JPH0326764B2 - - Google Patents
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- JPH0326764B2 JPH0326764B2 JP58095121A JP9512183A JPH0326764B2 JP H0326764 B2 JPH0326764 B2 JP H0326764B2 JP 58095121 A JP58095121 A JP 58095121A JP 9512183 A JP9512183 A JP 9512183A JP H0326764 B2 JPH0326764 B2 JP H0326764B2
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- thin film
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0641—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of polarization
- G01B11/065—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of polarization using one or more discrete wavelengths
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N21/211—Ellipsometry
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜の厚さを測定するための技術に係
り、更に具体的には本発明は基板上への薄膜の付
着が行われる炉の内部に於いてサンプルの上に付
着された薄膜の厚さを測定するための装置である
エリプソメータ（ellipsometer）に係る。
り、更に具体的には本発明は基板上への薄膜の付
着が行われる炉の内部に於いてサンプルの上に付
着された薄膜の厚さを測定するための装置である
エリプソメータ（ellipsometer）に係る。
薄い熱酸化フイルムは、特別な炉内に配置され
た半導体アエハヒに、高度に酸化性の清浄な雰囲
気において900℃ないし1000℃の範囲の高い温度
の下で成長される。現在のところ、この高度に制
御された雰囲気に於いて薄膜が成長される間にそ
のままの位置に於いて薄膜の厚さを直接監視する
技術は存在しない。炉の内部に異物が入る事は許
されない。高い精度はエリプソメータの技法によ
つてはじめて達成できる。
た半導体アエハヒに、高度に酸化性の清浄な雰囲
気において900℃ないし1000℃の範囲の高い温度
の下で成長される。現在のところ、この高度に制
御された雰囲気に於いて薄膜が成長される間にそ
のままの位置に於いて薄膜の厚さを直接監視する
技術は存在しない。炉の内部に異物が入る事は許
されない。高い精度はエリプソメータの技法によ
つてはじめて達成できる。
IBM Technical Disclosure Bulletin、
Vol.13、No.２、July1970の第316頁ないし第317に
示されるTaylor等の論文には、炉内で蒸着され
ている薄膜の厚さを監視するための装置が開示さ
れている。この装置は、基板上に長いスポツトを
形成する様な角度で指向されたレーザ・ビームの
所望の入射点を監視する事によつて薄膜の厚さの
増加を測定するものである。厚さが増すにつれて
スポツトが基板を横切つて端から端へ移動する。
基板の上方の窓を通して基板に対して直角に向け
られたセンサーが、厚さの変化を測定すべく基板
を横切る光のスポツトの移動を感知する。この方
法は今日本技術分野に於いて必要とされる様な精
度で厚さを測定し得ない。
Vol.13、No.２、July1970の第316頁ないし第317に
示されるTaylor等の論文には、炉内で蒸着され
ている薄膜の厚さを監視するための装置が開示さ
れている。この装置は、基板上に長いスポツトを
形成する様な角度で指向されたレーザ・ビームの
所望の入射点を監視する事によつて薄膜の厚さの
増加を測定するものである。厚さが増すにつれて
スポツトが基板を横切つて端から端へ移動する。
基板の上方の窓を通して基板に対して直角に向け
られたセンサーが、厚さの変化を測定すべく基板
を横切る光のスポツトの移動を感知する。この方
