JPH03263110A - Electronic apparatus - Google Patents

Electronic apparatus

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JPH03263110A
JPH03263110A JP2061180A JP6118090A JPH03263110A JP H03263110 A JPH03263110 A JP H03263110A JP 2061180 A JP2061180 A JP 2061180A JP 6118090 A JP6118090 A JP 6118090A JP H03263110 A JPH03263110 A JP H03263110A
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JP
Japan
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reset
flip
memory card
circuit
terminal
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Application number
JP2061180A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Tsuyukubo
露久保 茂
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH03263110A publication Critical patent/JPH03263110A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To prevent the occurrence of a runaway of a control circuit of a main body by resetting the whole electronic apparatus, in the case an external storage means is attached and detached in the course of turning on a power source. CONSTITUTION:An external memory card 1 being an external storage means is connected to an address bus, a data bus and other control signal of a main body side electronic circuit O. When attaching/detaching detecting terminals 3, 4 come into contact with each other, since the terminal 4 of the memory card 1 side is in a GND level, a voltage value of the attaching/detaching detecting terminal 3 fixed to 5V until that time is varied to the GND level, and this variation is detected by flip-flops 7, 8 of the inside of an electronic apparatus. In such a way, in the case attachment and detachment of the memory card 1 are detected in the course of turning on a power source, the electronic apparatus is reset. In such a way, a runaway of the device can be prevented surely.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は電子機器、特に半導体メモリを用いた着脱自在
の外部記憶手段を用いる電子機器に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to electronic equipment, and particularly to electronic equipment using removable external storage means using semiconductor memory.

[従来の技術] 従来より着脱可能な外部メモリとして、例えばフォント
カートリッジ、増設メモリバック、コントロールROM
カード、メモリカードなどを内蔵するメモリカードが用
いられている。これらメモIJ71は、第7図に示すよ
うにバス79、制御線76を介して機器内部の制御回路
74と電気的に直接接続されている。
[Prior Art] Conventionally, removable external memories such as font cartridges, expansion memory bags, and control ROMs have been used.
A memory card containing a built-in card, memory card, etc. is used. These memo IJ71 are directly electrically connected to a control circuit 74 inside the device via a bus 79 and a control line 76, as shown in FIG.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら上記従来例では、電源投入状態でのメモリ
着脱を行なう際、結合部から発生するチャタリングなど
のノイズによって本体の制御回路が悪影響を受け、制御
回路の誤動作もしくは暴走が生じる恐れがある。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional example described above, when the memory is inserted or removed while the power is on, the control circuit of the main body is adversely affected by noise such as chattering generated from the coupling part, resulting in malfunction or malfunction of the control circuit. There is a risk of a runaway.

この対策としては通常、電源投入状態でメモリの着脱を
行なうことを禁止しているが、これはユーザにとっては
使い勝手が悪く、また電源投入時に誤ってメモリの着脱
を行なった場合、トラブルが発生して機器が故障してし
まうという問題がある。
As a countermeasure against this, it is usually prohibited to insert or remove memory while the power is turned on, but this is inconvenient for the user and may cause problems if memory is inserted or removed by mistake when the power is turned on. There is a problem that the equipment may break down.

この問題を解決するため、従来では外部メモリの装着手
段と電子機器本体との間にバッファを設け、外部メモリ
装着手段の状態によってこのバッファを非動作状態とす
る方法が用いられてきた。
In order to solve this problem, a conventional method has been used in which a buffer is provided between the external memory mounting means and the main body of the electronic device, and the buffer is rendered inactive depending on the state of the external memory mounting means.

しかしながら、この方法では本体電子機器と外部メモリ
との間にバッファを設ける必要がある。
However, this method requires a buffer to be provided between the main electronic device and the external memory.

また、前記バッファをオン/オフさせるためには外部メ
モリが完全に装着されたか、あるいは取り外されたかを
検出するための検出手段、例えば着脱用スイッチ、外部
メモリ収納部のカバースイッチなどを設け1本体内部の
制御回路がこのスイッチの状態を確認して、バッファの
制御を行なわなければならない。
In addition, in order to turn on/off the buffer, a detection means for detecting whether the external memory is completely installed or removed, such as an attachment/detachment switch, a cover switch for the external memory storage section, etc., is provided in one main body. An internal control circuit must check the state of this switch and control the buffer.

このため着脱用スイッチ、外部メモリ収納部カバーおよ
びカバースイッチなど外部メモリ用の部品が必要となり
、本体機器のコスト上昇の原因となる、また本体機器の
制御プログラムが複雑になるという欠点がある。
Therefore, parts for the external memory such as an attachment/detachment switch, an external memory storage cover, and a cover switch are required, which causes an increase in the cost of the main device and has the disadvantage that the control program for the main device becomes complicated.

さらにもう1つの従来例として、本体機器が電源投入の
状態で外部メモリが着脱された場合、本体機器を1度リ
セット状態にするという方法がある。
Yet another conventional example is a method in which when an external memory is attached or removed while the main device is powered on, the main device is once reset.

この方法においては、リセット状態にするための条件(
外部メモリが装着されているかあるいは取り外されてい
ること)を検出するためにカートリッジタイプのコネク
タを用い、外部メモリにおいては第8図のようなL字型
の接点81を設けて、本体側のコネクタの隣り合った端
子82が外部メモリ着脱時に接触して通電するように構
成していた。
In this method, the conditions for setting the reset state (
A cartridge type connector is used to detect whether the external memory is installed or removed.For the external memory, an L-shaped contact 81 as shown in Fig. 8 is provided, and the connector on the main body side is used. The terminals 82 adjacent to each other are configured to contact each other and conduct electricity when an external memory is attached or removed.

