JPH03263010A - ファイバ型ブラッグ反射器 - Google Patents
ファイバ型ブラッグ反射器Info
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- JPH03263010A JPH03263010A JP6335190A JP6335190A JPH03263010A JP H03263010 A JPH03263010 A JP H03263010A JP 6335190 A JP6335190 A JP 6335190A JP 6335190 A JP6335190 A JP 6335190A JP H03263010 A JPH03263010 A JP H03263010A
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- 239000000835 fiber Substances 0.000 title claims description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 126
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
- G02F1/0115—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass in optical fibres
- G02F1/0118—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass in optical fibres by controlling the evanescent coupling of light from a fibre into an active, e.g. electro-optic, overlay
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[概要]
ファイバ型ブラッグ反射器に係り、特に光フアイバ通信
や光情報処理において高速の波長チューニングを可能に
するファイバ型ブラッグ反射器に関し、 高速、高精度の波長チューニングが可能なファイバ型ブ
ラッグ反射器を提供することを目的とし、クラッド層に
包まれたコア層の側面が光信号の経路に沿って一部露出
している光ファイバと、前記コア層の側面露出部分に対
向密着させて設けられた半導体光導波路と、前記コア層
と前記半導体光導波路層との密着部分に形成されたグレ
ーティングとを有し、前記半導体光導波路層に電流注入
、電圧印加又は光注入を行なうことにより、前記グレー
ティングの光学的周期を変化させるように構成する。
や光情報処理において高速の波長チューニングを可能に
するファイバ型ブラッグ反射器に関し、 高速、高精度の波長チューニングが可能なファイバ型ブ
ラッグ反射器を提供することを目的とし、クラッド層に
包まれたコア層の側面が光信号の経路に沿って一部露出
している光ファイバと、前記コア層の側面露出部分に対
向密着させて設けられた半導体光導波路と、前記コア層
と前記半導体光導波路層との密着部分に形成されたグレ
ーティングとを有し、前記半導体光導波路層に電流注入
、電圧印加又は光注入を行なうことにより、前記グレー
ティングの光学的周期を変化させるように構成する。
[産業上の利用分野]
本発明はファイバ型ブラッグ反射器に係り、特に光フア
イバ通信や光情報処理において高速の波長チューニング
を可能にするファイバ型ブラッグ反射器に関する。
イバ通信や光情報処理において高速の波長チューニング
を可能にするファイバ型ブラッグ反射器に関する。
近年、光通信システムの情報伝送容量を拡大するために
、光ファイバの広帯域性を活かした波長多重化技術の開
発が進んでいる。そしてそれに伴い、この光通信や光情
報処理における波長多重化のための光デバイスの開発の
必要性が高まっている。特に、複数の波長が混在する光
信号の中から任意の波長信号を選択する機能をもったデ
バイスは、波長多重光ファイバ通信システムにおいて必
要不可欠であり、ファイバ型ブラッグ反射器もそのひと
つである。
、光ファイバの広帯域性を活かした波長多重化技術の開
発が進んでいる。そしてそれに伴い、この光通信や光情
報処理における波長多重化のための光デバイスの開発の
必要性が高まっている。特に、複数の波長が混在する光
信号の中から任意の波長信号を選択する機能をもったデ
バイスは、波長多重光ファイバ通信システムにおいて必
要不可欠であり、ファイバ型ブラッグ反射器もそのひと
つである。
[従来の技術j
