JPH0326339B2 - - Google Patents

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JPH0326339B2
JPH0326339B2 JP57187371A JP18737182A JPH0326339B2 JP H0326339 B2 JPH0326339 B2 JP H0326339B2 JP 57187371 A JP57187371 A JP 57187371A JP 18737182 A JP18737182 A JP 18737182A JP H0326339 B2 JPH0326339 B2 JP H0326339B2
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JP
Japan
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magnetostrictive
shaft
torque
torque sensor
film
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JP57187371A
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Shoichi Edo
Munekatsu Shimada
Hiroyuki Aoki
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Nissan Motor Co Ltd
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Nissan Motor Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L3/00Measuring torque, work, mechanical power, or mechanical efficiency, in general
    • G01L3/02Rotary-transmission dynamometers
    • G01L3/04Rotary-transmission dynamometers wherein the torque-transmitting element comprises a torsionally-flexible shaft
    • G01L3/10Rotary-transmission dynamometers wherein the torque-transmitting element comprises a torsionally-flexible shaft involving electric or magnetic means for indicating
    • G01L3/101Rotary-transmission dynamometers wherein the torque-transmitting element comprises a torsionally-flexible shaft involving electric or magnetic means for indicating involving magnetic or electromagnetic means
    • G01L3/102Rotary-transmission dynamometers wherein the torque-transmitting element comprises a torsionally-flexible shaft involving electric or magnetic means for indicating involving magnetic or electromagnetic means involving magnetostrictive means
    • GPHYSICS
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    • G01L3/101Rotary-transmission dynamometers wherein the torque-transmitting element comprises a torsionally-flexible shaft involving electric or magnetic means for indicating involving magnetic or electromagnetic means
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、磁気ひずみ効果を利用した磁歪式
トルクセンサに関するものである。
この種の磁歪式トルクセンサの従来の構造例を
