JPH0327394B2 - - Google Patents
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Description
本発明は情報が媒質上に焦点を合わせたレーザ
ーによつて光学的に記録されるべき記録系に関
し、そして特に媒質は露光後直ちに再生のために
利用できる、即ち記録後直読（direct−read−
after−write）であるので露光後に現像を必要と
しないような系に関する。 光学的記録、即ち焦点を合わせた光線を使用す
る情報の記録と再生はずつと昔に初めて提案され
たが、それにはそのような概念を現実の商品とす
るための低原価で実際的なレーザーの開発が必要
であつた。今日では、より敏感な媒質、より高い
解像力を有する媒質、物理的不整を持つた複写を
する改良された能力を有する系、等を開発する狙
いの巨大な額が研究および開発に投資されそして
投資されつつある。光学的記録に対する多くの競
争媒質において技術の現状を反映するものの有益
な論評がR.A.バルトリニ（Bartolini）等による
「光学円盤系エネルギー」の論文、IEEE
Spectrum、15巻、８号、20−28頁、1978年８月
が22頁に提出されそれには種々の候補物質および
媒質の比較表が示されている。 米国特許第4069487号（カサイ「Kasai」等）
はその中に穴またはくぼみを気化または溶融によ
つて形成すべき記録層はレーザー光線を能率的に
吸収する非金属物質で構成されることを示唆する
のでこれはまた本発明と関係がある。代表的非金
属物質は無機酸化物、カルコゲン化合物および樹
脂を含と称され、比較的高感度物質には酸化鉛、
酸化タングステン、酸化チタン、酸化珪素、酸化
ジルコニウム、およびこれに類するものを含むこ
とが示唆されている。それらのあるものは下文で
定義するように耐火物と称することができるので
これらの酸化物の融点はそれぞれおよそ1160K、
1740K、2110K、1980Kおよび2970Kであると信
じられる。そのような酸化物は、WO3の300nｍ
層が沈積されたそれの実施例４のように、ならび
に金属層と積層される場合にはAuの100nｍの厚
層の最上部に60nｍのTiO2の厚層が沈積された実
施例４のように、単独で光−吸収層として使用し
うると云われる。その文献の関連する図では記録
中に形成される凹みまたは穴はそのような積層構
造を通つて広がりその下の支持体を露出させるよ
うに描く。このようにこの特許は記録中に突起の
生成を示唆するのに完全に失敗している。 Ti、Fe、Cr、Mn、PbおよびZrの酸素不足酸
化物を含む光学的記録媒質が英国特許第1571948
号中に開示されたが、そこではレーザー光線の下
での記録は屈折率に局部的変化を生じると云つて
いる。これらの酸化物のあるものは同様に満足す
べきものと思われるにもかゝわらず、この特許は
何等突起形成の示唆を含まない。 焦点を合わせたレーザー光線の使用について上
に述べた文献中で検討された種々の媒質は総て光
−吸収層を含みこの層はレーザー光線から吸収さ
れた光の結果として局部的に溶融しまたは気化
し、従つてくぼみまたは穴の形で情報貯蔵を提供
する。これと対照的に本発明の媒質は支持体およ
びそれに隣接して光−吸収層を含みそこでは光−
吸収層は非晶質炭素、ほう素または珪素、または
それらの間の合金から選ばれる耐火性物質を含
み、60nｍよりも少ない厚さを有し、そして集中
したレーザー光線による衝突の結果生じる局限的
加熱に際して可塑的変形を許容するのに十分な可
塑性をして局限的突起の形成を可能にしこれは引
続き光学的に検出することができる。好ましい実
施態様の一つにおいては、媒質は支持体と光−吸
収層との間に反射層を含み、そこでは吸収層の全
光学的厚さは変形しない状態においては光に干渉
的で、実質的に抗反射的構造であり、そして引き
続き形成される突起は明らかに増加した有効な光
学的厚みを有するようなものである。そのような
反射層は、例えば、Al、Cr、Cu、Au、Ag、不
錆鋼またはTiの薄いフイルムであろう。 別の実施態様においては、光−吸収層の下に光
学的間座（spacer）層を置くことができ、そして
これと組合わせて光干渉的抗反射的構造を与え
る。しかし好ましくはそのような間座層は反射層
と光−吸収層との間に挾まれて能率的な光−吸収
三層構造を形成しこれは最適の感度を示す。その
ような構造は、例えば、望ましくは多干渉倍数
（multiple interferometric orders）を示すため
に形成される。 本発明の操作の理論に縛られるものではない
が、本発明の媒質中における焦点を合わせたレー
ザー光線による記録中の突起の形成はレーザー光
線によつて衝突したときに局限的区域におけるガ
スの存在の結果起るものと信じられている。従つ
て、例えば、媒質は望ましくは上に述べた光学的
間座層としてレーザー光線衝突中に生じる局限的
加熱に際して容易にガスを与える物質を含む。分
離されたガス−発生または供給層が好ましいと信
じられているけれども、その目的に対しては分離
層でなくてもガスが供給されることも認められて
いる。例えば、支持体、反射層、等何れの部分的
分解によつても十分なガスが発生するであろう。 本発明の別の特徴は情報を記録する方法に見出
され、そこでは第一に前に記載した媒質、即ち局
限的加熱に際して可塑的変形を許容するのに十分
な可塑性を有する60nｍよりも少ない厚さを有す
る耐火性物質を含むものを用意する。次いで限定
されるが十分な力を有する集中させたレーザー光
線に十分な時間媒質を露光して局限的区域にそれ
から光を吸収させ光−吸収層の表面上に多数の光
学的に検知できる突起を形成し、その突起はその
中に記録された情報の原型を再現させる。 本発明の特に望ましい特徴は突起がかなりの高
さを有し、従つて直接的にも光学的にも検知でき
る情報記録を形成し、それによつて記録の用途を
記録後直読に適用することを可能になし、そして
またこれから直接複製品をつくるマスター記録と
して使用できることである。さらに次の工程で突
起を有する面を重合体状物質またはその先駆物質
と接触させて重合体状物質の表面に前記の突起原
型の複製物を形成させることによつてそのような
複製品を作ることができる。 第１図を参照すると、好ましい実施態様に従つ
た記録媒質１０が支持体１２を含みその上に反射
層１４が沈積しそれを覆つて光学的間座１６があ
り、それの最上部に光−吸収層１８が沈積する。
レーザー光線２０はその上に記録すべき情報に従
つて調節されて記録媒質に適用され、そして照射
された部分２２は変形してきて記録された情報の
再現である突起を形成する。 本発明の種々の実施態様においては各種の層の
厚みは著しい範囲にわたつて変化するであろう。
従つて第１図においては反射層１４は比較的薄
く、例えばおよそ30nｍ厚味の蒸着したアルミニ
ウムの層が示され、一方光学的間座層１６は明ら
かにより厚く、例えばおよそ250nｍ厚味のアク
リラートポリマーの層であり、そして光−吸収層
１８または比較的薄く、例えば、非晶質炭素の沈
積したフイルムで、およそ15nｍの厚味である。 別の実施態様において、それぞれの層の厚さを
第２図中に示すことができ、そこでは支持体２４
はおよそ３ナノメーターの厚さを有するようなチ
タニウムの亜酸化物のような下塗り層２６をその
上に最初に沈積させて有するのを示す。下塗り層
の最上部には次いで第１図に示される30nｍ厚さ
のアルミニウム層のような反射層２８が沈積され
る。反射層２８の上にかぶせた光学的間座層３０
もまたアクリルポリマーでよいがこの実施態様に
おいてはわずかにおよそ30nｍの厚さしか有しな
い。最後に、実施例１と同様に、光−吸収層３２
は再びおよそ15ナノメーターの厚さを有する炭素
の薄いフイルムでよい。 第１図および２図の双方に示されるように、光
学的間座層および光吸収層のそれぞれの厚さは望
ましくは組合わせて有効な光学的厚さが干渉的性
質を有し与えられる波長において最大光学的吸収
を示す抗反射構造を生じるように適応させる。第
１図に示される特殊な実施態様において、光学的
間座層１６は吸収層１８との関係において520お
よび1560nｍにおいて最小反射を示すように調節
された。対照的に、第２図に示される間座と吸収
層の相対的寸法はおよそ500ナノメーターにおい
て単独反射最小を示すようにしてある。双方の場
合に、これらの層の組合わせによつて得られる有
効な光学的厚さは最小反射を与え従つておよそ
500ナノメーターの入射波長において最大吸収を
与えるように選ばれる。 前に認められた参考文献中に記載された媒質と
は対照的に、本発明の媒質はレーザー光線の衝突
に基づく局限加熱に際して変形を許容するほど十
分な可塑化度を有する程充分に薄い耐火性物質を
含む光吸収層を利用する。この事は順に局部化し
た集中させたレーザー光線に対する露光に際して
突起または気泡の生成を可能になし、これは先行
技術の引用文における穴またはくぼみの形成とは
対照的である。この作用は第３図中に示されてお
り、そこでは第２図のものと同様の媒質がこのよ
うに露光されそして突起３８の形成を生じて光学
的間座層３０から別れそれとの間にガス充満帯域
４０を形成する。第３図中にさらに示されるよう
に、突起３８の水平寸法は典型的には１ミクロン
級の寸法を有する。突起の中心部分は切除した
が、第３図はそれぞれの層の相対的寸法をこのよ
うに比率で示す。 本発明の突起−形成媒質は突起が容易に光学的
に検知できる点において穴−、またはくぼみ−形
成媒質よりも勝つている。媒質が抗反射的干渉的
寸法を有するように構成する場合には、生じた突
起は抗反射的特徴を破壊する。特に、最突出部は
望ましくは第３図中に示されるようにおよそ
120nｍほどの高さであり、これは破壊された不
変形区域において通常得られる最低反射であるば
きりでなく、突起の最突出部において得られる干
渉的反射の最大であり、このようにして未変形区
域と突起区域間に最も望ましい高担体対騒音
（carrier−to−noise）比率を生じさせる。 高担体対騒音比率は本発明の媒質の特徴である
ことが判明し、これは比較できる穴またはくぼみ
形成媒質に対して観察されるものよりも典型的に
10から15デシベル（db）多い。この予期しなか
つた結果は特に先行技術媒質中に形成される穴ま
たはくぼみを含む不規則な形および破片とは反対
に均一に変る突起の輪郭に基づくものと信じられ
る。 上に記載したように、突起の生成は光−吸収層
の低部表面における境界面にガスが発生するため
と信じられる。従つて好ましくは吸収層の下に備
えられる光学的間座層は局限的加熱に際して容易