従来のファイバ型ブラ・ソゲ反射器(WJ、5orin
。
。
snd S、A、Newton: Tunaわ
Ie Single−Mode 0utputOf
A Hult+1ode La5er In A T
unable Fibre Gratino Exte
rnal Cavity” )を第7図に示す。
Ie Single−Mode 0utputOf
A Hult+1ode La5er In A T
unable Fibre Gratino Exte
rnal Cavity” )を第7図に示す。
ガラス基板2に埋め込まれて固定された光ファイバ4の
側面が研磨されて、クラッド層に包まれたコア層8の側
面が光信号の経路に沿って一部露出されている。この露
出部分のコア層8上には、薄い屈折率マツチング・オイ
ルを介して、コア層より高屈折率の材質からなるグレー
テイング板40が設置されている。このグレーテイング
板4゜は、ガラス板に放射状に広がるグレーティング4
2を形成したもので、光信号の経路に沿った露出部分の
コア層8に対して、常に一定のピッチを保持している。
側面が研磨されて、クラッド層に包まれたコア層8の側
面が光信号の経路に沿って一部露出されている。この露
出部分のコア層8上には、薄い屈折率マツチング・オイ
ルを介して、コア層より高屈折率の材質からなるグレー
テイング板40が設置されている。このグレーテイング
板4゜は、ガラス板に放射状に広がるグレーティング4
2を形成したもので、光信号の経路に沿った露出部分の
コア層8に対して、常に一定のピッチを保持している。
そしてこのグレーテイング板4oをコア層8の露出面に
沿って光信号の経んに直角方向に、即ち図中のYの矢印
方向に移動させることにより、コア層8に対するグレー
ティング42のピッチを変化させることができるように
なっている。
沿って光信号の経んに直角方向に、即ち図中のYの矢印
方向に移動させることにより、コア層8に対するグレー
ティング42のピッチを変化させることができるように
なっている。
次に、動作を説明する。
いま、複数の波長が混在する光信号が光ファイバ4のコ
ア層8を通っている。この光信号は、コア層8の露出部
分において、コア層8とエバネッセント光結合している
グレーテイング板40へ浸み出し、グレーテイング板4
0の所定のピッチのグレーティング42によって所定の
波長の光信号のみが選択的に反射される。次いで、この
グレーテイング板40をコア層8の露出面に沿って図中
のYの矢印方向に移動させ、そのグレーティング42の
ピッチを変化させることにより、反射光の波長を変化さ
せることができる。
ア層8を通っている。この光信号は、コア層8の露出部
分において、コア層8とエバネッセント光結合している
グレーテイング板40へ浸み出し、グレーテイング板4
0の所定のピッチのグレーティング42によって所定の
波長の光信号のみが選択的に反射される。次いで、この
グレーテイング板40をコア層8の露出面に沿って図中
のYの矢印方向に移動させ、そのグレーティング42の
ピッチを変化させることにより、反射光の波長を変化さ
せることができる。
こうして、グレーテイング板40を機械的に移動させ、
所定の波長の光信号をブラッグ反射するグレーティング
42のピッチを制御することにより、所望の波長信号を
選択することができる。
所定の波長の光信号をブラッグ反射するグレーティング
42のピッチを制御することにより、所望の波長信号を
選択することができる。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記従来のファイバ型ブラッグ反射器は
、機械的な移動によって波長選択を行なっているため、
高速、高精度の波長チューニングには適さないという問
題があった。
、機械的な移動によって波長選択を行なっているため、
高速、高精度の波長チューニングには適さないという問
題があった。
そこで本発明は、高速、高精度の波長チューニングが可
能なファイバ型ブラッグ反射器を提供することを目自勺
とする。
能なファイバ型ブラッグ反射器を提供することを目自勺
とする。
[課題を解決するための手段]
上記課題は、クラッド層に包まれたコア層の側面が光信
号の経路に沿って一部露出している光ファイバと、前記
コア層の側面露出部分に対向密着させて設けられた半導
体光導波路と、前記コア層と前記半導体光等波路層との
密着部分に形成されたグレーティングとを有し、前記半
導体光導波路層に電流注入、電圧印加又は光注入を行な
うことにより、前記グレーティングの光学的周期を変化
させることを特徴とするファイバ型ブラッグ反射器によ
って達成される。
号の経路に沿って一部露出している光ファイバと、前記
