JPS63240615A - Interface circuit - Google Patents

Interface circuit

Info

Publication number
JPS63240615A
JPS63240615A JP62075695A JP7569587A JPS63240615A JP S63240615 A JPS63240615 A JP S63240615A JP 62075695 A JP62075695 A JP 62075695A JP 7569587 A JP7569587 A JP 7569587A JP S63240615 A JPS63240615 A JP S63240615A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
card
buffer
power supply
memory card
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62075695A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2511950B2 (en
Inventor
Masatoshi Kimura
正俊 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP62075695A priority Critical patent/JP2511950B2/en
Publication of JPS63240615A publication Critical patent/JPS63240615A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2511950B2 publication Critical patent/JP2511950B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To avoid the erroneous writing of a memory circuit as well as the breakdown of an internal semiconductor by turning on a power supply circuit and then a three-state buffer when a memory circuit is inserted and turning off the three-state buffer and then the power supply circuit when the memory circuit is pulled out respectively. CONSTITUTION:When a memory card 1 is connected to a terminal of an interface 24 set at the equipment side, two terminals of a short pin terminal 21 are connected to each other and a put-in/put-out signal 10 is set at an earth potential for the first time. Thus, the output side of a buffer 14 is set at 'L' and a power supply circuit 20 works. Then, the power supply input of the circuit 20 serves as the power supply for the card 1 via a transistor Trs. The power supplied to the card 1 is applied to an input terminal of an OR circuit 16 via an inverting circuit 15 as a power supply ON signal 12. At the same time, the signal 10 is sent to the other input terminal of the circuit 16 and the output 13 of the circuit 16 is set at 'L' to turn on a unidirectional buffer 17 and a bidirectional buffer 7. When the card 1 is pulled out, a three-state buffer and then the circuit 20 are turned off.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 メモリカードまたはICカードと機器間のインターフェ
イス回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an interface circuit between a memory card or an IC card and a device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第2図は従来のメモリカードと機器間のインターフェイ
ス回路を示す回路図であり、図において9はインターフ
ェイス回路であり、メモリカード1とはアドレスバス信
号2.データバス信号3゜及びコントロールバスである
チップイネーブル信号4.ライトイネーブル信号5.ア
ウトプットイネーブル信号6にてインターフエイスする
。7はデータバスをリード/ライトする3ステートの双
方向バッファである。該インターフェイス回路9は機器
がメモリカード1をアクセスしない時通常はプルアップ
抵抗8で“H”レベルにプルアップする。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional interface circuit between a memory card and a device. In the figure, reference numeral 9 is an interface circuit, and memory card 1 is connected to address bus signals 2. Data bus signal 3° and chip enable signal 4, which is a control bus. Write enable signal5. Interface with output enable signal 6. A 3-state bidirectional buffer 7 reads/writes the data bus. The interface circuit 9 is normally pulled up to the "H" level by the pull-up resistor 8 when the device does not access the memory card 1.

次に動作器2ついて説明する。第2図のインターフェイ
ス回路9はメモリカードlをアクセスする基本回路とし
て周知の技術でムる。メモリカード1に内蔵するメモリ
との基本タイミングはメモリ単体のタイミングと同一で
あり公的に周知の技術であり詳細説明は省く。メモリカ
ード1が機器側のコネクタと接続されている状態におい
ては第2図のインターフェイス回路9で上記周知の基本
タイミングで作動する。
Next, the actuator 2 will be explained. The interface circuit 9 shown in FIG. 2 is a basic circuit for accessing the memory card 1 using a well-known technology. The basic timing with the memory built into the memory card 1 is the same as the timing with the memory itself, and is a publicly known technique, so a detailed explanation will be omitted. When the memory card 1 is connected to the connector on the device side, the interface circuit 9 shown in FIG. 2 operates at the well-known basic timing described above.

今上記メモリカード1と機器側がインターフェイス回路
9を介して接続状態にあり、メモリカード1をアクセス
中またはアクセス休止中(ただしメモリカード1.イン
ターフェイス回路9は活性状態、電源は印加状態にある
。)にある状態でメモリカード1をコネクタより抜いた
場合に電源を含む全バス信号は必ずチャタリングを発生
する。
The memory card 1 and the device side are currently connected via the interface circuit 9, and the memory card 1 is being accessed or access is suspended (however, the memory card 1 and the interface circuit 9 are in an active state and power is applied). If the memory card 1 is removed from the connector in a state where the bus is in a state where the memory card 1 is removed from the connector, all bus signals including the power supply always generate chattering.

第3図はσE、WE端子等のチャタリングの様子を示す
タイミング図である。
FIG. 3 is a timing diagram showing chattering at the σE, WE terminals, etc.