にガスを放出する物質から選ばれる。従つてその
層用に選ばれる望ましい物質には後文の実施例中
に述べられるような種々の方法で沈積されまたは
適用することができるアクリラートポリマー、ポ
リスチレン、およびこれに類する物質のような有
機物質を含む。重合体状物質はそれらの低い伝導
率および熱拡散率性質および低温度において容易
にガスを放出するそれらの能力に対して好まれる
が、種々の無機物質も使用できることが認められ
る。例えば、AlおよびSiO2の沈澱させた層は満
足すべきガス供給者であることが判明した。その
ような層は充分な量の化学的にまたは物理的に吸
着された物質をその表面に含みこれは局限的加熱
に際してガスに転化されるであろう。 間座層が構成される特定物質に関係なく、間座
層は下に横たわる反射性にした層からの反射を最
大にするために透明であつてよく、または別法と
して間座層内の吸収層を通過して照射の吸収を促
進するために染色しそしてそれによつてその中に
ガス状生成物の生成を最大にすることがさらに認
められる。 本発明の媒質中に利用される光−吸収層は耐火
性物質、即ち、高融点を有する物質を含む。本発
明の目的に対して、そのような物質は1700ケルビ
ン（Kelvin）において固体状態のものと定義す
ることができる。従つてもしも耐火性物質が現実
に溶融せず、むしろ昇華すれば、「融点」の言葉
はその物質がそれ以上は固体の状態で存在しない
温度を単に示す。そのような媒質と対照的に、先
行技術の穴またはくぼみ形成媒質は比較的低温度
において溶媒することが要求され、その物質が気
化しまたは破壊されて可及的低エネルギー水準で
穴またはくぼみを形成するためにその温度は低け
れば低いほど良い。本発明においては、耐火物質
は溶融せずに変形し、そしてその融点が高ければ
高いほど良く、最も高い融点の物質は典型的に記
録幅は最高の範囲を示すことが判つた。それ以上
に、そのような物質は典型的に高度の化学的安定
性を示す。この事は媒質が長時間の露光に亘つて
実質的に同一度合の感度を保有し、従つて延長し
た時間に亘つて引き続く記録を可能にする点にお
いて素晴しいことである。同様に、媒質の光学的
特性は、最大および最小の反射の形の記録された
情報は引き延ばされた時間および露出に亘つて実
質的に不変のままであるように著しく変化はしな
い。高い融点の耐火性物質はこのように好ましい
けれども、或る種の珪化物のような低融点耐火性
物質もそれらが塗布し易く、安定である、等のた
めに好ましいことが認められる。 従つて本発明の種々の実施態様において、光吸
収層に使われる耐火性物質は好ましくは非晶質炭
素、ほう素、または珪素、またはそれらの間の合
金である。多少広い意味においては、耐火性物質
はさらにHf、Nb、Ta、Ti、ＷおよびZrのほう
化物、Ｂ、Hf、Ta、TiおよびZrの窒化物、Al、
Hf、Nb、Ta、Ti、Ｖ、ＷおよびZrの炭化物お
よびCe、Hf、Mg、ThおよびZrの酸化物、即ち
3000Kよりも高い融点を有するこれらのほう化
物、窒化物、炭化物および酸化物、およびNb、
Ta、TiおよびＷの珪化物、即ち2300Kより以上
の融点を有するこれらの珪化物を含む群から選ば
れるであろう。 さらに広い意味においては、耐火性物質は既知
の耐火性化合物、合金、固溶液、およびこれに類
するもの、二元の、三元のもの、等の広い表から
選ぶことができる。特に種々の量の炭素および酸
素を含むであろうそのような多−成分組成物は好
ましいものとして知られる。 光学的記録用三層構造の支持体への接着を促進
することは望ましいが、一方同時に環境安定性お
よび結果として生じる媒質の均質の改良も望まし
い。その目的のために、第２および３図中に示さ
れるような核形成または接着促進層を用意するこ
とは望ましい。そのような層は不完全な洗滌また
は均一でない支持体のための不均一粘着係数によ
つてしばしば引き起こされる記録物質のよごれた
不均一沈澱を防ぐ。 本発明のさらに望ましい特徴は外部表面上に形
成される多数の突起の形で情報が記録されている
媒質を、突起を含んでいる表面を重合体状物質ま
たはその先駆体と接触させて突起原型の複製物を
その重合体状物質の表面に形成することによつて
直接複製しうることである。好ましい実施態様で
は、そのような複製物は好ましくは液体樹脂のビ
ーズを突起を有する表面上にロール塗布しそして
引続きこれをその場で硬化させ、その後で付着し
た樹脂層をマスター表面から除去することによつ
て作られる。記録された媒質をマスターとして使
用することを可能にする程突起は充分機械的に安
定なことがさらに判明したがその場合には突起表
面は軟化させた重合体状シートに着接押しつけら
れる。その結果生じた複製物の情報を帯びた表面
は当初に形成された情報記録中の突起に相当する
表面の小さいくぼみまたはひつこみを有すること
を特徴とする。もしも複製物を反射方式
（reflectivemode）中で再生すべきときには、そ
の表面は薄い金属反射層によつて被覆することが
望ましいであろう。 第４図はアクリラート樹脂４２で作りその中に
多数の突起を押しつけて小さいくぼみ４４を形成
し、その上に20nｍの金のフイルムを蒸着させて
走査顕微鏡写真を可能にさせた第２および３図中
に示された媒質のそのような複製物の断面の電子
顕微鏡写真である。複製物はマスター情報記録中
につくられた突起に相当する小くぼみの一つの直
径に沿つて切断した。そこに見られるように、生
じた小くぼみの直径はおよそ１マイクロメーター
であり、そしてそこの深さ、即ち当初の突起の高
さはおよそ120nｍである。小くぼみは当初の突
起と同様に極めて滑らかな輪郭を特徴とし、この
ようにして高い担体対騒音比率を与え、同時に極
めて容易な模写を確保する。 反射層、間座層、および吸収層を含みそれによ
つて干渉的寸法を与える三層構造は或る種の実施
態様には好ましいであろうが、二層および単層構
造も同様に利用することができる。従つて、例え
ば、本発明に従つて組み立てられた突起形成媒質
は支持体、好適な屈折率の間座層、およびそれら
を覆つた光−吸収層を含む。そのような実施態様
においては、間座層と吸収層が組合わせて考えら
れる場合には間座層の屈折率は適切な干渉寸法を
与えるように選ばれる。入射する輻射は従つて透
明支持体を通つて間座層および吸収層に導かれる
であろう。別法の二層構造は反射性にした層をそ
の上に有する支持体および反射性にした層に直接
適用した吸収層を含むことができる。この場合に
は吸収層の屈折率およびその等価の光学的厚さは
反射性にした層と共に考える場合には干渉寸法を
与えるように適応させる。 本発明の媒質のさらに別の構造は支持体に直接
適用した単独の吸収層を含むことができる。二層
構造の場合のように、そのような層は望ましくは
吸収を最大にしそして反射を最少にするように等
価光学厚みを有するように層を選ぶ。 上に記した種々の実施態様の総ての共通の特徴
は光−吸収層がレーザー光線の局部化した衝突に
際して吸収層の下の表面とその下の層の間の境界
面におけるガス状生成物の形成の結果として吸収
層の中に突起が形成されるほど十分な可塑度を有
する耐火性物質から選ばれることである。 光−吸収層の最適な厚さは選ばれる物質の固有
の性質並びに生じる記録用媒質に与えられる個々
の用途に応じて変化する。典型的にはそのような
厚さは望ましくは60nｍ以下にそしておよそ５ナ
ノメーター以上に保たれる。もしもそのような層
がおよそ60nｍを越え、100nｍ程度になれば、耐
火物質の大半の性質が支配的になり始め、そして
層は妥当なエネルギー水準における突起の形成に
必要な必須の可塑度を失い、または十分に脆くな
り突起とは反対に割れて穴またはくぼみを形成す
るようになる。その上、表面からの反射能は大部
分の物質との関係で増加し、そして吸収層と間座
層との組合わせの結果得られる望ましい干渉的性
質は失なわれ、それと共に感度も減少する。厚み
範囲の他方の側において、もしも材料の厚さがお
よそ５ナノメーターよりも少なくなると、能率的
な光学的吸収は失なわれ、そして材料は機械的に
安定な突起の生成を妨げるほど脆くなる。両極端
において、生じる担体対騒音比率は望ましい範囲
から得られるものよりも著しく低い。吸収層とし
て炭素を利用する場合には、厚さの好ましい範囲
は7.5−30nｍであることが判明した。 以下の実施例を参照することによつて本発明は
より容易に理解されるであろう。しかし、これら
の実施例は元来単に例解的のものであり従つて本
発明の範囲を限定するものと解すべきではない。 実施例 １ 支持体として直径約35cmで約１cmの厚さの光学
的に磨いたガラス円盤を選んだ。ガラス容器中の
トリクロロエチレン／アセトンの混合物中に浸漬
することによつてガラス円盤を完全に脱脂および
脱ワツクスした。ガラス円盤は次いでアセトン、
エタノール（200プルーフ）および脱イオン水に
よつて遂次吹付け洗滌した。 上の洗浄および熱超音波に対する準備に引き続
き、ガラス円盤を流下水で温めて熱衝撃を軽減さ
せた。ゴムの詰物を使用して、次いでガラス円盤
の超音波清浄器中に置きそして400ml／40の市
販洗剤と脱イオン水混合物中で高温度において30
分間超音波的に洗浄した。超音波洗浄器から取り
出したときに、清浄な比較的柔かい自由表面で、
軽く木綿ガーゼと洗剤で洗いそして脱イオン水で
ゆすいだ上に円盤を平に置いた。次いでガラス円
盤を平らな表面が僅かに傾くように三脚台上に置
いた。ガラス円盤の別の完全なゆすぎを過した
脱イオン水により続いてエタノール（200プルー
フ）によつて達成した。次いでこの円盤を過し
た窒素ガスによつて吹き乾かした。 次にチタニウムの亜酸化物の薄層を清浄なガラ
ス円盤上に蒸着させて核化、接着促進層として機
能させた。その層はアルゴン、水蒸気、および酸
素の雰囲気中でTiのターゲツトから磁気の協力
による蒸着によつて形成した。水蒸気および酸素
の背景圧力が亜酸化物の形成をもたらした。10分
ないし15分間0.50アンペアのターゲツト電流を使
用し約0.40Paの圧力によつて蒸着させることによ
り満足すべき結果が得られ、このようにしておよ
そ3nｍの厚さの層を生じた。 接着促進のチタニウム亜酸化物層を酸素圧力
0.77Pa、放電々流120ｍＡおよび放電々圧2.6KV
において酸素中５分間のグロー放電によつて清浄
にした。次に0.015インチ（380μｍ）の厚さのタ
ングステン ボートおよび約5.3×10-4Paの背景
圧力を使し、支持体における沈積速度がおよそ
2nｍ／秒において約30nｍのアルミニウムの反射
層を真空蒸着によつて適用した。アルミニウム反
射層は約１オーム／平方のフイルム抵抗および