法は今日本技術分野に於いて必要とされる様な精
度で厚さを測定し得ない。
米国特許第4168126号明細書には物体に対して
ビームを指向させる前に一対の平行な回転ミラー
によつて反射されるレーザが開示されているが、
物体は炉内にはなく、成長中の薄膜の厚さは測定
されない。
ビームを指向させる前に一対の平行な回転ミラー
によつて反射されるレーザが開示されているが、
物体は炉内にはなく、成長中の薄膜の厚さは測定
されない。
米国特許第4105337号明細書にはビームの分割
器及び検出器を用いた複数レーザ・エリプソメー
タを開示しているが、炉内で成長中の薄膜の測定
方法は開示してない。
器及び検出器を用いた複数レーザ・エリプソメー
タを開示しているが、炉内で成長中の薄膜の測定
方法は開示してない。
エリプソメータは炉内で基板上に付着されつつ
ある薄膜の厚さを測定する。この装置は炉内の窓
を通してコヒーレント光ビームを投射する手段を
含む。ビームはビーム分割器を通されてその一部
が検出器へ、残部が窓を通して炉内へ指向される
事が望ましい。炉内に薄膜が付着される複数の反
射表面が設けられる。薄膜だけが炉に於ける窓を
通して炉外に配置されたセンサーへビームを反射
する。炉からのこの出力ビームは、Ｐ及びＳ偏光
成分検出器によつて感知される様に、ビームをそ
のＰ及びＳ偏光成分に分けるビーム処理光学装置
へ指向される。一実施例に於いて、単一の窓を有
する炉の場合、２つの反射表面は相互に略直角
に、端部と端部が隣接する様に配置される。
ある薄膜の厚さを測定する。この装置は炉内の窓
を通してコヒーレント光ビームを投射する手段を
含む。ビームはビーム分割器を通されてその一部
が検出器へ、残部が窓を通して炉内へ指向される
事が望ましい。炉内に薄膜が付着される複数の反
射表面が設けられる。薄膜だけが炉に於ける窓を
通して炉外に配置されたセンサーへビームを反射
する。炉からのこの出力ビームは、Ｐ及びＳ偏光
成分検出器によつて感知される様に、ビームをそ
のＰ及びＳ偏光成分に分けるビーム処理光学装置
へ指向される。一実施例に於いて、単一の窓を有
する炉の場合、２つの反射表面は相互に略直角
に、端部と端部が隣接する様に配置される。
炉内に於いて基板上に付着されつつある薄膜の
厚さを測定するためのエリプソメータ装置が第１
図に示される。エリプソメータ装置１０はビーム
分割器１４へビームを指向させる例えばヘリウ
ム・ネオン・レーザの様なレーザを用いる。分割
されたビームの一部は検出器１６へ指向される。
検出器１６は入力ビーム強度を監視する。ビーム
の残部は入力窓１８を通して炉２０の様な閉じた
室部内へ指向される。ビームは入射ビームに関し
て適当な角度で配置された第１のサンプル・ウエ
ハ２２に照射される。ビームはサンプル２２から
サンプル２４へと反射され、サンプル２４に於い
て反射ビームは炉に入射されたビームと平行にな
る様な角度で偏向される。２つのサンプル２２及
び２４は平行入力−出力ビーム・モードで動作す
る系となる。サンプル・ウエハ２４で反射された
ビームは、炉２０の出力窓２８を通つて任意の偏
光ビーム分割器、例えばビームを２つの部分に分
割するウオラストン・プリズム３０へと指向され
る。出力ビームの一部は入射面に平行なＰ偏光成
分を測定する検出器３２へ指向され、残部のビー
ムはＳ偏光成分を検出する検出器３４へ指向され
る。他のサンプル・ウエハ２６上に付着された薄
膜は炉内の同じ温度領域内にある限り、ウエハ２
２及び２４上に付着される薄膜と同じ厚さを有す
るであろう。反射された強度測定値RP及びRSを
所望の薄膜のパラメータに変換する為に数学的な
アルゴリズムを用いることができる。２つのサン
プル・ウエハは相互に平行であつて全体の構成は
入射するビームに対して適当な角度に配向されて
いる。第１図では２回の反射が示されるが、更に
多数回の反射を用いてもよい。ビームはウエハ２
２，２４の各表面に同じ角度で入射されるので、
得られる反射係数Rp及びRsは単に個々の反射係
数の２乗即ち、 Rp＝R2 p1及びRs＝2 s1（Rp1＝Rp2、Rs1＝Rs2）で
ある。
厚さを測定するためのエリプソメータ装置が第１
図に示される。エリプソメータ装置１０はビーム
分割器１４へビームを指向させる例えばヘリウ
ム・ネオン・レーザの様なレーザを用いる。分割
されたビームの一部は検出器１６へ指向される。
検出器１６は入力ビーム強度を監視する。ビーム
