JPH0431571Y2 - - Google Patents
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- JPH0431571Y2 JPH0431571Y2 JP6191885U JP6191885U JPH0431571Y2 JP H0431571 Y2 JPH0431571 Y2 JP H0431571Y2 JP 6191885 U JP6191885 U JP 6191885U JP 6191885 U JP6191885 U JP 6191885U JP H0431571 Y2 JPH0431571 Y2 JP H0431571Y2
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- magnetostrictive film
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- film
- torque
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Description
【考案の詳細な説明】
[考案の目的]
(産業上の利用分野)
この考案は、磁気ひずみ効果を利用した磁歪式
トルクセンサに使用される磁歪素子構造に関する
ものである。
トルクセンサに使用される磁歪素子構造に関する
ものである。
(従来の技術)
従来のこの種の磁歪式トルクセンサとしては、
例えば第16図ないし第18図に示すようなもの
がある(特開昭59−77326号公報)。この磁歪式ト
ルクセンサ101は、第17図に示すように、軸
102の表面に、第18図に示すごとく傾斜方向
に複数のスリツト103aを有する矩形状の磁歪
膜103を接着剤により接着した磁歪素子104
を用い、前記磁歪素子104を構成する磁歪膜1
03の外周近傍に、第16図に示すように、励磁
コイル105と検出コイル106を配設し、この
励磁コイル105と検出コイル106の外側に、
かつ軸102との間で間隙107をおいて、高透
磁率物質よりなる円筒状のヨーク108を設けた
構造をなすものである。
例えば第16図ないし第18図に示すようなもの
がある(特開昭59−77326号公報)。この磁歪式ト
ルクセンサ101は、第17図に示すように、軸
102の表面に、第18図に示すごとく傾斜方向
に複数のスリツト103aを有する矩形状の磁歪
膜103を接着剤により接着した磁歪素子104
を用い、前記磁歪素子104を構成する磁歪膜1
03の外周近傍に、第16図に示すように、励磁
コイル105と検出コイル106を配設し、この
励磁コイル105と検出コイル106の外側に、
かつ軸102との間で間隙107をおいて、高透
磁率物質よりなる円筒状のヨーク108を設けた
構造をなすものである。
上記磁歪式トルクセンサ101の動作について
説明すると、まず、作動に際しては、励磁コイル
105に対して一定の振幅および周波数の交流を
印加する。この印加によつて磁歪膜103→間隙
107→ヨーク108→間隙107→磁歪膜10
3を磁路とする磁力線が励磁コイル105と検出
コイル106とを取り囲むように発生する。ここ
で時刻tにおいて、検出コイル106内を貫通す
る磁束をΦ(t)とし、検出コイル106の巻数
をNとすると、 Ep=NdΦ(t)/dt ……(1) で表わされる誘導起電力Epが、前記検出コイル
106の出力端に発生する。このとき、時刻tに
おける磁力線mは、第18図に示すように、各ス
リツト103aと同方向に磁歪膜103中を流れ
る。
説明すると、まず、作動に際しては、励磁コイル
105に対して一定の振幅および周波数の交流を
印加する。この印加によつて磁歪膜103→間隙
107→ヨーク108→間隙107→磁歪膜10
3を磁路とする磁力線が励磁コイル105と検出
コイル106とを取り囲むように発生する。ここ
で時刻tにおいて、検出コイル106内を貫通す
