JPH03264659A - 表面改質セラミックス及びその製造方法 - Google Patents
表面改質セラミックス及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH03264659A JPH03264659A JP6371390A JP6371390A JPH03264659A JP H03264659 A JPH03264659 A JP H03264659A JP 6371390 A JP6371390 A JP 6371390A JP 6371390 A JP6371390 A JP 6371390A JP H03264659 A JPH03264659 A JP H03264659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- thermal expansion
- thermal
- base material
- ceramics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 claims description 13
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000051 modifying effect Effects 0.000 abstract 3
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N chromium iron Chemical compound [Cr].[Fe] UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 230000006903 response to temperature Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、セラミックス基材の表面に強固に結合した
20JLm乃至数mmの厚さの機能性金属被膜、すなわ
ち改質層を有する表面改質セラミックスとその製造方法
に関する。
20JLm乃至数mmの厚さの機能性金属被膜、すなわ
ち改質層を有する表面改質セラミックスとその製造方法
に関する。
一般的に何らかの基材の表面に被膜を設けて表面を改質
する方法は種々ある。その中で金属を基材とする場合の
表面改質において被膜の厚さが20ル川乃至数mmであ
る場合に、熱プラズマを熱源とした溶射法が使用されて
いる。例えば金属の基材にセラミックス溶射被膜を形成
することが行なわれている。
する方法は種々ある。その中で金属を基材とする場合の
表面改質において被膜の厚さが20ル川乃至数mmであ
る場合に、熱プラズマを熱源とした溶射法が使用されて
いる。例えば金属の基材にセラミックス溶射被膜を形成
することが行なわれている。
しかし、セラミックス基材に、20gm乃至数ff1m
の厚さで金属の改質層を形成することは行なわれていな
い。
の厚さで金属の改質層を形成することは行なわれていな
い。
0le−口島が解決しようとする課題〕金属とセラミッ
クスの接合において、両者の熱膨張係数が接近したもの
であれば温度変化により発生する熱応力が小さく好まし
いが、熱膨張係数が大きく相違していると、接合し難い
と考えるのが一般的である。そこでセラミックスの基材
に溶射により金属の改質層を形成しようとした場合には
、セラミックスの基材に、セラミックスとしては膨張係
数の大きい金属のそれに近いようなものを選択すること
になる。ところが、基材の厚さ及び大きさにより、また
溶射中の熱源の移動に伴なう局部的な温度差により膨張
収縮が不均等になるから、溶射中に割れを生じる。例え
ば、フォルステライトを例にとれば、膨張係数は金属と
ほぼ等しいが、金属溶射中に割れを生じる。
クスの接合において、両者の熱膨張係数が接近したもの
であれば温度変化により発生する熱応力が小さく好まし
いが、熱膨張係数が大きく相違していると、接合し難い
と考えるのが一般的である。そこでセラミックスの基材
に溶射により金属の改質層を形成しようとした場合には
、セラミックスの基材に、セラミックスとしては膨張係
数の大きい金属のそれに近いようなものを選択すること
になる。ところが、基材の厚さ及び大きさにより、また
溶射中の熱源の移動に伴なう局部的な温度差により膨張
収縮が不均等になるから、溶射中に割れを生じる。例え
ば、フォルステライトを例にとれば、膨張係数は金属と
ほぼ等しいが、金属溶射中に割れを生じる。
これに対し膨張係数の小さいセラミックスを基材として
用いると、そのセラミックス自体は耐熱衝撃特性に優れ
ているので割れは生じない。しかし、そのセラミックス
基材と金属の改質層との熱膨張係数の差が大きくなるか
ら、溶射によって形成された金属被膜とセラミックス基
材との間に冷却時に強大な内部応力が発生し、被膜厚さ
が大略20JLm以上であれば被膜が収縮力によりセラ