の残部は入力窓１８を通して炉２０の様な閉じた
室部内へ指向される。ビームは入射ビームに関し
て適当な角度で配置された第１のサンプル・ウエ
ハ２２に照射される。ビームはサンプル２２から
サンプル２４へと反射され、サンプル２４に於い
て反射ビームは炉に入射されたビームと平行にな
る様な角度で偏向される。２つのサンプル２２及
び２４は平行入力−出力ビーム・モードで動作す
る系となる。サンプル・ウエハ２４で反射された
ビームは、炉２０の出力窓２８を通つて任意の偏
光ビーム分割器、例えばビームを２つの部分に分
割するウオラストン・プリズム３０へと指向され
る。出力ビームの一部は入射面に平行なＰ偏光成
分を測定する検出器３２へ指向され、残部のビー
ムはＳ偏光成分を検出する検出器３４へ指向され
る。他のサンプル・ウエハ２６上に付着された薄
膜は炉内の同じ温度領域内にある限り、ウエハ２
２及び２４上に付着される薄膜と同じ厚さを有す
るであろう。反射された強度測定値RP及びRSを
所望の薄膜のパラメータに変換する為に数学的な
アルゴリズムを用いることができる。２つのサン
プル・ウエハは相互に平行であつて全体の構成は
入射するビームに対して適当な角度に配向されて
いる。第１図では２回の反射が示されるが、更に
多数回の反射を用いてもよい。ビームはウエハ２
２，２４の各表面に同じ角度で入射されるので、
得られる反射係数Rp及びRsは単に個々の反射係
数の２乗即ち、 Rp＝R2 p1及びRs＝2 s1（Rp1＝Rp2、Rs1＝Rs2）で
ある。
ここでサフイツクス１及び２は各々サンプル１
及び２（例えばウエハ２２及び２４）を示す。
及び２（例えばウエハ２２及び２４）を示す。
このように、薄膜付着面でのコヒーレント・ビ
ームの反射回数を２回以上に増やし、反射ビーム
の強度の変化量を増幅する、すなわち相乗された
反射係数の変化を知ることによつて、１回の反射
では十分検出できないような微妙な反射係数（し
たがつて膜厚）の変化を検出できるようになる。
したがつて、膜厚測定の感度が向上し、膜厚を精
度よく検出することが可能になる。
ームの反射回数を２回以上に増やし、反射ビーム
の強度の変化量を増幅する、すなわち相乗された
反射係数の変化を知ることによつて、１回の反射
では十分検出できないような微妙な反射係数（し
たがつて膜厚）の変化を検出できるようになる。
したがつて、膜厚測定の感度が向上し、膜厚を精
度よく検出することが可能になる。
また、薄膜付着面で反射させることのみによつ
て、炉内でのコヒーレント・ビームの進行方向を
変えるようにしたことも、膜厚の測定精度の向上
に頁献する。すなわち、炉内で基板上に付着され
つつある薄膜の膜厚を測定したい場合に、鏡を使
つて炉内でのビームの進行方向を変えると、炉内
環境に晒された鏡表面の反射係数の変化が反射ビ
ームの強度に影響を与えてしまう。しかも、この
ような鏡の反射係数の変化分を補正することは一
般に困難であるし、たとえ可能であつてもデータ
処理に余分な時間を費し、かつ膜厚測定装置全体
を複雑なものとする。したがつて、炉内に複数の
基板を適宜配置してそれらだけによつてビームを
反射させることによつてのみ、基板上で形成され
つつある薄膜の膜厚を、そのままの状態で（in
situ）、簡便に、かつ精度よく測定することが可
能となる。
て、炉内でのコヒーレント・ビームの進行方向を
変えるようにしたことも、膜厚の測定精度の向上
に頁献する。すなわち、炉内で基板上に付着され
つつある薄膜の膜厚を測定したい場合に、鏡を使
つて炉内でのビームの進行方向を変えると、炉内
環境に晒された鏡表面の反射係数の変化が反射ビ
ームの強度に影響を与えてしまう。しかも、この
ような鏡の反射係数の変化分を補正することは一
般に困難であるし、たとえ可能であつてもデータ
処理に余分な時間を費し、かつ膜厚測定装置全体
を複雑なものとする。したがつて、炉内に複数の
基板を適宜配置してそれらだけによつてビームを
反射させることによつてのみ、基板上で形成され
つつある薄膜の膜厚を、そのままの状態で（in
situ）、簡便に、かつ精度よく測定することが可
能となる。
入力ビーム及び出力ビームは相互に平行であつ
て、構成の配向に依存しない。それらの相対的変
位が入射角の測定値となる。
て、構成の配向に依存しない。それらの相対的変
位が入射角の測定値となる。
第２図に於いて第２の実施例が示される。装置
４０は炉に２つの窓部を有している。該実施例に