しかし、この方法では検出用コネクタ端子が2本以上必
要であり、またカードエツジタイプのコネクタを使用し
た外部メモリにしか適用できない。
However, this method requires two or more detection connector terminals, and can only be applied to external memories using card edge type connectors.

さらにメカスイッチを用いて外部メモリの着脱を検出し
、本体機器をリセットすることも可能であるが、スイッ
チを設けるため、またスイッチの取付位置に高い精度が
要求されるために本体のコスト上昇につながってしまう
Furthermore, it is possible to use a mechanical switch to detect the attachment and detachment of external memory and reset the main unit, but this increases the cost of the main unit because the switch is provided and high precision is required for the switch mounting position. It's connected.

本発明の課題は1以上の問題を解決し、簡単安価にメモ
リカード装着状態に応じた機器制御を行なえる構成を提
供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve one or more problems and provide a configuration that can easily and inexpensively control equipment depending on the state of memory card attachment.

[課題を解決するための手段] 以上の課題を解決するために、本発明においては、半導
体メモリを用いた着脱自在の外部記憶手段を用いる電子
機器において、前記外部記憶手段とのデータ入出力を行
なうインターフェース回路内に前記外部記憶手段の装着
状態を電子的に検出する手段を設け、電源投入中に前記
外部記憶手段が着脱された場合に電子機器全体をリセッ
トする構成を採用した。
[Means for Solving the Problems] In order to solve the above problems, in the present invention, in an electronic device using a removable external storage means using a semiconductor memory, data input/output with the external storage means is provided. A configuration is adopted in which a means for electronically detecting the attachment state of the external storage means is provided in the interface circuit, and the entire electronic device is reset if the external storage means is attached or removed while the power is turned on.

[作 用] 以上の構成によれば、外部記憶手段とのデータ入出力を
行なうインターフェース回路内に設けられた電子的に検
出する手段により、電源投入中に外部記憶手段の着脱が
検出された場合、電子機器をリセットする。
[Operation] According to the above configuration, when the electronic detection means provided in the interface circuit that performs data input/output with the external storage means detects attachment or detachment of the external storage means while the power is turned on. , reset electronic devices.

[実施例] 以下、図面に示す実施例に基づき、本発明の詳細な説明
する。
[Example] Hereinafter, the present invention will be described in detail based on the example shown in the drawings.

第1実施例 第1図は本発明を採用した電子機器の構成を示すブロッ
ク図である0図において符号1は外部メモリカードで、
内部は電子機器を制御するためのコントロールROM、
拡張用のRAM、キャラクタジェネレータ用ROMのう
ちどれか1つ、もしくはいくつかの組合せによって構成
され、本体側電子回路0のアドレスバス、データバスそ
の他の制御信号に接続される。
First Embodiment FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an electronic device adopting the present invention. In FIG. 0, reference numeral 1 is an external memory card;
Inside is a control ROM for controlling electronic devices,
It is constituted by one or a combination of an expansion RAM and a character generator ROM, and is connected to the address bus, data bus, and other control signals of the electronic circuit 0 on the main body side.

符号2は外部メモリ用の本体側コネクタで、カードエツ
ジタイプもしくはビンタイプなどどのようなコネクタで
もよい、符号3および5は本体側コネクタ端子、符号4
および6はメモリカード側コネクタ端子で、本発明では
着脱検出端子としてN番目の端子3i5よび4を用いる
。端子4は、カード内部において、GNDレベル(端子
5)と接続されている。
Reference numeral 2 is the main unit side connector for external memory, which may be any type of connector such as card edge type or bottle type. Reference numerals 3 and 5 are main unit side connector terminals, reference 4.
and 6 are memory card side connector terminals, and in the present invention, the Nth terminals 3i5 and 4 are used as attachment/detachment detection terminals. Terminal 4 is connected to GND level (terminal 5) inside the card.

端子3はメモリカードlとの接続の際、外部メモリ側の
端子4に接続される。
Terminal 3 is connected to terminal 4 on the external memory side when connecting to memory card l.

メモリカード1が電子機器に接続される場合には、通常
電源端子515よび6は他の信号端子よりも先にメモリ
カードコネクタ2の電源端子に接触するよう構成される
。この構成は、端子3.4と電源端子5.6の長さの設
定などにより実現される。
When the memory card 1 is connected to an electronic device, the power terminals 515 and 6 are usually configured to contact the power terminal of the memory card connector 2 before other signal terminals. This configuration is realized by setting the lengths of the terminal 3.4 and the power supply terminal 5.6.

このため、着脱検出端子3と4が接触する時にはメモリ
カードl側の端子4の電圧値は所定値(通常Vcc=5
V、もしくはGNDレベル)に固定されている0本発明
においては、メモリカード装着時にGNDレベルとする
Therefore, when the attachment/detachment detection terminals 3 and 4 come into contact, the voltage value of the terminal 4 on the memory card l side is set to a predetermined value (usually Vcc=5
In the present invention, it is set to GND level when the memory card is inserted.