挙げると、第1図に示すようなものがある。この
磁歪式トルクセンサ1は、磁気ひずみ効果を有す
る材質よりなる軸2の表面に、励磁コイル3と検
出コイル4を配設し、この励磁コイル3と検出コ
イル4の外周部に、かつ軸2との間で間隙5をお
いて、高透磁率物質よりなるヨーク6を設けた構
造をなすものである。
この磁歪式トルクセンサ1を作動させるに際し
ては、磁励コイル4に通電することによつて、軸
2、間隙5およびヨーク6を通る磁気回路を形成
させておく。このとき、検出コイル4には誘導起
電力が発生している。
このような状態において、軸2にねじりトルク
が加えられると、この軸2の磁気ひずみ効果によ
つて軸自体の透磁率が変化するため、前記磁気回
路を通る磁束密度が変化することとなり、これに
対応して検出コイル4に発生する誘導起電力も変
化し、この誘導起電力の変化を読み取ることによ
つて上記ねじりトルクの値を知ることができる。
この場合、軸2に対して左右いずれの方向のねじ
りトルクが加えられたときでも、軸自体の透磁率
変化は同じであるため、第2図に示すように、検
出コイル4に発生する誘導起電力(出力)Ep
同じである。また、温度(T)が変化したときに
は出力も変化してくる。
したがつて、、上記した構造の磁歪式トルクセ
ンサ1では、軸2に加えられるねじりトルクの方
向を検知することができないという欠点があつ
た。また、温度による出力値の変化を補正するこ
とができないという欠点もあつた。
一方、日本ゴム協会誌第55巻第6号に記載され
ているように、軸に加えられるねじりトルクの方
向を検知することができる磁歪式トルクセンサと
して、第3図に示す構造のものがある。この磁歪
式トルクセンサ11は、軸12の外周部分に、こ
の軸12の両端でひねりを加えた状態で、磁気ひ
ずみ効果を有する二つの磁歪膜13a,13bを
接着し、接着後にひねりを除去することによつ
て、両磁歪膜13a,13bに互いに逆方向のね
じりモーメントを与えておき、さらに、両磁歪膜
13a,13bの外周部分に間隔をおいて円筒部
材14を配設し、この円筒部材14に、前記両磁
歪膜13a,13bに対向する励磁コイル15
と、前記各磁歪膜13a,13bに各々対向する
検出コイル16a,16bとを設けた構造をなす
ものである。
このような構造の磁歪式トルクセンサ11で
は、軸12にねじりコイルが加わつた際に、一方
の磁歪膜13a中のねじりモーメントは上記あら
かじめ与えられたねじりモーメントより大きくな
り、他方の磁歪膜13b中のねじりモーメントは
上記あらかじめ与えられたモーメントより小さく
なることによつて、各々磁歪膜13a,13bの
透磁率が変化し、これに対応した誘導起電力が各
検出コイル16a,16bより発生するので、こ
れらの出力を差動結合することによつて、軸12
に加えられたねじりトルクの大きさと共にその方
向を検知することができる。
しかしながら、このような構造の磁歪式トルク
センサ11では、その製造過程で、磁歪膜13
a,13bを接着する際に軸12に対してひねり
を加えておく必要があるため、製作が容易でない
と共にトルク検出特性のばらつきを生じやすく、
また複数構成の磁歪膜13a,13bを用いなけ
ればトルクの方向を検知することができないとい
う欠点を有していた。
この発明は、上記した従来の種々の欠点に着目
してなされたもので、軸に加えられるねじりトル
クの大きさと共に、ねじりトルクの方向をも知る
ことができ、構造が簡単でトルク検出特性のばら
つきが小さく、温度による影響をなくすことも可
能である磁歪式トルクセンサを提供することを目
的としている。
この発明は、軸の表面に、磁気ひずみ効果を有
する磁歪膜を設けると共に、前記磁歪膜の近傍に
励磁コイルと検出コイルを配設して、前記磁歪膜
を通る磁気回路を形成し、前記磁歪膜の磁気ひず
みを利用して、前記軸に加えられたトルクを検出
するようにした磁歪式トルクセンサにおいて、前
記磁歪膜に、前記軸の方向に対して傾斜する方向
に複数のスリツトを設けた構成としたことを特徴
としている。
以下、この発明の実施例を図面に基いて詳細に
説明する。
第4図〜第6図は、この発明の一実施例を示す
図であつて、図に示す磁歪式トルクセンサ21
は、軸22の表面に、第5図に示す如く傾斜方向
に複数のスリツト23aを設けた全体として矩形
状の磁歪膜23を接着により第6図に示す如く軸
22の方向に対してスリツト23aが傾斜する方
向に設けると共に、前記磁歪膜23の外周近傍に
励磁コイル24と検出コイル25を配設し、この
励磁コイル24と検出コイル25の外側に、かつ
軸22との間で間隙26をおいて、高透磁率物質
よりなる円筒状のヨーク27を設けた構造をなす
ものである。
この構造において、磁歪膜23は磁気ひずみ効
果を有するものであり、例えばアモルフアス(非
晶質)型のものを使用する。そして、例えば、磁
気ひずみ効果の大きいFe系アモルフアス金属を
使用し、このFeアモルフアス金属の薄帯に第5