る磁束をΦ(t)とし、検出コイル106の巻数
をNとすると、 Ep=NdΦ(t)/dt ……(1) で表わされる誘導起電力Epが、前記検出コイル
106の出力端に発生する。このとき、時刻tに
おける磁力線mは、第18図に示すように、各ス
リツト103aと同方向に磁歪膜103中を流れ
る。
次に、軸102に対して例えば第17図に示す
の方向にねじりトルクが加わると、磁歪膜10
3は第18図に示す−の方向に引張変形を受
ける。これによつてこの従来例では磁歪膜103
は、上記引張変形によつてその透磁率が増加する
特性を有するため、検出コイル106内を貫通す
る磁束Φ(t)が増加する。一方、周波数は変化
しないので、上記(1)式に示すdΦ/dtが増加し、
誘導起電力(Ep)が増大する。
の方向にねじりトルクが加わると、磁歪膜10
3は第18図に示す−の方向に引張変形を受
ける。これによつてこの従来例では磁歪膜103
は、上記引張変形によつてその透磁率が増加する
特性を有するため、検出コイル106内を貫通す
る磁束Φ(t)が増加する。一方、周波数は変化
しないので、上記(1)式に示すdΦ/dtが増加し、
誘導起電力(Ep)が増大する。
他方、軸102に対して第17図に示すの方
向にねじりトルクが加わると、磁歪膜103は第
18図に示す−の方向に圧縮変形を受け、磁
歪膜103の透磁率が減少するため、検出コイル
106内を貫通する磁束Φ(t)が減少し、上記
(1)式に示すdΦ(t)/dtが減少して、誘導起電力
(Ep)が減少する。
向にねじりトルクが加わると、磁歪膜103は第
18図に示す−の方向に圧縮変形を受け、磁
歪膜103の透磁率が減少するため、検出コイル
106内を貫通する磁束Φ(t)が減少し、上記
(1)式に示すdΦ(t)/dtが減少して、誘導起電力
(Ep)が減少する。
そして、上記引張および圧縮による磁歪膜10
3の透磁率変化幅は、軸102に対する印加トル
クが増加すると増大するので、結局、第19図に
示すようにな特性となり、それゆえ、誘導起電力
(出力Ep)を検出することによつて上記印加トル
クを検出することができると同時に、印加トルク
の方向を検出することができる。
3の透磁率変化幅は、軸102に対する印加トル
クが増加すると増大するので、結局、第19図に
示すようにな特性となり、それゆえ、誘導起電力
(出力Ep)を検出することによつて上記印加トル
クを検出することができると同時に、印加トルク
の方向を検出することができる。
第20図および第21図は上記特開昭59−
77326号公報に記載された他の従来例を示すもの
であつて、前記磁歪式トルクセンサ101を2つ
並列に接続して差動検出し、トルク検出感度の向
上ならびに温度変化による出力の影響の除去をは
かるようにしたものである。すなわち、第20図
に示す磁歪式トルクセンサ101は、軸102に
加えられるねじりトルクの方向に対して、該方向
を対称中心とする異なる方向に傾斜するようにス
リツト103a,103bを形成した磁歪膜10
3を設けた磁歪素子104を用い、この磁歪素子
104の外周部分に、左右各々二組ずつの、励磁
コイル105,105と、検出コイル106,1
06と、ヨーク108,108とを設け、軸10
2とヨーク108との間に間隙107を設けたも
のである。また、磁歪膜103の中央に磁束遮断
用スリツト103cを形成したものである。
77326号公報に記載された他の従来例を示すもの
であつて、前記磁歪式トルクセンサ101を2つ
並列に接続して差動検出し、トルク検出感度の向
上ならびに温度変化による出力の影響の除去をは
かるようにしたものである。すなわち、第20図
に示す磁歪式トルクセンサ101は、軸102に
加えられるねじりトルクの方向に対して、該方向
を対称中心とする異なる方向に傾斜するようにス
リツト103a,103bを形成した磁歪膜10
3を設けた磁歪素子104を用い、この磁歪素子
104の外周部分に、左右各々二組ずつの、励磁