コア層の側面露出部分に対向密着させて設けられた半導
体光導波路と、前記コア層と前記半導体光等波路層との
密着部分に形成されたグレーティングとを有し、前記半
導体光導波路層に電流注入、電圧印加又は光注入を行な
うことにより、前記グレーティングの光学的周期を変化
させることを特徴とするファイバ型ブラッグ反射器によ
って達成される。
また、上記ファイバ型ブラッグ反射器において、前記半
導体光導波路層の前記コア層との密着部分に設けられた
位相制御部とを有し、位相制御部における前記半導体光
導波路層に電流注入、電圧印加又は光注入を行なうこと
により、前記位相制御部の光路長を変化させることを特
徴とするファイバ型ブラッグ反射器によって達成される
。
導体光導波路層の前記コア層との密着部分に設けられた
位相制御部とを有し、位相制御部における前記半導体光
導波路層に電流注入、電圧印加又は光注入を行なうこと
により、前記位相制御部の光路長を変化させることを特
徴とするファイバ型ブラッグ反射器によって達成される
。
[作 用]
すなわち本発明は、光信号の経路に沿って一部側面が露
出しているコア層に半導体光導波路をエバネッセント光
結合し、この半導体光導波路の屈折率を電気的に制御す
ることにより、コア層と半導体光導波路との間に設けた
グレーティングの光学的周期を変化させ、その結果、グ
レーティングによって選択的に反射される反射光の波長
を連続的かつ高速に制御することができる。同様に、コ
ア層とエバネッセント光結合した位相制御部の半導体光
導波路の屈折率を電気的に制御することにより、位相制
御部の光路長を変・化させ、他の光デバイスと接続した
際に生じる光路長のずれを連続的かつ高速、高精度に補
正することができる。
出しているコア層に半導体光導波路をエバネッセント光
結合し、この半導体光導波路の屈折率を電気的に制御す
ることにより、コア層と半導体光導波路との間に設けた
グレーティングの光学的周期を変化させ、その結果、グ
レーティングによって選択的に反射される反射光の波長
を連続的かつ高速に制御することができる。同様に、コ
ア層とエバネッセント光結合した位相制御部の半導体光
導波路の屈折率を電気的に制御することにより、位相制
御部の光路長を変・化させ、他の光デバイスと接続した
際に生じる光路長のずれを連続的かつ高速、高精度に補
正することができる。
また、光信号の経路に沿って一部側面が露出されている
コア層に光屈折効果をもつ先導波路をエバネッセント光
結合し、この光屈折効果をもつ先導波路に制御光を照射
することによってその屈折率を制御し、コア層と光屈折
効果をもつ光等波路との間に設けたグレーティングの光
学的周期を変化させ、その結果、グレーティングによっ
て選択的に反射される反射光の波長を3!続的かっ高速
、高精度に制御することができる。同様に、コア層とエ
バネッセント光結合した位相制御部の光屈折効果をもつ
先導波路に制御光を照射することによってその屈折率を
制御し、位相制御部の光路長を変化させ、他の光デバイ
スと接続した際に生じる光路長のずれを連続的かつ高速
、高精度に補正することができる。
コア層に光屈折効果をもつ先導波路をエバネッセント光
結合し、この光屈折効果をもつ先導波路に制御光を照射
することによってその屈折率を制御し、コア層と光屈折
効果をもつ光等波路との間に設けたグレーティングの光
学的周期を変化させ、その結果、グレーティングによっ
て選択的に反射される反射光の波長を3!続的かっ高速
、高精度に制御することができる。同様に、コア層とエ
バネッセント光結合した位相制御部の光屈折効果をもつ
先導波路に制御光を照射することによってその屈折率を
制御し、位相制御部の光路長を変化させ、他の光デバイ
スと接続した際に生じる光路長のずれを連続的かつ高速
、高精度に補正することができる。
こうしてグレーティングの光学的周期及び位相制御部の
光路長を高速、高精度制御することができるため、反射
光の波長を高速、高精度にチューニングすることができ
る。
光路長を高速、高精度制御することができるため、反射
光の波長を高速、高精度にチューニングすることができ
る。
口実雄側]
以下、本発明を図示する実施例に基づいて具体的に説明
する。
する。
第1図は、本発明の第1の実施例によるファイバ型ブラ
ッグ反射器を示す斜視図、第2図は、第1図のファイバ
型ブラッグ反射器の一部断面図である。
ッグ反射器を示す斜視図、第2図は、第1図のファイバ
型ブラッグ反射器の一部断面図である。
ガラス基板2に、シングルモードの光ファイバ4が埋め
込まれ固定されている。この光ファイバ4の両端には、
他の光ファイバと接続するためのファイバコネクタ6が
それぞれ設けられている。