632nｍの波長において約90から92％までの光学
的反射能を有していた。 40cm直径の陰極を有する二極型RF（13.56MHz）
プラズマ発生単位装置を陰極対支持体間隔８cmに
おいて露出したAl層に対する30±5nｍ厚さのメ
タクリル酸メチル光学的間座のプラズマ沈積に対
して使用した。0.985蒸気留分のメタクリル酸メ
チルおよび0.015蒸気留分のアクリル酸で構成さ
れるモノマー供給原料混合物を約４×10-4ｇ／秒
の質量流速で装入したのに対しアルゴン質量流速
は約３×10-5ｇ／秒であつた。約55Wのプラズマ
重合力を使用したがこれは約4.5KW／m3の電力
密度および約450W／m2の電力束に相当する。 光学的間座層に対して15nｍ厚さの炭素の吸引
層を沈積するために電子ビーム蒸発（ビーム電圧
10kV、ビーム電流0.15A、背景圧力２×10-4Pa）
を使用した。これらの条件および50cmのビーム源
対支持体の距離において約0.15nｍ／秒の沈積速
度を生じた。炭素層の光学的透過率は500nｍの
波長において約50％であつた。 上の条件の下で沈積した三層構造物は従つて第
２および３図に相当しそして500nｍの光学的波
長において最少反射を有した。媒質をレーザー記
録器に取付けそして毎分1800回転で回転させ、そ
して10MHzパルスの調整した干渉性光学的ビーム
の輻射を515nｍの波長においてそれの上に焦点
を合わせ、情報を持つた、光学的に検出しうる突
起を炭素層中におよそ7.5ｍＷのピーク パルス
強さで形成させた。構造物の記録範囲は突起が入
射ピーク パルス強さ水準が100ｍＷまで形成さ
れることでさらに明白であつた。読み取るために
633nｍの干渉性光学ビームの輻射を使用すると
記録された情報所持突起はそれらが生じさせる差
別的反射によつて記録されない区域から容易に識
別できた。担体対騒音比（Ｃ／Ｎ）の50Bbは容
易に得られた。そのような高Ｃ／Ｎ比はビデオ信
号におけるようなアナログ記録用用途には特に望
ましい。 種々の媒質間の比較を正確に与えるために、こ
こおよび残余の実施例中で称する担体対騒音測定
を次の条件でHewlett−Packard型式番号第
8568A号スペクトル分析器を使用して行つた。光
学的再生信号をまず対応する電気信号に変えこれ
をスペクトル分析器に結合した、そして分析器を
100KHzから25MHzまでの周波数範囲において
30KHzの分解帯幅で動く（sweep）ように調節し
た。担体対騒音（Ｃ／Ｎ）比はここでは基本約
10MHz記録（担体）周波数のrms強さと基本的周
波数の近くの広い幅の騒音水準の間の比率として
定義される。このように定義されるＣ／Ｎ比は控
え目な基準によつたものであり、そしてもしも分
解帯幅が、例えば3KHzに減じられたならば、ま
たは基本的周波数単独とは対照的に全体の信号の
強さを分析することにより著しく高いであろうこ
とが認められるであろう。 実施例２−７は本発明における各種の耐火物質
の適性を示し、そしてつくりそして下記の第１お
よび２表中にそれぞれ示したものを除き実施例１
に示したものと同一条件の下で試験した。実施例
１の構造物および性質は比較を容易にするために
含める。
ーによつて光学的に記録されるべき記録系に関
し、そして特に媒質は露光後直ちに再生のために
利用できる、即ち記録後直読（direct−read−
after−write）であるので露光後に現像を必要と
しないような系に関する。 光学的記録、即ち焦点を合わせた光線を使用す
る情報の記録と再生はずつと昔に初めて提案され
たが、それにはそのような概念を現実の商品とす
るための低原価で実際的なレーザーの開発が必要
であつた。今日では、より敏感な媒質、より高い
解像力を有する媒質、物理的不整を持つた複写を
する改良された能力を有する系、等を開発する狙
いの巨大な額が研究および開発に投資されそして
投資されつつある。光学的記録に対する多くの競
争媒質において技術の現状を反映するものの有益
な論評がR.A.バルトリニ（Bartolini）等による
「光学円盤系エネルギー」の論文、IEEE
Spectrum、15巻、８号、20−28頁、1978年８月
が22頁に提出されそれには種々の候補物質および
媒質の比較表が示されている。 米国特許第4069487号（カサイ「Kasai」等）
はその中に穴またはくぼみを気化または溶融によ
つて形成すべき記録層はレーザー光線を能率的に
吸収する非金属物質で構成されることを示唆する
のでこれはまた本発明と関係がある。代表的非金
属物質は無機酸化物、カルコゲン化合物および樹
脂を含と称され、比較的高感度物質には酸化鉛、
酸化タングステン、酸化チタン、酸化珪素、酸化
ジルコニウム、およびこれに類するものを含むこ
とが示唆されている。それらのあるものは下文で
定義するように耐火物と称することができるので
これらの酸化物の融点はそれぞれおよそ1160K、
1740K、2110K、1980Kおよび2970Kであると信
じられる。そのような酸化物は、WO3の300nｍ
層が沈積されたそれの実施例４のように、ならび
に金属層と積層される場合にはAuの100nｍの厚
層の最上部に60nｍのTiO2の厚層が沈積された実
施例４のように、単独で光−吸収層として使用し
うると云われる。その文献の関連する図では記録
中に形成される凹みまたは穴はそのような積層構
造を通つて広がりその下の支持体を露出させるよ
うに描く。このようにこの特許は記録中に突起の
生成を示唆するのに完全に失敗している。 Ti、Fe、Cr、Mn、PbおよびZrの酸素不足酸
化物を含む光学的記録媒質が英国特許第1571948
号中に開示されたが、そこではレーザー光線の下
での記録は屈折率に局部的変化を生じると云つて
いる。これらの酸化物のあるものは同様に満足す
べきものと思われるにもかゝわらず、この特許は
何等突起形成の示唆を含まない。 焦点を合わせたレーザー光線の使用について上
に述べた文献中で検討された種々の媒質は総て光
−吸収層を含みこの層はレーザー光線から吸収さ
れた光の結果として局部的に溶融しまたは気化
し、従つてくぼみまたは穴の形で情報貯蔵を提供
する。これと対照的に本発明の媒質は支持体およ
びそれに隣接して光−吸収層を含みそこでは光−
吸収層は非晶質炭素、ほう素または珪素、または
それらの間の合金から選ばれる耐火性物質を含
み、60nｍよりも少ない厚さを有し、そして集中
したレーザー光線による衝突の結果生じる局限的
加熱に際して可塑的変形を許容するのに十分な可
塑性をして局限的突起の形成を可能にしこれは引
続き光学的に検出することができる。好ましい実
施態様の一つにおいては、媒質は支持体と光−吸
収層との間に反射層を含み、そこでは吸収層の全
光学的厚さは変形しない状態においては光に干渉
的で、実質的に抗反射的構造であり、そして引き
続き形成される突起は明らかに増加した有効な光
学的厚みを有するようなものである。そのような
反射層は、例えば、Al、Cr、Cu、Au、Ag、不
錆鋼またはTiの薄いフイルムであろう。 別の実施態様においては、光−吸収層の下に光
学的間座（spacer）層を置くことができ、そして
これと組合わせて光干渉的抗反射的構造を与え
る。しかし好ましくはそのような間座層は反射層
と光−吸収層との間に挾まれて能率的な光−吸収
三層構造を形成しこれは最適の感度を示す。その
ような構造は、例えば、望ましくは多干渉倍数
（multiple interferometric orders）を示すため
に形成される。 本発明の操作の理論に縛られるものではない
が、本発明の媒質中における焦点を合わせたレー
ザー光線による記録中の突起の形成はレーザー光
線によつて衝突したときに局限的区域におけるガ
スの存在の結果起るものと信じられている。従つ
て、例えば、媒質は望ましくは上に述べた光学的
間座層としてレーザー光線衝突中に生じる局限的
加熱に際して容易にガスを与える物質を含む。分
離されたガス−発生または供給層が好ましいと信
じられているけれども、その目的に対しては分離
層でなくてもガスが供給されることも認められて
いる。例えば、支持体、反射層、等何れの部分的
分解によつても十分なガスが発生するであろう。 本発明の別の特徴は情報を記録する方法に見出
され、そこでは第一に前に記載した媒質、即ち局
限的加熱に際して可塑的変形を許容するのに十分
な可塑性を有する60nｍよりも少ない厚さを有す
る耐火性物質を含むものを用意する。次いで限定
されるが十分な力を有する集中させたレーザー光
線に十分な時間媒質を露光して局限的区域にそれ
から光を吸収させ光−吸収層の表面上に多数の光
学的に検知できる突起を形成し、その突起はその
中に記録された情報の原型を再現させる。 本発明の特に望ましい特徴は突起がかなりの高
さを有し、従つて直接的にも光学的にも検知でき
る情報記録を形成し、それによつて記録の用途を
記録後直読に適用することを可能になし、そして
またこれから直接複製品をつくるマスター記録と
して使用できることである。さらに次の工程で突
起を有する面を重合体状物質またはその先駆物質
と接触させて重合体状物質の表面に前記の突起原
型の複製物を形成させることによつてそのような
複製品を作ることができる。 第１図を参照すると、好ましい実施態様に従つ
た記録媒質１０が支持体１２を含みその上に反射
層１４が沈積しそれを覆つて光学的間座１６があ
り、それの最上部に光−吸収層１８が沈積する。
レーザー光線２０はその上に記録すべき情報に従
つて調節されて記録媒質に適用され、そして照射
された部分２２は変形してきて記録された情報の
再現である突起を形成する。 本発明の種々の実施態様においては各種の層の
厚みは著しい範囲にわたつて変化するであろう。
従つて第１図においては反射層１４は比較的薄
く、例えばおよそ30nｍ厚味の蒸着したアルミニ
ウムの層が示され、一方光学的間座層１６は明ら
かにより厚く、例えばおよそ250nｍ厚味のアク
リラートポリマーの層であり、そして光−吸収層
１８または比較的薄く、例えば、非晶質炭素の沈
積したフイルムで、およそ15nｍの厚味である。 別の実施態様において、それぞれの層の厚さを
第２図中に示すことができ、そこでは支持体２４
はおよそ３ナノメーターの厚さを有するようなチ
タニウムの亜酸化物のような下塗り層２６をその
上に最初に沈積させて有するのを示す。下塗り層
の最上部には次いで第１図に示される30nｍ厚さ
のアルミニウム層のような反射層２８が沈積され
る。反射層２８の上にかぶせた光学的間座層３０
もまたアクリルポリマーでよいがこの実施態様に
おいてはわずかにおよそ30nｍの厚さしか有しな
い。最後に、実施例１と同様に、光−吸収層３２