本体電子回路0内部にはマイクロプロセッサおよびメモ
リなどからなる制御回路30、各回路の基準クロックを
発生させるクロック発生回路9、および制御回路30と
機器全体をリセットするリセット回路13が設けられて
いる。
Inside the main electronic circuit 0, there are provided a control circuit 30 consisting of a microprocessor, memory, etc., a clock generation circuit 9 that generates a reference clock for each circuit, and a reset circuit 13 that resets the control circuit 30 and the entire device.

着脱検出端子3は、抵抗R1、コンデンサCIにより所
定電位にプルアップされており、着脱検出端子3の電圧
レベルは制御回路30により検出されると同時に図の下
部に示した回路を介してリセット回路13のリセット動
作を制御する。@脱検出端子3の電圧は、クロック発生
回路9のクロックに同期して動作する、符号7〜12で
示したフリップフロップ、ゲート回路に入力され、着脱
検出端子3の電圧に応じてリセット回路13のリセット
動作が制御される。
The attachment/detachment detection terminal 3 is pulled up to a predetermined potential by a resistor R1 and a capacitor CI, and the voltage level of the attachment/detachment detection terminal 3 is detected by a control circuit 30 and simultaneously sent to a reset circuit via the circuit shown at the bottom of the figure. Controls the reset operation of 13. @The voltage of the detachment detection terminal 3 is input to the flip-flops and gate circuits indicated by symbols 7 to 12, which operate in synchronization with the clock of the clock generation circuit 9, and the reset circuit 13 is inputted according to the voltage of the detachment detection terminal 3. The reset operation is controlled.

次に、以上の構成における機器のリセット制御について
、第2図のタイミングチャートを用いて説明する。
Next, the reset control of the device in the above configuration will be explained using the timing chart of FIG. 2.

着脱検出端子3.4が接触すると、メモリカード1例の
端子4がGNDレベルであるので、それまでR1、CI
によって5vに固定されていた着脱検出端子3の電圧値
はGNDレベルに変化する(タイミングTI)。
When the attachment/detachment detection terminal 3.4 comes into contact, since the terminal 4 of one memory card is at GND level, R1, CI
As a result, the voltage value of the attachment/detachment detection terminal 3, which was fixed at 5V, changes to the GND level (timing TI).

この変化は、電子機器内部のフリップフロップ7および
8によって検出される。まずフリップフロップ7の入力
端子D1がGNDレベルに変化し、内部クロック9によ
ってサンプリングされる。
This change is detected by flip-flops 7 and 8 inside the electronic device. First, the input terminal D1 of the flip-flop 7 changes to the GND level and is sampled by the internal clock 9.

そして、入力DIがGNDレベル(=ローレベル)に変
化した後のクロック発生回路9の立上りによって、Ql
がローレベルとなる(タイミングT2)。
Then, due to the rise of the clock generation circuit 9 after the input DI changes to GND level (=low level), Ql
becomes low level (timing T2).

Qlがローレベルとなるとフリップフロップ8の入力D
2がローレベルとなるが、フリップフロップ8の出力Q
2がローレベルとなるのはクロック発生回路9の周期の
次の立上りまで待たなければならない、この間、フリッ
プフロップ7と8の出力QlとQ2を入力とする排他論
理(EXOR)ゲート10の出力はハイレベルとなる(
タイミングT2)。
When Ql becomes low level, the input D of flip-flop 8
2 becomes low level, but the output Q of flip-flop 8
2 must wait until the next rising edge of the cycle of the clock generation circuit 9 for the signal 2 to go low. During this period, the output of the exclusive logic (EXOR) gate 10 which receives the outputs Ql and Q2 of the flip-flops 7 and 8 as inputs is Becomes a high level (
timing T2).

EXORゲートlOの出力の立上りによって、ラッチ用
フリップフロップ11は出力がローレベルからハイレベ
ルに変化する(タイミングT2)。そしてこのフリップ
フロップ11の出力によってリセット回路13の強制リ
セット端子をローレベルとして本体側のリセット回路を
動作させ、機器全体をリセット状態とする(タイミング
T3)。
With the rise of the output of the EXOR gate IO, the output of the latch flip-flop 11 changes from low level to high level (timing T2). Then, the output of the flip-flop 11 sets the forced reset terminal of the reset circuit 13 to a low level, operating the reset circuit on the main body side and putting the entire device into a reset state (timing T3).

フリップフロップTi5よび8はリセット状態中着脱検
出端子3の値(ハイレベルかローレベルか)に応じて、
初期設定回路12によってQl、Q2の値を設定される
1例えば外部メモリが装着された状態で電源投入された
場合、あるいはリセット状態では、フリップフロップ7
および8の出力はQl、Q2ともにローレベルに、外部
メモリが装着されていない状態で電源が投入された場合
、あるいはリセット状態ではQl、Q2ともにハイレベ
ルとなる(タイミングT4)。
Flip-flops Ti5 and Ti8 are in the reset state depending on the value of the connection/disconnection detection terminal 3 (high level or low level).
The values of Ql and Q2 are set by the initial setting circuit 12. For example, when the power is turned on with an external memory installed, or in a reset state, the flip-flop 7
The outputs of Q1 and Q2 are both low level, and when the power is turned on without an external memory installed or in a reset state, both Q1 and Q2 are high level (timing T4).