於いて、レーザ４２はビームをビーム分割器４４
へ指向させ、ここでビームが分割されて一方が検
出器４６へ、他方が炉５０の窓４８を通してサン
プル・ウエハ５２にθ1の角度で照射される。ビー
ムは更に第１のサンプル・ウエハ５２に対して
90゜の角度で配置された第２のサンプル・ウエハ
５４へ指向される。炉内には他のサンプル・ウエ
ハ５６が配置されている。図示される様にビーム
はθ2の角度でサンプル５４から反射され、出力窓
５８を通つてウオラストン・プリズム６０及び検
出器６２及び６４へ指向される。この実施例に於
いて、２つのサンプル・ウエハ５２及び５４は相
互に垂直である。２つの入射する角度は等しくな
いが、相互に余角の関係（θ2＝90゜−θ1）にある。
この実施例に於いては、炉内との連絡は炉の１つ
の面に於いて行なわれるのに対し、第１図の実施
例の場合は炉の２つの面に於いて行なわれる。
４０は炉に２つの窓部を有している。該実施例に
於いて、レーザ４２はビームをビーム分割器４４
へ指向させ、ここでビームが分割されて一方が検
出器４６へ、他方が炉５０の窓４８を通してサン
プル・ウエハ５２にθ1の角度で照射される。ビー
ムは更に第１のサンプル・ウエハ５２に対して
90゜の角度で配置された第２のサンプル・ウエハ
５４へ指向される。炉内には他のサンプル・ウエ
ハ５６が配置されている。図示される様にビーム
はθ2の角度でサンプル５４から反射され、出力窓
５８を通つてウオラストン・プリズム６０及び検
出器６２及び６４へ指向される。この実施例に於
いて、２つのサンプル・ウエハ５２及び５４は相
互に垂直である。２つの入射する角度は等しくな
いが、相互に余角の関係（θ2＝90゜−θ1）にある。
この実施例に於いては、炉内との連絡は炉の１つ
の面に於いて行なわれるのに対し、第１図の実施
例の場合は炉の２つの面に於いて行なわれる。
第３図は４回の反射を用いる対照型エリプソメ
ータ路回７０を示す。８回、16回等の反射を用い
る事も可能であるが実用性にとぼしい。レーザ７
２はビームをビーム分割器へ指向させる。一方の
ビームは検出器７６へ、他方は入力窓７８を通つ
て炉内へ指向される。ビームはサンプル・ウエハ
８２、サンプル・ウエハ８４、再びサンプル・ウ
エハ８２、サンプル・ウエハ８４の順で反射され
て、出力窓８８を通り、ウオラストン・プリズム
９０及び検出器９２及び９４へと指向される。こ
の装置に於いて、２つのサンプル・ウエハ８２及
び８４は相互に所定の角度に固定され、第１及び
第４の入射角（θ1、θ4）は67°、第２及び第３の
入射角（θ2、θ3）は22.5゜である。これらの２組
の入射角は相互に余角の関係にある。この構成も
また全体の配向とは独立して入力ビーム及び出力
ビームが相互に平行になる。
ータ路回７０を示す。８回、16回等の反射を用い
る事も可能であるが実用性にとぼしい。レーザ７
２はビームをビーム分割器へ指向させる。一方の
ビームは検出器７６へ、他方は入力窓７８を通つ
て炉内へ指向される。ビームはサンプル・ウエハ
８２、サンプル・ウエハ８４、再びサンプル・ウ
エハ８２、サンプル・ウエハ８４の順で反射され
て、出力窓８８を通り、ウオラストン・プリズム
９０及び検出器９２及び９４へと指向される。こ
の装置に於いて、２つのサンプル・ウエハ８２及
び８４は相互に所定の角度に固定され、第１及び
第４の入射角（θ1、θ4）は67°、第２及び第３の
入射角（θ2、θ3）は22.5゜である。これらの２組
の入射角は相互に余角の関係にある。この構成も
また全体の配向とは独立して入力ビーム及び出力
ビームが相互に平行になる。
第４図に於いて、炉内との連絡が炉１１０の１
つの面に於いて行なわれる装置１００が示され
る。レーザ１０２はビームをビーム分割器１０４
へ指向させ、そこからビームの一部が検出器１０
６へ、残部が炉１１０の壁部の入力窓１０８を通
して入射される。ビームはθの角度でサンプル・
ウエハ１１２に照射され、サンプル・ウエハ１１
４へ偏向される。次にビームはサンプル・ウエハ
１１４からサンプル・ウエハ１１２へ戻され、窓
１０８を通してビーム分割器１１８へ指向され
る。ここからビームの一部はウオラストン・プリ
ズム１２０を通つて検出器１２２及び１２４へ指
向される。２つのサンプル面１１２及び１１４の
間の角度は90゜−θ（θは選択された入射角）に固
定される。この装置は逆反射型
（retroreflective）であつて、復帰ビームが入力