コイル105,105と、検出コイル106,1
06と、ヨーク108,108とを設け、軸10
2とヨーク108との間に間隙107を設けたも
のである。また、磁歪膜103の中央に磁束遮断
用スリツト103cを形成したものである。
このような構造の磁歪式トルクセンサ101に
おいて、軸102にねじりトルクが加えられる
と、磁歪膜103は、各スリツト103a,10
3bの方向にそれぞれ引張と圧縮の相異なる変形
が与えられ、一方の検出コイル106の誘導起電
力は増加し、他方の検出コイル106の誘導起電
力は減少する。従つて、これらの出力を差動回路
で減算して出力変化率を2倍とすることができ
る。
おいて、軸102にねじりトルクが加えられる
と、磁歪膜103は、各スリツト103a,10
3bの方向にそれぞれ引張と圧縮の相異なる変形
が与えられ、一方の検出コイル106の誘導起電
力は増加し、他方の検出コイル106の誘導起電
力は減少する。従つて、これらの出力を差動回路
で減算して出力変化率を2倍とすることができ
る。
しかしながら、このような従来の磁歪式トルク
センサ101の磁歪素子104にあつては、第1
8図に示したように、磁歪膜103の上下部分
に、軸102に平行な縁部分103d,103d
を有し、この縁部分103d,103dでは、ト
ルク印加時に軸方向と±45°方向に引張と圧縮の
歪が等量生じてトルク検出には何ら効力をもたな
いため、トルク検出感度を低下させる原因となつ
ている。
センサ101の磁歪素子104にあつては、第1
8図に示したように、磁歪膜103の上下部分
に、軸102に平行な縁部分103d,103d
を有し、この縁部分103d,103dでは、ト
ルク印加時に軸方向と±45°方向に引張と圧縮の
歪が等量生じてトルク検出には何ら効力をもたな
いため、トルク検出感度を低下させる原因となつ
ている。
また、傾斜する磁歪膜部分の形状が一定してお
らず、場所によつて磁束密度が異なることによ
り、軸102と各コイル105,106との相対
回転に伴う出力変動の原因となつている。
らず、場所によつて磁束密度が異なることによ
り、軸102と各コイル105,106との相対
回転に伴う出力変動の原因となつている。
さらに、磁歪膜103の厚みが数十μmと薄
く、かつスリツト103aを設けた構造となつて
いるので、軸102への接着の際に、各スリツト
103aの間隔を一定に保つための位置決めがむ
づかしく、したがつて各ロツト間の出力特性のば
らつきの原因となり、かつまた作業性が極めて悪
い。
く、かつスリツト103aを設けた構造となつて
いるので、軸102への接着の際に、各スリツト
103aの間隔を一定に保つための位置決めがむ
づかしく、したがつて各ロツト間の出力特性のば
らつきの原因となり、かつまた作業性が極めて悪
い。
さらにまた、磁歪膜103が鉄系アモルフアス
などからなる場合には、軸102に対する接着性
が悪く、はく離が生じやすい。
などからなる場合には、軸102に対する接着性
が悪く、はく離が生じやすい。
などの問題点を有していた。
そこで、本考案者はこのような従来の問題点を
解消するため、第22図に示すように、平行なス
リツト103aを設けた磁歪膜103において、
傾斜する磁歪膜部分の形状を同一にすることによ
り、軸102に平行であつてトルク検出に寄与し
ない部分をなくし、このような磁歪膜103を軸
102に接着した磁歪素子104を開発した。
解消するため、第22図に示すように、平行なス
リツト103aを設けた磁歪膜103において、
傾斜する磁歪膜部分の形状を同一にすることによ
り、軸102に平行であつてトルク検出に寄与し
ない部分をなくし、このような磁歪膜103を軸
102に接着した磁歪素子104を開発した。
(考案が解決しようとする問題点)
しかしながら、従来のスリツト103aを形成
した磁歪膜103を設けた磁歪素子104を使用
した磁歪式トルクセンサ101では、軸102に