は再びおよそ15ナノメーターの厚さを有する炭素
の薄いフイルムでよい。 第１図および２図の双方に示されるように、光
学的間座層および光吸収層のそれぞれの厚さは望
ましくは組合わせて有効な光学的厚さが干渉的性
質を有し与えられる波長において最大光学的吸収
を示す抗反射構造を生じるように適応させる。第
１図に示される特殊な実施態様において、光学的
間座層１６は吸収層１８との関係において520お
よび1560nｍにおいて最小反射を示すように調節
された。対照的に、第２図に示される間座と吸収
層の相対的寸法はおよそ500ナノメーターにおい
て単独反射最小を示すようにしてある。双方の場
合に、これらの層の組合わせによつて得られる有
効な光学的厚さは最小反射を与え従つておよそ
500ナノメーターの入射波長において最大吸収を
与えるように選ばれる。 前に認められた参考文献中に記載された媒質と
は対照的に、本発明の媒質はレーザー光線の衝突
に基づく局限加熱に際して変形を許容するほど十
分な可塑化度を有する程充分に薄い耐火性物質を
含む光吸収層を利用する。この事は順に局部化し
た集中させたレーザー光線に対する露光に際して
突起または気泡の生成を可能になし、これは先行
技術の引用文における穴またはくぼみの形成とは
対照的である。この作用は第３図中に示されてお
り、そこでは第２図のものと同様の媒質がこのよ
うに露光されそして突起３８の形成を生じて光学
的間座層３０から別れそれとの間にガス充満帯域
４０を形成する。第３図中にさらに示されるよう
に、突起３８の水平寸法は典型的には１ミクロン
級の寸法を有する。突起の中心部分は切除した
が、第３図はそれぞれの層の相対的寸法をこのよ
うに比率で示す。 本発明の突起−形成媒質は突起が容易に光学的
に検知できる点において穴−、またはくぼみ−形
成媒質よりも勝つている。媒質が抗反射的干渉的
寸法を有するように構成する場合には、生じた突
起は抗反射的特徴を破壊する。特に、最突出部は
望ましくは第３図中に示されるようにおよそ
120nｍほどの高さであり、これは破壊された不
変形区域において通常得られる最低反射であるば
きりでなく、突起の最突出部において得られる干
渉的反射の最大であり、このようにして未変形区
域と突起区域間に最も望ましい高担体対騒音
（carrier−to−noise）比率を生じさせる。 高担体対騒音比率は本発明の媒質の特徴である
ことが判明し、これは比較できる穴またはくぼみ
形成媒質に対して観察されるものよりも典型的に
10から15デシベル（db）多い。この予期しなか
つた結果は特に先行技術媒質中に形成される穴ま
たはくぼみを含む不規則な形および破片とは反対
に均一に変る突起の輪郭に基づくものと信じられ
る。 上に記載したように、突起の生成は光−吸収層
の低部表面における境界面にガスが発生するため
と信じられる。従つて好ましくは吸収層の下に備
えられる光学的間座層は局限的加熱に際して容易
にガスを放出する物質から選ばれる。従つてその
層用に選ばれる望ましい物質には後文の実施例中
に述べられるような種々の方法で沈積されまたは
適用することができるアクリラートポリマー、ポ
リスチレン、およびこれに類する物質のような有
機物質を含む。重合体状物質はそれらの低い伝導
率および熱拡散率性質および低温度において容易
にガスを放出するそれらの能力に対して好まれる
が、種々の無機物質も使用できることが認められ
る。例えば、AlおよびSiO2の沈澱させた層は満
足すべきガス供給者であることが判明した。その
ような層は充分な量の化学的にまたは物理的に吸
着された物質をその表面に含みこれは局限的加熱
に際してガスに転化されるであろう。 間座層が構成される特定物質に関係なく、間座
層は下に横たわる反射性にした層からの反射を最
大にするために透明であつてよく、または別法と
して間座層内の吸収層を通過して照射の吸収を促
進するために染色しそしてそれによつてその中に
ガス状生成物の生成を最大にすることがさらに認
められる。 本発明の媒質中に利用される光−吸収層は耐火
性物質、即ち、高融点を有する物質を含む。本発
明の目的に対して、そのような物質は1700ケルビ
ン（Kelvin）において固体状態のものと定義す
ることができる。従つてもしも耐火性物質が現実
に溶融せず、むしろ昇華すれば、「融点」の言葉
はその物質がそれ以上は固体の状態で存在しない
温度を単に示す。そのような媒質と対照的に、先
行技術の穴またはくぼみ形成媒質は比較的低温度
において溶媒することが要求され、その物質が気
化しまたは破壊されて可及的低エネルギー水準で
穴またはくぼみを形成するためにその温度は低け
れば低いほど良い。本発明においては、耐火物質
は溶融せずに変形し、そしてその融点が高ければ
高いほど良く、最も高い融点の物質は典型的に記
録幅は最高の範囲を示すことが判つた。それ以上
に、そのような物質は典型的に高度の化学的安定
性を示す。この事は媒質が長時間の露光に亘つて
実質的に同一度合の感度を保有し、従つて延長し
た時間に亘つて引き続く記録を可能にする点にお
いて素晴しいことである。同様に、媒質の光学的
特性は、最大および最小の反射の形の記録された
情報は引き延ばされた時間および露出に亘つて実
質的に不変のままであるように著しく変化はしな
い。高い融点の耐火性物質はこのように好ましい
けれども、或る種の珪化物のような低融点耐火性
物質もそれらが塗布し易く、安定である、等のた
めに好ましいことが認められる。 従つて本発明の種々の実施態様において、光吸
収層に使われる耐火性物質は好ましくは非晶質炭
素、ほう素、または珪素、またはそれらの間の合
金である。多少広い意味においては、耐火性物質
はさらにHf、Nb、Ta、Ti、ＷおよびZrのほう
化物、Ｂ、Hf、Ta、TiおよびZrの窒化物、Al、
Hf、Nb、Ta、Ti、Ｖ、ＷおよびZrの炭化物お
よびCe、Hf、Mg、ThおよびZrの酸化物、即ち
3000Kよりも高い融点を有するこれらのほう化
物、窒化物、炭化物および酸化物、およびNb、
Ta、TiおよびＷの珪化物、即ち2300Kより以上
の融点を有するこれらの珪化物を含む群から選ば
れるであろう。 さらに広い意味においては、耐火性物質は既知
の耐火性化合物、合金、固溶液、およびこれに類
するもの、二元の、三元のもの、等の広い表から
選ぶことができる。特に種々の量の炭素および酸
素を含むであろうそのような多−成分組成物は好
ましいものとして知られる。 光学的記録用三層構造の支持体への接着を促進
することは望ましいが、一方同時に環境安定性お
よび結果として生じる媒質の均質の改良も望まし
い。その目的のために、第２および３図中に示さ
れるような核形成または接着促進層を用意するこ
とは望ましい。そのような層は不完全な洗滌また
は均一でない支持体のための不均一粘着係数によ
つてしばしば引き起こされる記録物質のよごれた
不均一沈澱を防ぐ。 本発明のさらに望ましい特徴は外部表面上に形
成される多数の突起の形で情報が記録されている
媒質を、突起を含んでいる表面を重合体状物質ま
たはその先駆体と接触させて突起原型の複製物を
その重合体状物質の表面に形成することによつて
直接複製しうることである。好ましい実施態様で
は、そのような複製物は好ましくは液体樹脂のビ
ーズを突起を有する表面上にロール塗布しそして
引続きこれをその場で硬化させ、その後で付着し
た樹脂層をマスター表面から除去することによつ
て作られる。記録された媒質をマスターとして使
用することを可能にする程突起は充分機械的に安
定なことがさらに判明したがその場合には突起表
面は軟化させた重合体状シートに着接押しつけら
れる。その結果生じた複製物の情報を帯びた表面
は当初に形成された情報記録中の突起に相当する
表面の小さいくぼみまたはひつこみを有すること
を特徴とする。もしも複製物を反射方式
（reflectivemode）中で再生すべきときには、そ
の表面は薄い金属反射層によつて被覆することが
望ましいであろう。 第４図はアクリラート樹脂４２で作りその中に
多数の突起を押しつけて小さいくぼみ４４を形成
し、その上に20nｍの金のフイルムを蒸着させて
走査顕微鏡写真を可能にさせた第２および３図中
に示された媒質のそのような複製物の断面の電子
顕微鏡写真である。複製物はマスター情報記録中
につくられた突起に相当する小くぼみの一つの直
径に沿つて切断した。そこに見られるように、生
じた小くぼみの直径はおよそ１マイクロメーター
であり、そしてそこの深さ、即ち当初の突起の高
さはおよそ120nｍである。小くぼみは当初の突
起と同様に極めて滑らかな輪郭を特徴とし、この
ようにして高い担体対騒音比率を与え、同時に極
めて容易な模写を確保する。 反射層、間座層、および吸収層を含みそれによ
つて干渉的寸法を与える三層構造は或る種の実施
態様には好ましいであろうが、二層および単層構
造も同様に利用することができる。従つて、例え
ば、本発明に従つて組み立てられた突起形成媒質
は支持体、好適な屈折率の間座層、およびそれら
を覆つた光−吸収層を含む。そのような実施態様
においては、間座層と吸収層が組合わせて考えら
れる場合には間座層の屈折率は適切な干渉寸法を
与えるように選ばれる。入射する輻射は従つて透
明支持体を通つて間座層および吸収層に導かれる
であろう。別法の二層構造は反射性にした層をそ
の上に有する支持体および反射性にした層に直接
適用した吸収層を含むことができる。この場合に
は吸収層の屈折率およびその等価の光学的厚さは
反射性にした層と共に考える場合には干渉寸法を
与えるように適応させる。 本発明の媒質のさらに別の構造は支持体に直接
適用した単独の吸収層を含むことができる。二層
構造の場合のように、そのような層は望ましくは
吸収を最大にしそして反射を最少にするように等
価光学厚みを有するように層を選ぶ。 上に記した種々の実施態様の総ての共通の特徴
は光−吸収層がレーザー光線の局部化した衝突に
際して吸収層の下の表面とその下の層の間の境界
面におけるガス状生成物の形成の結果として吸収
層の中に突起が形成されるほど十分な可塑度を有
する耐火性物質から選ばれることである。 光−吸収層の最適な厚さは選ばれる物質の固有
の性質並びに生じる記録用媒質に与えられる個々
の用途に応じて変化する。典型的にはそのような
厚さは望ましくは60nｍ以下にそしておよそ５ナ
ノメーター以上に保たれる。もしもそのような層
がおよそ60nｍを越え、100nｍ程度になれば、耐
火物質の大半の性質が支配的になり始め、そして
層は妥当なエネルギー水準における突起の形成に
必要な必須の可塑度を失い、または十分に脆くな
り突起とは反対に割れて穴またはくぼみを形成す
るようになる。その上、表面からの反射能は大部