図に示す如く複数のスリツト23aを形成して構
成した磁歪膜23を第6図に示す如く軸22に接
着してスリツト23aが軸22の方向に対して傾
斜した状態とする。
次に上記磁歪式トルクセンサ21の動作につい
て説明する。
まず、作動に際しては、励磁コイル24に対し
て一定の振幅および周波数の交流を印加する。こ
の印加によつて、磁歪膜23→間隙26→ヨーク
27→間隙26→磁歪膜23を磁路とする磁力線
が、励磁コイル24と検出コイル25とを取り囲
むように発生する。ここで、時刻tにおいて検出
コイル25内を貫通する磁束をΦ(t)とし、検
出コイル25の自己インダクタンスをLPとし、
検出コイル25の巻数をNとすると、 EP=NdΦ(t)/dt …(1) で表わされる誘導起電力EPが、前記検出コイル
25の出力端に発生する。このとき、時刻tにお
ける磁力線mは、第4図cに示すように、各スリ
ツト23aと同方向に磁歪膜23中を流れる。
次に、軸22に対して例えば第4図bに示す
の方向にねじりトルクが加わると、磁歪膜23は
第4図cに示す−の方向に引張変形を受け
る。これによつて、本実施例において使用したア
モルフアス型の磁歪膜23は、上記引張変形によ
つてその透磁率が増加する特性を有するため、検
出コイル25内を貫通する磁束Φ(t)が増加す
る。
一方、周波数は変化しないので、上記(1)式に示
すdΦ(t)/dtが増加し、誘導起電力Epが増大す
る。
他方、軸22に対して第4図bに示すの方向
にねじりトルクが加わると、磁歪膜23は第4図
cに示す−の方向に圧縮変形を受け、磁歪膜
23の透磁率が減少するため、検出コイル25内
を貫通する磁束Φ(t)が減少し、上記(1)式に示
すdΦ(t)/dtが減少して、誘導起電力Epが減少
する。
そして、上記引張および圧縮による磁歪膜23
の透磁率変化幅は、軸22に対する印加トルクが
増加すると増大するので、結局、第7図に示すよ
うに、誘導起電力(出力)Epによつて上記印加
トルクを検出することができると同時に、印加ト
ルクの方向を検出することができる。
なお、上記磁歪膜23に形成するスリツト23
aの幅は、磁束の漏れが無視できる位に設定する
のがよい。また、軸22としては非磁性材料を用
いることが望ましいが、軸22に対して磁歪膜2
3の透磁率が大きい場合にはこの限りではない。
第8図はこの発明の他の実施例を示す図であつ
て、前記軸22の表面に磁歪膜23を設ける他の
例を示している。すなわち、この場合には第8図
bに展開して示すように、磁歪膜を形成しようと
する部分以外の軸22の表面にマスキング28を
施した後、電気メツキ法、物理的蒸着法
(PVD;真空蒸着、スパツタリング、イオンプレ
ーテイング等)、化学的蒸着法(CVD)等によつ
て、第8図aに示すような複数のスリツト23a
を有する磁歪膜23を軸22の表面に設けたもの
を示している。
このようにしたときでも、前記実施例の場合と
同様に、軸22に加えられたねじりトルクの大き
さと方向を同時に検出することができる。
ところで、上記各実施例に示す磁歪式トルクセ
ンサ21は、第9図に示すように、温度(T)の
変化(T1,T2)によつて検出コイル25に発生
する誘導起電力(出力)Epが異なるため、温度
変化の小さな場所での使用に有効である。
第10図ないし第12図はこの発明のさらに他
の実施例を示す図であつて、前記実施例の場合の
温度変化による出力の影響をなくすようにした実
施例を示している。
すなわち、第10図a,bに示す磁歪式トルク
センサ31は、各々、1本の軸22に、二組ずつ
の、磁歪膜23,23と、励磁コイル24,24
と、検出コイル25,25と、ヨーク27,27
とを設け、軸22とヨーク27との間に間隙26
を設けたものであつて、両磁歪膜23,23は、
各々に形成したスリツト23a,23aが、軸2
2の方向に対して、前記軸22の一部を対称中心
とする異なる方向に傾斜するように設けたもので
ある。
この場合、第10図aに示す磁歪式トルクセン
サ31の磁歪膜23,23は、第11図に示すよ
うに、一枚の磁歪薄帯のほぼ中央に磁束遮断用ス
リツト23bを形成すると共に、このスリツト2
3bを対称中心として、反対方向に傾斜する複数
のスリツト23a,23aを形成したものを軸2
2に接着することにより設けたものである。ま
た、第10図bに示す磁歪式トルクセンサ31の
磁歪膜23,23は、各々別個に作製した第5図
に示す如き形状の磁歪薄帯を軸22に接着するこ
とにより設けたものである。もちろん、いずれの
場合にも磁歪薄帯を使用せず、第8図をもとに説
明したようにめつき法や蒸着法等によつて磁歪膜
23を形成することも可能であり、両磁歪膜23
の磁気的干渉を防ぐ意味からは第10図bに示す
ように両磁歪膜23,23が各々独立したもので
ある方がよい。
このような構造の磁歪式トルクセンサ31にお
いて、軸22にねじりトルクが加えられると、各