すなわちこのチャタリングによってメモリカード1のラ
イト条件を満足するためそのライト条件を満足するタイ
ミングに合致したアドレスバスに合致したデータバ及を
誤書込みをする。上記チャタリングはメモリカード1を
コネクタに挿入する場合にも発生する。メモリカードl
はインターフェイス回路9の活性状態で挿抜することが
多々有りこの種の誤書込みの防止は従来のインターフェ
イス回路9では不可能である。
In other words, due to this chattering, in order to satisfy the write conditions of the memory card 1, a matching data bus is erroneously written to an address bus that matches the timing to satisfy the write conditions. The above chattering also occurs when the memory card 1 is inserted into the connector. memory card l
are often inserted and removed while the interface circuit 9 is active, and it is impossible to prevent this type of erroneous writing with the conventional interface circuit 9.

ここでメモリカード1とインターフェイス回路9を結合
する方法として一般的にカードエツジコネクタによる方
法、2ピースコネクタによる方法及びZIF (ゼロイ
ンサーションホース)による方法があるがいずれにして
も上記挿抜時におけるチャタリング防止は不可能である
Here, as a method for connecting the memory card 1 and the interface circuit 9, there are generally methods using a card edge connector, a method using a two-piece connector, and a method using a ZIF (zero insertion hose). Prevention is impossible.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

従来のインターフェイス回路は以上のように構成されて
いるのでメモリカードの挿抜時に生ずるチャタリングに
よるメモリカードへの誤書込み、あるいはメモリカード
内の半導体素子の破壊を防止する事は困難である。
Since the conventional interface circuit is constructed as described above, it is difficult to prevent erroneous writing to the memory card or destruction of semiconductor elements within the memory card due to chattering that occurs when the memory card is inserted or removed.

メモリカードのデータ内容が変化する事はメモリカード
として用をなさず全く使い物にならないことを意味し、
これは大きな問題である。
Changing the data content of a memory card means that it is no longer useful as a memory card and is completely unusable.
This is a big problem.

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、挿抜のチャタリングによるメモリカードのメ
モリへの誤書込み及びメモリカード内の半導体素子の破
壊を完全に防止できるインターフェイス回路を得る事を
目的とする。
This invention was made in order to solve the above-mentioned problems, and provides an interface circuit that can completely prevent erroneous writing to the memory of a memory card and destruction of semiconductor elements in the memory card due to chattering during insertion and removal. With the goal.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明に係るインターフェイス回路は、メモリカードま
たはICカードと機器間のインターフェイス回路におい
て、上記カードへの供給電源をオン/オフできる電源回
路と、上記カードへの全バス信号をオン/オフできる単
方向及び双方向の3ステートバッファと、上記カードの
挿入又は抜取を検知する挿抜検知信号ラインを上記カー
ドの挿入時にプルダウンし上記カードの抜取時にプルア
ップする挿抜検知信号作成手段と、上記挿抜検知信号が
プルダウン又はプルアップされた時一定時間経過後に上
記電源回路をオン又はオフさせる信号を出力するバッフ
ァと、反転遅延回路を経た上記電源回路の出力と上記挿
抜検知信号のいずれか一方がハイレベルの時上記単方向
及び双方向の3ステートバッファをオフする論理和手段
とを備えたものである。
The interface circuit according to the present invention is an interface circuit between a memory card or an IC card and a device, and includes a power supply circuit that can turn on/off power supply to the card, and a unidirectional bus signal that can turn on/off all bus signals to the card. and a bidirectional 3-state buffer, an insertion/extraction detection signal generation means for pulling down an insertion/extraction detection signal line for detecting insertion or removal of the card when the card is inserted and pulls it up when the card is removed; A buffer that outputs a signal that turns the power supply circuit on or off after a certain period of time has passed when pulled down or pulled up, and when either the output of the power supply circuit that has passed through the inversion delay circuit or the insertion/removal detection signal is at a high level. and an OR means for turning off the unidirectional and bidirectional three-state buffers.

〔作用〕[Effect]