次に、外部メモリが本体から取り出された場合について
説明する。第2図のT5〜T8に1本体電子回路Oのメ
モリカードコネクタ2からメモリカード1が抜き取られ
た場合のタイミングを示す。
Next, a case where the external memory is removed from the main body will be described. T5 to T8 in FIG. 2 show the timing when the memory card 1 is removed from the memory card connector 2 of the main body electronic circuit O.

メモリカード1が抜き取られると、これまでローレベル
に保たれていた着脱検出端子3の電圧レベルがハイレベ
ルに変化する。この変化はフリップフロップ7.8によ
って検出され、EXORゲートlOの出力が12092
分ハイレベルとなる(タイミングT6)。
When the memory card 1 is removed, the voltage level of the attachment/detachment detection terminal 3, which has been kept at a low level, changes to a high level. This change is detected by flip-flop 7.8, and the output of EXOR gate lO becomes 12092
becomes high level (timing T6).

EXORゲートlOの出力の立上りによってフリップフ
ロップ11の*Q3出力(図中ではアッパーバー付:以
下文中では傘により負論理を示す、)がローレベルとな
り(タイミングT6)、リセット回路13の強制リセッ
ト端子(REST  IN)をローレベルとすることに
よって電子機器全体をリセット状態にする。
With the rise of the output of the EXOR gate IO, the *Q3 output of the flip-flop 11 (with an upper bar in the figure; negative logic is indicated by an umbrella in the text below) becomes low level (timing T6), and the forced reset terminal of the reset circuit 13 By setting (REST IN) to low level, the entire electronic device is reset.

リセット回路13は、リセット時間内に初期化(Q3の
出力をハイレベルとする)される、フリップフロップ7
.8はリセット状態中に着脱検出端子3の値(メモリカ
ード無でハイレベル)に応じて、初期設定回路12によ
ってQl、Q2の値をハイレベルに設定される。リセッ
ト回路13のリセット時間τは任意に設定でき、本体側
のロジックによって異なるが1通常は500 m5ec
以上とするのが望ましい。
The reset circuit 13 includes a flip-flop 7 that is initialized (sets the output of Q3 to a high level) within the reset time.
.. 8, the values of Ql and Q2 are set to high level by the initial setting circuit 12 according to the value of the attachment/detachment detection terminal 3 (high level when no memory card is present) during the reset state. The reset time τ of the reset circuit 13 can be set arbitrarily, and varies depending on the logic of the main unit, but is usually 500 m5ec.
It is desirable that it be above.

以上のように、メモリカード1の本体着脱の際、電子機
器をリセット状態とすることによって、本体電子回路0
に接続されているアドレスバス、データバスその他の制
御信号にメモリカードの本体着脱の際に発生するチャタ
リングによる本体電子回路Oの動作不良を防止できる。
As described above, when the memory card 1 is inserted or removed from the main body, by putting the electronic device in the reset state, the main body electronic circuit 0
It is possible to prevent malfunction of the main body electronic circuit O due to chattering that occurs in the address bus, data bus, and other control signals connected to the main body when the memory card is inserted into and removed from the main body.

なお、着脱検出端子3のハイレベルまたはローレベルの
状態は制御回路30によって検出することが可能であり
、これによってメモリカードlの有無を制御回路30が
判断する。
Note that the high level or low level state of the attachment/detachment detection terminal 3 can be detected by the control circuit 30, and based on this, the control circuit 30 determines the presence or absence of the memory card l.

以上の実施例によれば、外部メモリの装着/非装着を検
出する信号線の状態変化の瞬間を検出して電子機器をリ
セット状態とすることで、メカスイッチや新たなコネク
タ端子を用いることなく、外部メモリ着脱時の暴走から
機器を保護することができる。
According to the above embodiment, by detecting the instant of a change in the state of the signal line that detects whether an external memory is attached or not, and putting the electronic device into the reset state, there is no need to use a mechanical switch or a new connector terminal. , it is possible to protect the device from runaway when external memory is installed or removed.

さらに、本発明の回路をカスタムLSIの一部として付
加することによって部品のコスト上昇は全くなく、また
部品の実装スペースも全く変えることなく実現できる。
Furthermore, by adding the circuit of the present invention as part of a custom LSI, there is no increase in the cost of parts, and it can be realized without changing the mounting space for the parts at all.

第2実施例 第3図に、複数のメモリカードが実装可能な電子機器の
実施例を示す。
Second Embodiment FIG. 3 shows an embodiment of an electronic device in which a plurality of memory cards can be mounted.

第3図においては、2枚のメモリカードlおよび15が
実装可能である0図においてはメモリカード1の着脱検
出端子として本体側メモリカードコネクタ2の端子3を
、メモリカード15の着脱検出端子としては本体側メモ
リカードコネクタ16の端子18を用いる。
In FIG. 3, two memory cards 1 and 15 can be mounted. In FIG. uses the terminal 18 of the memory card connector 16 on the main body side.

着脱検出端子3の電圧値の状態変化(5VまたはOv)
はフリップフロップ7.8で検出し、EXORゲート1
0でパルスとして出力してフリップフロップ11でラッ
チする。また、着脱検出端子18の電圧値の状態変化(
5VまたはOV)はフリップフロップ20.21で検出
して排他論理ゲート22でパルスとして出力し、フリッ
プフロップ11でラッチする。
Change in state of voltage value of attachment/detachment detection terminal 3 (5V or Ov)
is detected by flip-flop 7.8 and EXOR gate 1
0, it is output as a pulse and latched by the flip-flop 11. In addition, the state change of the voltage value of the attachment/detachment detection terminal 18 (
5V or OV) is detected by flip-flops 20 and 21, outputted as a pulse by exclusive logic gate 22, and latched by flip-flop 11.

