JPH03274184A - 情報記録媒体 - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の分野]
本発明は、レーザによる情報の記録(書き込み)及び/
又は再生(読み取り)が可能な色素を含む記録層が設け
られた情報記録媒体に関するものである。
又は再生(読み取り)が可能な色素を含む記録層が設け
られた情報記録媒体に関するものである。
[発明の技術的背景]
近年において、レーザ光等の高エネルギー密度のビーム
を用いる情報記録媒体が開発され、実用化されている。
を用いる情報記録媒体が開発され、実用化されている。
この情報記録媒体は光ディスクと称され、ビデオ・ディ
スク、オーディオ・ディスク、さらには大容量静止画像
ファイルおよび大容量コンピュータ用ディスク・メモリ
ーとして使用され得るものである。
スク、オーディオ・ディスク、さらには大容量静止画像
ファイルおよび大容量コンピュータ用ディスク・メモリ
ーとして使用され得るものである。
一般のDRAW型の情報記録媒体は、基本構造としてプ
ラスチック、ガラス等からなる円盤状の透明基板と、こ
の上に設けられたBi、Sn、In、Te等の金属又は
半金属からなる記録層とを有する。情報記録媒体への情
報の記録は、たとえばレーザビームを情報記録媒体に照
射することにより行なわれ、記録層の照射部分かその光
を吸収して局所的に温度上昇する結果、ピット形成等の
物理的変化あるいは相変化等の化学的変化を生してその
光学的特性を変えることにより情報が記録される。光デ
ィスクからの情報の再生もまたレーザビームを光ディス
クに照射することなどにより行なわれ、記録層の光学的
特性の変化に応じた反射光又は透過光を検出することに
より情報か再生される。
ラスチック、ガラス等からなる円盤状の透明基板と、こ
の上に設けられたBi、Sn、In、Te等の金属又は
半金属からなる記録層とを有する。情報記録媒体への情
報の記録は、たとえばレーザビームを情報記録媒体に照
射することにより行なわれ、記録層の照射部分かその光
を吸収して局所的に温度上昇する結果、ピット形成等の
物理的変化あるいは相変化等の化学的変化を生してその
光学的特性を変えることにより情報が記録される。光デ
ィスクからの情報の再生もまたレーザビームを光ディス
クに照射することなどにより行なわれ、記録層の光学的
特性の変化に応じた反射光又は透過光を検出することに
より情報か再生される。
記録層としては、上記低融点金属や半金属を用いた場合
、記録感度や保存性が充分でない、あるいは製造コスト
が高い等の欠点があった。近年、比較的長波長の光で物
性変化し得る色素層を記録層に用いることが提案され、
また実施されている。このような記録層から情報の記録
再生を行なうために用いられるレーザ光としては、一般
に半導体レーザが利用されている。半導体レーザか放射
するレーザ光の波長は、近赤外領域あるいはこの付近の
波長領域に存在する。
、記録感度や保存性が充分でない、あるいは製造コスト
が高い等の欠点があった。近年、比較的長波長の光で物
性変化し得る色素層を記録層に用いることが提案され、
また実施されている。このような記録層から情報の記録
再生を行なうために用いられるレーザ光としては、一般
に半導体レーザが利用されている。半導体レーザか放射
するレーザ光の波長は、近赤外領域あるいはこの付近の
波長領域に存在する。
このような、長波長側に吸収領域を持つ色素の代表的な
ものとして、シアニン系色素が良く知られている。シア
ニン系色素の場合、色素分子の中央にポリメチン基を有
し、このポリメチン基が長いほど吸収波長が長波長側に
移動する。上記半導体レーザの一般的な波長である80
0nm前後に吸収極大波長を有するためには、上記メチ
ン基か7個からなる共役メチン鎖を必要とする場合が多
い。しかしなから、このようにメチン鎖が長くなると、
シアニン系色素の共鳴構造が不安定なものとなり、色素
自体も熱や光に対しても極めて不安定なものとなる。
ものとして、シアニン系色素が良く知られている。シア
ニン系色素の場合、色素分子の中央にポリメチン基を有
し、このポリメチン基が長いほど吸収波長が長波長側に
移動する。上記半導体レーザの一般的な波長である80
0nm前後に吸収極大波長を有するためには、上記メチ
ン基か7個からなる共役メチン鎖を必要とする場合が多
い。しかしなから、このようにメチン鎖が長くなると、
シアニン系色素の共鳴構造が不安定なものとなり、色素
自体も熱や光に対しても極めて不安定なものとなる。
このため、比較的安定な短波長領域に吸収極大波長を有
するシアニン系色素を、会合体を形成させることによっ
て、その波長の吸収極大を長波長側に移動させることが
提案されている(特開昭59−223957号公報)。
するシアニン系色素を、会合体を形成させることによっ
て、その波長の吸収極大を長波長側に移動させることが
提案されている(特開昭59−223957号公報)。
この技術により得られる色素記録層の吸収領域は元の色
素モノマー(非会合体)に比べて長波長側に移るが、こ
の情報記録媒体は、製造直後の反射率が高いものでも長
期間貯蔵又は使用中に反射率が低下し、耐久性が低く充
分満足されるものではない。
素モノマー(非会合体)に比べて長波長側に移るが、こ
の情報記録媒体は、製造直後の反射率が高いものでも長
期間貯蔵又は使用中に反射率が低下し、耐久性が低く充
分満足されるものではない。
[発明の目的1
本発明は、半導体レーザの発振波長である780nm前
後の領域に吸収極大波長を有し、この波長領域における
反射率が高く、長期間貯蔵又は使用後も反射率が実質的
に低下することなく、記録再生特性が優れ耐久性が著し
く向上した情報記録媒体を提供することを目的とする。
後の領域に吸収極大波長を有し、この波長領域における
反射率が高く、長期間貯蔵又は使用後も反射率が実質的
に低下することなく、記録再生特性が優れ耐久性が著し
く向上した情報記録媒体を提供することを目的とする。
[発明の要旨]
本発明者らは、半導体レーザの一般的な発振波長である
780nm前後に吸収極大波長を有し且つ化学的に安定
な、すなわち耐久性に優れた色素記録層を得るために鋭
意検討を重ねてきた。その結果、特にシアニン系色素の
ポリメチン基(メチン!Jl>の比較的短い、吸収極大
波長が半導体レーザの一般的な発振波長領域より短波長
側にあって化学的に安定な色素モノマーを、緻密に会合
させることにより該色素モノマーの有する吸収極大波長
を大幅に長波長側に移動させることができることを見出
した。さらに本発明者らは、色素子ツマ−が記録層内で
会合した場合、情報記録媒体を貯蔵又は使用している間
に記録層の反射率が時間の経過と共に低下することを防
止する手段について鋭意研究した結果、記録層に特定の
ポリマーを色素と共に含有させることによって記録層の
反射率の経時的な低下を防止することができることを見
出し、上記目的を達成できる本発明を完成したものであ
る。
780nm前後に吸収極大波長を有し且つ化学的に安定
な、すなわち耐久性に優れた色素記録層を得るために鋭
意検討を重ねてきた。その結果、特にシアニン系色素の
ポリメチン基(メチン!Jl>の比較的短い、吸収極大
波長が半導体レーザの一般的な発振波長領域より短波長
側にあって化学的に安定な色素モノマーを、緻密に会合
させることにより該色素モノマーの有する吸収極大波長
を大幅に長波長側に移動させることができることを見出
した。さらに本発明者らは、色素子ツマ−が記録層内で
会合した場合、情報記録媒体を貯蔵又は使用している間
に記録層の反射率が時間の経過と共に低下することを防
止する手段について鋭意研究した結果、記録層に特定の
ポリマーを色素と共に含有させることによって記録層の
反射率の経時的な低下を防止することができることを見
出し、上記目的を達成できる本発明を完成したものであ
る。
従来、色素を含む記録層に種々のポリマーを含有させた
情報記録媒体は知られている。しかしながら、一般に会
合体を形成し得る色素モノマーと共にポリマーを含有さ
せると、色素モノマーの会合が阻害されたり、また色素
モノマーか会合しても記録層の反射率がポリマーを含有
しないものに比べて著しく低下したり、更に反射率の高
い情報記録媒体か得られる場合でも、時間のi!通に伴
なって反射率が低下し耐久性か劣るという問題か生ずる
。
情報記録媒体は知られている。しかしながら、一般に会
合体を形成し得る色素モノマーと共にポリマーを含有さ
せると、色素モノマーの会合が阻害されたり、また色素
モノマーか会合しても記録層の反射率がポリマーを含有
しないものに比べて著しく低下したり、更に反射率の高
い情報記録媒体か得られる場合でも、時間のi!通に伴
なって反射率が低下し耐久性か劣るという問題か生ずる
。
しかしなから、本発明者らは特定のポリマー即ちポリブ
チルメタクリレート又はセルロースアセテートを上記の
色素モノマーと共に記録層に含有させると、意外にもポ
リマーを含有させない場合と実質的に同程度の反射率を
有し、しかも長期間経通後もその反射率が殆ど低下しな
い情報記録媒体が得られることを見出し、本発明を達成
した。
チルメタクリレート又はセルロースアセテートを上記の
色素モノマーと共に記録層に含有させると、意外にもポ
リマーを含有させない場合と実質的に同程度の反射率を
有し、しかも長期間経通後もその反射率が殆ど低下しな
い情報記録媒体が得られることを見出し、本発明を達成
した。
後記比較例に示すように、従来記録層に含有させること
か示されている種々のポリマーを、本発明の情報記録媒
体の記録層に含まれる色素子ツマ−の会合体と共に記録
層に含有させた場合には、経時的に反射率が低下し耐久
性が劣ることから、記録層に上記色素モノマーの会合体
と共にポリブチルメタクリレート又はセルロースアセテ
ートを含有させることにより情報記録媒体の耐久性を著
しく向上できたことは、全く予想外のことである。
か示されている種々のポリマーを、本発明の情報記録媒
体の記録層に含まれる色素子ツマ−の会合体と共に記録
層に含有させた場合には、経時的に反射率が低下し耐久
性が劣ることから、記録層に上記色素モノマーの会合体
と共にポリブチルメタクリレート又はセルロースアセテ
ートを含有させることにより情報記録媒体の耐久性を著
しく向上できたことは、全く予想外のことである。
本発明は、基板上に、レーザ光による情報の記録及び/
又は再生が可能な色素を含む記録層が設けられた情報記
録媒体であって、該記録層が、水不溶性又は水難溶性の
色素モノマーの会合体、及びポリブチルメタクリレート
又はセルロースアセテートを含み、且つ該色素モノマー
の吸収極大波長より50nm以上長く740〜9000
mの範囲の波長領域内に入る吸収極大波長を有すること
を特徴とする情報記録媒体である。
又は再生が可能な色素を含む記録層が設けられた情報記
録媒体であって、該記録層が、水不溶性又は水難溶性の
色素モノマーの会合体、及びポリブチルメタクリレート
又はセルロースアセテートを含み、且つ該色素モノマー
の吸収極大波長より50nm以上長く740〜9000
mの範囲の波長領域内に入る吸収極大波長を有すること
を特徴とする情報記録媒体である。
上記本発明の情報記録媒体の好ましい態様は下記の通り
である。
である。
1)該色素モノマーか、730nm以下の波長領域に吸
収極大を有することを特徴とする上記情報記録媒体。
収極大を有することを特徴とする上記情報記録媒体。
2)該色素モノマーが下記の一般式(I)[ただし、R
1及びR2は、それぞれ独立に、置換基を有していても
よいアルキル基若しくはアルケニル基、置換基を有して
いてもよいアリール基、又は芳香環に置換基を有してい
てもよいアラルキル基を表わし、zl及びz2は、それ
ぞれ独立に、隣接する炭素原子及び窒素原子と共に複素
環を形成するための原子団を表わし、Ll、L2、L3