磁歪膜103を精度良く取りつけることが難かし
く、スリツト103aの間隙が微妙に変化して軸
102と各コイル105,106との相対回転に
伴う出力の変動要因となることがあり、また磁歪
膜103が直接露出しているため剥離を生じた
り、腐食を発生したりすることがあるという問題
点を有していた。
した磁歪膜103を設けた磁歪素子104を使用
した磁歪式トルクセンサ101では、軸102に
磁歪膜103を精度良く取りつけることが難かし
く、スリツト103aの間隙が微妙に変化して軸
102と各コイル105,106との相対回転に
伴う出力の変動要因となることがあり、また磁歪
膜103が直接露出しているため剥離を生じた
り、腐食を発生したりすることがあるという問題
点を有していた。
この考案は、上述したような従来の問題点に着
目してなされたもので、出力の変動が著しく少な
いと共に、磁歪膜の剥離や腐食の発生を防止する
ことが可能である磁歪式トルクセンサの磁歪素子
を提供することを目的としている。
目してなされたもので、出力の変動が著しく少な
いと共に、磁歪膜の剥離や腐食の発生を防止する
ことが可能である磁歪式トルクセンサの磁歪素子
を提供することを目的としている。
[考案の構成]
(問題点を解決するための手段)
この考案は、軸の表面に磁歪膜を設けた磁歪素
子の前記磁歪膜の近傍に、励磁コイルと検出コイ
ルを配設して、前記磁歪膜を通る磁気回路を形成
し、前記軸に加えられるねじりトルクによる前記
磁歪膜の変形に起因する磁気ひずみ効果を利用し
て前記トルクを検出する磁歪式トルクセンサにお
いて、帯状体の並列形状とした磁歪膜を樹脂被覆
した磁歪膜素子として形成して、前記軸の表面
に、前記樹脂被覆された磁歪膜の帯状体が前記軸
の長手方向に対して傾斜する向きして前記磁歪膜
素子を巻付けて固着した磁歪素子の構成としたこ
とを特徴としている。
子の前記磁歪膜の近傍に、励磁コイルと検出コイ
ルを配設して、前記磁歪膜を通る磁気回路を形成
し、前記軸に加えられるねじりトルクによる前記
磁歪膜の変形に起因する磁気ひずみ効果を利用し
て前記トルクを検出する磁歪式トルクセンサにお
いて、帯状体の並列形状とした磁歪膜を樹脂被覆
した磁歪膜素子として形成して、前記軸の表面
に、前記樹脂被覆された磁歪膜の帯状体が前記軸
の長手方向に対して傾斜する向きして前記磁歪膜
素子を巻付けて固着した磁歪素子の構成としたこ
とを特徴としている。
(実施例)
第1図および第2図はこの考案の一実施例を示
す図である。図に示す磁歪膜素子1は、多数(図
示例では4枚)のリボン状磁歪膜2を斜めの状態
で平行にして樹脂3中に埋設することにより帯状
体の並列形状としたものであり、リボン状磁歪膜
2を直接樹脂3中に埋設した例を示すものであ
る。
す図である。図に示す磁歪膜素子1は、多数(図
示例では4枚)のリボン状磁歪膜2を斜めの状態
で平行にして樹脂3中に埋設することにより帯状
体の並列形状としたものであり、リボン状磁歪膜
2を直接樹脂3中に埋設した例を示すものであ
る。
また、第3図は他の実施例を示すものであつ
て、磁歪膜2として前記樹脂3との接着性の劣る
Fe系アモルフアス(非晶質)材料を用いた場合
に、これらの接着性を高めるために、磁歪膜2の
全面にあらかじめクロムめつき層4を形成してお
き、その後に磁歪膜2を樹脂3中に埋設した場合
を示すものである。
て、磁歪膜2として前記樹脂3との接着性の劣る
Fe系アモルフアス(非晶質)材料を用いた場合
に、これらの接着性を高めるために、磁歪膜2の
全面にあらかじめクロムめつき層4を形成してお
き、その後に磁歪膜2を樹脂3中に埋設した場合
を示すものである。
このような磁歪膜素子1は、第1図に示すよう
な単品の構成とすることもできるが、第4図に示
すように、連続した長尺状に形成しておき、所定
の長さ毎にミシン目5を形成して適宜切断できる
ような構成とすることもできる。また、ミシン目
5を形成しない状態としておき、使用する軸12
(第5図参照)の直径に合わせて切断して用いる