分の物質との関係で増加し、そして吸収層と間座
層との組合わせの結果得られる望ましい干渉的性
質は失なわれ、それと共に感度も減少する。厚み
範囲の他方の側において、もしも材料の厚さがお
よそ５ナノメーターよりも少なくなると、能率的
な光学的吸収は失なわれ、そして材料は機械的に
安定な突起の生成を妨げるほど脆くなる。両極端
において、生じる担体対騒音比率は望ましい範囲
から得られるものよりも著しく低い。吸収層とし
て炭素を利用する場合には、厚さの好ましい範囲
は7.5−30nｍであることが判明した。 以下の実施例を参照することによつて本発明は
より容易に理解されるであろう。しかし、これら
の実施例は元来単に例解的のものであり従つて本
発明の範囲を限定するものと解すべきではない。 実施例 １ 支持体として直径約35cmで約１cmの厚さの光学
的に磨いたガラス円盤を選んだ。ガラス容器中の
トリクロロエチレン／アセトンの混合物中に浸漬
することによつてガラス円盤を完全に脱脂および
脱ワツクスした。ガラス円盤は次いでアセトン、
エタノール（200プルーフ）および脱イオン水に
よつて遂次吹付け洗滌した。 上の洗浄および熱超音波に対する準備に引き続
き、ガラス円盤を流下水で温めて熱衝撃を軽減さ
せた。ゴムの詰物を使用して、次いでガラス円盤
の超音波清浄器中に置きそして400ml／40の市
販洗剤と脱イオン水混合物中で高温度において30
分間超音波的に洗浄した。超音波洗浄器から取り
出したときに、清浄な比較的柔かい自由表面で、
軽く木綿ガーゼと洗剤で洗いそして脱イオン水で
ゆすいだ上に円盤を平に置いた。次いでガラス円
盤を平らな表面が僅かに傾くように三脚台上に置
いた。ガラス円盤の別の完全なゆすぎを過した
脱イオン水により続いてエタノール（200プルー
フ）によつて達成した。次いでこの円盤を過し
た窒素ガスによつて吹き乾かした。 次にチタニウムの亜酸化物の薄層を清浄なガラ
ス円盤上に蒸着させて核化、接着促進層として機
能させた。その層はアルゴン、水蒸気、および酸
素の雰囲気中でTiのターゲツトから磁気の協力
による蒸着によつて形成した。水蒸気および酸素
の背景圧力が亜酸化物の形成をもたらした。10分
ないし15分間0.50アンペアのターゲツト電流を使
用し約0.40Paの圧力によつて蒸着させることによ
り満足すべき結果が得られ、このようにしておよ
そ3nｍの厚さの層を生じた。 接着促進のチタニウム亜酸化物層を酸素圧力
0.77Pa、放電々流120ｍＡおよび放電々圧2.6KV
において酸素中５分間のグロー放電によつて清浄
にした。次に0.015インチ（380μｍ）の厚さのタ
ングステン ボートおよび約5.3×10-4Paの背景
圧力を使し、支持体における沈積速度がおよそ
2nｍ／秒において約30nｍのアルミニウムの反射
層を真空蒸着によつて適用した。アルミニウム反
射層は約１オーム／平方のフイルム抵抗および
632nｍの波長において約90から92％までの光学
的反射能を有していた。 40cm直径の陰極を有する二極型RF（13.56MHz）
プラズマ発生単位装置を陰極対支持体間隔８cmに
おいて露出したAl層に対する30±5nｍ厚さのメ
タクリル酸メチル光学的間座のプラズマ沈積に対
して使用した。0.985蒸気留分のメタクリル酸メ
チルおよび0.015蒸気留分のアクリル酸で構成さ
れるモノマー供給原料混合物を約４×10-4ｇ／秒
の質量流速で装入したのに対しアルゴン質量流速
は約３×10-5ｇ／秒であつた。約55Wのプラズマ
重合力を使用したがこれは約4.5KW／m3の電力
密度および約450W／m2の電力束に相当する。 光学的間座層に対して15nｍ厚さの炭素の吸引
層を沈積するために電子ビーム蒸発（ビーム電圧
10kV、ビーム電流0.15A、背景圧力２×10-4Pa）
を使用した。これらの条件および50cmのビーム源
対支持体の距離において約0.15nｍ／秒の沈積速
度を生じた。炭素層の光学的透過率は500nｍの
波長において約50％であつた。 上の条件の下で沈積した三層構造物は従つて第
２および３図に相当しそして500nｍの光学的波
長において最少反射を有した。媒質をレーザー記
録器に取付けそして毎分1800回転で回転させ、そ
して10MHzパルスの調整した干渉性光学的ビーム
の輻射を515nｍの波長においてそれの上に焦点
を合わせ、情報を持つた、光学的に検出しうる突
起を炭素層中におよそ7.5ｍＷのピーク パルス
強さで形成させた。構造物の記録範囲は突起が入
射ピーク パルス強さ水準が100ｍＷまで形成さ
れることでさらに明白であつた。読み取るために
633nｍの干渉性光学ビームの輻射を使用すると
記録された情報所持突起はそれらが生じさせる差
別的反射によつて記録されない区域から容易に識
別できた。担体対騒音比（Ｃ／Ｎ）の50Bbは容
易に得られた。そのような高Ｃ／Ｎ比はビデオ信
号におけるようなアナログ記録用用途には特に望
ましい。 種々の媒質間の比較を正確に与えるために、こ
こおよび残余の実施例中で称する担体対騒音測定
を次の条件でHewlett−Packard型式番号第
8568A号スペクトル分析器を使用して行つた。光
学的再生信号をまず対応する電気信号に変えこれ
をスペクトル分析器に結合した、そして分析器を
100KHzから25MHzまでの周波数範囲において
30KHzの分解帯幅で動く（sweep）ように調節し
た。担体対騒音（Ｃ／Ｎ）比はここでは基本約
10MHz記録（担体）周波数のrms強さと基本的周
波数の近くの広い幅の騒音水準の間の比率として
定義される。このように定義されるＣ／Ｎ比は控
え目な基準によつたものであり、そしてもしも分
解帯幅が、例えば3KHzに減じられたならば、ま
たは基本的周波数単独とは対照的に全体の信号の
強さを分析することにより著しく高いであろうこ
とが認められるであろう。 実施例２−７は本発明における各種の耐火物質
の適性を示し、そしてつくりそして下記の第１お
よび２表中にそれぞれ示したものを除き実施例１
に示したものと同一条件の下で試験した。実施例
１の構造物および性質は比較を容易にするために
含める。
【表】
【表】
【表】
４ 多数の最小反射
実施例 ８ 実施例１に記載するようにして磨きガラスを清
浄になし、そして接着促進層および反射層を被覆
した。40重量％のテトラヒドロフラン、1.5重量
％のオキシラノレン セグメントのような硬化
剤、６重量％のトリクロロエチレン、および52.5
重量％のトルエンから成るポリマー混合物を反射
板を有する支持体上に毎分270回転の回転速度で
回転塗布によつておよそ35ナノメーターの厚さに
光学的間座層を沈積させた。硬化剤は1977年６月
３日出願の米国特許出願番号第830207号中に記載
されるようなポリ−２，５−オキソランで構成す
ることが特に望ましい。円盤が回転する間にこの
混合物を適用し、そして得られた塗膜を引き続き
100℃に５ないし６分間およそ1.3×10-3Paの真空
中で加熱してオキシラノレンセグメントを交叉結
合させた。次いで15nｍの炭素の光−吸収層を実
施例１のようにして沈積させた。その結果生じた
三層構造物を炭素吸収層上に集中させた脈動す
る、調整したレーザー光線に露光すると、およそ
５ｍＷより上のピーク強さにおいて再生しうるそ
して複製できる情報−所持突起が同様に形成され
た。 実施例 ９ 磨きガラス支持体を清浄になし、そして実施例
１のようにして接着促進層を被覆した。次いで
45nｍ厚さのAl反射層を下記の条件で磁気協力蒸
着によつて下塗りした表面に沈積させた： アルゴン流速：4.0mg／秒 ターゲツト電力：2.8KW 10A 440VAC、単相、0.64力率 蒸着圧力：1.6Paアルゴン圧力 背景圧力：＜1.3×10-3Pa アルミニウム反射層は約0.5オーム／平方の固
有抵抗および632nｍの波長において約92％の光
学的反射能を有していた。 記録照射の光吸収を助けるために、染料を間座
層に加えた。0.10重量％のジスルホン、マゼン
タ、40.0重量％のテトラヒドロフラン、オキソラ
ニレン セグメントを含むポリマーから成る1.5
重量％の硬化剤、６重量％のトリクロロエチレン
および52.4重量％のトルエンから成る染料−ポリ
マー混合物を反射性にした表面に回転塗布しそし
て引き続き実施例８のようにして硬化剤を交叉結
合させるために加熱した。 吸収層は磁気協力蒸着によつてタングステン／
チタニウムのターゲツトから沈積させ生成させ
た。0.50アンペアの沈積電流および1.6Paのアル
ゴン圧力において５分40秒蒸着させると74％Ｗと
26％Tiの層を生じ、これは500nｍにおける光学
的透過率が55％でありそして固有抵抗は約5000オ
ーム／平方であつた。 記録および読み取りに対する実施例１で使用し
た条件下で、突起を有する光学的に検出できる情
報が５ｍＷ限界のピーク脈動強さ水準において形
成された。 実施例 10 実施例１に記載するようにして磨きガラス支持
体を清浄化し、接着促進層と反射層を被覆した。 回転塗布によつて光学的間座層を再度つくつ
た。トルエン中のポリ（アルフア−メチルスチレ
ン）の溶液を5.0マイクロメーターの孔寸法の
過膜を通してした。支持体を270rpmで回しな
がら溶液をピペツトから反射性にした支持体に注
いだ。過剰の溶液は支持体から振り切りそして回
転する間にトルエンを気化させた結果厚さ250±
20nｍを有するポリ（アルフア−メチルスチレ
ン）の薄いフイルムを生じた。 下記の条件下で反応性磁気協力蒸着によつて
TaOxNyの吸収層を沈積させた： 調整したアルゴンおよび窒素圧力および流速の
雰囲気中でタンタル ターゲツトを蒸着させた。
真空系の背景圧力は１×10-6トルよりも小さかつ
た。窒素圧力および流速はそれぞれ３×10-3トル
および0.75トル−立／秒であつた。タンタル タ
ーゲツトに対する電力密度は2.2W／cm2であつた。
フイルム沈積時間は14分であつた。主としてTa
の吸収層の光学的透過率は47−50％であつた。 生じた三層構造物は515nｍと1550nｍ光学的波
長において反射最小を示した。10MHz最高脈動調
整レーザー光線の515nｍ照射をこの三層構造物
上に焦点を合わせると、光学的に検出できる情報
所有突起が吸収層中に表面に対する515ｍＷの間
の入力範囲のピーク パワー水準において形成さ
れた。 実施例 11 実施例１に記載するようにして磨きガラス支持
体を清浄になし、接着促進層、反射層、および光
学的間座層を被覆した。 Zr−ZrOxの光吸収層を炭素るつぼ内のジルコ
ニウムの電子ビーム気化によつて二段階で沈積さ
せ、外側の環状区域は0.05nｍ／秒の割合で13nｍ