本発明におけるインターフェイス回路はメモリカードま
たはICカードと機器間のインターフェイス回路におい
て、上記カードへの供給電源をオン/オフできる電源回
路と、上記カードへの全バス信号をオン/オフできる単
方向及び双方向の3ステートバッファと、上記カードの
挿入又は抜取を検知する挿抜検知信号ラインを上記カー
ドの挿入時にプルダウンし上記カードの抜取時にプルア
ップする挿抜検知信号作成手段と、上記挿抜検知信号が
プルダウン又はプルアップされた時一定時間経過後に上
記電源回路をオン又はオフさせる信号を出力するバッフ
ァと、反転遅延回路を経た上記電源回路の出力と上記挿
抜検知信号のいずれか一方がハイレベルの時上記単方向
及び双方向の3ステートバッファをオフする論理和手段
とを備え、メモリカードの挿入時は先ず電源回路をオン
としのち3ステートバッファをオンとし、抜取時は先ず
3ステートバッファをオフしのち電源回路をオフとする
構成としたから全インターフェイスをプルダウン(0■
)とした状態で挿抜でき、メモリカードのメモリへの誤
書込み及びメモリカード内の半導体の破壊を防止できる
The interface circuit in the present invention is an interface circuit between a memory card or an IC card and a device, and includes a power supply circuit that can turn on/off the power supply to the card, and a unidirectional and bidirectional circuit that can turn on/off all bus signals to the card. an insertion/extraction detection signal generating means that pulls down an insertion/extraction detection signal line for detecting insertion or removal of the card when the card is inserted and pulls it up when the card is removed; A buffer that outputs a signal to turn on or off the power supply circuit after a certain period of time when it is pulled up; When inserting a memory card, first turn on the power supply circuit and then turn on the 3-state buffer, and when removing a memory card, first turn off the 3-state buffer and then turn off the power. Since the configuration is configured to turn off the circuit, all interfaces are pulled down (0■
), which prevents erroneous writing to the memory of the memory card and destruction of semiconductors within the memory card.

〔実施例〕〔Example〕

以下この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例によるメモリカードと機器間
のインターフェイス回路を示す回路図である。図におい
て第2図と同一符号は同−又は相当部分であり、20は
メモリカードlへの供給電源をオン/オフできる電源回
路、17及び7はそれぞれメモリカード1へのあるいは
メモリカード1からのバス信号をオン/オフできる3ス
テート単方向バツフア及び3ステート双方向?くツファ
である。電源回路20のオン/オフはコネクタのショー
トピン端子21に対応したメモリカード1のグランドル
ープ22の出力信号である挿抜検知信号10によりバッ
ファ14を介して制御する。3ステート単方向バツフア
17と3ステート双方向バツフア7のオン/オフは挿抜
検知信号10と電源オン反転信号1)のOR回路16出
力であるバッファオン/オフ信号13で行う。反転回路
15の入力には電源回路20の出力信号であるメモリカ
ード1の供給’inが印加される。i源回路20゜3ス
テート卓方向バッファ17.及び3ステート双方向バッ
ファ7がオフ時においてメモリカード1の全端子はプル
ダウン抵抗19.プルアンプダウン抵抗18によりプル
ダウン状態となる。23は挿抜検知プルアップ抵抗でメ
モリカード1がコネクタと接続状態にある場合はグラン
ド電位となり、ショートピン端子21の接続状態が外れ
ると電源入力側にプルアップされる。24はインターフ
ェイスの全体回路である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an interface circuit between a memory card and a device according to an embodiment of the present invention. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 2 are the same or equivalent parts, 20 is a power supply circuit that can turn on/off the power supply to the memory card 1, 17 and 7 are the power supply circuits for supplying power to and from the memory card 1, respectively. 3-state unidirectional buffer and 3-state bidirectional buffer that can turn on/off bus signals? It is Kutufa. On/off of the power supply circuit 20 is controlled via the buffer 14 by an insertion/removal detection signal 10 which is an output signal of the ground loop 22 of the memory card 1 corresponding to the short pin terminal 21 of the connector. The 3-state unidirectional buffer 17 and the 3-state bidirectional buffer 7 are turned on/off by a buffer on/off signal 13 which is the output of the OR circuit 16 of the insertion/removal detection signal 10 and the power-on inversion signal 1). The input of the inverting circuit 15 is applied with the output signal of the power supply circuit 20, that is, the supply 'in' of the memory card 1. i source circuit 20° 3-state desk buffer 17. When the 3-state bidirectional buffer 7 is off, all terminals of the memory card 1 are connected to the pull-down resistor 19. A pull-down state is achieved by the pull-amp down resistor 18. Reference numeral 23 denotes an insertion/removal detection pull-up resistor which has a ground potential when the memory card 1 is connected to the connector, and is pulled up to the power input side when the short pin terminal 21 is disconnected. 24 is the entire circuit of the interface.