ことができるようにしておくことも可能である。
な単品の構成とすることもできるが、第4図に示
すように、連続した長尺状に形成しておき、所定
の長さ毎にミシン目5を形成して適宜切断できる
ような構成とすることもできる。また、ミシン目
5を形成しない状態としておき、使用する軸12
(第5図参照)の直径に合わせて切断して用いる
ことができるようにしておくことも可能である。
第5図は上記の磁歪膜素子1を軸12に巻いて
第6図に示すように接着剤8を用いて固定するこ
とにより磁歪素子13を作製した場合を示すもの
であり、この軸12の外側には、第16図に示し
たと同様に、第7図に示すように、励磁コイル1
5と検出コイル16とを配設し、この励磁コイル
15と検出コイル16の外側に、かつ軸12との
間で間隙17をおいて、高透磁率物質よりなる円
筒状のヨーク18を設けた構成の磁歪式トルクセ
ンサ11とする。
第6図に示すように接着剤8を用いて固定するこ
とにより磁歪素子13を作製した場合を示すもの
であり、この軸12の外側には、第16図に示し
たと同様に、第7図に示すように、励磁コイル1
5と検出コイル16とを配設し、この励磁コイル
15と検出コイル16の外側に、かつ軸12との
間で間隙17をおいて、高透磁率物質よりなる円
筒状のヨーク18を設けた構成の磁歪式トルクセ
ンサ11とする。
この磁歪式トルクセンサ11の動作は前述した
とおりであるのでその説明を省略するが、この場
合、各磁歪膜2はあらかじめ樹脂3中に埋設され
た磁歪膜素子1として用いられているため、軸1
2に接着して磁歪膜13としたのちにおいてもこ
れら各磁歪膜2の間隔は一定にかつ高精度に維持
されており、したがつて、軸12と各コイル1
5,16との相対回転に伴う出力の変動はほとん
どなくなる。また、各磁歪膜2は外部に露出して
いないため、剥離を生じたり腐食が発生したりす
ることもない。
とおりであるのでその説明を省略するが、この場
合、各磁歪膜2はあらかじめ樹脂3中に埋設され
た磁歪膜素子1として用いられているため、軸1
2に接着して磁歪膜13としたのちにおいてもこ
れら各磁歪膜2の間隔は一定にかつ高精度に維持
されており、したがつて、軸12と各コイル1
5,16との相対回転に伴う出力の変動はほとん
どなくなる。また、各磁歪膜2は外部に露出して
いないため、剥離を生じたり腐食が発生したりす
ることもない。
第8図および第9図はこの考案の他の実施例を
示す図であり、図に示す磁歪膜素子1は、多数の
リボン状の磁歪膜2を中心対称をなすように傾斜
させた状態で樹脂3中に埋設することにより左右
で対称をなす帯状体の並列形状とした場合を示す
ものである。そして、この磁歪膜素子1を第9図
に示すように軸12に巻いて接着した磁歪素子1
3を用いることにより、第20図に示したものと
同じ動作の磁歪式トルクセンサ11を作製する場
合を示すものである。
示す図であり、図に示す磁歪膜素子1は、多数の
リボン状の磁歪膜2を中心対称をなすように傾斜
させた状態で樹脂3中に埋設することにより左右
で対称をなす帯状体の並列形状とした場合を示す
ものである。そして、この磁歪膜素子1を第9図
に示すように軸12に巻いて接着した磁歪素子1
3を用いることにより、第20図に示したものと
同じ動作の磁歪式トルクセンサ11を作製する場
合を示すものである。
第10図および第11図はこの考案のさらに他
の実施例を示す図であり、図に示す磁歪膜素子1
は、磁歪膜2にあらかじめ複数のスリツト2aを
傾斜状態で平行に形成した後に、樹脂3中に埋設
することにより帯状体の並列形状とした場合を示
すものである。そして、この磁歪膜素子1を第1
1図に示すように軸12に巻いて接着した磁歪素
子13を用いることにより、第7図に示したと同
じ動作特性の磁歪式トルクセンサ11を作製する
場合を示すものである。
の実施例を示す図であり、図に示す磁歪膜素子1
は、磁歪膜2にあらかじめ複数のスリツト2aを