の厚さに塗布しそして内側の環状区域は0.6nｍ／
秒の割合で9nｍの厚さに塗布した。その結果生
じた塗布されたフイルムの密度は0.05nｍ／秒割
合のものは全厚みはより大きかつたが0.6nｍ／秒
の割合で塗布したものよりも小さかつた。ESCA
分析は0.05nｍ／秒で塗布したフイルムは0.6n
ｍ／秒で塗布したフイルムよりも高い酸素濃度を
有していたことを明らかにした。両方のフイルム
は著しい量の酸素を含むことが結論された。 三層構造物は吸収層が0.6nｍ／秒で沈積した区
域においては375nｍの光学的波長において最小
反射を示しそして0.05nｍ／秒で沈積したジルコ
ニウムの吸収層の区域では425nｍにおいて最小
反射を示した。 10MHz最高パルスの調整された515nｍ幅射の
レーザー光線がこの三層構造上に集中されたとき
には、光学的に検出できる情報所持突起は６−12
ｍＷの間の範囲の最高パワー水準において吸収層
中に形成される。実施例１に記載するようにして
情報を読みとる場合には、低および高沈積割合に
よつてそれぞれ特徴のある区域から48および
60dbの担体対騒音比率が得られた。 実施例 12 実施例１に記載するようにして磨きガラス支持
体を清浄になしそして接着促進層および反射層を
被覆した。光学的間座層は省いた。炭素の吸収層
を実施例１に記載するようにして36nｍの厚さに
沈積させた。 上記の条件の下で二層構造を沈積させて500n
ｍの光学的波長において最小反射を生じさせた。
515nｍ輻射の10MHz最高パルスの調整されたレ
ーザー光線を二層構造の上に焦点を合わせると、
光学的に検出しうる情報所持突起が25−100ｍＷ
の間の範囲の表面入射最高パワー水準において炭
素層中に形成された。実施例１に記載するように
して情報を読み取ると、45dbよりも大きい担体
対騒音比が得られた。 実施例 13 磨いたアルミニウム支持体を清浄になしそして
4.5±0.2マイクロメーター厚さの照射硬化性アク
リル化エポキシ樹脂層を回転塗布して熱絶縁およ
び局部的に加熱されたときのガス源を与えた。 接着促進層、反射層、または光学的間座層は何
等使わなかつた。 炭素の吸収層を実施例１に記載するようにして
15nｍの厚さに沈積させた。 515nｍ輻射の10MHz最高パルスの調整したレ
ーザー光線を構造物上に焦点を合わせると、表面
上の入力20−40ｍＷの間の範囲の最高パワー水準
において光学的に検出し得る情報所有突起が炭素
層中に形成された。 実施例 14 実施例１に記載するようにして磨きガラス支持
体を清浄になしそして反射層、光学的間座、およ
び吸収層を被覆した。厚さはそれぞれ17、30およ
び13nｍであつた。接着促進層は実施例１に記載
したTiOx層に対して使用したのと同様な具合に
してCrターゲツトから沈積させた3nｍのCrOxで
あつた。 生じた三層構造物は500nｍの光学的波長にお
いて最小反射を生じた。 実施例14の媒質の試験においては、輻射の固有
光学的光線を515nｍの波長において調節するた
めにビデオ信号を使用しそして調節した輻射を三
層構造物上に焦点を合わせて15−30ｍＷの間の範
囲の最高パルス パワー水準において炭素中に光
学的検出しうる突起を有するビデオ情報を形成し
た。入力信号のNTSC信号対騒音比は48dbであ
つた。ビデオ情報は実施例１に記載するようにし
て読みとつた。三層構造物から読みとつたNTSC
信号対騒音比は41−45dbであつた。 第４図中に示されるようなビデオ情報担体は、
次のような方法で三層マスターの表面中の突起か
ら複製してつくつた：樹脂のビーズを炭素層の表
面の一端の近くに適用しそしてマスターの情報所
有突起と透明複製物支持体の間にロールコート
し、透明支持体はマスターの上そしてマスターの
樹脂端に位置する加圧ローラーの下に置いた。ロ
ーラーを前進させ、液体樹脂をマスターと複製品
支持体との間の容積を均一に充たすようにして複
製物支持体とマスターとの間に均一な被覆を生じ
させた。 情報支持被覆の厚さは樹脂の粘度、ローラーの
高さおよびローラーとマスター間の相対的速度の
相互関係を変えることによつて調節することがで
きる。被覆の厚さはまたローラーに所属する空気
シリンダーを使用し正しい圧力に調整することに
よつても制御できる。情報支持被覆中の浮彫り模
様の深さは三層マスター中の突起の高さによつて
調節され、事実、それは実質的に正確にそれの複
製である。 樹脂塗膜の光重合および硬化は化学線源への樹
脂の露光に際して起る。好適な照射源には水銀、
キセノン、炭素アークおよびタングステン繊条ラ
ンプ、日光、等を含む。露光は個々の光重合物質
の量、照射源、源からの距離、重合される物質の
厚味および利用される支持体物質に応じて１秒未
満から10分までまたはそれ以上であろう。 実施例14においては樹脂は50重量部のヒダント
インヘキサクリラート（１，３−ビス〔３−２
（２−アクリロキシオキシエトキシ）−２−ヒドロ
キシプロピル〕−５，５−ジメチル−２，４−イ
ミジゾリジンジオン）、50重量部のヘキサンジオ
ール ジアクリラート、および２重量部の２，２
−ジメトキシ−２−フエニル−アセトフエノンの
ような、典型的にはチバ−ガイギー（Ciba−
Geigy）によつて製造されるIRGACURE651のよ
うな光重合開始剤の混合物であつた。 透明複製物支持体は１mm厚さのPVCのシート
であつた。 情報支持塗膜および支持体からなる生成積層構
造物は次いで三層マスターから剥離した。そのよ
うな積層構造物は種々の支持体から良く接着して
作り出され、それらにはICIのメリネツクス505
ポリエステル（PVDC）下塗りポリエステル、
PMMAのプラズマー蝕刻のまたは微小構造表面、
PVCおよびその他の適切な下塗りをした好適な
支持体を含む。複製物のそれ以上の加工は再生の
ために使用する系に従つて決める。 実施例14においては、複製物は30nｍのAlを被
覆しそして反射による光学的ビデオ円盤再生機で
再生した。複製物のNTSC信号対騒音比は41−
45dbであつた。 上に述べた実施例中実施例１で述べた炭素含有
記録媒質に対して示した記録寛容度は残余の実施
例中で得られるものよりも著しく大きい。光−吸
収層がまた炭素で作られた実施例においては、同
様に広い記録寛容度が存在するものと信じられ、
それに対して炭素を含まない実施例に対して示し
た記録水準の範囲は実際に観察された記録寛容度
を示す。実施例１の炭素含有媒質で示した広い記
録寛容度は炭素を含まない媒質のそれとは全く異
なつて吸収層中に使用する個々の耐火物質の融点
が高ければ高いほど、記録寛容度は大きいという
意見をさらに支持する。 上文においては特に指摘はしなかつたが、本発
明の記録媒質は、記録中に破損せずそして記録工
程の前かまたはその後に担体対騒音の減少から積
み上げて存在するようにしてほこりを防ぐ保護被
膜を備えることができることがさらに理解される
であろう。 本発明の本質は上に示した実施例との特殊な関
連によつて説明されたが、本発明の実施において
はそのような例解的実施例からの種々の変更が断
言できるであろう。例えば、支持体そのものは有
機または無機の材料から形成できるであろう、そ
して透明物質からのもの、または高反射能を有す
る物質で形成することができ、このようにして吸
収層の下に横たわる分離された反射層の必要性を
省く。他の例では、反射層によつて広い幅の反射
は要求されないので、金属被覆は多層（または単
層でさえ）の誘電反射層で置き代えることができ
る。
実施例 ８ 実施例１に記載するようにして磨きガラスを清
浄になし、そして接着促進層および反射層を被覆
した。40重量％のテトラヒドロフラン、1.5重量
％のオキシラノレン セグメントのような硬化
剤、６重量％のトリクロロエチレン、および52.5
重量％のトルエンから成るポリマー混合物を反射
板を有する支持体上に毎分270回転の回転速度で
回転塗布によつておよそ35ナノメーターの厚さに
光学的間座層を沈積させた。硬化剤は1977年６月
３日出願の米国特許出願番号第830207号中に記載
されるようなポリ−２，５−オキソランで構成す
ることが特に望ましい。円盤が回転する間にこの
混合物を適用し、そして得られた塗膜を引き続き
100℃に５ないし６分間およそ1.3×10-3Paの真空
中で加熱してオキシラノレンセグメントを交叉結
合させた。次いで15nｍの炭素の光−吸収層を実
施例１のようにして沈積させた。その結果生じた
三層構造物を炭素吸収層上に集中させた脈動す
る、調整したレーザー光線に露光すると、およそ
５ｍＷより上のピーク強さにおいて再生しうるそ
して複製できる情報−所持突起が同様に形成され
た。 実施例 ９ 磨きガラス支持体を清浄になし、そして実施例
１のようにして接着促進層を被覆した。次いで
45nｍ厚さのAl反射層を下記の条件で磁気協力蒸
着によつて下塗りした表面に沈積させた： アルゴン流速：4.0mg／秒 ターゲツト電力：2.8KW 10A 440VAC、単相、0.64力率 蒸着圧力：1.6Paアルゴン圧力 背景圧力：＜1.3×10-3Pa アルミニウム反射層は約0.5オーム／平方の固
有抵抗および632nｍの波長において約92％の光
学的反射能を有していた。 記録照射の光吸収を助けるために、染料を間座
層に加えた。0.10重量％のジスルホン、マゼン
タ、40.0重量％のテトラヒドロフラン、オキソラ
ニレン セグメントを含むポリマーから成る1.5
重量％の硬化剤、６重量％のトリクロロエチレン
および52.4重量％のトルエンから成る染料−ポリ
マー混合物を反射性にした表面に回転塗布しそし
て引き続き実施例８のようにして硬化剤を交叉結
合させるために加熱した。 吸収層は磁気協力蒸着によつてタングステン／
チタニウムのターゲツトから沈積させ生成させ
た。0.50アンペアの沈積電流および1.6Paのアル
ゴン圧力において５分40秒蒸着させると74％Ｗと
26％Tiの層を生じ、これは500nｍにおける光学
的透過率が55％でありそして固有抵抗は約5000オ
ーム／平方であつた。 記録および読み取りに対する実施例１で使用し
た条件下で、突起を有する光学的に検出できる情
報が５ｍＷ限界のピーク脈動強さ水準において形
成された。 実施例 10 実施例１に記載するようにして磨きガラス支持
体を清浄化し、接着促進層と反射層を被覆した。 回転塗布によつて光学的間座層を再度つくつ
た。トルエン中のポリ（アルフア−メチルスチレ
ン）の溶液を5.0マイクロメーターの孔寸法の
過膜を通してした。支持体を270rpmで回しな
がら溶液をピペツトから反射性にした支持体に注
いだ。過剰の溶液は支持体から振り切りそして回
転する間にトルエンを気化させた結果厚さ250±