フリップフロップ11はEXORゲート1O122の出
力パルスをオアゲート9を通してラッチするため、メモ
リカードコネクタ2.16の着脱検出端子3.18のど
ちらにメモリカードの着脱が生じても、リセット回路1
3を動作させることができる。
Since the flip-flop 11 latches the output pulse of the EXOR gate 1O122 through the OR gate 9, the reset circuit 1
3 can be operated.

次に、以上の構成における動作について、第4図のタイ
ミングチャートを用いて説明する。第4図はメモリカー
ドlが非実装、メモリカード15が実装状態で電源が投
入された場合のものである。
Next, the operation of the above configuration will be explained using the timing chart of FIG. 4. FIG. 4 shows a case where the power is turned on with the memory card 1 not mounted and the memory card 15 mounted.

着脱検出端子3.4が接触すると、メモリカード1例の
端子4がGNDレベルであるので、それまでR1,CI
によって5Vに固定されていた着脱検出端子3の電圧値
はGNDレベルに変化する(タイミングTl)。
When the attachment/detachment detection terminal 3.4 comes into contact, the terminal 4 of one memory card is at GND level, so R1, CI
As a result, the voltage value of the attachment/detachment detection terminal 3, which was fixed at 5V, changes to the GND level (timing Tl).

この変化は、電子機器内部のフリップフロップ7i5よ
び8によって検出される。まずフリップフロップ7の入
力端子DIがGNDレベルに変化し、内部クロック9に
よってサンプリングされる。そして、入力DIがGND
レベル(=ローレベル)に変化した後のクロック発生回
路9の立上りによって、Qlがローレベルとなる(タイ
ミングT2)。
This change is detected by flip-flops 7i5 and 8 inside the electronic device. First, the input terminal DI of the flip-flop 7 changes to the GND level and is sampled by the internal clock 9. And input DI is GND
When the clock generation circuit 9 rises after changing the level (=low level), Ql becomes low level (timing T2).

Qlがローレベルとなるとフリップフロップ8の入力D
2がローレベルとなるが、フリップフロップ8の出力Q
2がローレベルとなるのはクロック発生回路9の周期の
次の立上りまで待たなければならない、この間、フリッ
プ20ツブ7と8の出力Q1と02を入力とする排他論
理(EXOR)ゲート10の出力はハイレベルとなる(
りイミングT2)。
When Ql becomes low level, the input D of flip-flop 8
2 becomes low level, but the output Q of flip-flop 8
2 must wait until the next rising edge of the cycle of the clock generation circuit 9 for the signal 2 to go low. During this time, the output of the exclusive logic (EXOR) gate 10 whose inputs are the outputs Q1 and 02 of the flip 20 knobs 7 and 8. is at a high level (
timing T2).

EXORゲートlOの出力の立上りによって。By the rising edge of the output of EXOR gate lO.

ラッチ用フリップフロップ11は出力がローレベルから
ハイレベルに変化する(タイミングT2)。そしてこの
フリップフロップ11の出力によってリセット回路13
の強制リセット端子をローレベルとして本体側のリセッ
ト回路を動作させ、機器全体をリセット状態とする(タ
イミングT3)。
The output of the latch flip-flop 11 changes from low level to high level (timing T2). The output of this flip-flop 11 causes a reset circuit 13
The forced reset terminal of the device is set to a low level to operate the reset circuit on the main body side, and the entire device is brought into a reset state (timing T3).

フリップフロップ7i5よび8はリセット状態中着脱検
出端子3の値(ハイレベルかローレベルか)に応じて、
初期設定回路12によってQl、Q2の値を設定される
1例えば外部メモリが装着された状態で電源投入された
場合、あるいはリセット状態では、フリップフロップ7
i5よび8の出力はQl、Q2ともにローレベルに、外
部メモリが装着されていない状態で電源が投入された場
合、あるいはリセット状態ではQl、Q2ともにハイレ
ベルとなる(タイミングT4)。
The flip-flops 7i5 and 7i8 are in the reset state depending on the value of the connection/disconnection detection terminal 3 (high level or low level).
The values of Ql and Q2 are set by the initial setting circuit 12. For example, when the power is turned on with an external memory installed, or in a reset state, the flip-flop 7
The outputs of i5 and 8 are both Ql and Q2 low level, and when the power is turned on without an external memory installed or in a reset state, both Ql and Q2 are high level (timing T4).

これは、電子機器がリセット状態から復帰した場合も同
様である。なお、リセット回路13のリセット出力は所
定のリセット時間(て)経過後ハイレベルとなる(タイ
ミングT4)。
This also applies when the electronic device returns from the reset state. Note that the reset output of the reset circuit 13 becomes high level after a predetermined reset time has elapsed (timing T4).

次に、外部メモリカード15が本体から取り出された場
合について説明する。第4図のT5〜T8に1本体電子
回路Oのメモリカードコネクタ16からメモリカード1
5が抜き取られた場合のタイミングを示す。
Next, a case where the external memory card 15 is removed from the main body will be described. 1 from the memory card connector 16 of the main body electronic circuit O to the memory card 1 from T5 to T8 in FIG.
The timing is shown when 5 is extracted.