傾斜状態で平行に形成した後に、樹脂3中に埋設
することにより帯状体の並列形状とした場合を示
すものである。そして、この磁歪膜素子1を第1
1図に示すように軸12に巻いて接着した磁歪素
子13を用いることにより、第7図に示したと同
じ動作特性の磁歪式トルクセンサ11を作製する
場合を示すものである。
第12図および第13図に示す磁歪膜素子1
は、磁歪膜2にあらかじめ中心対称をなすように
相対向して傾斜するスリツト2a,2bを形成し
た後に、樹脂3中に埋設することにより左右で対
称をなす帯状体の並列形状とした場合を示すもの
である。そして、この磁歪膜素子1を第13図に
示すように軸12に巻いて接着した磁歪素子13
を用いることにより、第20図に示したものと同
じ動作の磁歪式トルクセンサ11を作製する場合
を示すものである。
は、磁歪膜2にあらかじめ中心対称をなすように
相対向して傾斜するスリツト2a,2bを形成し
た後に、樹脂3中に埋設することにより左右で対
称をなす帯状体の並列形状とした場合を示すもの
である。そして、この磁歪膜素子1を第13図に
示すように軸12に巻いて接着した磁歪素子13
を用いることにより、第20図に示したものと同
じ動作の磁歪式トルクセンサ11を作製する場合
を示すものである。
第14図および第15図に示す磁歪膜素子1
は、第12図に示した磁歪膜2においてさらにそ
の中央部分に磁束遮断用のスリツト2cを形成
し、その後に樹脂3中に埋設した場合を示すもの
である。そして、この磁歪膜素子1を第15図に
示すように軸12に巻いて接着した磁歪素子13
を用いることにより、第20図に示したものと同
じ動作の磁歪式トルクセンサ11を作製する場合
を示すものである。
は、第12図に示した磁歪膜2においてさらにそ
の中央部分に磁束遮断用のスリツト2cを形成
し、その後に樹脂3中に埋設した場合を示すもの
である。そして、この磁歪膜素子1を第15図に
示すように軸12に巻いて接着した磁歪素子13
を用いることにより、第20図に示したものと同
じ動作の磁歪式トルクセンサ11を作製する場合
を示すものである。
以上の各実施例に示す磁歪膜素子1における磁
歪膜2において、従来の磁歪膜103では第18
図に示したように上下端の縁部分103dに軸1
02の方向に磁束の流れが生じるような構造とな
つているため、これがトルクの検出感度を低下さ
せていたが、上記実施例に示す磁歪膜2では、磁
束の流れがトルク印加方向に対して傾斜した方向
にのみ発生するような形状となつているので、こ
れによつてトルクの検出感度をさらに向上させる
ことが可能となる。
歪膜2において、従来の磁歪膜103では第18
図に示したように上下端の縁部分103dに軸1
02の方向に磁束の流れが生じるような構造とな
つているため、これがトルクの検出感度を低下さ
せていたが、上記実施例に示す磁歪膜2では、磁
束の流れがトルク印加方向に対して傾斜した方向
にのみ発生するような形状となつているので、こ
れによつてトルクの検出感度をさらに向上させる
ことが可能となる。
また、従来の場合には、前述したように、スリ
ツト103aを設けた磁歪膜103を直接接着剤
を用いて軸102の表面に接着しているので、接
着時にはたわみが生じて各スリツト103a間の
平行を高精度に保持することが極めて困難であつ
たのに対して、上記各実施例においては、磁歪膜
2を樹脂3中に埋設するようにしたことから、磁
歪膜2に形成した各スリツト2a間および2b間
の平行が樹脂3の拘束力によつて著しく高精度に
保たれるようになる。また、磁歪膜2は樹脂3中
に埋設されて拘束されているので、はく離などの
問題も起らず、さらには樹脂3によつて大気より
遮断されるために磁歪膜2の腐食を防ぐことがで
きる。さらにまた磁歪膜2と軸12との接着は樹
脂3を介して接着剤8により行なわれるので、磁
歪膜2がたとえ軸12に対して接着性の悪い鉄系
アモルフアスからなる場合でも、従来に比べてき
わめて接着強度の高い状態が得られる。