ミックスの表面層を剥落させて共に基材から剥離するか
又は金属被膜に割れを生じてしまう。
用いると、そのセラミックス自体は耐熱衝撃特性に優れ
ているので割れは生じない。しかし、そのセラミックス
基材と金属の改質層との熱膨張係数の差が大きくなるか
ら、溶射によって形成された金属被膜とセラミックス基
材との間に冷却時に強大な内部応力が発生し、被膜厚さ
が大略20JLm以上であれば被膜が収縮力によりセラ
ミックスの表面層を剥落させて共に基材から剥離するか
又は金属被膜に割れを生じてしまう。
このように、従来はセラミックス基材の上に金属被膜を
少なくとも20pm程度以上の膜厚に溶射法により形成
することは、セラミックス基材の熱膨張係数が大きい場
合でもまた小さい場合でも、いずれも良好な結果が得ら
れなかった。
少なくとも20pm程度以上の膜厚に溶射法により形成
することは、セラミックス基材の熱膨張係数が大きい場
合でもまた小さい場合でも、いずれも良好な結果が得ら
れなかった。
この発明は、セラミックスを基材としその表面に改質層
として20pm以上の十分に厚い金属被膜を剥離しない
ように形成された表面改質セラミックスを得ることを課
題とする。
として20pm以上の十分に厚い金属被膜を剥離しない
ように形成された表面改質セラミックスを得ることを課
題とする。
第1の発明は、表面改質セラミックスの構造であり、熱
膨張係数の小さい耐熱衝撃特性を有するセラミックス基
材と、その基材の表面に結合した基材の熱膨張係数より
も大きい熱膨張係数の第2のセラミックスの被膜と、そ
の第2のセラミックスの被膜の上に結合した第2のセラ
ミックスの熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数の金属の
改質層とからなることを特徴とする。
膨張係数の小さい耐熱衝撃特性を有するセラミックス基
材と、その基材の表面に結合した基材の熱膨張係数より
も大きい熱膨張係数の第2のセラミックスの被膜と、そ
の第2のセラミックスの被膜の上に結合した第2のセラ
ミックスの熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数の金属の
改質層とからなることを特徴とする。
第2の発明は、第1の発明の表面改質セラミックスの製
法であり、熱膨張係数の小さい耐熱衝撃特性を有するセ
ラミックス基材の表面に、その基材の熱膨張係数よりも
大きい熱膨張係数の第2のセラミックスのパウダーを熱
プラズマを熱源として溶射することにより第2のセラミ
ックスの溶射被膜を形成し、その第2のセラミックスの
溶射被膜の上に第2のセラミックスの熱膨張係数よりも
大きい熱膨張係数の金属のパウダーを熱プラズマを熱源
として溶射することにより金属の溶射被膜を形成するこ
とを特徴とする。
法であり、熱膨張係数の小さい耐熱衝撃特性を有するセ
ラミックス基材の表面に、その基材の熱膨張係数よりも
大きい熱膨張係数の第2のセラミックスのパウダーを熱
プラズマを熱源として溶射することにより第2のセラミ
ックスの溶射被膜を形成し、その第2のセラミックスの
溶射被膜の上に第2のセラミックスの熱膨張係数よりも
大きい熱膨張係数の金属のパウダーを熱プラズマを熱源
として溶射することにより金属の溶射被膜を形成するこ
とを特徴とする。
第1の発明によれば、熱膨張係数の小さい基材のセラミ
ックスと、熱膨張係数の大きい金属の改質層との間に、
双方の熱膨張係数の間の大きさの熱膨張係数の第2のセ
ラミックスの被膜が存在するものであるから、温度変化
に対して、金属の改質層の膨張収縮が大きくても第2の
セラミックスの被膜がある程度膨張収縮することにより
基材のセラミックスに伝わる熱応力が緩和されて、第2
のセラミックスの表面層からの剥離には至らない。従っ
て、温度変化に対し剥離し難い金属の改質層をセラミッ
クス基材の表面に有するものである。なお、耐熱衝撃性
の優れたセラミックスの膨張係数は1.0〜2.OXl
0−6程度のものであり、この程度のものを基材とする
のがよい。第2のセラミックスの被膜は、その厚さは基
材のセラミックスの肉厚、大きさ、形状によって左右さ
れるが大略10〜200舊mがよく、熱膨張係数は、5
〜8×10−6程度がよい。
ックスと、熱膨張係数の大きい金属の改質層との間に、
双方の熱膨張係数の間の大きさの熱膨張係数の第2のセ
ラミックスの被膜が存在するものであるから、温度変化
に対して、金属の改質層の膨張収縮が大きくても第2の
セラミックスの被膜がある程度膨張収縮することにより
基材のセラミックスに伝わる熱応力が緩和されて、第2
のセラミックスの表面層からの剥離には至らない。従っ
て、温度変化に対し剥離し難い金属の改質層をセラミッ
クス基材の表面に有するものである。なお、耐熱衝撃性
の優れたセラミックスの膨張係数は1.0〜2.OXl
0−6程度のものであり、この程度のものを基材とする