ビームに重なる。全反射回数は３回であつて、第
１、第２の反射がθ、第２の反射が90゜である。
この構成は炉内との連絡ポート１０８が１個に限
定される場合に用いられるべきである。これはそ
の構成の配向について非常に敏感であつて、精確
な配置が行なわれる事によつて用いる事ができ
る。何らかの位置のずれがあると、入力ビーム及
び出力ビームの重なつた状態からのずれ状態とし
て直ちに検出される。
つの面に於いて行なわれる装置１００が示され
る。レーザ１０２はビームをビーム分割器１０４
へ指向させ、そこからビームの一部が検出器１０
６へ、残部が炉１１０の壁部の入力窓１０８を通
して入射される。ビームはθの角度でサンプル・
ウエハ１１２に照射され、サンプル・ウエハ１１
４へ偏向される。次にビームはサンプル・ウエハ
１１４からサンプル・ウエハ１１２へ戻され、窓
１０８を通してビーム分割器１１８へ指向され
る。ここからビームの一部はウオラストン・プリ
ズム１２０を通つて検出器１２２及び１２４へ指
向される。２つのサンプル面１１２及び１１４の
間の角度は90゜−θ（θは選択された入射角）に固
定される。この装置は逆反射型
（retroreflective）であつて、復帰ビームが入力
ビームに重なる。全反射回数は３回であつて、第
１、第２の反射がθ、第２の反射が90゜である。
この構成は炉内との連絡ポート１０８が１個に限
定される場合に用いられるべきである。これはそ
の構成の配向について非常に敏感であつて、精確
な配置が行なわれる事によつて用いる事ができ
る。何らかの位置のずれがあると、入力ビーム及
び出力ビームの重なつた状態からのずれ状態とし
て直ちに検出される。
炉内との連絡が炉の１つの面に限定される場合
に用いられるエリプソメータ装置の具体例を第５
図に示す。ヘリウム・レーザ１３２からのビーム
が窓１３４を通してウエハ・サンプル１３６へ指
向される。45゜の角度でサンプル１３６から反射
されたビームはウエハ・サンプル１３８から45゜
の角度で反射される。なお、これら２つのサンプ
ルは相互に90゜をなす様に且つ端部同志が隣接す
る様に配置される。サンプル・ウエハ１３８から
反射したビームは炉１３５の出力窓１４２を通つ
て第１図の成分３０、３２及び３４の様な構成要
素を含む受容ユニツト１４４へ指向される。Ｐ偏
光成分及びＳ偏光成分を示す信号IP及びISを搬送
する線がユニツト１４４からインタフエース１４
６を介して例えば小型の汎用コンピユータである
装置コントローラ１４８へ接続されている。コン
トローラ１４８は炉コントローラ１５０（所望の
設定ポイント、例えば所望の薄膜厚さに於いて炉
を非動作状態にする）へ出力信号を与える。更に
インタフエース１４６はレーザ１３２（インタフ
エース１４６へ送られる信号I0を与える第１図の
１６に相当する検出器を含む）からの入力を受け
取る。信号I0はレーザ出力の変動による誤動作を
回避するために、強度の変わるレーザを正規化す
べく、レーザ出力強度監視用に用いられる。この
線は最適な性能をうるための光学的な付属的手段
である。
に用いられるエリプソメータ装置の具体例を第５
図に示す。ヘリウム・レーザ１３２からのビーム
が窓１３４を通してウエハ・サンプル１３６へ指
向される。45゜の角度でサンプル１３６から反射
されたビームはウエハ・サンプル１３８から45゜
の角度で反射される。なお、これら２つのサンプ
ルは相互に90゜をなす様に且つ端部同志が隣接す
る様に配置される。サンプル・ウエハ１３８から
反射したビームは炉１３５の出力窓１４２を通つ
て第１図の成分３０、３２及び３４の様な構成要
素を含む受容ユニツト１４４へ指向される。Ｐ偏
光成分及びＳ偏光成分を示す信号IP及びISを搬送
する線がユニツト１４４からインタフエース１４
６を介して例えば小型の汎用コンピユータである
装置コントローラ１４８へ接続されている。コン
トローラ１４８は炉コントローラ１５０（所望の
設定ポイント、例えば所望の薄膜厚さに於いて炉
を非動作状態にする）へ出力信号を与える。更に
インタフエース１４６はレーザ１３２（インタフ
エース１４６へ送られる信号I0を与える第１図の
１６に相当する検出器を含む）からの入力を受け
取る。信号I0はレーザ出力の変動による誤動作を
回避するために、強度の変わるレーザを正規化す
べく、レーザ出力強度監視用に用いられる。この
線は最適な性能をうるための光学的な付属的手段
である。
以上説明したように、本発明によれば、膜厚付