メモリカード15が抜き取られると、これまでローレベ
ルに保たれていた着脱検出端子18の電圧レベルがハイ
レベルに変化する。この変化はフリップフロップ20.
22によって検出され、フリップフロップ22の出力が
lクロック分ハイレベルとなる(タイミングT6)。
When the memory card 15 is removed, the voltage level of the attachment/detachment detection terminal 18, which has been kept at a low level, changes to a high level. This change is caused by flip-flop 20.
22, and the output of the flip-flop 22 becomes high level for l clocks (timing T6).

フリップフロップ22の出力の立上りによってフリップ
フロップ11のQ3出力がローレベルとなり(タイミン
グT6)、リセット回路13の強制リセット端子(RE
ST  IN)をローレベルとすることによって電子機
器全体をリセット状態にする。リセット回路13は、リ
セット時間内に初期化(Q3の出力をハイレベルとする
)される。
With the rise of the output of the flip-flop 22, the Q3 output of the flip-flop 11 becomes low level (timing T6), and the forced reset terminal (RE
The entire electronic device is reset by setting STIN) to a low level. The reset circuit 13 is initialized (the output of Q3 is set to high level) within the reset time.

フリップフロップ20.21はリセット状態中に着脱検
出端子18の値(メモリカード無でハイレベル)に応じ
て、初期設定回路23によってQl、Q2の値をハイレ
ベルに設定される。リセット回路13のリセット時間て
は任意に設定でき、本体側のロジックによって異なるが
、通常は500 a+sec以上とするのが望ましい。
During the reset state of the flip-flops 20 and 21, the values of Ql and Q2 are set to high level by the initial setting circuit 23 according to the value of the attachment/detachment detection terminal 18 (high level when no memory card is present). The reset time of the reset circuit 13 can be set arbitrarily and varies depending on the logic on the main body side, but it is usually desirable to set it to 500 a+sec or more.

上記構成により、複数のメモリカードを用いる装置にお
いても、前記実施例とほぼ同様の作用効果を得ることが
できる。
With the above configuration, even in an apparatus using a plurality of memory cards, substantially the same effects as those of the embodiment described above can be obtained.

第3実施例 以上の実施例においてはメモリカードの状態変化を検出
し、パルス出力をリセット回路13の強制リセット端子
に入力して電子機器全体をリセット状態としているが、
次に前記強制リセット端子以外の方法で機器全体をリセ
ットする方法について説明する。
Third Embodiment In the embodiments described above, a change in the state of the memory card is detected and a pulse output is input to the forced reset terminal of the reset circuit 13 to reset the entire electronic device.
Next, a method of resetting the entire device using a method other than the forced reset terminal will be described.

通常、リセット回路13にはリセット時間τの設定用に
外部にコンデンサC3を付加している。
Usually, a capacitor C3 is added to the reset circuit 13 externally for setting the reset time τ.

強制リセット端子のないリセット回路13を用いる場合
でも、前記コンデンサC3の電荷をトランジスタTri
と抵抗R3を用いて強制的に放電し、電位を下げること
によってシステム全体をリセットすることができる。以
下、第5図および第6図を用いて説明する。
Even when using the reset circuit 13 without a forced reset terminal, the charge of the capacitor C3 is transferred to the transistor Tri.
The entire system can be reset by forcibly discharging and lowering the potential using resistor R3. This will be explained below using FIGS. 5 and 6.

第5図に、複数のメモリカードが実装可能な電子機器の
実施例を示す。
FIG. 5 shows an example of an electronic device in which a plurality of memory cards can be mounted.

第5図においては、2枚のメモリカードlおよび15が
実装可能である。図においてはメモリカードlの着脱検
出端子として本体側メモリカードコネクタ2の端子3を
、メモリカード15の着脱検出端子としては本体側メモ
リカードコネクタ16の端子18を用いる。
In FIG. 5, two memory cards 1 and 15 can be installed. In the figure, the terminal 3 of the main body side memory card connector 2 is used as the attachment/detachment detection terminal of the memory card 1, and the terminal 18 of the main body side memory card connector 16 is used as the attachment/detachment detection terminal of the memory card 15.

着脱検出端子3の電圧値の状態変化(5VまたはOV)
はフリップフロップ7.8で検出し、EXORゲー)1
0でパルスとして出力してフリップフロップ11でラッ
チする。また、着脱検出端子18の電圧値の状態変化(
5VまたはOV)はフリップフロップ20.21で検出
して排他論理ゲート22でパルスとして出力し、フリッ
プフロップ11でラッチする。
Change in state of voltage value of attachment/detachment detection terminal 3 (5V or OV)
is detected by flip-flop 7.8, EXOR game) 1
0, it is output as a pulse and latched by the flip-flop 11. In addition, the state change of the voltage value of the attachment/detachment detection terminal 18 (
5V or OV) is detected by flip-flops 20 and 21, outputted as a pulse by exclusive logic gate 22, and latched by flip-flop 11.

フリップフロップ11はEXORゲート10.22の出
力パルスをオアゲート9を通してラッチするため、メモ
リカードコネクタ2.16の着脱検出端子3.18のど
ちらにメモリカードの着脱が生じても、リセット回路1
3を動作させることができる。
Since the flip-flop 11 latches the output pulse of the EXOR gate 10.22 through the OR gate 9, the reset circuit 1
3 can be operated.