のがよい。第2のセラミックスの被膜は、その厚さは基
材のセラミックスの肉厚、大きさ、形状によって左右さ
れるが大略10〜200舊mがよく、熱膨張係数は、5
〜8×10−6程度がよい。
第2の発明によれば、基材のセラミックスの表面に第2
のセラミックスの被膜を溶射により形成し、さらにその
上に改質金属層を溶射により形成するから、これらは互
いに強力な結合状態となる。そして、溶射完了直後の高
温状態から冷却が進むと、各層はその熱膨張係数に応じ
て収縮しようとするから、熱膨張係数の相違により内部
応力が生じるが、収縮の大きい改質層と結合している第
2のセラミックス被膜がある程度収縮するので、第2の
セラミックス被膜が結合している基材のセラミックスへ
改質層に生じる内部応力が緩和された形で伝わる。従っ
て、全体が常温に冷却された状態となっても、内部応力
は残留するが改質層が剥離するには至らない。従って、
このようにして得られた表面改質セラミックスは、再加
熱、繰返し加熱・冷却に耐えられるものである。前述し
た膨張係数が5〜8 X 10−6程度の第2のセラミ
ックスとしては、例えばアルミナセラミックスがあり、
これをアルゴンガスを用いた熱プラズマを熱源として溶
射する場合のパウダーの粒径は1〜100 g mが適
当である。表面改質層としての金属の材質は、改質層に
与えるべき機能により選定する。例えば、改質層を電気
抵抗発熱体として使用するのであれば、ニッケルクロム
系合金のパウダーを溶射する。そのパウダーの粒径は、
1〜100弘mが適当である。
のセラミックスの被膜を溶射により形成し、さらにその
上に改質金属層を溶射により形成するから、これらは互
いに強力な結合状態となる。そして、溶射完了直後の高
温状態から冷却が進むと、各層はその熱膨張係数に応じ
て収縮しようとするから、熱膨張係数の相違により内部
応力が生じるが、収縮の大きい改質層と結合している第
2のセラミックス被膜がある程度収縮するので、第2の
セラミックス被膜が結合している基材のセラミックスへ
改質層に生じる内部応力が緩和された形で伝わる。従っ
て、全体が常温に冷却された状態となっても、内部応力
は残留するが改質層が剥離するには至らない。従って、
このようにして得られた表面改質セラミックスは、再加
熱、繰返し加熱・冷却に耐えられるものである。前述し
た膨張係数が5〜8 X 10−6程度の第2のセラミ
ックスとしては、例えばアルミナセラミックスがあり、
これをアルゴンガスを用いた熱プラズマを熱源として溶
射する場合のパウダーの粒径は1〜100 g mが適
当である。表面改質層としての金属の材質は、改質層に
与えるべき機能により選定する。例えば、改質層を電気
抵抗発熱体として使用するのであれば、ニッケルクロム
系合金のパウダーを溶射する。そのパウダーの粒径は、
1〜100弘mが適当である。
この実施例は、図に略図で示すように、厚さ3mmの板
に形成した基材1のセラミックスを電気絶縁性と高効率
遠赤外線放射性を有する物質とし、厚さ0.5Hの表面
改質層3を電気抵抗発熱体としたものである。絶縁及び
高効率遠赤外線放射物質としてのセラミックスは、5i
02− A1203系ヲベースとして第3、第4の系を
添加した物質であり、これは公知のものである。また、
電気抵抗発熱体としての表面改質層3も一般的な、高温
時に耐酸化性のあるニッケルクロム系合金又は鉄クロム
系合金のいずれでもよいが、この例ではニッケルクロム
系合金を用いた。そして、第2のセラミックスとしては
、アルミナセラミックスを用い、その被膜2の厚さは1
004 mとした。
に形成した基材1のセラミックスを電気絶縁性と高効率
遠赤外線放射性を有する物質とし、厚さ0.5Hの表面
改質層3を電気抵抗発熱体としたものである。絶縁及び
高効率遠赤外線放射物質としてのセラミックスは、5i
02− A1203系ヲベースとして第3、第4の系を
添加した物質であり、これは公知のものである。また、
電気抵抗発熱体としての表面改質層3も一般的な、高温
時に耐酸化性のあるニッケルクロム系合金又は鉄クロム
系合金のいずれでもよいが、この例ではニッケルクロム
系合金を用いた。そして、第2のセラミックスとしては
、アルミナセラミックスを用い、その被膜2の厚さは1
004 mとした。
第2のセラミックスの被膜2及び表面改質層3の形成は
、アルゴンガスを用いる熱プラズマを熱源とする溶射に
より行なった。被膜2及び改質層3の溶射の材料粉末は
いずれも粒径な110−1O0pに調整して用いた。
、アルゴンガスを用いる熱プラズマを熱源とする溶射に
より行なった。被膜2及び改質層3の溶射の材料粉末は
いずれも粒径な110−1O0pに調整して用いた。
このようにして形成された電気ヒータ(面ヒータ)は、
製作時の溶射中、溶射後の冷却期中はもちろん、給電部
を取付けて使用試験中の加熱・冷却の繰返しにおいても
、基材1の割れ、表面改質3の剥離や割れに生じなかっ
た。
製作時の溶射中、溶射後の冷却期中はもちろん、給電部