ツト103aを設けた磁歪膜103を直接接着剤
を用いて軸102の表面に接着しているので、接
着時にはたわみが生じて各スリツト103a間の
平行を高精度に保持することが極めて困難であつ
たのに対して、上記各実施例においては、磁歪膜
2を樹脂3中に埋設するようにしたことから、磁
歪膜2に形成した各スリツト2a間および2b間
の平行が樹脂3の拘束力によつて著しく高精度に
保たれるようになる。また、磁歪膜2は樹脂3中
に埋設されて拘束されているので、はく離などの
問題も起らず、さらには樹脂3によつて大気より
遮断されるために磁歪膜2の腐食を防ぐことがで
きる。さらにまた磁歪膜2と軸12との接着は樹
脂3を介して接着剤8により行なわれるので、磁
歪膜2がたとえ軸12に対して接着性の悪い鉄系
アモルフアスからなる場合でも、従来に比べてき
わめて接着強度の高い状態が得られる。
[考案の効果]
以上説明してきたように、この考案によれば、
軸の表面に磁歪膜を設けた磁歪素子の前記磁歪膜
の近傍に、励磁コイルと検出コイルを配設して、
前記磁歪膜を通る磁気回路を形成し、前記軸に加
えられるねじりトルクによる前記磁歪膜の変形に
起因する磁気ひずみ効果を利用して前記トルクを
検出する磁歪式トルクセンサにおいて、帯状体の
並列形状とした磁歪膜を樹脂被覆した磁歪膜素子
として形成して、前記軸の表面に、前記樹脂被覆
された磁歪膜の帯状体が前記軸の長手方向に対し
て傾斜する向きして前記磁歪膜素子を巻付けて固
着した磁歪素子の構成としたから、軸への磁歪膜
素子の接着作業が極めて容易になり、接着強度を
著しく高めることが可能になり、また、接着後の
磁歪膜の位置精度が著しく高いものとなるため、
トルクの検出感度ならびに精度を著しく向上させ
ることが可能であり、磁歪膜は外部に露出しない
ため剥離や腐食の発生もないという非常に優れた
効果がもたらされる。
軸の表面に磁歪膜を設けた磁歪素子の前記磁歪膜
の近傍に、励磁コイルと検出コイルを配設して、
前記磁歪膜を通る磁気回路を形成し、前記軸に加
えられるねじりトルクによる前記磁歪膜の変形に
起因する磁気ひずみ効果を利用して前記トルクを
検出する磁歪式トルクセンサにおいて、帯状体の
並列形状とした磁歪膜を樹脂被覆した磁歪膜素子
として形成して、前記軸の表面に、前記樹脂被覆
された磁歪膜の帯状体が前記軸の長手方向に対し
て傾斜する向きして前記磁歪膜素子を巻付けて固
着した磁歪素子の構成としたから、軸への磁歪膜
素子の接着作業が極めて容易になり、接着強度を
著しく高めることが可能になり、また、接着後の
磁歪膜の位置精度が著しく高いものとなるため、
トルクの検出感度ならびに精度を著しく向上させ
ることが可能であり、磁歪膜は外部に露出しない
ため剥離や腐食の発生もないという非常に優れた
効果がもたらされる。
第1図はこの考案の一実施例による磁歪膜素子
の正面図、第2図は第1図の−線断面図、第
3図はこの考案の他の実施例による磁歪膜素子の
第1図−線相当位置での断面図、第4図はこ
の考案のさらに他の実施例による磁歪膜素子の正
面図、第5図および第6図はこの考案の一実施例
による磁歪素子の各々斜面図および断面図、第7
図は第5図の磁歪素子を用いた磁歪式トルクセン
サの断面説明図、第8図および第9図はこの考案
のさらに他の実施例による各々磁歪膜素子および
磁歪素子の正面図、第10図および第11図はこ
の考案のさらに他の実施例による各々磁歪膜素子
および磁歪素子の正面図、第12図および第13
図はこの考案のさらに他の実施例による各々磁歪
膜素子および磁歪素子の正面図、第14図および
第15図はこの考案のさらに他の実施例による
各々磁歪膜素子および磁歪素子の正面図、第16
図は従来の磁歪式トルクセンサの断面説明図、第
17図および第18図は第16図の磁歪式トルク
センサの磁歪素子および磁歪膜の正面図、第19
図は磁歪式トルクセンサの出力特性を示す説明
図、第20図は磁歪式トルクセンサの他の構造例