次に、以上の構成に右ける動作について、第6図のタイ
ミングチャートを用いて説明する。第6図はメモリカー
ドlが非実装、メモリカード15が実装状態で電源が投
入された場合のものである。
Next, the operation based on the above configuration will be explained using the timing chart of FIG. 6. FIG. 6 shows a case where the power is turned on with the memory card 1 not mounted and the memory card 15 mounted.

着脱検出端子3.4が接触すると、メモリカードl側の
端子4がGNDレベルであるので、それまでR1,C1
によって5vに固定されていた着脱検出端子3の電圧値
はGNDレベルに変化する(タイミングTI)、この変
化は、電子機器内部のフリップフロップ7および8によ
って検出される。
When the attachment/detachment detection terminal 3.4 comes into contact, since the terminal 4 on the memory card L side is at GND level, R1, C1
The voltage value of the attachment/detachment detection terminal 3, which was fixed at 5V, changes to the GND level (timing TI), and this change is detected by the flip-flops 7 and 8 inside the electronic device.

まずフリップフロップ7の入力端子DIがGNDレベル
に変化し、内部クロック9によってサンプリングされる
。そして、人力D1がGNDレベル(=ローレベル)に
変化した後のクロック発生回路9の立上りによって、Q
lがローレベルとなる(タイミングT2)。
First, the input terminal DI of the flip-flop 7 changes to the GND level and is sampled by the internal clock 9. Then, due to the rise of the clock generation circuit 9 after the human power D1 changes to the GND level (=low level), the Q
l becomes low level (timing T2).

Qlがローレベルとなるとフリップフロップ8の入力D
2がローレベルとなるが、フリップフロップ8の出力Q
2がローレベルとなるのはクロック発生回路9の周期の
次の立上りまで待たなければならない。
When Ql becomes low level, the input D of flip-flop 8
2 becomes low level, but the output Q of flip-flop 8
It is necessary to wait until the next rising edge of the cycle of the clock generation circuit 9 for the signal 2 to become low level.

この間、フリップ70ツブ7と8の出力QlとC2を入
力とする排他論理(EXOR)ゲートlOの出力はハイ
レベルとなる(タイミングT2)、EXORゲートlO
の出力の立上りによって、ラッチ用フリップフロップ1
1は出力がローレベルからハイレベルに変化する(タイ
ミングT2)、そしてこのフリップフロップ11の出力
によってリセット回路13の強制リセット端子をローレ
ベルとして本体側のリセット回路を動作させ、機器全体
をリセット状態とする(タイミングT3)。
During this time, the output of the exclusive logic (EXOR) gate IO which receives the outputs Ql and C2 of the flip 70 knobs 7 and 8 becomes high level (timing T2), EXOR gate IO
The latch flip-flop 1 is activated by the rising edge of the output of
1, the output changes from low level to high level (timing T2), and the output of this flip-flop 11 sets the forced reset terminal of the reset circuit 13 to low level, operates the reset circuit on the main body side, and resets the entire device. (timing T3).

フリップフロップ7および8はリセット状態中着脱検出
端子3の値(ハイレベルかローレベルか)に応じて、初
期設定回路12によってQl、C2の値を設定される。
In the flip-flops 7 and 8, the values of Ql and C2 are set by the initial setting circuit 12 according to the value (high level or low level) of the attachment/detachment detection terminal 3 during the reset state.

例えば外部メモリが装着された状態で電源投入された場
合、あるいはリセット状態では、フリップフロップ7お
よび8の出力はQl、C2ともにローレベルに、外部メ
モリが装着されていない状態で電源が投入された場合、
あるいはリセット状態ではQl、C2ともにハイレベル
となる(タイミングT4)、これは、電子機器がリセッ
ト状態から復帰した場合も同様である。なお、リセット
回路13のリセット出力は所定のリセット時間(τ)経
過後ハイレベルとなる(タイミングT4)。
For example, if the power is turned on with external memory installed, or in the reset state, the outputs of flip-flops 7 and 8 are both Ql and C2 at low level, and the power is turned on with no external memory installed. case,
Alternatively, in the reset state, both Ql and C2 become high level (timing T4), and this also applies when the electronic device returns from the reset state. Note that the reset output of the reset circuit 13 becomes high level after a predetermined reset time (τ) has elapsed (timing T4).

次に、外部メモリカード15が本体から取り出された場
合について説明する。第6図のT5〜T8に、本体電子
回路Oのメモリカードコネクタ16からメモリカード1
5が抜き取られた場合のタイミングを示す。
Next, a case where the external memory card 15 is removed from the main body will be described. From the memory card connector 16 of the main body electronic circuit O to the memory card 1 from T5 to T8 in FIG.
The timing is shown when 5 is extracted.

メモリカード15が抜き取られると、これまでローレベ
ルに保たれていた着脱検出端子18の電圧レベルがハイ
レベルに変化する。この変化はフリップフロップ20.
22によって検出され、フリップフロップ22の出力が
1クロック分ハイレベルとなる(タイミングT6)。
When the memory card 15 is removed, the voltage level of the attachment/detachment detection terminal 18, which has been kept at a low level, changes to a high level. This change is caused by flip-flop 20.
22, and the output of the flip-flop 22 becomes high level for one clock (timing T6).

フリップフロップ22の出力の立上りによってフリップ
フロップ11のC3出力がローレベルとなり(タイミン
グT6)、リセット回路13の強制リセット端子(RE
ST  IN)をローレベルとすることによって電子機
器全体をリセット状態にする。
As the output of the flip-flop 22 rises, the C3 output of the flip-flop 11 becomes low level (timing T6), and the forced reset terminal (RE
The entire electronic device is reset by setting STIN) to a low level.