、L4及びL5は、メチン基又は置換メチン基を表わし
、X−は、陰イオンを表わし、モしてjは0又は1を表
わす。マタ、X−は、RI、R2、zl、 Z2、Ll
、L2、l−3、L4又はLS上に結合して分子内塩を
形成してもよく、さらに口とL3、L2と1.4、L3
とL5、RIとLl、R2トL5、R1とZl及び/又
ハR2ドア、2力結合シテ環を形成していてもよい。] て表わされるシアニン系色素であることを特徴とする上
記情報記録媒体。
1及びR2は、それぞれ独立に、置換基を有していても
よいアルキル基若しくはアルケニル基、置換基を有して
いてもよいアリール基、又は芳香環に置換基を有してい
てもよいアラルキル基を表わし、zl及びz2は、それ
ぞれ独立に、隣接する炭素原子及び窒素原子と共に複素
環を形成するための原子団を表わし、Ll、L2、L3
、L4及びL5は、メチン基又は置換メチン基を表わし
、X−は、陰イオンを表わし、モしてjは0又は1を表
わす。マタ、X−は、RI、R2、zl、 Z2、Ll
、L2、l−3、L4又はLS上に結合して分子内塩を
形成してもよく、さらに口とL3、L2と1.4、L3
とL5、RIとLl、R2トL5、R1とZl及び/又
ハR2ドア、2力結合シテ環を形成していてもよい。] て表わされるシアニン系色素であることを特徴とする上
記情報記録媒体。
3)該色素モノマーが、上記の一般式(I)において、
Zl及びz2が、それぞれ独立に、隣接する炭素原子及
び窒素原子と共に、ピリジン環、インドレニン環、ナフ
トラクタム環、イミダゾール環、オキサゾール環、チア
ゾール環、セレナゾール環、又は、これらの環にヘンセ
ン環、ナフタレン環、キノリン環又はキノキサリン環が
縮合した複素環を形成するための原子団を表わすシアニ
ン系色素であることを特徴とする上記情報記録媒体。
Zl及びz2が、それぞれ独立に、隣接する炭素原子及
び窒素原子と共に、ピリジン環、インドレニン環、ナフ
トラクタム環、イミダゾール環、オキサゾール環、チア
ゾール環、セレナゾール環、又は、これらの環にヘンセ
ン環、ナフタレン環、キノリン環又はキノキサリン環が
縮合した複素環を形成するための原子団を表わすシアニ
ン系色素であることを特徴とする上記情報記録媒体。
4)上記ポリブチルメタクリレートが、ポリ−ハーブチ
ルメタクリレート、ポリ−1so−ブチルメタクリレ−
ト、n−ブチルメタクリレートと1so−ブチルメタク
リレートとの共重合体、又はこれらの混合物であること
を特徴とする上記情報記録媒体。
ルメタクリレート、ポリ−1so−ブチルメタクリレ−
ト、n−ブチルメタクリレートと1so−ブチルメタク
リレートとの共重合体、又はこれらの混合物であること
を特徴とする上記情報記録媒体。
5)上記色素モノマーに対する上記ポリブチルメタクリ
レート又はセルロースアセテートの割合が、色素モノマ
ー:ポリブチルメタクリレート又はセルロースアセテー
ト=1:0.05〜0.50の範囲の重量比であること
を特徴とする上記情報記録媒体。
レート又はセルロースアセテートの割合が、色素モノマ
ー:ポリブチルメタクリレート又はセルロースアセテー
ト=1:0.05〜0.50の範囲の重量比であること
を特徴とする上記情報記録媒体。
[発明の効果]
本発明の情報記録媒体は、上記特定の化学的に安定な色
素モノマーを緻密に会合させることにより、該色素モノ
マーの有する吸収極大波長を大幅に長波長側に移動した
色素記録層を有している。
素モノマーを緻密に会合させることにより、該色素モノ
マーの有する吸収極大波長を大幅に長波長側に移動した
色素記録層を有している。
これにより一般の半導体レーザの発振波長より短波長側
に吸収極大を有する安定な色素モノマーを用いて、上記
半導体レーザの発振波長とほぼ同し波長領域に吸収極大
を有する色素記録層を得ることができる。更に、上記記
録層には、特定のポリマー即ちポリブチルメタクリレー
ト又はセルロースアセテートが含有されているために5
情報記録媒体を長期間貯蔵又は使用している間に、初期
の反射率が実質的に低下することがない。従って、本発
明の情報記録媒体は、記録感度と共に反射率も高く、記
録再生特性に優れ且つ耐久性も向上したものである。
に吸収極大を有する安定な色素モノマーを用いて、上記
半導体レーザの発振波長とほぼ同し波長領域に吸収極大
を有する色素記録層を得ることができる。更に、上記記
録層には、特定のポリマー即ちポリブチルメタクリレー
ト又はセルロースアセテートが含有されているために5
情報記録媒体を長期間貯蔵又は使用している間に、初期
の反射率が実質的に低下することがない。従って、本発
明の情報記録媒体は、記録感度と共に反射率も高く、記
録再生特性に優れ且つ耐久性も向上したものである。
また本発明の情報記録媒体は、780nm前後の半導体
レーザを用いて高C/Nの記録を行なうことも可能であ
る。
レーザを用いて高C/Nの記録を行なうことも可能であ
る。
さらに、上記色素のモノマー、上記特定のポリマー及び
フッ素系溶剤を含む塗布液を、15℃以下の温度で塗布
・乾燥して記録層を形成することにより、上記のような
情報記録媒体を極めて簡便に製造することが可能になる
。
フッ素系溶剤を含む塗布液を、15℃以下の温度で塗布
・乾燥して記録層を形成することにより、上記のような
情報記録媒体を極めて簡便に製造することが可能になる
。
[発明の詳細な記述]
本発明の情報記録媒体は、基板上に設けられたレーザに
よる情報の記録及び/又は再生か可能な記録層か、水不
溶性又は水難溶性の色素モノマーの会合体及びポリブチ
ルメタクリレート又はセルロースアセテートを含み、且
つ該色素モノマーの吸収極大波長より50nm以上長く
740〜900nmの範囲の波長領域内に入る吸収極大
波長を有することに特に特徴を有するものである。
よる情報の記録及び/又は再生か可能な記録層か、水不
溶性又は水難溶性の色素モノマーの会合体及びポリブチ
ルメタクリレート又はセルロースアセテートを含み、且
つ該色素モノマーの吸収極大波長より50nm以上長く
740〜900nmの範囲の波長領域内に入る吸収極大
波長を有することに特に特徴を有するものである。
本発明における色素子ツマ−とじて好ましいものは、シ
アニン色素、オキソノール色素、メロシアニン色素、ビ
リリウム色素、チオピリリウム色素、ヘテロアヌレン系
色素(例えばナフトシアニン類)等である。特に好まし
い色素子ツマ−は、J−会合体を形成し易い下記の一般
式 (I)を有するシアニン系色素子ツマ−である。
アニン色素、オキソノール色素、メロシアニン色素、ビ
リリウム色素、チオピリリウム色素、ヘテロアヌレン系
色素(例えばナフトシアニン類)等である。特に好まし
い色素子ツマ−は、J−会合体を形成し易い下記の一般
式 (I)を有するシアニン系色素子ツマ−である。
■
R’ X−R2
[ただし、R1及びR2は、それぞれ独立に、置換基を
有していてもよいアルキル基若しくはアルケニル基、置
換基を有していてもよいアリール基、又は芳香環に置換
基を有していてもよいアラルキル基を表わし、zl及び
z2は、それぞれ独立に、隣接する炭素原子及び窒素原
子と共に複素環を形成するための原子団を表わし、Ll
、L2、L3、L4及びL5は、メチン基又は置換メチ
ン基を表わし、X−は、陰イオンを表わし、モしてjは
0又は1を表わす。マタ、X−ハ、R1、R2、zl、
Z2、Ll、L2、L3.1.′又はL′−上に結合
して分子内塩を形成してもよく、さらにLlとL3、I
、′と1,4、L3とL5、R1とLl、R2トL5、
R’トZI及び/又はR2とZ2か結合して環を形成し
ていてもよい。] 数式(I)において、R1及びR2か表わす置換基を有
していてもよいアルキル基若しくはアルケニル基は、置
換基として水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素
)、低級アルコキシ基等を有するか又は置換基を有しな
い、直鎖又は分岐のアルキル基若しくはアルケニル基(
炭素数8以下であることか好ましい)である。このよう
なアルキル基若しくはアルケニル基の例としては、メチ
ル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル
、i−ブチル、t−ブチル、2−エチルヘキシル、プロ
ペニル、ブテニル、これらの任意の位置に上記置換基か
結合したもの等を挙げることかできる。
有していてもよいアルキル基若しくはアルケニル基、置
換基を有していてもよいアリール基、又は芳香環に置換
基を有していてもよいアラルキル基を表わし、zl及び
z2は、それぞれ独立に、隣接する炭素原子及び窒素原
子と共に複素環を形成するための原子団を表わし、Ll
、L2、L3、L4及びL5は、メチン基又は置換メチ
ン基を表わし、X−は、陰イオンを表わし、モしてjは
0又は1を表わす。マタ、X−ハ、R1、R2、zl、
Z2、Ll、L2、L3.1.′又はL′−上に結合
して分子内塩を形成してもよく、さらにLlとL3、I
、′と1,4、L3とL5、R1とLl、R2トL5、
R’トZI及び/又はR2とZ2か結合して環を形成し
ていてもよい。] 数式(I)において、R1及びR2か表わす置換基を有
していてもよいアルキル基若しくはアルケニル基は、置
換基として水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素
)、低級アルコキシ基等を有するか又は置換基を有しな
い、直鎖又は分岐のアルキル基若しくはアルケニル基(
炭素数8以下であることか好ましい)である。このよう
なアルキル基若しくはアルケニル基の例としては、メチ
ル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル
、i−ブチル、t−ブチル、2−エチルヘキシル、プロ
ペニル、ブテニル、これらの任意の位置に上記置換基か
結合したもの等を挙げることかできる。
一般式(I)において、R1及びR2か表わす置換基を
有していてもよいアリール基は、置換基として炭素数6
以下の低級アルキル基、水酸基、ハロケン原子、低級ア
ルコキシ基等を有するが又は置換基を有しない、フェニ
ル基、ナフチル基等のアリール基である。このようなア
リール基の例としては、フェニル基、4−クロロフェニ
ル基、3−メトキシフェニル基、4−t−アミルフェニ
ル基等を挙げることかできる。
有していてもよいアリール基は、置換基として炭素数6
以下の低級アルキル基、水酸基、ハロケン原子、低級ア
ルコキシ基等を有するが又は置換基を有しない、フェニ
ル基、ナフチル基等のアリール基である。このようなア
リール基の例としては、フェニル基、4−クロロフェニ
ル基、3−メトキシフェニル基、4−t−アミルフェニ
ル基等を挙げることかできる。
数式(I)において、R1及びR2か表わす芳香環に置
換基を有していてもよいアラルキル基は、置換基として
上記アリール基についての置換基と同様の置換基を有す
るか又は置換基を有しないアラルキル基(そのアルキレ
ン部分は、炭素数4以丁のアルキレンであることか好ま
しい)である。このようなアラルキル基の例としては、
ヘンシル基、フェネチル基、3−クロロベンジル基、4
−t−ブチルヘンシル基、4−イソプロピル・ヘンシル
基、3−フェニルプロピル基等を挙げることができる。
換基を有していてもよいアラルキル基は、置換基として
上記アリール基についての置換基と同様の置換基を有す
るか又は置換基を有しないアラルキル基(そのアルキレ
ン部分は、炭素数4以丁のアルキレンであることか好ま
しい)である。このようなアラルキル基の例としては、
ヘンシル基、フェネチル基、3−クロロベンジル基、4
−t−ブチルヘンシル基、4−イソプロピル・ヘンシル
基、3−フェニルプロピル基等を挙げることができる。
上記−数式(1)において、Zl及びZ2がそれぞれ独
