別
の実施例を示す図、第8図は従来の狭帯域レーザを示す
図、第9図は偏光結合共振器の例を示す図である。
図中1は励起部、2は反射鏡、4は狭帯域素子、5は偏
光素子、6はλ/4板である。なお図中同一番号は同一
または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザ媒質を励起し、光を発生させるための励起部と、
    部分反射鏡と第1の反射鏡とからなる光共振器と、該光
    共振器中に、配置された偏光素子と、該偏光素子と第1
    の反射鏡の間に配置された狭帯域化素子と該光共振器の
    外で部分反射鏡に対向して配置された波長板の第2の反
    射鏡を備えたレーザにおいて部分反射鏡の反射率を0.
    04以上0.3以下にしたことを特徴とする狭帯域レー
JP7514190A 1990-03-23 1990-03-23 狭帯域レーザ Pending JPH03274779A (ja)

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JP7514190A JPH03274779A (ja) 1990-03-23 1990-03-23 狭帯域レーザ

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JP7514190A JPH03274779A (ja) 1990-03-23 1990-03-23 狭帯域レーザ

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JPH03274779A true JPH03274779A (ja) 1991-12-05

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JP7514190A Pending JPH03274779A (ja) 1990-03-23 1990-03-23 狭帯域レーザ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018502435A (ja) * 2014-09-19 2018-01-25 ディレクトフォトニクス インダストリーズ ゲーエムベーハーDirectphotonics Industries Gmbh ダイオードレーザー

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018502435A (ja) * 2014-09-19 2018-01-25 ディレクトフォトニクス インダストリーズ ゲーエムベーハーDirectphotonics Industries Gmbh ダイオードレーザー

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