着面の反射係数（１次的には、反射ビームの特定
の偏光成分の強度）の測定を通じて炉内に置かれ
た基板表面に付着されつつある薄膜の膜厚をその
ままの状態で、精度よく、かつ簡単な装置構成で
もつて測定できるという優れた効果が得られる。
着面の反射係数（１次的には、反射ビームの特定
の偏光成分の強度）の測定を通じて炉内に置かれ
た基板表面に付着されつつある薄膜の膜厚をその
ままの状態で、精度よく、かつ簡単な装置構成で
もつて測定できるという優れた効果が得られる。
第１図ないし第５図は夫々本発明の実施例を示
す図である。 １２……レーザ、１４……ビーム分割器、１６
……検出器、１８……入力窓、２０……炉、２
２，２４……サンプル・ウエハ、２６……他のサ
ンプル・ウエハ、２８……出力窓、３０……ウオ
ラストン・プリズム、３２，３４……検出器。
す図である。 １２……レーザ、１４……ビーム分割器、１６
……検出器、１８……入力窓、２０……炉、２
２，２４……サンプル・ウエハ、２６……他のサ
ンプル・ウエハ、２８……出力窓、３０……ウオ
ラストン・プリズム、３２，３４……検出器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 炉内で基板上に付着される薄膜の膜厚測定装
置であつて、 コヒーレント・ビームを炉外から炉内に導くた
めの入力窓と、 コヒーレント・ビームを炉内から炉外に導くた
めの出力窓と、 上記出力窓を通過したコヒーレント・ビームの
特定の偏光成分の強度を測定する手段とを具備
し、 複数の基板が、上記炉内において、上記入力窓
から導かれたコヒーレント・ビームを各基板の薄
膜付着面で少なくとも１回反射させることのみに
よつて該コヒーレント・ビームの炉内での進行方
向を変え、該コヒーレント・ビームを出力窓に導
くように配置されることを特徴とする膜厚測定装
置。 ２ １つの窓が入力窓と出力窓を兼用しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の膜厚
測定装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US40658782A | 1982-08-09 | 1982-08-09 | |
| US406587 | 1989-09-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5930004A JPS5930004A (ja) | 1984-02-17 |
| JPH0326764B2 true JPH0326764B2 (ja) | 1991-04-11 |
Family
ID=23608645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9512183A Granted JPS5930004A (ja) | 1982-08-09 | 1983-05-31 | 膜厚測定装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0102470B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5930004A (ja) |
| DE (1) | DE3370374D1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4672196A (en) * | 1984-02-02 | 1987-06-09 | Canino Lawrence S | Method and apparatus for measuring properties of thin materials using polarized light |
| GB2343509B (en) * | 1986-05-23 | 2001-01-17 | British Aerospace | Laser detectors |
| JPH066906Y2 (ja) * | 1987-12-16 | 1994-02-23 | 西部瓦斯株式会社 | コイル管の巻きぐせ解消装置 |
| US5061072A (en) * | 1988-01-11 | 1991-10-29 | C/O The Secretary, Comonwealth Of Australia Department Of Defence | Differential ellipsometer |