次に動作について説明する。まずメモリカード1を挿入
する場合の動作を説明する。第4図はメモリカード1が
所持、携帯時にあり機器側のコネクタに挿入した時点に
おける挿抜検知信号10゜電源オン反転信号1).電源
オン信号12及びバッファオン/オフ信号13の各信号
の様子を示すタイミング図である。この場合インターフ
ェイス24とメモリカードlの間の各信号線は電源回路
20、単方向バッファ17及び双方向バッファ7が挿抜
検知プルアップ抵抗23が電源入力側にプルアップされ
ているのでオフの状態にあり、プルアップダウン抵抗1
8.プルダウン抵抗19によりプルダウンとなり低イン
ピーダンス状態にある。
Next, the operation will be explained. First, the operation when inserting the memory card 1 will be explained. FIG. 4 shows the insertion/removal detection signal 10° and the power-on inversion signal 1) when the memory card 1 is in possession and portable, and is inserted into the connector on the device side. 5 is a timing diagram showing the state of each signal of a power-on signal 12 and a buffer on/off signal 13. FIG. In this case, each signal line between the interface 24 and the memory card l is turned off because the power supply circuit 20, unidirectional buffer 17, and bidirectional buffer 7 are pulled up to the power supply input side by the insertion/removal detection pull-up resistor 23. Yes, pull up/down resistor 1
8. It is pulled down by the pull-down resistor 19 and is in a low impedance state.

今メモリカード1が機器側のコネクタ即ちインターフェ
イス24の端子に接続された場合ショートビン端子21
の2端子とも接続状態になって初めて挿抜検知信号10
はグランド電位’(OV)になる。従ってバッファ14
の出力側は“L”となるので電源回路20は作動する。
If the memory card 1 is now connected to the connector on the device side, that is, the terminal of the interface 24, the short bin terminal 21
The insertion/removal detection signal 10 is not output until both terminals are connected.
becomes the ground potential' (OV). Therefore buffer 14
Since the output side of is "L", the power supply circuit 20 is activated.

電源回路20の電源入力はシリーズトランジスタT□を
介してメモリカードlの供給電源となる。この供給電源
は電源オン信号12として反転回路15を介してオア回
路16の入力端子に印加される。他方上記挿抜検知信号
10は同じくオア回路16の他の入力端子に印加されそ
のOR出力であるバッファオン/オフ信号13は“L″
レベルなり単方向バッファ17.双方向バッファ7をオ
ンとする。第4図においてT1はバッファ14の遅延時
間、電源回路20の応答時間を含めた遅れ時間を示す。
The power input of the power supply circuit 20 becomes the power supply to the memory card l via the series transistor T□. This power supply is applied as a power-on signal 12 to an input terminal of an OR circuit 16 via an inversion circuit 15. On the other hand, the insertion/removal detection signal 10 is also applied to the other input terminal of the OR circuit 16, and the buffer on/off signal 13, which is the OR output, is "L".
level unidirectional buffer17. Turn on the bidirectional buffer 7. In FIG. 4, T1 indicates a delay time including the delay time of the buffer 14 and the response time of the power supply circuit 20.

またT ’ tは反転回路15の遅延時間を示す。Further, T't indicates the delay time of the inverting circuit 15.

第4図よりメモリカード1における各部の活性化手順は
以下の通りとなる。
From FIG. 4, the activation procedure for each part of the memory card 1 is as follows.

まず供給電源が印加され、遅れて単方向バッファ17.
双方向バッファ7がオンとなる。従ってメモリカード1
内藏の半導体素子としては最良の活性化手順であり、ラ
ッチアップ等は発生しない。
First, the power supply is applied, and after a delay, the unidirectional buffer 17.
Bidirectional buffer 7 is turned on. Therefore memory card 1
This is the best activation procedure for internal semiconductor devices, and latch-up does not occur.

またメモリカード1の内蔵メモリの記憶データは完全に
保持でき誤書込みは無い。また挿入時におけるショート
ピンコネクタのチャタリングも第4図で示す様にオア回
路16の作用により除去できる。
Furthermore, the data stored in the built-in memory of the memory card 1 can be completely retained and there is no erroneous writing. Furthermore, chattering of the short pin connector during insertion can be eliminated by the action of the OR circuit 16 as shown in FIG.

他のコネクタピンのチャタリングについても単方向バッ
ファ1フ、双方向バッファ7がオンしない限り低インピ
ーダンス(プルダウン状B)にありグランドレベル(O
V)を維持するので問題は無い。ピン21を他のピンよ
り短くするのは挿入時は一番最後に接触させ、抜く時は
一番最初に離れる様にするためである。すなわち第4図
のタイミングにおいて対象とするピンはショートピン2
1のみ考慮すれば良い。
Regarding chattering of other connector pins, unless unidirectional buffer 1 and bidirectional buffer 7 are turned on, the impedance is low (pull-down shape B) and the ground level (O
V) is maintained, so there is no problem. The reason why the pin 21 is made shorter than the other pins is to make it the last one to make contact during insertion, and the first to leave when removed. In other words, the target pin at the timing in Figure 4 is short pin 2.
Only 1 needs to be considered.