リセット回路13は、リセット時間内に初期化(C3の
出力なハイレベルとする)される、フリップフロップ2
0.21はリセット状態中に着脱検出端子18の値(メ
モリカード無でハイレベル)に応じて、初期設定回路2
3によってQl、Q2の値をハイレベルに設定される。
The reset circuit 13 includes a flip-flop 2 that is initialized (the output of C3 is set to high level) within the reset time.
0.21 is set to the initial setting circuit 2 according to the value of the insertion/removal detection terminal 18 (high level when no memory card is present) during the reset state.
3 sets the values of Ql and Q2 to high level.

リセット回路13のリセット時間τは任意に設定でき1
本体側のロジックによって異なるが、通常は500園s
ec以上とするのが望ましい。
The reset time τ of the reset circuit 13 can be set arbitrarily1.
It varies depending on the logic of the main unit, but usually 500 s
It is desirable to set it to ec or more.

上記構成によっても、前記実施例とほぼ同様の作用効果
を得ることができる。
With the above configuration as well, substantially the same effects as those of the embodiment described above can be obtained.

[発明の効果J 以上から明らかなように、本発明によれば、半導体メモ
リを用いた着脱自在の外部記憶手段を用いる電子機器に
おいて、前記外部記憶手段とのデータ人出力を行なうイ
ンターフェース回路内に前記外部記憶手段の装着状態を
電子的に検出する手段を設け、電源投入中に前記外部記
憶手段が着脱された場合に電子機器全体をリセットする
構成を採用している。すなわち、外部記憶手段とのデー
タ入出力を行なうインターフェース回路内に設けられた
電子的に検出する手段により、電源投入中に外部記憶手
段の着脱が検出された場合、電子機器をリセットするの
で、外部記憶手段のコネクタ接続方式にかかわらず、外
部記憶手段の着脱の瞬間を検出して電子機器をリセット
できるため、スイッチその他の制御手段を設ける必要な
く、確実に装置の暴走を防止し、故障やユーザデータの
破壊を未然に防止できるという優れた効果がある。
[Effect of the Invention J As is clear from the above, according to the present invention, in an electronic device using a removable external storage means using a semiconductor memory, an interface circuit for outputting data with the external storage means is provided. A configuration is adopted in which means is provided for electronically detecting the attachment state of the external storage means, and the entire electronic device is reset when the external storage means is attached or removed while the power is turned on. In other words, if the electronic device installed in the interface circuit that performs data input/output with the external storage device detects that the external storage device is attached or removed while the power is turned on, the electronic device is reset. Regardless of the connector connection method of the storage device, the electronic device can be reset by detecting the moment the external storage device is attached or removed.Therefore, there is no need to provide a switch or other control means, and the device is reliably prevented from running out of control. This has the excellent effect of preventing data destruction.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明を採用した電子機器の着脱検出回路の構
成を示すブロック図、第2図は第1図の装置におけるタ
イミングチャート図、第3図および第5図は本発明を採
用した他の実施例によるそれぞれの着脱検出回路の構成
を示すブロック図。 第4図および第6図は第3図および第5図の装置におけ
るタイミングチャート図、第7図は従来方式を示したブ
ロック図、第8図は従来の着脱検出方式の説明図である
。 1.15−・・メモリカード 2.16・・・メモリカードコネクタ 3.18−・・着脱検出端子 4.5・・・コネクタ端子 7.8.11.22−・・フリップフロップ9・・−ク
ロック発生回路 1O−EXORゲ−F− 12,23−初期設定回路 13・・・リセット回路
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an attachment/detachment detection circuit of an electronic device adopting the present invention, FIG. 2 is a timing chart diagram of the device of FIG. 1, and FIG. 3 and FIG. FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of each attachment/detachment detection circuit according to the embodiment. 4 and 6 are timing charts for the devices shown in FIGS. 3 and 5, FIG. 7 is a block diagram showing a conventional method, and FIG. 8 is an explanatory diagram of a conventional attachment/detachment detection method. 1.15--Memory card 2.16-Memory card connector 3.18--Attachment/detachment detection terminal 4.5--Connector terminal 7.8.11.22--Flip-flop 9...- Clock generation circuit 1O-EXOR game F- 12, 23-Initial setting circuit 13...Reset circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)半導体メモリを用いた着脱自在の外部記憶手段を用
いる電子機器において、 前記外部記憶手段とのデータ入出力を行なうインターフ
ェース回路内に前記外部記憶手段の装着状態を電子的に
検出する手段を設け、 電源投入中に前記外部記憶手段が着脱された場合に電子
機器全体をリセットすることを特徴とする電子機器。
[Scope of Claims] 1) In an electronic device using a removable external storage means using a semiconductor memory, the mounting state of the external storage means is electronically recorded in an interface circuit that performs data input/output with the external storage means. What is claimed is: 1. An electronic device comprising: a means for detecting the external storage means; and a device for resetting the entire electronic device when the external storage means is attached or removed while the power is turned on.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06289958A (en) * 1992-04-17 1994-10-18 Matsushita Graphic Commun Syst Inc Information processor
JP2008022130A (en) * 2006-07-11 2008-01-31 Kyocera Mita Corp Image forming apparatus and starting method thereof, and method of displaying menu

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