込まれ固定されている。この光ファイバ4の両端には、
他の光ファイバと接続するためのファイバコネクタ6が
それぞれ設けられている。
また、光ファイバ4は、光信号が通るコア層8とこのコ
ア層8を包むクラッド層10とによって構成されている
が、ガラス基板2に固定されている部分において、光信
号の経路に沿ってその側面が部分的に研磨されていて、
コア層8の一部側面が露出している。
ア層8を包むクラッド層10とによって構成されている
が、ガラス基板2に固定されている部分において、光信
号の経路に沿ってその側面が部分的に研磨されていて、
コア層8の一部側面が露出している。
この研磨されて露出しているコア層8側面上には、屈折
率マツチングオイル12を介して、厚さ2000人、ル
ミネセンス波長1.3μmのn型InGaAsP光導波
路層14が対向密着して形cgれている。そしてこのn
型I nGaAsP光導波路W114上には、ペテロ接
合によりP型InP基板16が形成されている。
率マツチングオイル12を介して、厚さ2000人、ル
ミネセンス波長1.3μmのn型InGaAsP光導波
路層14が対向密着して形cgれている。そしてこのn
型I nGaAsP光導波路W114上には、ペテロ接
合によりP型InP基板16が形成されている。
また、n型1 nGaAsP光導波路層14のコア層8
に対向密着している領域の一部には厚さ500A、ピッ
チ八=250OAのグレーティング18が形成され、長
さL0□のグレーティング部20を構成している。更に
コア層8とn型InGaAsP光導波路層14との密着
部分の内でグレーティング18が形成されていない他の
領域は、長さLPHの位相制御部22を構成している。
に対向密着している領域の一部には厚さ500A、ピッ
チ八=250OAのグレーティング18が形成され、長
さL0□のグレーティング部20を構成している。更に
コア層8とn型InGaAsP光導波路層14との密着
部分の内でグレーティング18が形成されていない他の
領域は、長さLPHの位相制御部22を構成している。
また、ガラス基板2とn型InGaAsP光導波路層1
4との間には、埋め込まれ固定されている光ファイバ4
の両側に、P側電極24及びn(IIJ電極26.28
が相対して形成されている。そしてn制電[!26.2
8は、それぞれグレーティング部20と位相制御部22
とに対応している。
4との間には、埋め込まれ固定されている光ファイバ4
の両側に、P側電極24及びn(IIJ電極26.28
が相対して形成されている。そしてn制電[!26.2
8は、それぞれグレーティング部20と位相制御部22
とに対応している。
P側電極24は、n型I n G a A s P光導
波路層14表面からP型InP基板16に達するように
形成されているZn拡散領域30上に形成されたA u
/ Z n 、/ A u @極32とA u 、’
P t / T it電極34から構成されている。
波路層14表面からP型InP基板16に達するように
形成されているZn拡散領域30上に形成されたA u
/ Z n 、/ A u @極32とA u 、’
P t / T it電極34から構成されている。
a方、n側電極26.28は、それぞれn型1nGaA
sP光導波路層14上に形成されたA u / A u
G e電極36とA u / P t / T i電
極38とから構成されている。
sP光導波路層14上に形成されたA u / A u
G e電極36とA u / P t / T i電
極38とから構成されている。
次に、第3図を用いて、動作を説明する。
光ファイバ4のコア層8に、光信号が入射されている。
このときn型1 nGaAsP光導波路層14の屈折率
は3.7層8のそれより大きいため、対向密着している
領域においては、両者はエバネッセント光結合をしてい
る。即ち、コア層8を通ってきた光信号は、n型I n
GaAsP光導波路層14へ浸み出していく、このn型
I nGaAsP光導波路層14へ浸み出した。入射光
は、グレーティング18によって回折され、一定の波長
λgの光信号のみが選択的に反射される。このときn型
1nGaAsP光導波路層14の屈折率をnゎ。
は3.7層8のそれより大きいため、対向密着している
領域においては、両者はエバネッセント光結合をしてい
る。即ち、コア層8を通ってきた光信号は、n型I n
GaAsP光導波路層14へ浸み出していく、このn型
I nGaAsP光導波路層14へ浸み出した。入射光
は、グレーティング18によって回折され、一定の波長
λgの光信号のみが選択的に反射される。このときn型
1nGaAsP光導波路層14の屈折率をnゎ。
8とすると、グレーティング18のピッチは実効的に、