ここでショートピン端子21はメモリカード1の最側端
2ケ所に設けるようにする。ショートピン端子をメモリ
カードの最側端に設けることは一般的手段であるが、こ
れは斜め挿入を考慮するからである。このようなショー
トピン配置により本発明のインターフェイス回路はカー
ドが斜め挿入された場合もショートピン端子21が一番
最後にコネクタに接触するため斜め挿入による機能障害
を起こすことなく正常に作動する。
Here, the short pin terminals 21 are provided at two locations on the outermost edge of the memory card 1. It is a common practice to provide the short pin terminal at the outermost end of the memory card, but this is because diagonal insertion is taken into account. Due to such a short pin arrangement, the interface circuit of the present invention can operate normally even if the card is inserted diagonally, since the short pin terminal 21 comes into contact with the connector last, without causing any functional failure due to the diagonal insertion.

次にメモリカード1を抜き取る場合の動作を説明する。Next, the operation when removing the memory card 1 will be explained.

第5図はメモリカード1を抜き取った時点における各信
号の様子を示すタイミング図である。インターフェイス
24が活性状態にあるからメモリカードlの内蔵する半
導体素子の破壊、メモリの誤書込みを発生しやすい状態
にある。今メモリカード1を抜くと挿抜検知信号10が
グランドレベル(0■)から挿抜検知プルアップ抵抗2
3の作用により電源入力側にプルアップとなる。
FIG. 5 is a timing diagram showing the state of each signal at the time when the memory card 1 is removed. Since the interface 24 is in an active state, the semiconductor element built into the memory card l is likely to be destroyed and erroneous data writing to the memory may easily occur. If you remove the memory card 1 now, the insertion/removal detection signal 10 will change from the ground level (0■) to the insertion/removal detection pull-up resistor 2.
Due to the action of 3, it is pulled up to the power input side.

従ってバッフア14の出力は″H゛レベルとなり電源回
路20はオフとなる。上記作用に先立ち挿抜検知信号1
0がオア回路16の一方に接続されているので電源オン
反転信号1)とのオア動作によりバッファオン/オフ信
号13は直ちに“H”レベルとなり単方向バッファ17
.双方向バッファ7をオフとする。従ってメモリカード
1の各端子が活性状態からプルダウン(グランドレベル
=OV)になる手順は以下の様になる。まず単方向バッ
ファ17.双方向バッファ7をオフとしてデータバス信
号はグランドレベルにアドレスバス信号、コントロール
バス信号はT2の間は“H”レベルとなり以降はグラン
ドレベルになる。
Therefore, the output of the buffer 14 becomes "H" level, and the power supply circuit 20 is turned off. Prior to the above operation, the insertion/removal detection signal 1
0 is connected to one side of the OR circuit 16, the buffer on/off signal 13 immediately goes to "H" level due to the OR operation with the power-on inverted signal 1), and the unidirectional buffer 17
.. Bidirectional buffer 7 is turned off. Therefore, the procedure for changing each terminal of the memory card 1 from an active state to a pull-down state (ground level=OV) is as follows. First, unidirectional buffer 17. With the bidirectional buffer 7 turned off, the data bus signal goes to the ground level, the address bus signal, and the control bus signal go to the "H" level during T2, and then go to the ground level.

T2の区間上記コントロールバスを“H”にしておくの
は誤書込みを防止するためである。上記手順は半導体素
子、メモリの破壊、誤書込みを防止する最良の手順であ
る。
The reason why the control bus is kept at "H" during the period T2 is to prevent erroneous writing. The above procedure is the best procedure for preventing damage to semiconductor elements and memory, and erroneous writing.

第1図の本発明のインターフェイス回路と適合するメモ
リカード1の内部回路の基本構成例を第6図に示す。基
本はGE、 WE゛信号を3ステートバッファまたはス
イッチ回路を介してメモリのσE、WE°端子に加える
構成とする事である。第6図では3ステートバッファの
場合の例を示す。上記3ステートバッファ33のオン/
オフはツェナーダイオード26で決まる闇値電圧によっ
てオン/オフする制御トランジスタ25の出力信号であ
るゲートオン/オフ信号31で行う。メモリカード1に
供給電源が印加されると上記3ステードパ・ッファ33
はオンとなり第1図のインターフェイス24とアクセス
が可能となり上記供給電源がオフになると上記3ステー
トバッファ33はオフとなり電池30→シリーズ抵抗2
9−シリーズダイオード28を介してプルアップ抵抗3
2によりCE、WEはプルアップされメモリのデータは
保持される。
FIG. 6 shows an example of the basic configuration of the internal circuit of the memory card 1 that is compatible with the interface circuit of the present invention shown in FIG. The basic configuration is to apply the GE and WE' signals to the σE and WE° terminals of the memory via a 3-state buffer or switch circuit. FIG. 6 shows an example of a 3-state buffer. Turn on/off the above 3-state buffer 33
Turning off is performed using a gate on/off signal 31, which is an output signal of the control transistor 25, which is turned on/off according to the dark voltage determined by the Zener diode 26. When power is applied to the memory card 1, the three-step buffer 33
is turned on, and access to the interface 24 in FIG.
Pull-up resistor 3 through 9-series diode 28
2, CE and WE are pulled up and the data in the memory is held.