20nｍを有するポリ（アルフア−メチルスチレ
ン）の薄いフイルムを生じた。 下記の条件下で反応性磁気協力蒸着によつて
TaOxNyの吸収層を沈積させた： 調整したアルゴンおよび窒素圧力および流速の
雰囲気中でタンタル ターゲツトを蒸着させた。
真空系の背景圧力は１×10-6トルよりも小さかつ
た。窒素圧力および流速はそれぞれ３×10-3トル
および0.75トル−立／秒であつた。タンタル タ
ーゲツトに対する電力密度は2.2W／cm2であつた。
フイルム沈積時間は14分であつた。主としてTa
の吸収層の光学的透過率は47−50％であつた。 生じた三層構造物は515nｍと1550nｍ光学的波
長において反射最小を示した。10MHz最高脈動調
整レーザー光線の515nｍ照射をこの三層構造物
上に焦点を合わせると、光学的に検出できる情報
所有突起が吸収層中に表面に対する515ｍＷの間
の入力範囲のピーク パワー水準において形成さ
れた。 実施例 11 実施例１に記載するようにして磨きガラス支持
体を清浄になし、接着促進層、反射層、および光
学的間座層を被覆した。 Zr−ZrOxの光吸収層を炭素るつぼ内のジルコ
ニウムの電子ビーム気化によつて二段階で沈積さ
せ、外側の環状区域は0.05nｍ／秒の割合で13nｍ
の厚さに塗布しそして内側の環状区域は0.6nｍ／
秒の割合で9nｍの厚さに塗布した。その結果生
じた塗布されたフイルムの密度は0.05nｍ／秒割
合のものは全厚みはより大きかつたが0.6nｍ／秒
の割合で塗布したものよりも小さかつた。ESCA
分析は0.05nｍ／秒で塗布したフイルムは0.6n
ｍ／秒で塗布したフイルムよりも高い酸素濃度を
有していたことを明らかにした。両方のフイルム
は著しい量の酸素を含むことが結論された。 三層構造物は吸収層が0.6nｍ／秒で沈積した区
域においては375nｍの光学的波長において最小
反射を示しそして0.05nｍ／秒で沈積したジルコ
ニウムの吸収層の区域では425nｍにおいて最小
反射を示した。 10MHz最高パルスの調整された515nｍ幅射の
レーザー光線がこの三層構造上に集中されたとき
には、光学的に検出できる情報所持突起は６−12
ｍＷの間の範囲の最高パワー水準において吸収層
中に形成される。実施例１に記載するようにして
情報を読みとる場合には、低および高沈積割合に
よつてそれぞれ特徴のある区域から48および
60dbの担体対騒音比率が得られた。 実施例 12 実施例１に記載するようにして磨きガラス支持
体を清浄になしそして接着促進層および反射層を
被覆した。光学的間座層は省いた。炭素の吸収層
を実施例１に記載するようにして36nｍの厚さに
沈積させた。 上記の条件の下で二層構造を沈積させて500n
ｍの光学的波長において最小反射を生じさせた。
515nｍ輻射の10MHz最高パルスの調整されたレ
ーザー光線を二層構造の上に焦点を合わせると、
光学的に検出しうる情報所持突起が25−100ｍＷ
の間の範囲の表面入射最高パワー水準において炭
素層中に形成された。実施例１に記載するように
して情報を読み取ると、45dbよりも大きい担体
対騒音比が得られた。 実施例 13 磨いたアルミニウム支持体を清浄になしそして
4.5±0.2マイクロメーター厚さの照射硬化性アク
リル化エポキシ樹脂層を回転塗布して熱絶縁およ
び局部的に加熱されたときのガス源を与えた。 接着促進層、反射層、または光学的間座層は何
等使わなかつた。 炭素の吸収層を実施例１に記載するようにして
15nｍの厚さに沈積させた。 515nｍ輻射の10MHz最高パルスの調整したレ
ーザー光線を構造物上に焦点を合わせると、表面
上の入力20−40ｍＷの間の範囲の最高パワー水準
において光学的に検出し得る情報所有突起が炭素
層中に形成された。 実施例 14 実施例１に記載するようにして磨きガラス支持
体を清浄になしそして反射層、光学的間座、およ
び吸収層を被覆した。厚さはそれぞれ17、30およ
び13nｍであつた。接着促進層は実施例１に記載
したTiOx層に対して使用したのと同様な具合に
してCrターゲツトから沈積させた3nｍのCrOxで
あつた。 生じた三層構造物は500nｍの光学的波長にお
いて最小反射を生じた。 実施例14の媒質の試験においては、輻射の固有
光学的光線を515nｍの波長において調節するた
めにビデオ信号を使用しそして調節した輻射を三
層構造物上に焦点を合わせて15−30ｍＷの間の範
囲の最高パルス パワー水準において炭素中に光
学的検出しうる突起を有するビデオ情報を形成し
た。入力信号のNTSC信号対騒音比は48dbであ
つた。ビデオ情報は実施例１に記載するようにし
て読みとつた。三層構造物から読みとつたNTSC
信号対騒音比は41−45dbであつた。 第４図中に示されるようなビデオ情報担体は、
次のような方法で三層マスターの表面中の突起か
ら複製してつくつた：樹脂のビーズを炭素層の表
面の一端の近くに適用しそしてマスターの情報所
有突起と透明複製物支持体の間にロールコート
し、透明支持体はマスターの上そしてマスターの
樹脂端に位置する加圧ローラーの下に置いた。ロ
ーラーを前進させ、液体樹脂をマスターと複製品
支持体との間の容積を均一に充たすようにして複
製物支持体とマスターとの間に均一な被覆を生じ
させた。 情報支持被覆の厚さは樹脂の粘度、ローラーの
高さおよびローラーとマスター間の相対的速度の
相互関係を変えることによつて調節することがで
きる。被覆の厚さはまたローラーに所属する空気
シリンダーを使用し正しい圧力に調整することに
よつても制御できる。情報支持被覆中の浮彫り模
様の深さは三層マスター中の突起の高さによつて
調節され、事実、それは実質的に正確にそれの複
製である。 樹脂塗膜の光重合および硬化は化学線源への樹
脂の露光に際して起る。好適な照射源には水銀、
キセノン、炭素アークおよびタングステン繊条ラ
ンプ、日光、等を含む。露光は個々の光重合物質
の量、照射源、源からの距離、重合される物質の
厚味および利用される支持体物質に応じて１秒未
満から10分までまたはそれ以上であろう。 実施例14においては樹脂は50重量部のヒダント
インヘキサクリラート（１，３−ビス〔３−２
（２−アクリロキシオキシエトキシ）−２−ヒドロ
キシプロピル〕−５，５−ジメチル−２，４−イ
ミジゾリジンジオン）、50重量部のヘキサンジオ
ール ジアクリラート、および２重量部の２，２
−ジメトキシ−２−フエニル−アセトフエノンの
ような、典型的にはチバ−ガイギー（Ciba−
Geigy）によつて製造されるIRGACURE651のよ
うな光重合開始剤の混合物であつた。 透明複製物支持体は１mm厚さのPVCのシート
であつた。 情報支持塗膜および支持体からなる生成積層構
造物は次いで三層マスターから剥離した。そのよ
うな積層構造物は種々の支持体から良く接着して
作り出され、それらにはICIのメリネツクス505
ポリエステル（PVDC）下塗りポリエステル、
PMMAのプラズマー蝕刻のまたは微小構造表面、
PVCおよびその他の適切な下塗りをした好適な
支持体を含む。複製物のそれ以上の加工は再生の
ために使用する系に従つて決める。 実施例14においては、複製物は30nｍのAlを被
覆しそして反射による光学的ビデオ円盤再生機で
再生した。複製物のNTSC信号対騒音比は41−
45dbであつた。 上に述べた実施例中実施例１で述べた炭素含有
記録媒質に対して示した記録寛容度は残余の実施
例中で得られるものよりも著しく大きい。光−吸
収層がまた炭素で作られた実施例においては、同
様に広い記録寛容度が存在するものと信じられ、
それに対して炭素を含まない実施例に対して示し
た記録水準の範囲は実際に観察された記録寛容度
を示す。実施例１の炭素含有媒質で示した広い記
録寛容度は炭素を含まない媒質のそれとは全く異
なつて吸収層中に使用する個々の耐火物質の融点
が高ければ高いほど、記録寛容度は大きいという
意見をさらに支持する。 上文においては特に指摘はしなかつたが、本発
明の記録媒質は、記録中に破損せずそして記録工
程の前かまたはその後に担体対騒音の減少から積
み上げて存在するようにしてほこりを防ぐ保護被
膜を備えることができることがさらに理解される
であろう。 本発明の本質は上に示した実施例との特殊な関
連によつて説明されたが、本発明の実施において
はそのような例解的実施例からの種々の変更が断
言できるであろう。例えば、支持体そのものは有
機または無機の材料から形成できるであろう、そ
して透明物質からのもの、または高反射能を有す
る物質で形成することができ、このようにして吸
収層の下に横たわる分離された反射層の必要性を
省く。他の例では、反射層によつて広い幅の反射
は要求されないので、金属被覆は多層（または単
層でさえ）の誘電反射層で置き代えることができ
る。
第１図は本発明の記録媒質の一実施態様の断面
図であり；第２図は本発明の記録媒質の別の実施
態様の断面図であり；第３図は第２図の記録媒質
の断面図であつて、その中に形成された突起を示
し；そして第４図は第２図および第３図中に示さ
れたような媒質の複製物の走査顕微鏡写真のスケ
ツチ図であつて、そこでは情報は平行走路に沿つ
て一連の突起としてその中に記録されていること
を示す。
図であり；第２図は本発明の記録媒質の別の実施
態様の断面図であり；第３図は第２図の記録媒質
の断面図であつて、その中に形成された突起を示
し；そして第４図は第２図および第３図中に示さ
れたような媒質の複製物の走査顕微鏡写真のスケ
ツチ図であつて、そこでは情報は平行走路に沿つ
て一連の突起としてその中に記録されていること
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 焦点を合わせたレーザー光線と共に使用する
記録媒質であつて、支持体、局部的区域でレーザ
ー光線から光を吸収し、それによつて情報を保存
するための光吸収層、前記支持体と前記光吸収層
との間の光学的間座層及び前記支持体と前記光学
的間座層との間の反射層を有し、然もそれらの層
が一緒になつて反射防止構造をもたらすのに有効
な全光学的な厚さを有するようになつている記録
媒質において、前記光吸収性層が、炭素；硼素；
炭素、珪素、ハフニウム、ニオブ、タンタル、チ
タニウム、タングステン、及びジルコニウムの硼
化物；アルミニウム、ハフニウム、ニオブ、タン
タル、チタニウム、バナジウム、タングステン及
びジルコニウムの炭化物；硼素、ハフニウム、タ
ンタル及びチタニウムの窒化物；ハフニウム、セ
リウム、マグネシウム及びトリウムの酸化物；及
びニオブ、タンタル、チタニウム及びタングステ
ンの珪化物；からなる群から選択された耐火性物
質からなり、60nｍより薄い厚さと、前記レーザ