立に、隣接する炭素原子及び窒素原子と共に形成する複
素環は、ピリジン環、インドレニン環、ナフトラクタム
環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、
セレナゾール環、又は、これらの環にベンゼン環、ナフ
タレン環、キノリン環(2及び3位で)又はキノキサリ
ン環(2及び3位で)なとの芳香族環若しくは複素環が
縮合した複素環であることが好ましい。
立に、隣接する炭素原子及び窒素原子と共に形成する複
素環は、ピリジン環、インドレニン環、ナフトラクタム
環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、
セレナゾール環、又は、これらの環にベンゼン環、ナフ
タレン環、キノリン環(2及び3位で)又はキノキサリ
ン環(2及び3位で)なとの芳香族環若しくは複素環が
縮合した複素環であることが好ましい。
上記−数式(I)において、jは1を表わすことが好ま
しい。
しい。
上記−数式(I)において、L1〜L5が一緒で3若し
くは5個の置換若しくは無置換のメチン基が共役二重結
合により連結されて生しる三価の基を表わすが、特に−
数式(a)〜(e)で表わされるものが好ましい。
くは5個の置換若しくは無置換のメチン基が共役二重結
合により連結されて生しる三価の基を表わすが、特に−
数式(a)〜(e)で表わされるものが好ましい。
(a)
1−CH−C−(:H−CH−
(b)
(C)
(d)
(e)
CH−C−CH−
■
数式(a)〜(e)においてYは水素原子又は1価の基
を表わす。この場合、1価の基としては、メチル基など
の低級アルキル基、置換若しくは無置換フェニル基、ベ
ンジル基などのアラルキル基、メトキシ基なとの低級ア
ルコキシ基、ジメチルアミン基、ジフェニルアミノ基、
メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、イミダゾリ
ジノ基、エトキシ力ルポニルビベラジノ基なとのジ置換
アミン基、アセトキシ基などのアルキルカルボニルオキ
シ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、シアン基、
ニトロ基、F、CIl、Brなどのハロケン原子などで
あることが好ましい。
を表わす。この場合、1価の基としては、メチル基など
の低級アルキル基、置換若しくは無置換フェニル基、ベ
ンジル基などのアラルキル基、メトキシ基なとの低級ア
ルコキシ基、ジメチルアミン基、ジフェニルアミノ基、
メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、イミダゾリ
ジノ基、エトキシ力ルポニルビベラジノ基なとのジ置換
アミン基、アセトキシ基などのアルキルカルボニルオキ
シ基、メチルチオ基などのアルキルチオ基、シアン基、
ニトロ基、F、CIl、Brなどのハロケン原子などで
あることが好ましい。
上記−数式(I)において、X−で表わされる陰イオン
は、陽イオン部分の電荷を中和するのに必要な数の陰電
荷を供給するためのものであって、−価若しくは二価の
イオンである。
は、陽イオン部分の電荷を中和するのに必要な数の陰電
荷を供給するためのものであって、−価若しくは二価の
イオンである。
X−で表わされる陰イオンの例としては、CIL−Br
−1−などのハロゲンイオン、5042− 、H3O4
−1CH30SO3−なとのアルキル硫酸イオン、パラ
トルエンスルホン酸イオン、ナフタレン−1,5−ジス
ルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオ
ロメタンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸イオン
などのスルホン酸イオン、酢酸イオノン、P−クロロ安
息香酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シュウ酸イオ
ン、コハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、PF6−
、BF4−1C立04−1104−、タンクステン酸イ
オン、タングストリン酸イオンなとのへテロポリ酸イオ
ン、H2PO4−1N03−、ピクリン酸イオンなどの
フェノラートイオンなどが挙げられる。
−1−などのハロゲンイオン、5042− 、H3O4
−1CH30SO3−なとのアルキル硫酸イオン、パラ
トルエンスルホン酸イオン、ナフタレン−1,5−ジス
ルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオ
ロメタンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸イオン
などのスルホン酸イオン、酢酸イオノン、P−クロロ安
息香酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、シュウ酸イオ
ン、コハク酸イオンなどのカルボン酸イオン、PF6−
、BF4−1C立04−1104−、タンクステン酸イ
オン、タングストリン酸イオンなとのへテロポリ酸イオ
ン、H2PO4−1N03−、ピクリン酸イオンなどの
フェノラートイオンなどが挙げられる。
X−で表わされる陰イオンとして好ましいものは、C1
−、Br−1−、CH30S03−、パラトルエンスル
ホン酸イオン、P−クロロヘンセンスルホン酸イオン、
メタンスルホン酸イオン、ブタンスルホン酸イオン、ナ
フタレン−1,5−ジスルホン酸イオン、トリフルオロ
メタンスルホン酸イオンなどのパーフルオロスルホン酸
イオン、PF6−1BF4−1cILo4−なとてあり
、特に好ましいものは、トルフルオロメタンスルホン酸
イオン、BF6−1cILo4−である。
−、Br−1−、CH30S03−、パラトルエンスル
ホン酸イオン、P−クロロヘンセンスルホン酸イオン、
メタンスルホン酸イオン、ブタンスルホン酸イオン、ナ
フタレン−1,5−ジスルホン酸イオン、トリフルオロ
メタンスルホン酸イオンなどのパーフルオロスルホン酸
イオン、PF6−1BF4−1cILo4−なとてあり
、特に好ましいものは、トルフルオロメタンスルホン酸
イオン、BF6−1cILo4−である。
上記−数式(I)で表わされるシアニン系色素のうち好
ましいものは、下記の一般式(Il)を有するイミダゾ
キノキサリン系シアニン色素である。
ましいものは、下記の一般式(Il)を有するイミダゾ
キノキサリン系シアニン色素である。
1(3R3
R’ X−R’
[ただし、R3及びR4はアルキル基、アルケニル基又
はアリール基を表わし、これらは互いに同一でも異なっ
ていても良く、Lは5個の置換又は無置換のメチン基が
共役二重結合により連結されて生しる三価の基を表わし
、Zは芳香族環を完成するための原子群を表わし、X−
は陰イオンを表わす。] 上記−数式(II)において、R3及びR4で表わされ
る基として好ましいものは、置換若しくは無置換のフェ
ニル基、置換若しくは無置換の低級アルキル基(炭素原
子数は1〜8)又は置換若しくは!置換の低級アルケニ
ル基(炭素原子数は2〜8)である。R3若しくはR4
か置換基を有する場合において特に好ましい置換基は、
ハロゲン原子(F、CIA、Br、I)、置換若しくは
無置換のフェニル(フェニル、m−クロフェニル、p−
メチルフェニルなと)、アルキルチオ基(例えばメチル
チオ、エチルチオ、ブチルチオなと)、置換若しくは無
置換のフェニルチオ基(例えばフェニルチオ、p−クロ
ロフェニルチオ、m−メチルフェニルチオなど)及びア
ルコキシ基(例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなと
)である。
はアリール基を表わし、これらは互いに同一でも異なっ
ていても良く、Lは5個の置換又は無置換のメチン基が
共役二重結合により連結されて生しる三価の基を表わし
、Zは芳香族環を完成するための原子群を表わし、X−
は陰イオンを表わす。] 上記−数式(II)において、R3及びR4で表わされ
る基として好ましいものは、置換若しくは無置換のフェ
ニル基、置換若しくは無置換の低級アルキル基(炭素原
子数は1〜8)又は置換若しくは!置換の低級アルケニ
ル基(炭素原子数は2〜8)である。R3若しくはR4
か置換基を有する場合において特に好ましい置換基は、
ハロゲン原子(F、CIA、Br、I)、置換若しくは
無置換のフェニル(フェニル、m−クロフェニル、p−
メチルフェニルなと)、アルキルチオ基(例えばメチル
チオ、エチルチオ、ブチルチオなと)、置換若しくは無
置換のフェニルチオ基(例えばフェニルチオ、p−クロ
ロフェニルチオ、m−メチルフェニルチオなど)及びア
ルコキシ基(例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなと
)である。
R3又はR4で表わされる基のうち特に好ましいものは
、炭素原子数が2〜8の無置換アルキル基又は炭素原子
数が2〜8の無置換アルケニル基であり、その中でもR
3と84が同一であるものが最も好ましい。
、炭素原子数が2〜8の無置換アルキル基又は炭素原子
数が2〜8の無置換アルケニル基であり、その中でもR
3と84が同一であるものが最も好ましい。
Zで表わされる原子群の例としては、ヘンセン環、ナフ
タレン環、アントラセン環を完成するための原子群が挙
げられ、好ましいものはペンセン環、ナフタレン環を完
成するための原子群であり、更にR3及びR4に関して
述べた置換基を有してもよい。Zか置換基を有する場合
において、特に好ましい置換基は、ハロゲン原子(F、
C1゜Br、I)、置換若しくは無置換のフェニル基(
例えば、フェニル、m−クロロフェニル、Pメチルフェ
ニルなど)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ、ブチ
ルチオなと)、置換若しくは無置換のフェニルチオ基(
例えばフェニルチオ、p−クロロフェニルチオ、m−メ
チルフェニルチオなど)、置換若しくは無置換のアルキ
ル基(例えばメチル、トリフルオロメチル、tert−
アミルなと)、シアン基、アルコキシ力ルホニル基(例
えばプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ヘン
シルオキシカルボニル、デシルオキシカルボニル、2−
エチルヘキシルオキシカルホニルなと)、アルキル若し
くはアリールスルホニル基(例えばブタンスルホニル、
フェニルスルホニル、オクタンスルホニルなど)である
。
タレン環、アントラセン環を完成するための原子群が挙
げられ、好ましいものはペンセン環、ナフタレン環を完
成するための原子群であり、更にR3及びR4に関して
述べた置換基を有してもよい。Zか置換基を有する場合
において、特に好ましい置換基は、ハロゲン原子(F、
C1゜Br、I)、置換若しくは無置換のフェニル基(
例えば、フェニル、m−クロロフェニル、Pメチルフェ
ニルなど)、アルキルチオ基(例えばメチルチオ、ブチ
ルチオなと)、置換若しくは無置換のフェニルチオ基(
例えばフェニルチオ、p−クロロフェニルチオ、m−メ
チルフェニルチオなど)、置換若しくは無置換のアルキ
ル基(例えばメチル、トリフルオロメチル、tert−
アミルなと)、シアン基、アルコキシ力ルホニル基(例
えばプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ヘン
シルオキシカルボニル、デシルオキシカルボニル、2−
エチルヘキシルオキシカルホニルなと)、アルキル若し
くはアリールスルホニル基(例えばブタンスルホニル、
フェニルスルホニル、オクタンスルホニルなど)である
。
して表わされる三価の基は、5個の置換若しくは無置換
のメチン基か共役二重結合により連結されて生じる三価