磁歪膜23,23のスリツト方向に引張と圧縮の
相異なる変形が与えられ、一方の検出コイル25
の誘導起電力Ep1は増加し、他方の検出コイル2
5の誘導起電力Ep2は減少する。したがつて、軸
22に加えられるねじりトルクをTq、比例定数
をKとした場合に、 Ep1=K・Tq+Ep0 Ep2=−K・Tq+Ep0 …(2) となり、これらの出力を差動回路で減算したとき
の出力をEとした場合には、 E=Ep1−Ep2=2K・Tq ……(3) となり、第12図に示すように、本実施例にあつ
ては出力変化率が2倍となり、同時にトルクの方
向も検出することができる。
次に、第10図に示す磁歪式トルクセンサ31
の温度補償について説明すると、温度が変化した
場合において、一定入力下では、磁歪膜23の透
磁率変化や、コイル24,25の抵抗変化等によ
る磁束の変化によつて、第4図に示すトルクセン
サ21では、第9図に示すようにその出力値が減
少側へ移行する。そこで、この移行幅をΔEpとす
ると、第10図に示すトルクセンサ31では、一
方の検出コイル25の出力Ep1は、 Ep1=K・Tq+Ep0−ΔEp ……(4) となり、他方の検出コイル25の出力Ep2は、 Ep2=−K・Tp+Ep0−ΔEp ……(5) となる。そして、これらの出力を差動回路で減算
したときの出力をETとした場合には、 ET=Ep1−Ep2=2K・Tq ……(6) となり、温度による影響が除去されると共に、出
力が倍増する効果が得られ、しかもこれと同時に
トルクの方向も検出することができる。
以上説明してきたように、この発明によれば、
磁気ひずみ効果を有する磁歪膜を軸の表面に設け
た磁歪式トルクセンサの前記磁歪膜に、前記軸の
方向に対して傾斜する方向に複数のスリツトを設
けるようにしたから、単一構成の磁歪膜を用いる
だけで、前記軸に加えられたトルクの大きさと該
トルクの方向の両方を同時に検出することがで
き、構造が簡単でトルク検出特性のばらつきが小
さい磁歪式トルクセンサを得ることができるとい
うすぐれた効果を有し、複数構成の磁歪膜を用い
た場合には温度による影響を完全になくすことが
でき、温度変化のあるところにおいてもトルクの
測定を精度良く行うことができるというすぐれた
効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の磁歪式トルクセンサの一例を示
す断面説明図、第2図は第1図の磁歪式トルクセ
ンサの出力特性を示すグラフ、第3図は従来の磁
歪式トルクセンサの他の例を示す断面説明図、第
4図a,b,cはこの発明の一実施例による磁歪
式トルクセンサの各々断面説明図、軸に加えるト
ルクの方向を示す説明図および磁歪膜に対する変
形方向を示す説明図、第5図および第6図は第4
図の磁歪膜の展開説明図および磁歪膜を設けた軸
の説明図、第7図は第4図の磁歪式トルクセンサ
の出力特性を示すグラフ、第8図a,bはこの発
明の他の実施例による磁歪膜を設けた軸の外観説
明図および展開説明図、第9図は第4図の磁歪式
トルクセンサの出力特性の温度による影響を示す
グラフ、第10図a,bはこの発明のさらに他の
実施例による磁歪式トルクセンサの各々断面説明
図、第11図は第10図aの磁歪式トルクセンサ
に用いた磁歪膜の展開説明図、第12図は第10
図の磁歪式トルクセンサの出力特性を示すグラフ
ある。 21,31…磁歪式トルクセンサ、22…軸、
23…磁歪膜、23a…スリツト、2…励磁コイ
ル、25…検出コイル、26…間隙、27…ヨー
ク、28…マスキング。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 軸の表面に、磁気ひずみ効果を有する磁歪膜
    を設けると共に、前記磁歪膜の近傍に励磁コイル
    と検出コイルを配設して、前記磁歪膜を通る磁気
    回路を形成し、前記軸に加えられるねじりトルク
    による前記磁歪膜の変形に起因する磁気ひずみを
    利用して前記トルクを検出する磁歪式トルクセン
    サにおいて、前記磁歪膜に、前記軸の方向に対し
    て傾斜する方向に複数のスリツトを設けたことを
    特徴とする磁歪式トルクセンサ。 2 前記複数のスリツトは、前記軸の方向に対し
    て、該軸の一部を対称中心とする異なる方向に傾
    斜するものである特許請求の範囲第1項記載の磁
    歪式トルクセンサ。
JP57187371A 1982-10-27 1982-10-27 磁歪式トルクセンサ Granted JPS5977326A (ja)

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JP57187371A JPS5977326A (ja) 1982-10-27 1982-10-27 磁歪式トルクセンサ

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