ー光線が当つて生ずる局限的加熱により可塑的変
形を起し、認め得る程増大した効果的光学的厚さ
のため後で光学的に検出できる局限的領域を形成
させるのに充分な可塑性を有することを特徴とす
る記録媒質。 ２ 前記の反射層の核形成および接着を増進する
ために前記支持体と前記反射層との間に下塗り層
をさらに有する特許請求の範囲第１項に記載の記
録媒質。 ３ 前記下塗り層がクロムおよびチタニウムおよ
びそれらの合金の酸化物および亜酸化物から成る
群から選ばれた物質の3nｍ厚さよりも薄いフイ
ルムからなる特許請求の範囲第２項に記載の記録
媒質。 ４ 前記光学的間座層が、局限的加熱で容易にガ
スを与え、前記レーザー光線が当ると突起を形成
することができる物質からなる特許請求の範囲第
１項に記載の記録媒質。 ５ 前記光学的間座層が実質的に透明なフイルム
からなり、そして前記光吸収層と前記透明な光学
的間座層が組合さつておよそ多干渉倍数に相当す
る有効な光学的厚さを有し、それによつて前記レ
ーザー光線衝突中に能率的光吸収を達成する特許
請求の範囲第１項に記載の記録媒質。 ６ 前記反射層がアルミニウム、クロム、銅、
金、銀、不錆鋼およびチタニウムから成る群から
選ばれた物質の薄いフイルムからなる特許請求の
範囲第１項に記載の記録媒質。 ７ 前記光−吸収層が7.5から30nｍまでの範囲の
厚さを有する非晶質炭素の層からなる特許請求の
範囲第１項に記載の記録媒質。 ８ 前記光学的間座層が回転注型重合体状層から
なる特許請求の範囲第１項に記載の記録媒質。 ９ 前記光学的間座層が前記光に対して実質的に
透明な重合体状物質で形成される特許請求の範囲
第１項に記載の記録媒質。 １０ 前記光学的間座層が、与えられる波長にお
いて10％より多くの光がその中に吸収されるよう
な重合体状物質と有機染料との組み合わせからな
る特許請求の範囲第１項に記載の記録媒質。 １１ (a) 支持体、それに隣接した光吸収層、前
記光吸収層と支持体との間の光学的間座層、及
び前記支持体と前記光学的間座層との間の反射
層を有し、然もそれらの層が一緒になつて反射
防止構造をもたらすのに有効な全光学的厚さを
有するよになつており、前記光吸収性層が、炭
素；硼素；炭素、珪素、ハフニウム、ニオブ、
タンタル、チタニウム、タングステン及びジル
コニウムの硼化物；アルミニウム、ハフニウ
ム、ニオブ、タンタル、チタニウム、バナジウ
ム、タングステン及びジルコニウムの炭化物；
硼素、ハフニウム、タンタル及びチタニウムの
窒化物；ハフニウム、セリウム、マグネシウム
及びトリウムの酸化物；及びニオブ、タンタ
ル、チタニウム及びタングステンの珪化物；か
らなる群から選択された耐火性物質からなり、
60nｍより薄い厚さと、局限的加熱で可塑性変
形を起すに充分な可塑性を有する記録媒質を用
意し、 (b) 前記媒質を焦点を合わせた限定された強度と
時間のレーザー光線に露光して局限区域内に光
の吸収を引き起し、そして (c) 前記光吸収の結果として前記吸収層を変形さ
せて前記局限区域で光学的に検出しうる領域を
形成する 諸工程を特徴とする薄いフイルムの記録媒質中に
情報を記録する方法。 １２ 前記(a)工程が更に、ほぼmλ／4n（ここで
ｍは整数、ｎは光が通過する吸収層の有効屈折
率、λは光の波長である）の全光学的厚さを与
え、非変形状態で光の干渉により実質的に反射防
止性の構造体をもたらすように行われ、前記突起
が認め得る程増大した効果的光学的厚さを有する
前記第１１項に記載の情報記録方法。 １３ 前記反射層を与える工程がアルミニウム、
クロム、銅、金、銀、不錆鋼およびチタニウムか
ら成る群から選ばれた物質の薄いフイルムを与え
ることを含む特許請求の範囲第１２項に記載の情
報を記録する方法。 １４ 前記(a)工程が前記反射層の核形成および接
着を増進するために前記支持体と前記反射層との
間に下塗り層を与えることをさらに含む特許請求
の範囲第１２項に記載の情報を記録する方法。 １５ 前記光学的間座層が実質的に透明なフイル
ムを与えることを含み、然も前記光吸収層と前記
透明な光学的間座層が組合さつておよそ多干渉倍
数に相当する有効な光学的厚さを有し、それによ
つて前記のレーザー光線衝突中に能率的光吸収を
達成することを含む特許請求の範囲第１１項に記
載の情報を記録する方法。 １６ 前記光学的間座層を与える工程が、局限的
加熱で容易にガスを与え、レーザー光線が当つて
突起を形成することができる物質を与えることを
含む前記の光学的間座層を与える特許請求の範囲
第１１項に記載の情報を記録する方法。 １７ (a) 支持体、それに隣接した光吸収層、前
記光吸収層と支持体との間の光学的間座層、及
び前記支持体と前記光学的間座層との間の反射
層を有し、然もそれらの層が一緒になつて反射
防止構造をもたらすのに有効な全光学的厚さを
有するようなつており、前記光吸収性層が、炭
素；硼素；炭素、珪素、ハフニウム、ニオブ、
タンタル、チタニウム、タングステン、及びジ
ルコニウムの硼化物；アルミニウム、ハフニウ
ム、ニオブ、タンタル、チタニウム、バナジウ
ム、タングステン及びジルコニウムの炭化物；
硼素、ハフニウム、タンタル及びチタニウムの
窒化物；ハフニウム、セリウム、マグネシウム
及びトリウムの酸化物；及びニオブ、タンタ
ル、チタニウム及びタングステンの珪化物；か
らなる群から選択された耐火性物質からなり、
60nｍより薄い厚さと、局限的加熱で可塑性変
形を起すに充分な可塑性を有する記録媒質を用
意し、 (b) 前記媒質を、光学的に検出できる複数の局限
的領域を前記光吸収層の表面に形成するのに充
分な時間及び強度の、焦点を合わせたレーザー
光線に露光し、然も前記領域がそこに記録され
た情報を表す模様を形成しており、 (c) 前記領域を含む前記表面を、重合体物質又は
その前駆物質と接触させて置き、前記重合体の
表面に前記領域の複製物を形成する、 諸工程からなることを特徴とする、情報記録を複
製する方法。 １８ 再生用光線を用いた再生装置で用いるため
の情報記録体で、支持体、それに隣接した光吸収
層、前記光吸収層と支持体との間の光学的間座
層、及び前記支持体と前記光学明間座層との間の
反射層を有し、然もそれらの層が一緒になつて反
射防止構造をもたらすのに有効な全光学的厚さを
有するようになつており、前記光吸収層が、炭
素；硼素；炭素、珪素、ハフニウム、ニオブ、タ
ンタル、チタニウム、タングステン、及びジルコ
ニウムの硼化物；アルミニウム、ハフニウム、ニ
オブ、タンタル、チタニウム、バナジウム、タン
グステン及びジルコニウムの炭化物；硼素、ハフ
ニウム、タンタル及びチタニウムの窒化物；ハフ
ニウム、セリウム、マグネシウム及びトリウムの
酸化物；及びニオブ、タンタル、チタニウム及び
タングステンの珪化物；からなる群から選択され
た耐火性物質からなり、60mmより薄い厚さと、局
限的加熱で可塑性変形を起すに充分な可塑性を有
し、前記記録体が、記録された情報を表す複数の
光学的に検出可能な局限的領域を有する情報記録
体。 １９ 吸収層の全光学的厚さがほぼmλ／4n（こ
こでｍは整数、ｎは光が通過する吸収層の有効屈
折率、λは光の波長である）で、非変形状態で光
の干渉で、実質的に反射防止性の構造体をもたら
すようになつており、前記局限的突起が認め得る
程増大した効果的光学的厚さを有する前記第１８
項に記載の情報記録体。 ２０ 前記光学的間座層が実質的に透明なフイル
ムからなり、そして前記の光吸収層と前記透明な
光学的間座層が組合さつておよそ多干渉倍数に相
当する有効な光学的厚さを有し、それによつて１
種より多くの波長で充分な光を吸収し、それによ
つて複数の波長でレーザー光線が衝突する間に突
起を効果的に形成することができ、複数の波長で
再生光線を使つて効果的な読み取りを行うことが
できる前記第１８項に記載の情報記録体。 ２１ 前記突起が突起のない区域より高い最高部
の高さをもち、そのため光干渉による反射防止条
件がもはや満足されず、前記再生用光線で再生
中、前記突起区域からの平均反射値が増大した結
果を与えるようになつていることを特徴とする前
記第２０項に記載の情報記録体。 ２２ 前記突起が、前記光干渉による反射防止条
件を明らかに変えるのに充分な高さをもち、全微
粒表面円滑性及び徐々に変る断面をもち、その結
果、前記記録が、複製された突起によつて表わさ
れる情報記録中に認め得る程の劣化を起すことな
く、少なくとも五枚の複製品を形成するためのマ
スターとして直接且つ容易に利用できることを特
徴とする前記第２０項に記載の情報記録体。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/234,111 US4430659A (en) | 1981-02-13 | 1981-02-13 | Protuberant optical recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57185198A JPS57185198A (en) | 1982-11-15 |
| JPH0327394B2 true JPH0327394B2 (ja) | 1991-04-15 |
Family
ID=22879974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57021044A Granted JPS57185198A (en) | 1981-02-13 | 1982-02-12 | Optical recording medium |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4430659A (ja) |
| EP (1) | EP0058496B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57185198A (ja) |
| AU (1) | AU538314B2 (ja) |
| BR (1) | BR8200752A (ja) |
| CA (1) | CA1185697A (ja) |
| DE (1) | DE3271911D1 (ja) |
| ES (1) | ES509472A0 (ja) |
| MX (1) | MX153410A (ja) |
| SU (1) | SU1313361A3 (ja) |
| ZA (1) | ZA82941B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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