を取付けて使用試験中の加熱・冷却の繰返しにおいても
、基材1の割れ、表面改質3の剥離や割れに生じなかっ
た。
比較例として、実施例の第2のセラミックスの被膜2を
設けないで基材1の直接表面改質層3を形成すると、溶
射条件を種々変化させても、溶射後の冷却に伴ない改質
層3に相当する被膜の割れや被膜の基材lからの剥離が
発生した。
設けないで基材1の直接表面改質層3を形成すると、溶
射条件を種々変化させても、溶射後の冷却に伴ない改質
層3に相当する被膜の割れや被膜の基材lからの剥離が
発生した。
上記実施例においては、基材lに第2のセラミックスの
被膜2を形成してその上に電気抵抗の大きいニッケルク
ロム系合金層を改質層として形成したものであるが、電
気抵抗の小さい銅や金の層を形成することもできる。こ
のことは実施例の電気抵抗発熱体に給電するための導電
性の表面改質層部分を導電回路として隣接させて形成す
ることが可能となるのであり、このためには2種の表面
改質層をそれぞれ所定のパターンのマスクを使用して溶
射形成すればよい、この場合、従来のように第2のセラ
ミックスの被膜を介在させない方法では、基材1に物性
の異なる2種の金属の改質層を直接形成することになる
ので、上記比較例の場合よりもいっそう条件が悪くなり
、所望の表面改質セラミックスは得られない。しかし、
第2のセラミックスの被膜を介在させた構成とすると得
られる。
被膜2を形成してその上に電気抵抗の大きいニッケルク
ロム系合金層を改質層として形成したものであるが、電
気抵抗の小さい銅や金の層を形成することもできる。こ
のことは実施例の電気抵抗発熱体に給電するための導電
性の表面改質層部分を導電回路として隣接させて形成す
ることが可能となるのであり、このためには2種の表面
改質層をそれぞれ所定のパターンのマスクを使用して溶
射形成すればよい、この場合、従来のように第2のセラ
ミックスの被膜を介在させない方法では、基材1に物性
の異なる2種の金属の改質層を直接形成することになる
ので、上記比較例の場合よりもいっそう条件が悪くなり
、所望の表面改質セラミックスは得られない。しかし、
第2のセラミックスの被膜を介在させた構成とすると得
られる。
上記実施例は、板状基材の一方の面に表面改質層を設け
たものを示したが、双方の面に表面改質層を設けること
もできる。
たものを示したが、双方の面に表面改質層を設けること
もできる。
第1の発明によれば、セラミックス基材の表面が金属の
20pm以上の十分に厚い改質層を有し、耐繰返し加熱
・冷却性を有する表面改質セラミックスが得られ、従っ
て表面改質層を電気抵抗発熱体とすることができる。
20pm以上の十分に厚い改質層を有し、耐繰返し加熱
・冷却性を有する表面改質セラミックスが得られ、従っ
て表面改質層を電気抵抗発熱体とすることができる。
第2の発明によれば、第1の発明の表面改質セラミック
スを製造できる。
スを製造できる。
図はこの発明の表面改質セラミックスの1実施例を示す
断面拡大部分図である。 1・・・基材、2 ・・第2セラミンクスの被膜3 ・
・・ 金属の改質層。
断面拡大部分図である。 1・・・基材、2 ・・第2セラミンクスの被膜3 ・
・・ 金属の改質層。
Claims (2)
- (1)熱膨張係数の小さい耐熱衝撃特性を有するセラミ
ックス基材と、その基材の表面に結合した基材の熱膨張
係数よりも大きい熱膨張係数の第2のセラミックスの被
膜と、その第2のセラミックスの被膜の上に結合した第
2のセラミックスの熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数
の金属の改質層とからなることを特徴とする表面改質セ
ラミックス。 - (2)熱膨張係数の小さい耐熱衝撃特性を有するセラミ
ックス基材の表面に、その基材の熱膨張係数よりも大き
い熱膨張係数の第2のセラミックスのパウダーを熱プラ
ズマを熱源として溶射することにより第2のセラミック
スの溶射被膜を形成し、その第2のセラミックスの溶射
被膜の上に第2のセラミックスの熱膨張係数よりも大き
い熱膨張係数の金属のパウダーを熱プラズマを熱源とし
て溶射することにより金属の溶射被膜を形成することを