の基を表わすが、特に上記−数式%式%() 表わされるものが好ましい。
のメチン基か共役二重結合により連結されて生じる三価
の基を表わすが、特に上記−数式%式%() 表わされるものが好ましい。
数式(a)(b)及び(d)において、Yは水素原子又
は1価の基を表わす。この場合、1価の基としては、メ
チル基なとの低級アルキル基、置換若しくは無置換フェ
ニル基、ヘンシル基なとのアラルキル基、メトキシ基な
との低級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニル
アミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、
イミタソリシノ基、エトキシ力ルホニルビベラシノ基な
とのジ置換アミノ基、アセトキシ基なとのアルキルカル
ボニルオキシ基、メチルチオ基なとのアルキルチオ基、
シアン基、ニトロ基、F、Cfi、Brなとのハロゲン
原子なとであることか好ましい。上記−数式(a)(b
)及び(d)のうち特に好ましいものは(a)て表わさ
れる基である。
は1価の基を表わす。この場合、1価の基としては、メ
チル基なとの低級アルキル基、置換若しくは無置換フェ
ニル基、ヘンシル基なとのアラルキル基、メトキシ基な
との低級アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニル
アミノ基、メチルフェニルアミノ基、モルフォリノ基、
イミタソリシノ基、エトキシ力ルホニルビベラシノ基な
とのジ置換アミノ基、アセトキシ基なとのアルキルカル
ボニルオキシ基、メチルチオ基なとのアルキルチオ基、
シアン基、ニトロ基、F、Cfi、Brなとのハロゲン
原子なとであることか好ましい。上記−数式(a)(b
)及び(d)のうち特に好ましいものは(a)て表わさ
れる基である。
数式(II)におけるX−は、上記−数式(I)で示し
た例と同し陰イオンを表わす。
た例と同し陰イオンを表わす。
上記−数式(I)て表わされるシアニン系色素のうち好
ましい他の色素は、下記の一般式(III)で表わされ
る構造を有するヘンゾイントレニン骨格を有するシアニ
ン系色素である。
ましい他の色素は、下記の一般式(III)で表わされ
る構造を有するヘンゾイントレニン骨格を有するシアニ
ン系色素である。
−数式(■):
1
%式%
[但し、R5、R6およびR7は、それぞれ独立に炭素
原子数か1〜8の範囲にある置換基を有していても良い
アルキル基を表わし、X−は、陰イオンを表わし、モし
てpは1又は2を表わす]−数式(II[)において、
R5て表わされるアルキル基は、炭素原子数が1〜8の
範囲にある置換基を有していても良いアルキル基として
、メチル、エチル、n−プロピル、n−ブチル、イソブ
チルおよび2−エチルヘキシルなどの基を挙げる゛こと
かでき、好ましくは炭素原子数が1〜6のアルキル基(
例えば、メチル、エチル、n−プロピル、n−ブチル、
イソブチル)であり、その置換されていてもよい置換基
としては、弗素原子、アルコキシ基を挙げることかでき
る。特に好ましくは置換基を有しないアルキル基である
。
原子数か1〜8の範囲にある置換基を有していても良い
アルキル基を表わし、X−は、陰イオンを表わし、モし
てpは1又は2を表わす]−数式(II[)において、
R5て表わされるアルキル基は、炭素原子数が1〜8の
範囲にある置換基を有していても良いアルキル基として
、メチル、エチル、n−プロピル、n−ブチル、イソブ
チルおよび2−エチルヘキシルなどの基を挙げる゛こと
かでき、好ましくは炭素原子数が1〜6のアルキル基(
例えば、メチル、エチル、n−プロピル、n−ブチル、
イソブチル)であり、その置換されていてもよい置換基
としては、弗素原子、アルコキシ基を挙げることかでき
る。特に好ましくは置換基を有しないアルキル基である
。
R6およびR7で表わされるアルキル基としては、炭素
原子数1〜8の無置換のアルキル基(具体例、メチル、
エチル、プロピル)が好ましく、特に好ましくはメチル
基又はエチル基である。
原子数1〜8の無置換のアルキル基(具体例、メチル、
エチル、プロピル)が好ましく、特に好ましくはメチル
基又はエチル基である。
また、X−で表わされる陰イオンとして好ましいものと
しては、 ハライドイオン(例えば、 CIL−、Br−■−)、
スルホネートイオン(例えば、CH3及び 並びにリン酸イオン(例えば、PF6\−C4H9 い。
しては、 ハライドイオン(例えば、 CIL−、Br−■−)、
スルホネートイオン(例えば、CH3及び 並びにリン酸イオン(例えば、PF6\−C4H9 い。
上記−数式(I)で表わされるシアニン系色素のうち好
ましい他の色素は、下記の一般式(rV)て表わされる
構造を有するチアゾール骨格を有するシアニン系色素で
ある。
ましい他の色素は、下記の一般式(rV)て表わされる
構造を有するチアゾール骨格を有するシアニン系色素で
ある。
数式(■):
\
t−C,R9)
を挙げることかできる。
これらのうちで特に好ましい陰イオンは、であるか、合
成の中間段階で使用される■−やCH3−−3o3−が
微量混入していても良R’ (X−)p
R9(式中、R8及びR9は、それぞれ−数式(I)
におけるR1及びR2で表わされる基を表わし、RIO
は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、
芳香環に置換基を有していてもよいアリール基若しくは
アラルキル基を表わし、 R1及びRI2は、それぞれ
独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基
を有していてもよいアリール基、芳香環に置換基を有し
ていてもよいアラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン
原子を表わし、X−はアニオンを表わし、m及びnはO
〜2の整数であり、Pは、R8か置換基としてアニオン
を有するとき0であり、R8が置換基としてアニオンを
有しないとき1である。) 数式(IV)において、置換基を有していてもよいアル
キル基は、置換基として水酸基、ハロゲン原子、低級ア
ルコキシ基等を有するか又は置換基を有しない、直鎖又
は分岐のアルキル基(炭素数8以下であることが好まし
い)である。このようなアルキル基の例としては、メチ
ル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル
、i−ブチル、t−ブチル、2−エチルヘキシル、これ
らのアルキルの任意の位置に上記置換基が結合したもの
等を挙げることができる。
成の中間段階で使用される■−やCH3−−3o3−が
微量混入していても良R’ (X−)p
R9(式中、R8及びR9は、それぞれ−数式(I)
におけるR1及びR2で表わされる基を表わし、RIO
は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、
芳香環に置換基を有していてもよいアリール基若しくは
アラルキル基を表わし、 R1及びRI2は、それぞれ
独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基
を有していてもよいアリール基、芳香環に置換基を有し
ていてもよいアラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン
原子を表わし、X−はアニオンを表わし、m及びnはO
〜2の整数であり、Pは、R8か置換基としてアニオン
を有するとき0であり、R8が置換基としてアニオンを
有しないとき1である。) 数式(IV)において、置換基を有していてもよいアル
キル基は、置換基として水酸基、ハロゲン原子、低級ア
ルコキシ基等を有するか又は置換基を有しない、直鎖又
は分岐のアルキル基(炭素数8以下であることが好まし
い)である。このようなアルキル基の例としては、メチ
ル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル
、i−ブチル、t−ブチル、2−エチルヘキシル、これ
らのアルキルの任意の位置に上記置換基が結合したもの
等を挙げることができる。
数式(IV)において、置換基を有していてもよいアリ
ール基は、置換基として炭素数6以下の低級アルキル基
、水酸基、ハロケン原子、低級アルコキシ基等を有する
か又は置換基を有しない、フェニル基、ナフチル基等の
アリール基である。
ール基は、置換基として炭素数6以下の低級アルキル基
、水酸基、ハロケン原子、低級アルコキシ基等を有する
か又は置換基を有しない、フェニル基、ナフチル基等の
アリール基である。
このようなアリール基の例としては、フェニル基、4−
クロロフェニル基、3−メトキシフェニル基、4−t−
アミルフェニル基等を挙げることかできる。
クロロフェニル基、3−メトキシフェニル基、4−t−
アミルフェニル基等を挙げることかできる。
数式(rV)において、芳香環に置換基を有していても
よいアラルキル基は、置換基として上記アリール基につ
いての置換基と同様の置換基を有するか又は置換基を有
しないアラルキル基(そのアルキレン部分は、炭素数4
以下のアルキレンであることが好ましい)である。この
ようなアラルキル基の例としては、ヘンシル基、フェネ
チル基、3−クロロベンジル基、4−t−ブチルヘンシ
ル基、4−イソプロピルペンシル基、3−フェニルプロ
ピル基等を挙げることかできる。
よいアラルキル基は、置換基として上記アリール基につ
いての置換基と同様の置換基を有するか又は置換基を有
しないアラルキル基(そのアルキレン部分は、炭素数4
以下のアルキレンであることが好ましい)である。この
ようなアラルキル基の例としては、ヘンシル基、フェネ
チル基、3−クロロベンジル基、4−t−ブチルヘンシ
ル基、4−イソプロピルペンシル基、3−フェニルプロ
ピル基等を挙げることかできる。
数式(IV)において、アルコキシ基は、そのアルキル
部分か炭素数8以下の直鎖又は分岐のアルキルであるも
のか好ましい。
部分か炭素数8以下の直鎖又は分岐のアルキルであるも
のか好ましい。
一般式(IV)において、ハロゲン原子は、塩素、臭素
、弗素、沃素の何れであってもよい。
、弗素、沃素の何れであってもよい。
数式(IV)において、 R8で表わされる基が有して
いてもよい置換基のアニオンは、503−1又はCH2
COO−であることが好ましい。
いてもよい置換基のアニオンは、503−1又はCH2
COO−であることが好ましい。
以下に本発明における色素モノマーとして用いられる一
般式(I)て表わされる化合物の具体例を挙げるか、本
発明の範囲はこれらのみに限定されるものてはない。
般式(I)て表わされる化合物の具体例を挙げるか、本
発明の範囲はこれらのみに限定されるものてはない。
以下余白
IO
(5)
C10
10
CF3S○。
(7)
(8)
(13)
(14)
IO
H3CO2
(22)
(23)
(28)
10
10
(24)
104
(25)
(26)
(30)
2H5
IO4
2H5
(32)
(33)
(34)
(35)
(39)
(40)
(41)
工
工
(36)
(37)
(38)
(42)
(44)
(46)
(47)
(52)
(53)
(4つ)
(50)
(54)
(55)
(56)
IO
(58)
(59)
(63)
(64)
(65)
10
1
(61)
(62)
(66)
(6日)
〉
ClO4゛
C1○4
IO4
(75)
(76)
(77)
(69)
(70)
(71)
10
(74)
(78)
(79)
(80)
n −C4H9
n−C2H。
n −C4H3
n −C4H9
CH2CHfcH,l 2
CH2CH(CH3) 2
IO
IO
(81)
本発明で使用される色素モノマーのうち上記−数式(I