ここで第6図におけるメモリのτE、WE信号のプルア
ップ状態と第4図の電源オン信号12゜バッファオン/
オフ信号13の関係を第7図に示す、第1図の反転回路
15の遅延時間と第6図の制御トランジスタ25の遅れ
時間は一般的に反転回路15の遅延時間く制御トランジ
スタの遅れの関係にあるから第6図のメモリのσπ、W
E信号は第1図の単方向バッファ17がオンとなるまで
、すなわちアクセス可能となるまでプルアップの状態に
ある。
Here, the pull-up state of the memory τE and WE signal in FIG. 6 and the power-on signal 12° buffer on/in FIG.
The relationship between the off signal 13 is shown in FIG. 7. The delay time of the inverting circuit 15 in FIG. 1 and the delay time of the control transistor 25 in FIG. 6 are generally related to the delay time of the inverting circuit 15 and the delay of the control transistor σπ of the memory in Figure 6, W
The E signal remains pulled up until the unidirectional buffer 17 of FIG. 1 is turned on, ie, can be accessed.

次に第6図におけるメモリのσE、 W頁信号と第5図
の電源オン信号12.バッファオン/オフ信号13の関
係を第8図に示す。第5図によりカードを抜いた時点で
は即バッファオン/オフ信号13が“H”レベルとなり
、第1図の単方向バッファ17をオフとするが上記第5
図の電源オン信号12はT7区間はH″であるため第6
図のメモリのστ、WE信号は“H”を持続する。T2
区間が終了する直前においてメモリカード内のツェナー
ダイオード26が作動し、3ステートバッファ33をオ
フとするためメモリのCr、WE傷信号電池30−シリ
ーズ抵抗29−シリーズダイオード28を介してプルア
ップ抵抗32によりプルアップされる。
Next, the memory σE in FIG. 6, the W page signal and the power-on signal 12 in FIG. The relationship between the buffer on/off signals 13 is shown in FIG. As shown in FIG. 5, when the card is removed, the buffer on/off signal 13 becomes "H" level, and the unidirectional buffer 17 shown in FIG. 1 is turned off.
The power-on signal 12 in the figure is H″ in the T7 section, so the 6th
The στ and WE signals of the memory shown in the figure maintain “H”. T2
Immediately before the end of the section, the Zener diode 26 in the memory card is activated, and in order to turn off the 3-state buffer 33, the pull-up resistor 32 is activated via the memory's Cr, WE scratch signal battery 30-series resistor 29-series diode 28. It is pulled up by

以上の動作によりメモリカード1とインターフェイス2
4が活性状態においてメモリカードlを抜いた場合、ま
たメモリカード1を所持、携帯の状態で活性状態にある
インターフェイス24にメモリカード1を挿入するいず
れの場合においても第6図のメモリのσE、W下信号を
プルアンプしデータを保護する様にインターフェイス2
4が作動するためメモリカードlの挿抜においてメモリ
カードlの半導体素子を破壊する事は無く、また完全に
メモリカード1のメモリデータを保持、保護できる。
With the above operation, memory card 1 and interface 2
4 is in the active state and the memory card 1 is removed, and in both cases when the memory card 1 is inserted into the active interface 24 while the memory card 1 is in the possession or portable state, the memory σE of FIG. Interface 2 pulls the W lower signal and protects the data.
4 is activated, the semiconductor element of the memory card 1 is not destroyed when the memory card 1 is inserted or removed, and the memory data of the memory card 1 can be completely retained and protected.