特徴とする表面改質セラミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6371390A JPH03264659A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 表面改質セラミックス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6371390A JPH03264659A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 表面改質セラミックス及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03264659A true JPH03264659A (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=13237301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6371390A Pending JPH03264659A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 表面改質セラミックス及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03264659A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246391A (ja) * | 2009-07-27 | 2009-10-22 | Kyocera Corp | セラミック配線基板の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55113870A (en) * | 1979-02-26 | 1980-09-02 | Toshiba Corp | Forming method for heat resistant coating layer |
JPS59230666A (ja) * | 1983-05-07 | 1984-12-25 | Hitachi Metals Ltd | 溶射膜形成方法 |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP6371390A patent/JPH03264659A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55113870A (en) * | 1979-02-26 | 1980-09-02 | Toshiba Corp | Forming method for heat resistant coating layer |
JPS59230666A (ja) * | 1983-05-07 | 1984-12-25 | Hitachi Metals Ltd | 溶射膜形成方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246391A (ja) * | 2009-07-27 | 2009-10-22 | Kyocera Corp | セラミック配線基板の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100295145B1 (ko) | 서셉터 | |
CA2381716C (en) | Aluminum substrate thick film heater | |
KR100411215B1 (ko) | 반도체 제조 장치용 웨이퍼 보유체 | |
US4859835A (en) | Electrically resistive tracks | |
CN100515145C (zh) | 加热元件及其制造方法,具有所述元件的用具及其制造方法 | |
JPS61138486A (ja) | 板状セラミツクスヒ−タ | |
JPH07282961A (ja) | ヒーター | |
JPH03264659A (ja) | 表面改質セラミックス及びその製造方法 | |
JP2006027919A (ja) | 耐熱性塗料及び該塗料を用いた断熱材 | |
JPH05106016A (ja) | セラミツクスコートパウダー及び該セラミツクスコートパウダーを用いた母材のコーテイング方法 | |
JPH088141B2 (ja) | 面ヒ−タ | |
JPH05145220A (ja) | 導体膜および導体膜の製造方法 | |
JPH03240961A (ja) | 基板加熱装置 | |
JPH027379A (ja) | 加熱板製造方法 | |
JPH04209587A (ja) | 金属基板及びその製造方法 | |
JPH0463481A (ja) | 絶縁被覆型熱発電素子及びその製造法 | |
JPS59130082A (ja) | 面状発熱体 | |
JPH01163988A (ja) | 定温発熱体 | |
JPH08250465A (ja) | 半導体プラズマ処理装置の電極カバー | |
JP2809914B2 (ja) | サーモスイッチ及びサーモスイッチ付きヒータ | |
JPH04345838A (ja) | 配線板 | |
JPS63158861A (ja) | 高熱伝導性回路基板の製造方法 | |
JPS6367552B2 (ja) | ||
JP3216737B2 (ja) | 複合粒子の溶射発熱体とその製造法 | |
JP2911887B1 (ja) | 型枠およびセラミックス発泡体の製造方法 |