)で表わされない色素モノマーの例として以下の化合物
を挙げることができる。
)で表わされない色素モノマーの例として以下の化合物
を挙げることができる。
(83)
(82)
F6
(84)
IO
本発明において上記の色素モノマーは、単独で用いても
よく、二種以上を併用してもよい。
よく、二種以上を併用してもよい。
また読取り耐久性向上のため種々の酸化防止剤や一重項
酸素クエンチャーを併用することも有効である。
酸素クエンチャーを併用することも有効である。
あるいは遷移金属イオンを添加してキレートを形成させ
て用いることにより耐久性を増すことも可能である。
て用いることにより耐久性を増すことも可能である。
本発明において使用できるクエンチャ−としては、再生
劣化を低下させ、色素との相溶性が良好な遷移金属錯体
か好ましい。この場合、中心金属として好ましいものは
、Ni、Go、Cu、Pd、Ptなとである。
劣化を低下させ、色素との相溶性が良好な遷移金属錯体
か好ましい。この場合、中心金属として好ましいものは
、Ni、Go、Cu、Pd、Ptなとである。
クエンチャ−の例としては特開昭62−174741号
公報に記載されている下記−数式[V]・ ・ −[V
コ ・ ・ ・ [VT] (式中、[Cat、コ及び[Cat2]は錯体を中性な
らしめるために必要な陽イオンを示し、Ml及びMlは
ニッケル、銅、コバルト、パラジウム又は白金を小す。
公報に記載されている下記−数式[V]・ ・ −[V
コ ・ ・ ・ [VT] (式中、[Cat、コ及び[Cat2]は錯体を中性な
らしめるために必要な陽イオンを示し、Ml及びMlは
ニッケル、銅、コバルト、パラジウム又は白金を小す。
nは1又は2を示す。)
前記−数式[V]及び[VT]で表わされる化合物にお
いて、[Cat、]又は[Cat−2]で表わされる陽
イオンのうち無機陽イオンとしては、アルカリ金属(た
とえば、li、 Na、 Kなと)イオン、アルカリ土
類金属(Mg、Ca、Baなと)イオン又はNH4”を
挙げることかてきる。
いて、[Cat、]又は[Cat−2]で表わされる陽
イオンのうち無機陽イオンとしては、アルカリ金属(た
とえば、li、 Na、 Kなと)イオン、アルカリ土
類金属(Mg、Ca、Baなと)イオン又はNH4”を
挙げることかてきる。
また有機陽イオンとしては、第四級アンモニウムイオン
又は第四級ホスホニウムイオンを挙げることかできる。
又は第四級ホスホニウムイオンを挙げることかできる。
前記−数式[V]又は[VT]で表わされる化合物にお
いてM、又はMlを好ましい順に挙げるとニッケル、コ
バルト、銅、パラジウム、白金の順である。
いてM、又はMlを好ましい順に挙げるとニッケル、コ
バルト、銅、パラジウム、白金の順である。
一般式[V]又は[VT]の金属錯体は平面四配位の立
体構造を有する。なお−数式[VI]の化合物ではチオ
ケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあるかは
一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式[VI
]のように表わす。
体構造を有する。なお−数式[VI]の化合物ではチオ
ケトン基が中心金属に関して対称又は非対称にあるかは
一義的に決らないが、本発明では便宜的に一般式[VI
]のように表わす。
前記−数式[V]又は[V1]で表わされる化合物は次
のようにして合成することかできる。
のようにして合成することかできる。
−数式[V ] (n−2)の化合物は二硫化炭素とナ
トリウムを反応させて得られるシソデイラム−1,3−
ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレートをまず
、亜鉛錯体とし、これに塩化ヘンジイルを反応させ、ビ
スベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した
後、金属塩を反応させて得られる。
トリウムを反応させて得られるシソデイラム−1,3−
ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオレートをまず
、亜鉛錯体とし、これに塩化ヘンジイルを反応させ、ビ
スベンゾイルチオ体とする。これをアルカリで分解した
後、金属塩を反応させて得られる。
また、−数式[V](n−1)の化合物は、上で得られ
た錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
た錯体(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
一般式[VT] (n−2)の化合物は、まず、二硫化
炭素とナトリウムを反応させて得られるシソデイラム−
1,3−ジチオール−2−チオン−4,5−シオチレー
トを、約130℃に加熱してシソデイラム−1,2−ジ
チオール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異性化
させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ヘンジイルを
反応させ、ビスヘンジイルチオ体とする。これをアルカ
リで分解した後、金属塩を反応させて得られる。
炭素とナトリウムを反応させて得られるシソデイラム−
1,3−ジチオール−2−チオン−4,5−シオチレー
トを、約130℃に加熱してシソデイラム−1,2−ジ
チオール−3−チオン−4゜5−ジチオレートに異性化
させる。これを亜鉛錯体とし、これに塩化ヘンジイルを
反応させ、ビスヘンジイルチオ体とする。これをアルカ
リで分解した後、金属塩を反応させて得られる。
また、−数式[VT] (n−1)は上で得られた錯体
(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
(n=2)を適当な酸化剤で酸化して得られる。
数式[V]又は[VI]の化合物を得るための中間体で
ある1、3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオ
レートアニオンは、上記の如(Naによる還元法の他に
電気化学的な還元によっても得られる。
ある1、3−ジチオール−2−チオン−4,5−ジチオ
レートアニオンは、上記の如(Naによる還元法の他に
電気化学的な還元によっても得られる。
前記−数式[V]で表わされる化合物のうち好ましいも
のを例示すれば次の通りである。
のを例示すれば次の通りである。
その他のクエンチャ−としては特開昭59−17829
5号公報に記載されている化合物などの以下の化合物が
あげられる。
5号公報に記載されている化合物などの以下の化合物が
あげられる。
(i)ビスジチオ−α−ジケトン系
R1〜R4はアルキル基、アリール基、アルキルチオ基
、又はシアノ基を表わし、Mは2価の遷移金属原子を表
わす。
、又はシアノ基を表わし、Mは2価の遷移金属原子を表
わす。
(ii)ヒスフエニルジチオール系
R5、R6はアルキル基、シアノ基又はハロケン原子を
表わし、Mは2価の遷移金属子を表わす。
表わし、Mは2価の遷移金属子を表わす。
(i i i) アセチルアセトナートキレート系(i
v) ジチオカルバミン酸キレート系(■) ビス
フェニルチオール系 (vi) チオカテコールキレート系vii)サルチ
ルアルテヒトオキシム系viii)チオヒスフェルレー
トキレ−14ix) 亜ホスホン酸キレート系 ×) ヘンシェード系 xi) ヒンタートアミン系 xii) ′J!!移金属塩 この性成式で表わされるアミニウム系又はジイモニウム
系イオンを含む化合物か挙げられ、具体例としてはEI
本化薬株式会社製IRG−002、IRG −003、
IRQ−022、IRQ−02:]か挙げられる。
v) ジチオカルバミン酸キレート系(■) ビス
フェニルチオール系 (vi) チオカテコールキレート系vii)サルチ
ルアルテヒトオキシム系viii)チオヒスフェルレー
トキレ−14ix) 亜ホスホン酸キレート系 ×) ヘンシェード系 xi) ヒンタートアミン系 xii) ′J!!移金属塩 この性成式で表わされるアミニウム系又はジイモニウム
系イオンを含む化合物か挙げられ、具体例としてはEI
本化薬株式会社製IRG−002、IRG −003、
IRQ−022、IRQ−02:]か挙げられる。
(式中Rはアルキル基又はアリール基を表わす。)
本発明において、前記色素のカチオンと、クエンチャ−
のアニオンとの結合体を使用することもてきる。
のアニオンとの結合体を使用することもてきる。
クエンチャ−は前記色素1モルあたり、一般に0.00
05〜1.2モル、好ましくは0.001〜0.5モル
使用される。
05〜1.2モル、好ましくは0.001〜0.5モル
使用される。
クエンチャ−は色素薄膜記録層に含有させることか好ま
しいか、記録層とは別の層に含有させてもよい。
しいか、記録層とは別の層に含有させてもよい。
本発明において、色素モノマーと共に記録層に含有させ
るポリブチルメタクリレートは、ポリn−ブチルメタク
リレート、ポリ−1so−ブチルメタクリレート、n−
ブチルメタクリレートと1so−ブチルメタクリレート
との共重合体、及びこれらの混合物の何れであってもよ
い。更に、本発明におけるポリブチルメタクリレートに
は、ブチルメタクリレート構成単位の10モル%以下の
、メチルメタクリレート、エチルメタクリレートのよう
な他のアルキルメタクリレート構成単位、及び/又はメ
チルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリ
レートのようなアルキルアクリレート構成単位を含む共
重合体、上記ポリブチルメタクリレートと、ポリブチル
メタクリレートの10重量%以下の上記のようなアルキ
ルメタクリレート及び/又はアルキルアクリレートのポ
リマーとの混合物も含まれる。このようなポリブチルメ
タクリレートその他のポリマーの分子量は特に限定され
ないが、−数的に10,000〜100.000である
ことか好ましい。
るポリブチルメタクリレートは、ポリn−ブチルメタク
リレート、ポリ−1so−ブチルメタクリレート、n−
ブチルメタクリレートと1so−ブチルメタクリレート
との共重合体、及びこれらの混合物の何れであってもよ
い。更に、本発明におけるポリブチルメタクリレートに
は、ブチルメタクリレート構成単位の10モル%以下の
、メチルメタクリレート、エチルメタクリレートのよう
な他のアルキルメタクリレート構成単位、及び/又はメ
チルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリ
レートのようなアルキルアクリレート構成単位を含む共
重合体、上記ポリブチルメタクリレートと、ポリブチル
メタクリレートの10重量%以下の上記のようなアルキ
ルメタクリレート及び/又はアルキルアクリレートのポ
リマーとの混合物も含まれる。このようなポリブチルメ
タクリレートその他のポリマーの分子量は特に限定され
ないが、−数的に10,000〜100.000である
ことか好ましい。
また、本発明におけるセルロースアセテートは、分子量
20,000〜80,000、アセチル化度40〜60
%であるものが好ましい。
20,000〜80,000、アセチル化度40〜60
%であるものが好ましい。
記録層に含まれる色素モノマーに対するポリブチルメタ
クリレート又はセルロースアセテートの割合は、色素モ
ノマー:ポリブチルメタクリレート又はセルロースアセ
テート=1:0.05〜0.50の範囲、特に1:0.
1〜0.4の範囲の重量比であることか好ましい。
クリレート又はセルロースアセテートの割合は、色素モ
ノマー:ポリブチルメタクリレート又はセルロースアセ
テート=1:0.05〜0.50の範囲、特に1:0.