| EP0339845B1 (en) * | 1988-04-29 | 1993-01-07 | Hughes Aircraft Company | System for automated real-time control of film deposition |
| DE4013211A1 (de) * | 1990-04-25 | 1991-10-31 | Fraunhofer Ges Forschung | Ellipsometer |
| US5277747A (en) * | 1992-09-15 | 1994-01-11 | Bell Communications Research, Inc. | Extraction of spatially varying dielectric function from ellipsometric data |
| FR2698443B1 (fr) * | 1992-11-25 | 1995-03-10 | Lyon Ecole Centrale | Procédé et appareil pour mesurer par ellipsométrie la température d'un objet, notamment semi-conducteur. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017874A (ja) * | 1973-06-15 | 1975-02-25 | ||
| JPS5599045A (en) * | 1979-01-24 | 1980-07-28 | Japan Spectroscopic Co | Surface reflection measuring apparatus |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3880524A (en) * | 1973-06-25 | 1975-04-29 | Ibm | Automatic ellipsometer |
| GB1493087A (en) * | 1975-04-28 | 1977-11-23 | Ibm | Ellipsometer |
| US4105337A (en) * | 1977-05-11 | 1978-08-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Self-induced rotation ellipsometer |
| US4168126A (en) * | 1977-07-05 | 1979-09-18 | Altman Associates, Inc. | Electro-optical measuring system using precision light translator |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP9512183A patent/JPS5930004A/ja active Granted
- 1983-06-29 EP EP83106329A patent/EP0102470B1/en not_active Expired
- 1983-06-29 DE DE8383106329T patent/DE3370374D1/de not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5017874A (ja) * | 1973-06-15 | 1975-02-25 | ||
| JPS5599045A (en) * | 1979-01-24 | 1980-07-28 | Japan Spectroscopic Co | Surface reflection measuring apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3370374D1 (en) | 1987-04-23 |
| JPS5930004A (ja) | 1984-02-17 |
| EP0102470A1 (en) | 1984-03-14 |
| EP0102470B1 (en) | 1987-03-18 |
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