を示す断面説明図、第21図は第20図の磁歪式
トルクセンサの磁歪膜の正面図、第22図は磁歪
膜の他の形状例を示す正面図である。 1……磁歪膜素子、2……磁歪膜、3……樹
脂、4……めつき層、5……ミシン目、11……
磁歪式トルクセンサ、12……軸、13……磁歪
素子。
の正面図、第2図は第1図の−線断面図、第
3図はこの考案の他の実施例による磁歪膜素子の
第1図−線相当位置での断面図、第4図はこ
の考案のさらに他の実施例による磁歪膜素子の正
面図、第5図および第6図はこの考案の一実施例
による磁歪素子の各々斜面図および断面図、第7
図は第5図の磁歪素子を用いた磁歪式トルクセン
サの断面説明図、第8図および第9図はこの考案
のさらに他の実施例による各々磁歪膜素子および
磁歪素子の正面図、第10図および第11図はこ
の考案のさらに他の実施例による各々磁歪膜素子
および磁歪素子の正面図、第12図および第13
図はこの考案のさらに他の実施例による各々磁歪
膜素子および磁歪素子の正面図、第14図および
第15図はこの考案のさらに他の実施例による
各々磁歪膜素子および磁歪素子の正面図、第16
図は従来の磁歪式トルクセンサの断面説明図、第
17図および第18図は第16図の磁歪式トルク
センサの磁歪素子および磁歪膜の正面図、第19
図は磁歪式トルクセンサの出力特性を示す説明
図、第20図は磁歪式トルクセンサの他の構造例
を示す断面説明図、第21図は第20図の磁歪式
トルクセンサの磁歪膜の正面図、第22図は磁歪
膜の他の形状例を示す正面図である。 1……磁歪膜素子、2……磁歪膜、3……樹
脂、4……めつき層、5……ミシン目、11……
磁歪式トルクセンサ、12……軸、13……磁歪
素子。
Claims (1)
- 軸の表面に磁歪膜を設けた磁歪素子の前記磁歪
膜の近傍に、励磁コイルと検出コイルを配設し
て、前記磁歪膜を通る磁気回路を形成し、前記軸
に加えられるねじりトルクによる前記磁歪膜の変
形に起因する磁気ひずみ効果を利用して前記トル
クを検出する磁歪式トルクセンサにおいて、帯状
体の並列形状とした磁歪膜を樹脂被覆した磁歪膜
素子として形成して、前記軸の表面に、前記樹脂
被覆された磁歪膜の帯状体が前記軸の長手方向に
対して傾斜する向きして前記磁歪膜素子を巻付け
て固着したことを特徴とする磁歪式トルクセンサ
の磁歪素子構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6191885U JPH0431571Y2 (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6191885U JPH0431571Y2 (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61178434U JPS61178434U (ja) | 1986-11-07 |
JPH0431571Y2 true JPH0431571Y2 (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=30590642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6191885U Expired JPH0431571Y2 (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0431571Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-04-26 JP JP6191885U patent/JPH0431571Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61178434U (ja) | 1986-11-07 |
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