1〜0.4の範囲の重量比であることか好ましい。
本発明において使用する基板は、従来の情報記録媒体の
基板として用いられている各種の材料から任意に選択す
ることができる。基板の光学的特性、平面性、加工性、
取扱い性、経時安定性及び製造コストなとの点から、基
板材料の例としてはソータ石灰ガラス等のガラス:セル
キャストポリメチルメタクリレート、射出成形ポリメチ
ルメタクリレート等のアクリル樹脂:ポリ塩化ビニル、
塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂;エポキシ樹
脂:アモルファスポリオレフィン;及びポリカーボネー
トを挙げることかできる。これらのうちて寸度安定性、
透明性及び平面性などの点から、好ましいものはポリメ
チルメタクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂
、アモルファスポリオレフィン及びガラスである。
基板として用いられている各種の材料から任意に選択す
ることができる。基板の光学的特性、平面性、加工性、
取扱い性、経時安定性及び製造コストなとの点から、基
板材料の例としてはソータ石灰ガラス等のガラス:セル
キャストポリメチルメタクリレート、射出成形ポリメチ
ルメタクリレート等のアクリル樹脂:ポリ塩化ビニル、
塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂;エポキシ樹
脂:アモルファスポリオレフィン;及びポリカーボネー
トを挙げることかできる。これらのうちて寸度安定性、
透明性及び平面性などの点から、好ましいものはポリメ
チルメタクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂
、アモルファスポリオレフィン及びガラスである。
記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、
接着力の向と及び記録層の変質の防止の目的で、下塗層
か設けられていてもよい。下塗層の材料としては、たと
えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタク
リル酸共重合体、ニトロセルロース、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質;シラ
ンカップリンク剤なとの有機物質:及び無機酸化物(S
i 02 、Af1203等)、無機弗化物(MgF
2)などの無機物質を挙げることかできる。
接着力の向と及び記録層の変質の防止の目的で、下塗層
か設けられていてもよい。下塗層の材料としては、たと
えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタク
リル酸共重合体、ニトロセルロース、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質;シラ
ンカップリンク剤なとの有機物質:及び無機酸化物(S
i 02 、Af1203等)、無機弗化物(MgF
2)などの無機物質を挙げることかできる。
ガラス基板の場合は、基板から遊離するアルカリ金属イ
オン及びアルカリ土類金属イオンによる記録層への悪影
響を防止するために、スチレン・無水マレイン酸共重合
体などの親水性基及び/又は無水マレイン酸基を有する
ポリマーからなる下塗層か設けられているのが望ましい
。
オン及びアルカリ土類金属イオンによる記録層への悪影
響を防止するために、スチレン・無水マレイン酸共重合
体などの親水性基及び/又は無水マレイン酸基を有する
ポリマーからなる下塗層か設けられているのが望ましい
。
下塗層は、たとえば上記物質を適当な溶剤に溶解又は分
散したのち、この塗布液をスピンコード、デイツプコー
ト、エクストルージョンコートなとの塗布法により基板
表面に塗布することにより形成することができる。
散したのち、この塗布液をスピンコード、デイツプコー
ト、エクストルージョンコートなとの塗布法により基板
表面に塗布することにより形成することができる。
また、基板上にはトラッキング用溝又はアドレス信号等
の情報を表わす凹凸の形成の目的で、プレグルーブ層が
設けられてもよい。プレクループ層の材料としては、ア
クリル酸のモノエステル、ジエステル、トリエステル及
びテトラエステルのうちの少なくとも一種のモノマー(
又はオリゴマー)と光重合開始剤との混合物を用いるこ
とかできる。
の情報を表わす凹凸の形成の目的で、プレグルーブ層が
設けられてもよい。プレクループ層の材料としては、ア
クリル酸のモノエステル、ジエステル、トリエステル及
びテトラエステルのうちの少なくとも一種のモノマー(
又はオリゴマー)と光重合開始剤との混合物を用いるこ
とかできる。
プレクループ層の形成は、まず精密に作られた母型(ス
タンパ−)上に上記のアクリル酸エステル及び重合開始
剤からなる混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に基
板を載せたのち、基板又は母型を介して紫外線の照射に
より液層を硬化させて基板と液相とを固着させる。次い
で、基板を母型から剥離することにより、プレクループ
層の設けられた基板か得られる。プレグルーブ層の層厚
は、一般に0.05〜100μmの範囲にあり、好まし
くは0−1〜50μmの範囲にある。また、プラスチッ
ク基板の場合は直接基板表面にプレグルーブを設けても
よい。
タンパ−)上に上記のアクリル酸エステル及び重合開始
剤からなる混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に基
板を載せたのち、基板又は母型を介して紫外線の照射に
より液層を硬化させて基板と液相とを固着させる。次い
で、基板を母型から剥離することにより、プレクループ
層の設けられた基板か得られる。プレグルーブ層の層厚
は、一般に0.05〜100μmの範囲にあり、好まし
くは0−1〜50μmの範囲にある。また、プラスチッ
ク基板の場合は直接基板表面にプレグルーブを設けても
よい。
上記基板上に(所望により下塗層及び/又はプレグルー
ブ層を介して)中間層か設けられても良い 基板表面への中間層の形成は、公知の塗布方法により行
なうことができる。公知の塗布方法の例としてはスピン
コード法、デイツプコート法などを挙げることかできる
。
ブ層を介して)中間層か設けられても良い 基板表面への中間層の形成は、公知の塗布方法により行
なうことができる。公知の塗布方法の例としてはスピン
コード法、デイツプコート法などを挙げることかできる
。
なお、塗布法により形成される中間層の例としては、接
着層、断熱層、反射層、感度強化層(カス発生層)など
を挙げることかできる。
着層、断熱層、反射層、感度強化層(カス発生層)など
を挙げることかできる。
中間層が断熱層である場合には、例えばポリメチルメタ
クリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチ
レン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール
、N−メチロールアクリルアミド共重合体、スチレンス
ルホン酸共重合体、スチレン・ビニルトルエン共重合体
、塩素化ポリエチレン、クロルスルホン化ポリエチレン
、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニ
ル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合
体、ポリカーボネート等の高分子物質ニジランカップリ
ンク剤などの高分子物質を溶剤に溶解させた塗布液を用
いて形成することかできる。
クリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチ
レン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール
、N−メチロールアクリルアミド共重合体、スチレンス
ルホン酸共重合体、スチレン・ビニルトルエン共重合体
、塩素化ポリエチレン、クロルスルホン化ポリエチレン
、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニ
ル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合
体、ポリカーボネート等の高分子物質ニジランカップリ
ンク剤などの高分子物質を溶剤に溶解させた塗布液を用
いて形成することかできる。
好ましくは、塩素化ポリエチレン又はニトロセルロース
を用いた塗布液であり、特に好ましくは塩素化ポリエチ
レンである。
を用いた塗布液であり、特に好ましくは塩素化ポリエチ
レンである。
これにより、レーザービームの照射による熱エネルキー
か記録層から基板等へ熱伝導によって損失するのを低減
することかでき、かつ中間層の被照射部分からガスか発
生してピットの形成か容易となり、従って記録感度を高
めるとともに読取誤差(ビットエラーレート〉を低減す
ることかできる。
か記録層から基板等へ熱伝導によって損失するのを低減
することかでき、かつ中間層の被照射部分からガスか発
生してピットの形成か容易となり、従って記録感度を高
めるとともに読取誤差(ビットエラーレート〉を低減す
ることかできる。
上記中間層の層厚は、一般に10〜1000Xの範囲に
あり、好ましくは100〜5oozの範囲にある。
あり、好ましくは100〜5oozの範囲にある。
L記基板上(所望により下塗層、プレグルーブ層及び/
又は中間層を介して)に、前記色素子ツマ−の会合体及
びポリブチルメタクリレートを含む記録層を設ける。
又は中間層を介して)に、前記色素子ツマ−の会合体及
びポリブチルメタクリレートを含む記録層を設ける。
上記記録層は、前記色素モノマー及びポリブチルメタク
リレート(所望により、前記クエンチャ、結合剤を加え
て〉を有機溶剤に溶解して記録層形成用塗布液を調製し
、次いてこの塗布液を基板表面に塗布して塗膜を形成し
た後、塗膜を乾燥することによって行なうことかできる
。
リレート(所望により、前記クエンチャ、結合剤を加え
て〉を有機溶剤に溶解して記録層形成用塗布液を調製し
、次いてこの塗布液を基板表面に塗布して塗膜を形成し
た後、塗膜を乾燥することによって行なうことかできる
。
上記色素塗布液調製用の溶剤としては、酢酸エチル、酢
酸ブチル、セロソルブアセテートなとのエステル、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチル
ケトンなとのケトン、ジクロルメタン、1.2−ジクロ
ルエタン、クロロホルムなとのハロケン化炭化水素、テ
トラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなとの
エーテル、エタノール、n−プロパツール、イソプロパ
ツール、n−ブタノールなとのアルコール、シメチルホ
ルムアミドなとのアミド、2,2,3゜3−テトラフル
オロ−1−プロパツール等フッ素系溶剤などを挙げるこ
とができる。
酸ブチル、セロソルブアセテートなとのエステル、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチル
ケトンなとのケトン、ジクロルメタン、1.2−ジクロ
ルエタン、クロロホルムなとのハロケン化炭化水素、テ
トラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなとの
エーテル、エタノール、n−プロパツール、イソプロパ
ツール、n−ブタノールなとのアルコール、シメチルホ
ルムアミドなとのアミド、2,2,3゜3−テトラフル
オロ−1−プロパツール等フッ素系溶剤などを挙げるこ
とができる。
なかでもL記溶刑としてフッ素系溶剤を使用することか
好ましく、これにより色素モノマーの会合体形成を促進
し、効率良くかつ容易に、色素子ツマ−の有する吸収極
大波長より50nm以L、好ましくは80nm以上、更
に好ましくは1100n以上長い波長領域に吸収極大を
有する色素記録層を形成することかできる。そして、適
当な吸収極大波長を有する色素モノマーを選択すること
によって、形成された記録層の吸収極大波長が740〜
900nmの範囲の波長領域内に入るように記録層を形
成することができる。
好ましく、これにより色素モノマーの会合体形成を促進
し、効率良くかつ容易に、色素子ツマ−の有する吸収極
大波長より50nm以L、好ましくは80nm以上、更
に好ましくは1100n以上長い波長領域に吸収極大を
有する色素記録層を形成することかできる。そして、適
当な吸収極大波長を有する色素モノマーを選択すること
によって、形成された記録層の吸収極大波長が740〜
900nmの範囲の波長領域内に入るように記録層を形
成することができる。
本発明に用いられるフッ素系溶剤(フッ素含有化合物)
の例としては、フッ素化アルコール、フッ素置換ケトン
、フッ素置換エステル、フッ素化カルホン酸、フッ素置
換アミド、フッ素置換ヘンセン、フッ素化アルカン及び
フッ素化エーテルを挙げることかてきる。
の例としては、フッ素化アルコール、フッ素置換ケトン
、フッ素置換エステル、フッ素化カルホン酸、フッ素置
換アミド、フッ素置換ヘンセン、フッ素化アルカン及び
フッ素化エーテルを挙げることかてきる。
1)フッ素化アルコールとしてはたとえば、数式(St
): A−(:R20H(S 1 ) [但し、AはF (CnF2.)又はH(C8F18)
てあり、nは1乃至6の整数である] て表わされる化合物を挙げることかでき、式(Sl)に
おいてAは直鎖であっても分岐鎖てあってもよい。その
具体例としては下記化合物が挙げられる。
): A−(:R20H(S 1 ) [但し、AはF (CnF2.)又はH(C8F18)
てあり、nは1乃至6の整数である] て表わされる化合物を挙げることかでき、式(Sl)に
おいてAは直鎖であっても分岐鎖てあってもよい。その
具体例としては下記化合物が挙げられる。
H−OF2−CF2−CH20H、H−にF2−CF2
=CF2−(:F2−にH2叶、CF3−CH20H、
F−CF2−CF2−C120H。
=CF2−(:F2−にH2叶、CF3−CH20H、
F−CF2−CF2−C120H。
F−CF2−CF2−(:F2−CF2−C1120H
12)フッ素置換ケトン及びエステルとしては、たとえ