なお第1図のバッファ1)は機器側のCPUの割込み信
号とすることでアクセスを禁止する等自由に取扱える。
Note that the buffer 1) in FIG. 1 can be handled freely, such as by prohibiting access by using it as an interrupt signal for the CPU on the device side.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように本発明によれば、メモリカードまたは1.
Cカードと機器間のインターフェイス回路において、上
記カードへの供給電源をオン/オフできる電源回路と、
上記カードへの全バス信号をオン/オフできる単方向及
び双方向の3ステートバッファと、上記カードの挿入又
は抜取を検知する挿抜検知信号ラインを上記カードの挿
入時にプルダウンし上記カードの抜取時にプルアンプす
る挿抜検知信号作成手段と、上記挿抜検知信号がプルダ
ウン又はプルアップされた時一定時間経過後に上記電源
回路をオン又はオフさせる信号を出力するバッファと、
反転遅延回路を経た上記電源回路の出力と上記挿抜検知
信号のいずれか一方がハイレベルの時上記単方向及び双
方向の3ステートバッファをオフする論理和手段とを備
え、メモリカードの挿入時は先ず電源回路をオンとしの
ち3ステートバッファをオンとし、抜取時は先ず3ステ
ートバッファをオフしのち電源回路をオフとする構成と
したから、メモリカードの挿抜時におけるメモリカード
のメモリへの誤書込み及びメモリカード内の半導体素子
の破壊を防止でき、信頼性の高いものが得られる効果が
ある。
As described above, according to the present invention, memory cards or 1.
In the interface circuit between the C card and the device, a power supply circuit that can turn on/off the power supply to the card;
A unidirectional and bidirectional 3-state buffer that can turn on/off all bus signals to the above card, and an insertion/removal detection signal line that detects the insertion or removal of the above card, which is pulled down when the above card is inserted, and a pull amplifier when the above card is removed. a buffer that outputs a signal that turns the power supply circuit on or off after a certain period of time when the insertion/extraction detection signal is pulled down or pulled up;
and an OR means for turning off the unidirectional and bidirectional three-state buffer when either the output of the power supply circuit that has passed through the inversion delay circuit or the insertion/removal detection signal is at a high level, and when the memory card is inserted. First, the power supply circuit is turned on, then the 3-state buffer is turned on, and when removing the memory card, the 3-state buffer is first turned off, and then the power supply circuit is turned off.This prevents erroneous writing to the memory card's memory when the memory card is inserted or removed. Also, it is possible to prevent the semiconductor elements in the memory card from being destroyed, and there is an effect that a highly reliable product can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例によるメモリカードと機器間
のインターフェイス回路を示す図、第2図は従来のメモ
リカードと機器間のインターフェイス回路を示す図、第
3図は従来のインターフェイス回路でのカード挿抜時の
信号状態を示す図、第4図は本発明のインターフェイス
回路でのカード挿入時の各信号状態を示すタイミング図
、第5図は同カード挿抜時の各信号状態を示すタイミン
グ図、第6図は本発明のインターフェイス回路に用いる
メモリカードの一例を示す回路図、第7図は本発明のイ
ンターフェイス回路に挿入時のメモリカードのCE、W
E倍信号状態を示すタイミング図、第8図は同抜取時の
メモリカードの丁「WE倍信号状態を示すタイミング図
である。 1はメモリカード、2はアドレスバス信号、3はデータ
バス信号、4はチンブイネーブル信号(σB)、5はラ
イトイネーブル信号(WE) 、6はアウトプットイネ
ーブル信号(σ百)、7は3ステート双方向バツフア、
10は挿抜検知信号、1)は電源オン反転信号、12は
電源オン信号、13はバッファオン/オフ信号、14は
バッファ、15は反転回路、16はオア回路、17は3
ステート単方向バツフア、18はプルアップダウン抵抗
、19はプルダウン抵抗、20は電源回路、21はショ
ートピン端子、22はグランドループ、23は挿抜検知
プルアップ抵抗、24はインターフェイス回路。
FIG. 1 is a diagram showing an interface circuit between a memory card and a device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a conventional interface circuit between a memory card and a device, and FIG. 3 is a diagram showing a conventional interface circuit. FIG. 4 is a timing diagram showing each signal state when a card is inserted and removed in the interface circuit of the present invention, and FIG. 5 is a timing diagram showing each signal state when the card is inserted and removed. , FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of a memory card used in the interface circuit of the present invention, and FIG. 7 is a circuit diagram showing the CE and W of the memory card when inserted into the interface circuit of the present invention.
FIG. 8 is a timing diagram showing the state of the E signal, and FIG. 8 is a timing chart showing the state of the WE signal of the memory card at the time of extraction. 1 is a memory card, 2 is an address bus signal, 3 is a data bus signal, 4 is a chimbu enable signal (σB), 5 is a write enable signal (WE), 6 is an output enable signal (σ100), 7 is a 3-state bidirectional buffer,
10 is an insertion/extraction detection signal, 1) is a power-on inversion signal, 12 is a power-on signal, 13 is a buffer on/off signal, 14 is a buffer, 15 is an inversion circuit, 16 is an OR circuit, 17 is a 3
18 is a pull-up/down resistor, 19 is a pull-down resistor, 20 is a power supply circuit, 21 is a short pin terminal, 22 is a ground loop, 23 is an insertion/extraction detection pull-up resistor, and 24 is an interface circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)メモリカードまたはICカードと機器間のインタ
ーフェイス回路において、 上記カードへの供給電源をオン/オフできる電源回路と
、 上記カードへの全バス信号をオン/オフできる単方向及
び双方向の3ステートバッファと、上記カードの挿入又
は抜取を検知する挿抜検知信号ラインを上記カードの挿
入時にプルダウンし上記カードの抜取時にプルアップす
る挿抜検知信号作成手段と、 上記挿抜検知信号がプルダウン又はプルアップされた時
一定時間経過後に上記電源回路をオン又はオフさせる信
号を出力するバッファと、 反転遅延回路を経た上記電源回路の出力と上記挿抜検知
信号のいずれか一方がハイレベルの時上記単方向及び双
方向の3ステートバッファをオフする論理和手段とを備
えたことを特徴とするインターフェイス回路。
(1) In the interface circuit between the memory card or IC card and the device, there is a power supply circuit that can turn on/off the power supply to the above card, and a unidirectional and bidirectional circuit that can turn on/off all bus signals to the above card. a state buffer; an insertion/extraction detection signal generation means for pulling down an insertion/extraction detection signal line for detecting insertion or removal of the card when the card is inserted and pulling it up when the card is removed; a buffer that outputs a signal to turn on or off the power supply circuit after a certain period of time has elapsed; 1. An interface circuit comprising: OR means for turning off a 3-state buffer in a direction.
JP62075695A 1987-03-27 1987-03-27 Interface circuit Expired - Lifetime JP2511950B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62075695A JP2511950B2 (en) 1987-03-27 1987-03-27 Interface circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62075695A JP2511950B2 (en) 1987-03-27 1987-03-27 Interface circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63240615A true JPS63240615A (en) 1988-10-06
JP2511950B2 JP2511950B2 (en) 1996-07-03