ば−数式(Sl): %式%) (たたし、A及びBはそれぞれ置換又は無置換のアルキ
ル基、フェニル基、アルコキシ基又はフェノキシ基てあ
り、かつA及びBのうち少なくとも一方は少なくとも1
個のフッ素原子で置換されている) て表わされる化合物を挙げることかできる。L記−数式
(Sl)において、A若しくはBヒの置換基としては塩
素原子、臭素原子、ニトロ基、水酸基、置換又は無置換
のアルキル基、フェニル基、アルコキシ基、フェノキシ
基、カルホアルコキシ基、カルホフエノキシ基、アルコ
キシカルボニル基、フェノキシカルボニル基か挙げられ
る。
12)フッ素置換ケトン及びエステルとしては、たとえ
ば−数式(Sl): %式%) (たたし、A及びBはそれぞれ置換又は無置換のアルキ
ル基、フェニル基、アルコキシ基又はフェノキシ基てあ
り、かつA及びBのうち少なくとも一方は少なくとも1
個のフッ素原子で置換されている) て表わされる化合物を挙げることかできる。L記−数式
(Sl)において、A若しくはBヒの置換基としては塩
素原子、臭素原子、ニトロ基、水酸基、置換又は無置換
のアルキル基、フェニル基、アルコキシ基、フェノキシ
基、カルホアルコキシ基、カルホフエノキシ基、アルコ
キシカルボニル基、フェノキシカルボニル基か挙げられ
る。
A及びBは、それぞれ好ましくは、−C「3、CF3(
CF2(:F2)h−1H(CF2CF2) 1−1H
(CF2CF2)J(:l+2−1OCF1、CF3−
(CF2CF2) h−0−5H−(CF2CF2)
、−0−又はH−(CF2(:F2) J−CH20
−てあり、ここでり、i及びjはそれぞれ1〜3の整数
である。また、該化合物の分子量は400以下であるの
か好ましい。
CF2(:F2)h−1H(CF2CF2) 1−1H
(CF2CF2)J(:l+2−1OCF1、CF3−
(CF2CF2) h−0−5H−(CF2CF2)
、−0−又はH−(CF2(:F2) J−CH20
−てあり、ここでり、i及びjはそれぞれ1〜3の整数
である。また、該化合物の分子量は400以下であるの
か好ましい。
その具体例としては下記化合物か挙げられる。
CF、(:0CF3 、 CF3(:00CH3、
CF3COOC2H5、CF3COC02GOC1,+
、 ChCO(:R2に0(:H,、にH3COOC
H2CF3 、 CF3CO0C82CF3、CF3C
F2GFzCOOに2Hs 、 CF:+(CF2
)+に0(]CH3。
CF3COOC2H5、CF3COC02GOC1,+
、 ChCO(:R2に0(:H,、にH3COOC
H2CF3 、 CF3CO0C82CF3、CF3C
F2GFzCOOに2Hs 、 CF:+(CF2
)+に0(]CH3。
3)フッ素置換ヘンセンとしてはたとえば、数式(S3
): (たたし、R1はフッ素原子てあり、R2−R6はそれ
ぞれ水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニト
ロ基、水酸基、シアノ基、置換又は無置換のアルキル基
、フェニル基、アルコキシ基、フェノキシ基、アシル基
又はアシルオキシ基である) て表わされる化合物を挙げることかてきる。上記数式(
S3)において、R2−R6は好ましくは水素原子、フ
ッ素原子、塩素原子又はシアン基である。また、該化合
物の分子量は400以下であるのか好ましい。
): (たたし、R1はフッ素原子てあり、R2−R6はそれ
ぞれ水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニト
ロ基、水酸基、シアノ基、置換又は無置換のアルキル基
、フェニル基、アルコキシ基、フェノキシ基、アシル基
又はアシルオキシ基である) て表わされる化合物を挙げることかてきる。上記数式(
S3)において、R2−R6は好ましくは水素原子、フ
ッ素原子、塩素原子又はシアン基である。また、該化合
物の分子量は400以下であるのか好ましい。
その具体例としては下記化合物が挙げられる。
無置換のアルコキシ基、アルキルスルホニル基、アルキ
ルスルフィニル基で置換されていてもよい。置換基は好
ましくは塩素原子、炭素数1〜4の置換又は無置換のア
ルコキシ基である。また、該化合物の分子量は400以
下であるのが好ましい。
ルスルフィニル基で置換されていてもよい。置換基は好
ましくは塩素原子、炭素数1〜4の置換又は無置換のア
ルコキシ基である。また、該化合物の分子量は400以
下であるのが好ましい。
その具体例としては下記化合物が挙げられる。
CC立2F2 、 CCf13F 、CILF2C−C
CCrF2F2CHCH3、CHC文zcF20cH3
,H(f;F2)<OCH3、H / CF20)10C2H5、CF20)120C2H5、
CF2H−CG立F−OCH3、F
0CH3 4)フッ素化アルカン及びエーテルとしては、炭素数1
〜8のアルカン及びエーテルてあって、かつ少なくとも
一つのフッ素原子で置換されてし)る化合物を挙げるこ
とがてきる。これらの化合物には直鎖状、環状及び分校
状のものか含まれる。
CCrF2F2CHCH3、CHC文zcF20cH3
,H(f;F2)<OCH3、H / CF20)10C2H5、CF20)120C2H5、
CF2H−CG立F−OCH3、F
0CH3 4)フッ素化アルカン及びエーテルとしては、炭素数1
〜8のアルカン及びエーテルてあって、かつ少なくとも
一つのフッ素原子で置換されてし)る化合物を挙げるこ
とがてきる。これらの化合物には直鎖状、環状及び分校
状のものか含まれる。
また、該化合物はフッ素原子の他にさらに、塩素原子、
臭素原子、シアン基、ニトロ基、置換又はF FH
F 5)フッ素化カルボン酸としてはたとえば、数式(S4
): %式%) (ただし、nは2〜4の整数である) で表わされる化合物を挙げることかてきる。
臭素原子、シアン基、ニトロ基、置換又はF FH
F 5)フッ素化カルボン酸としてはたとえば、数式(S4
): %式%) (ただし、nは2〜4の整数である) で表わされる化合物を挙げることかてきる。
6)フッ素化カルボンアミドとしてはたとえば、−数式
(S5): %式%) (たたし、nは2〜4の整数である) て表わされる化合物を挙げることかてきる。
(S5): %式%) (たたし、nは2〜4の整数である) て表わされる化合物を挙げることかてきる。
これらの中で好ましくは、フッ素化アルコールである。
また、本発明で有機溶剤として用いられるフッ素含有化
合物は上記化合物に限定されるものではなく、−分子中
に少なくとも一つのフッ素原子を含む有機化合物であっ
て、色素に対して溶剤として機能しつる限り任意の化合
物を用いることかできる。
合物は上記化合物に限定されるものではなく、−分子中
に少なくとも一つのフッ素原子を含む有機化合物であっ
て、色素に対して溶剤として機能しつる限り任意の化合
物を用いることかできる。
本発明において、上記フッ素含有化合物は単独で溶剤と
して用いてもよいか、他の溶剤を併用することにより混
合溶剤として用いてもよい。
して用いてもよいか、他の溶剤を併用することにより混
合溶剤として用いてもよい。
本発明においては、記録層形成用塗布液を基板上に15
℃以下の温度で塗布することか必要である。従って、前
記のような色素及びその他の各種添加剤を溶解して上記
塗布液を調製したとき、上記塗布液が塗布のために必要
な流動性を有するように、上記溶剤の凝固点などを考慮
して溶剤を選定することか必要である。
℃以下の温度で塗布することか必要である。従って、前
記のような色素及びその他の各種添加剤を溶解して上記
塗布液を調製したとき、上記塗布液が塗布のために必要
な流動性を有するように、上記溶剤の凝固点などを考慮
して溶剤を選定することか必要である。
記録層形成用塗布液中にはさらに酸化防止剤、UV吸収
剤、可塑剤、滑剤、網脂なと各種の添加剤を目的に応し
て添加してもよい。
剤、可塑剤、滑剤、網脂なと各種の添加剤を目的に応し
て添加してもよい。
記録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤に
対する色素の比率は一般にO01〜99%(重量比)の
範囲にあり、好ましくは1.0〜95%(重量比)の範
囲にある。
対する色素の比率は一般にO01〜99%(重量比)の
範囲にあり、好ましくは1.0〜95%(重量比)の範
囲にある。
記録層形成用溶液の塗布方法としては、スプレー沃、ス
ピンコード7去、ティップ7去、ロールコート法、プレ
ートコート法、ドクターロール7去、スクリーン印刷法
などを挙げることかてきる。本発明において特に好まし
い上記塗布方法は、スピンコード法である。
ピンコード7去、ティップ7去、ロールコート法、プレ
ートコート法、ドクターロール7去、スクリーン印刷法
などを挙げることかてきる。本発明において特に好まし
い上記塗布方法は、スピンコード法である。
記録層は単層でも重層でもよいか、その層厚は般に0.
01μm〜2μmの範囲にあり、好ましくは0.02〜
0.8μmの範囲にある。また、記録層は基板の片面の
みならす両面に設けられていてもよい。
01μm〜2μmの範囲にあり、好ましくは0.02〜
0.8μmの範囲にある。また、記録層は基板の片面の
みならす両面に設けられていてもよい。
本発明において、J−記記録層を形成させる際の温度条
件は特に限定されないが、基板上に上記記録層形成用溶
液を塗布して塗膜を形成し、形成された塗膜を乾燥して
記録層を基板上に形成するまての処理を、15℃以下の
温度、好ましくは10℃以下の温度で行なうことか好ま
しい。上記処理の温度の下限は、上記記録層形成用溶液
の基板上への塗布が可能であり、上記溶液中に色素及び
その他の添加物が析出しないで均一な溶液状態を維持し
得る限り特に限定されない。しかしながら、上記温度が
低すぎると、上記溶液の流動性が低下し厚さの均一性が
低下したり、塗膜の乾燥時間が長くなるので、−数的に
使用する溶剤の融点よりも10℃以上、特に20℃以上
の温度であることか好ましい。
件は特に限定されないが、基板上に上記記録層形成用溶
液を塗布して塗膜を形成し、形成された塗膜を乾燥して
記録層を基板上に形成するまての処理を、15℃以下の
温度、好ましくは10℃以下の温度で行なうことか好ま
しい。上記処理の温度の下限は、上記記録層形成用溶液
の基板上への塗布が可能であり、上記溶液中に色素及び
その他の添加物が析出しないで均一な溶液状態を維持し
得る限り特に限定されない。しかしながら、上記温度が
低すぎると、上記溶液の流動性が低下し厚さの均一性が
低下したり、塗膜の乾燥時間が長くなるので、−数的に
使用する溶剤の融点よりも10℃以上、特に20℃以上
の温度であることか好ましい。
上記の処理を上記の温度で行なうことにより、従来の室
温(一般に25℃)又はそれ以上の温度て上記処理を行
なって製造した情報記録媒体に比へて、反射率が著しく
増加した情報記録媒体を製造することができる。
温(一般に25℃)又はそれ以上の温度て上記処理を行
なって製造した情報記録媒体に比へて、反射率が著しく
増加した情報記録媒体を製造することができる。
記録層形成用溶液の塗布の際の温度(又は温度範囲)と
、形成された塗膜の乾燥の際の温度(又は温度範囲)と
は必ずしも同じにする必要はないか、画処理は一般に同
し装置を使用して連続して行なわれるので、両者を同し
温度(又は温度範囲)にすることか操作上便利である。
、形成された塗膜の乾燥の際の温度(又は温度範囲)と
は必ずしも同じにする必要はないか、画処理は一般に同
し装置を使用して連続して行なわれるので、両者を同し
温度(又は温度範囲)にすることか操作上便利である。
本発明により製造される情報記録媒体の記録層内又はこ
れに隣接する層内には、色素の劣化を防ぐため、酸化防
止剤若しくは褪色防止剤を存在させてもよい。
れに隣接する層内には、色素の劣化を防ぐため、酸化防
止剤若しくは褪色防止剤を存在させてもよい。
本発明により製造される情報記録媒体の記録層の上には
、更に反射層を設けてもよい。
、更に反射層を設けてもよい。
反射層の材料である光反射性物質はレーザー光に対する
反射率が高い物質であり、その例としては、Mg、Se
、Y、Ti、Zr、Hf、V。
反射率が高い物質であり、その例としては、Mg、Se
、Y、Ti、Zr、Hf、V。
Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co
、Ni、Ru、Rh、Pd、I r、Pt、Cu、Ag
、Au、Zn、Cd、All。
、Ni、Ru、Rh、Pd、I r、Pt、Cu、Ag
、Au、Zn、Cd、All。
Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、B
iなどの金属及び半金属を挙げることができる。これら
のうちで好ましいものはAu、AIL、Cr及びNiで
ある。これらの物質は単独て用いてもよいし、あるいは
二種以上の組合せで又は合金として用いてもよい。
iなどの金属及び半金属を挙げることができる。これら
のうちで好ましいものはAu、AIL、Cr及びNiで
ある。これらの物質は単独て用いてもよいし、あるいは
二種以上の組合せで又は合金として用いてもよい。
反射層は、たとえば上記光反射性物質を蒸着、スパッタ
リンク又はイオンブレーティングすることにより記録層
の上に形成することができる。反射層の層厚は一般には
100〜3000大の範囲にある。
リンク又はイオンブレーティングすることにより記録層
の上に形成することができる。反射層の層厚は一般には
100〜3000大の範囲にある。
本発明により製造される情報記録媒体の記録層(又は反
射層)の上には、情報記録媒体全体を物理的及び化学的
に保護する目的で保護層か設けられても良い。また、こ
の保護層は、基板の記録層か設けられていない側にも耐
傷性、耐湿性を高める目的で設けられてもよい。
射層)の上には、情報記録媒体全体を物理的及び化学的
に保護する目的で保護層か設けられても良い。また、こ
の保護層は、基板の記録層か設けられていない側にも耐
傷性、耐湿性を高める目的で設けられてもよい。
保護層に用いられる材料の例としては、無機物質として
は、S j O,S i 02 、S i3N4、Mg
Fz、5no2等を挙げることかできる。また、有機物
質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、UV硬化性
樹脂等を挙げることかでき、好ましくはUV硬化性樹脂