Family

ID=13583600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62075695A Expired - Lifetime JP2511950B2 (en) 1987-03-27 1987-03-27 Interface circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2511950B2 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0473316A2 (en) * 1990-08-30 1992-03-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Interface circuit for semiconductor memory device
JPH04195410A (en) * 1990-11-28 1992-07-15 Hitachi Ltd Controller for connection/disconnection of apparatus
JP2005202982A (en) * 2005-03-25 2005-07-28 Hitachi Maxell Ltd Electronic apparatus and information processing system incorporating the same
US8230156B2 (en) 1997-08-08 2012-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for controlling non-volatile semiconductor memory system
JP2015176581A (en) * 2014-03-18 2015-10-05 アンリツ株式会社 Power source control device and power source control method as well as measurement device
CN111052636A (en) * 2017-09-08 2020-04-21 住友电气工业株式会社 Pluggable optical module and mainboard

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0473316A2 (en) * 1990-08-30 1992-03-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Interface circuit for semiconductor memory device
US5192883A (en) * 1990-08-30 1993-03-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Interface circuit for semiconductor memory device
JPH04195410A (en) * 1990-11-28 1992-07-15 Hitachi Ltd Controller for connection/disconnection of apparatus
US8230156B2 (en) 1997-08-08 2012-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for controlling non-volatile semiconductor memory system
US8756401B2 (en) 1997-08-08 2014-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for controlling non-volatile semiconductor memory system
JP2005202982A (en) * 2005-03-25 2005-07-28 Hitachi Maxell Ltd Electronic apparatus and information processing system incorporating the same
JP2015176581A (en) * 2014-03-18 2015-10-05 アンリツ株式会社 Power source control device and power source control method as well as measurement device
CN111052636A (en) * 2017-09-08 2020-04-21 住友电气工业株式会社 Pluggable optical module and mainboard

Also Published As

Publication number Publication date
JP2511950B2 (en) 1996-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8599637B2 (en) Advanced detection of memory device removal, and methods, devices and connectors
JPH03187169A (en) Ic card connecting device
US7263120B2 (en) Semiconductor device to reduce power individually to each circuit
US5166503A (en) IC memory card
JPS63240615A (en) Interface circuit
US20160179713A1 (en) Semiconductor integrated circuit and device detection system provided with the same
US4045684A (en) Information transfer bus circuit with signal loss compensation
EP1473733A1 (en) Composite storage circuit and semiconductor device having the same
US20030042946A1 (en) Circuit to eliminate bus contention at chip power up
JP2535546B2 (en) Memory card
US5399848A (en) Portable type semiconductor storage apparatus
US6816417B2 (en) Input/output buffer circuit
JPS5990276A (en) Data protection system
TWI401687B (en) Circuit for processing signal and flash memory
JP2000010659A (en) Live wire insertion/ejection protector
JPS5990279A (en) Interface circuit
JPH01112455A (en) Memory card circuit
JPH03104315A (en) Input terminal potential fixing circuit for cmos semiconductor device
JPS5990277A (en) Cassette type storage device
JPS5990278A (en) Cassette type storage device
JPH04167157A (en) Memory card control system
JPH01116718A (en) Memory card circuit
JPH06214893A (en) Memory card device
JPH03263110A (en) Electronic apparatus
KR100224964B1 (en) Hot swappable scsi backpanel