である。
は、S j O,S i 02 、S i3N4、Mg
Fz、5no2等を挙げることかできる。また、有機物
質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、UV硬化性
樹脂等を挙げることかでき、好ましくはUV硬化性樹脂
である。
保護層は、たとえばプラスチックの押出加工で得られた
フィルムを接着層を介して色素記録層のLにラミネート
することにより形成することができる。あるいは真空蒸
着、スパッタリング、塗布等の古注により設けられても
よい。また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、
これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのち、
この塗布酸を塗布し、乾燥することによっても形成する
ことかできる。UV硬化性樹脂の場合には、そのまま若
しくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのちこの
塗布液を塗布し、U■光を照射して硬化させることによ
っても形成することができる。UV硬化性樹脂としては
、ウレタン(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)ア
クリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート等の(
メタ)アクリレートのオリゴマー類、(メタ)アクリル
酸エステル等のモノマー類等さらに光重合開始剤等の通
常のUV硬化性樹脂を使用することかできる。これらの
塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、UV吸収
剤等の各種添加剤を目的に応して添加してもよい。
フィルムを接着層を介して色素記録層のLにラミネート
することにより形成することができる。あるいは真空蒸
着、スパッタリング、塗布等の古注により設けられても
よい。また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、
これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのち、
この塗布酸を塗布し、乾燥することによっても形成する
ことかできる。UV硬化性樹脂の場合には、そのまま若
しくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのちこの
塗布液を塗布し、U■光を照射して硬化させることによ
っても形成することができる。UV硬化性樹脂としては
、ウレタン(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)ア
クリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート等の(
メタ)アクリレートのオリゴマー類、(メタ)アクリル
酸エステル等のモノマー類等さらに光重合開始剤等の通
常のUV硬化性樹脂を使用することかできる。これらの
塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、UV吸収
剤等の各種添加剤を目的に応して添加してもよい。
保護層の層厚は一般には0.1〜100μmの範囲にあ
る。
る。
本発明において、情報記録媒体は上述した構成からなる
単板であってもよいが、あるいは更に上記構成を有する
二枚の基板を記録層が内側となるように向い合わせ、接
着剤等を用いて接合することにより、貼合せタイプの記
録媒体を製造することもできる。あるいはまた、二枚の
円盤状基板のうちの少なくとも一方に上記構成を有する
基板を用いて、リング状内側スペーサとリンク状外側ス
ペーサとを介して接合することにより、エアーサンドイ
ッチタイプの記録媒体を製造することもできる。
単板であってもよいが、あるいは更に上記構成を有する
二枚の基板を記録層が内側となるように向い合わせ、接
着剤等を用いて接合することにより、貼合せタイプの記
録媒体を製造することもできる。あるいはまた、二枚の
円盤状基板のうちの少なくとも一方に上記構成を有する
基板を用いて、リング状内側スペーサとリンク状外側ス
ペーサとを介して接合することにより、エアーサンドイ
ッチタイプの記録媒体を製造することもできる。
本発明により製造される情報記録媒体への情報の記録は
、一般にレーザ(例えば半導体レーザ、He−Neレー
ザなと〉なとのスポット状の高エネルギービームを基板
を通しであるいは基板と反対側より記録層に照射するこ
とにより行なわれ、記録層に吸収された光が熱に変換さ
れ、記録層にピットなどが形成される。本発明において
は、レーザー光は750〜860nmの範囲に発振波長
を有する半導体レーザーから放射される光を使用し、記
録は回転下の上記本発明の情報記録媒体に該レーザー光
を照射することによって行なわれる。
、一般にレーザ(例えば半導体レーザ、He−Neレー
ザなと〉なとのスポット状の高エネルギービームを基板
を通しであるいは基板と反対側より記録層に照射するこ
とにより行なわれ、記録層に吸収された光が熱に変換さ
れ、記録層にピットなどが形成される。本発明において
は、レーザー光は750〜860nmの範囲に発振波長
を有する半導体レーザーから放射される光を使用し、記
録は回転下の上記本発明の情報記録媒体に該レーザー光
を照射することによって行なわれる。
また情報の読み出しはレーザ光を記録の閾値エネルキー
以下の低出力で照射し、ピット部とビットが形成されて
いない部分の反射光量若しくは透過光量の変化を検出す
ることにより行なわれる。
以下の低出力で照射し、ピット部とビットが形成されて
いない部分の反射光量若しくは透過光量の変化を検出す
ることにより行なわれる。
以下に、本発明の実施例及び比較例を記載する。たたし
、これらの各側は本発明を制限するものではない。
、これらの各側は本発明を制限するものではない。
以下)?;臼
[実施例1]
前記色素(2):
C2H40C2H5C2H,0C2H9ci1.o、−
1,6gとポリ−n−ブチルメタクリレート(平均分子
量: 50,000)0.4gとを、2゜2.3.3−
テトラフルオロ−1−プロパツール100m1に溶解し
て記録層形成用塗布液を調製し、10℃に維持した。
量: 50,000)0.4gとを、2゜2.3.3−
テトラフルオロ−1−プロパツール100m1に溶解し
て記録層形成用塗布液を調製し、10℃に維持した。
円盤状のポリカーボネート基板(外径=120mm、内
径:15mm、厚さ:1.2mm、トラック幅=1.0
μmニドラックピッチ:1,6μm、グループの深さ:
5OOX)を用意し、10℃に維持した。
径:15mm、厚さ:1.2mm、トラック幅=1.0
μmニドラックピッチ:1,6μm、グループの深さ:
5OOX)を用意し、10℃に維持した。
スピンコード装置の室内に上記基板をセットし、室内に
10℃に維持した窒素ガスを流通させナカラ、基板上に
、E記塗布液をスピンコード法により、回転数300
rpn+の速度で5秒間塗布した後、続いて同温度で回
転数1000 rpmの速度で30秒間乾燥して、膜厚
かt oooXの記録層を形成した。
10℃に維持した窒素ガスを流通させナカラ、基板上に
、E記塗布液をスピンコード法により、回転数300
rpn+の速度で5秒間塗布した後、続いて同温度で回
転数1000 rpmの速度で30秒間乾燥して、膜厚
かt oooXの記録層を形成した。
このようにして、基板及び記録層からなる情報記録媒体
を製造した。
を製造した。
使用した色素子ツマ−の吸収極大波長は、6920m(
メタノール中)であり、製造された情報記録媒体の記録
層の吸収極大波長は、830nmてあった。なお、この
吸収極大波長は、日立分光光度計13410(5°正反
射測定装置付属)によって測定した。
メタノール中)であり、製造された情報記録媒体の記録
層の吸収極大波長は、830nmてあった。なお、この
吸収極大波長は、日立分光光度計13410(5°正反
射測定装置付属)によって測定した。
また、製造直後の情報記録媒体及びこの情報記録媒体を
温度80℃、湿度80%RHの恒温恒湿槽内に24時間
放置した後の情報記録媒体のそれぞれについて、溝尻光
学工業社製反射率計を使用して780nmで反射率を測
定した。
温度80℃、湿度80%RHの恒温恒湿槽内に24時間
放置した後の情報記録媒体のそれぞれについて、溝尻光
学工業社製反射率計を使用して780nmで反射率を測
定した。
その結果を第1表に示す。
〔実施例2〕
ポリー〇−ブチルメタクリレートの代わりにポリ−1s
o−ブチルメタクリレート(平均分子jil:50.o
oo)を同量使用して記録層形成用塗布液を調製した他
は、実施例1におけると同様にして情報記録媒体を製造
した。
o−ブチルメタクリレート(平均分子jil:50.o
oo)を同量使用して記録層形成用塗布液を調製した他
は、実施例1におけると同様にして情報記録媒体を製造
した。
実施例1におけると同様にして測定した、この情報記録
媒体の反射率を第1表に示す。
媒体の反射率を第1表に示す。
〔実施例3〕
ポリ−n−ブチルメタクリレートの代わりに、n−ブチ
ルメタクリレートと1so−ブチルメタクリレートとの
等モル比共重合体(平均分子量=50.000)を同量
使用して記録層形成用塗布液を調製した他は、実施例1
におけると同様にして情報記録媒体を製造した。
ルメタクリレートと1so−ブチルメタクリレートとの
等モル比共重合体(平均分子量=50.000)を同量
使用して記録層形成用塗布液を調製した他は、実施例1
におけると同様にして情報記録媒体を製造した。
実施例1におけると同様にして測定した、この情報記録
媒体の反射率を第1表に示す。
媒体の反射率を第1表に示す。
〔実施例4〕
ポリ−n−ブチルメタクリレートの代わりに、セルロー
スアセテート(平均分子量:50,000、アセチル化
度:60%)を同量使用して記録層形成用塗布液を調製
した他は、実施例1におけると同様にして情報記録媒体
を製造した。
スアセテート(平均分子量:50,000、アセチル化
度:60%)を同量使用して記録層形成用塗布液を調製
した他は、実施例1におけると同様にして情報記録媒体
を製造した。
実施例1におけると同様にして測定した、この情報記録
媒体の反射率を第1表に示す。
媒体の反射率を第1表に示す。
〔比較例1〜7〕
ポリ−n−ブチルメタクリレートを使用しないか(比較
例1)、ポリ−n−ブチルメタクリレートの代わりに、
ポリビニルホルマール(比較例2)、ポリジアリルフタ
レート(比較例3)、ポリ−4,4−ジプロポキシ−2
,2−ジフェニルプロパンフマレート(比較例4)、ポ
リビニルピロリドン(比較例5)、N−ヒニルピロリト
ン/ヒニルアセテート共重合体(比較例6)を同量使用
して記録層形成用塗布液を調製した他は、実施例1にお
けると同様にして情報記録媒体を製造した。
例1)、ポリ−n−ブチルメタクリレートの代わりに、
ポリビニルホルマール(比較例2)、ポリジアリルフタ
レート(比較例3)、ポリ−4,4−ジプロポキシ−2
,2−ジフェニルプロパンフマレート(比較例4)、ポ
リビニルピロリドン(比較例5)、N−ヒニルピロリト
ン/ヒニルアセテート共重合体(比較例6)を同量使用
して記録層形成用塗布液を調製した他は、実施例1にお
けると同様にして情報記録媒体を製造した。
実施例1におけると同様にして測定した、この情報記録
媒体の反射率を第1表に示す。
媒体の反射率を第1表に示す。
第1表
記録媒体(比較例1)に比較して反射率か殆と低下せず
、温度80℃、湿度80%RHの恒温恒湿槽内に24時
間放置する耐久試験の後でも、反射率は実質的に低下し
ていないのに対して、各比較例で得られた情報記録媒体
は、製造直後の反射率は比較的高いものの、耐久試験後
の反射率は著しく低下しており耐久性の劣ったものであ
り、本発明のポリブチルメタクシレート又はセルロース
アセテートを記録層に含む情報記録媒体か優れた耐久性
を有するものであることか明らかである。
、温度80℃、湿度80%RHの恒温恒湿槽内に24時
間放置する耐久試験の後でも、反射率は実質的に低下し
ていないのに対して、各比較例で得られた情報記録媒体
は、製造直後の反射率は比較的高いものの、耐久試験後
の反射率は著しく低下しており耐久性の劣ったものであ
り、本発明のポリブチルメタクシレート又はセルロース
アセテートを記録層に含む情報記録媒体か優れた耐久性
を有するものであることか明らかである。
Claims (1)
- 1。基板上に、レーザ光による情報の記録及び/又は再
生が可能な色素を含む記録層が設けられた情報記録媒体
であって、該記録層が、水不溶性又は水難溶性の色素モ
ノマーの会合体、及びポリブチルメタクリレート又はセ
ルロースアセテートを含み、且つ該色素モノマーの吸収
極大波長より50nm以上長く740〜900nmの範
囲の波長領域内に入る吸収極大波長を有することを特徴
とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2073986A JPH03274184A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2073986A JPH03274184A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03274184A true JPH03274184A (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=13533943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2073986A Pending JPH03274184A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03274184A (ja) |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP2073986A patent/JPH03274184A/ja active Pending
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