n DIR・八となり、従って反射光の波長λgは、λ
g=2no@* ・八となる。
n DIR・八となり、従って反射光の波長λgは、λ
g=2no@* ・八となる。
いま、p側電極24とn側電極26との間に所定の電圧
を印加して、グレーティング部20のn型I nGaA
sP光導波路層14とp型InP基板16とのへテロ接
合部に所定の電流を注入する。
を印加して、グレーティング部20のn型I nGaA
sP光導波路層14とp型InP基板16とのへテロ接
合部に所定の電流を注入する。
これにより、グレーティング部20のn型InGa A
s P光導波路層14の屈折率n EISRを変化さ
せることができる。従って、グレーティング18のピッ
チも実効的に変化し、その結果、反射光の波長λgも変
化する。
s P光導波路層14の屈折率n EISRを変化さ
せることができる。従って、グレーティング18のピッ
チも実効的に変化し、その結果、反射光の波長λgも変
化する。
こうして、グレーティング部20のn型InGaAsP
光導波路層14とp型1nP基板16とのへテロ接合部
に注入する電流を増減することにより、反射光の波長λ
gを連続的にかつ高速、高精度に制御することができる
。
光導波路層14とp型1nP基板16とのへテロ接合部
に注入する電流を増減することにより、反射光の波長λ
gを連続的にかつ高速、高精度に制御することができる
。
また独立に、P制電1i24とn側電極28との間に所
定の電圧を印加して、位相制御部22のn型I nGa
AsP光導波路層14とp型InP基、板16とのへテ
ロ接合部に所定の電流を注入することにより、位相制御
部22のn型I nGaAsP光導波m層14の屈折率
nu11を変化させることができる。従って、位相制御
部22の光路長nPI4・L□を実効的に変化させるこ
とができる。
定の電圧を印加して、位相制御部22のn型I nGa
AsP光導波路層14とp型InP基、板16とのへテ
ロ接合部に所定の電流を注入することにより、位相制御
部22のn型I nGaAsP光導波m層14の屈折率
nu11を変化させることができる。従って、位相制御
部22の光路長nPI4・L□を実効的に変化させるこ
とができる。
こうして、位相制御部22のn型1 nGaAsP光導
波路層14とP型InP基板16とのへテロ接合部に注
入する電流を増減することにより、位相制御部22の光
路長をM御し、ファイバ型ブラッグ反射器を他の光デバ
イスと接続した際に生じる光路長のずれを連続的にかつ
高速、高精度に補正することができる。
波路層14とP型InP基板16とのへテロ接合部に注
入する電流を増減することにより、位相制御部22の光
路長をM御し、ファイバ型ブラッグ反射器を他の光デバ
イスと接続した際に生じる光路長のずれを連続的にかつ
高速、高精度に補正することができる。
このように第1の実施例によれば、グレーティング部2
0及び位相制御部22のn型1nGaAsP光導波路層
14の屈折率n□、、n、やをそれぞれ電気的に制御す
ることにより、グレーティング18の光学的ピッチ及び
位相制御部22の光路長を高速、高精度制御することが
でき、反射光の波長λgを高速、高精度にチューニング
することができる。
0及び位相制御部22のn型1nGaAsP光導波路層
14の屈折率n□、、n、やをそれぞれ電気的に制御す
ることにより、グレーティング18の光学的ピッチ及び
位相制御部22の光路長を高速、高精度制御することが
でき、反射光の波長λgを高速、高精度にチューニング
することができる。
なお、第1の実施例においては、コア層8に対向密着し
ているn型1nGaAsP光導波路層14にグレーティ
ング18が形成されているが、コア層8側にグレーティ
ングを設けてもよい。
ているn型1nGaAsP光導波路層14にグレーティ
ング18が形成されているが、コア層8側にグレーティ
ングを設けてもよい。
また、n型InGaAsP光導波路層14の屈折率no
□、n□を電気的に制御する方法として、n型1nGa
AsP光導波路層14とP型InP基板16とのへテロ
接合部に電流を注入したが、電界を印加する方法によっ
て制御してもよい。
□、n□を電気的に制御する方法として、n型1nGa
AsP光導波路層14とP型InP基板16とのへテロ
接合部に電流を注入したが、電界を印加する方法によっ
て制御してもよい。
更にまた、n型InGaAsP光導波路層14の代わり
に、量子井戸構造を有する半導体光導波路を用いれば、
より大きな屈折率変化を得ることができるため、波長チ
ューニング範囲を拡大することができる。
に、量子井戸構造を有する半導体光導波路を用いれば、
より大きな屈折率変化を得ることができるため、波長チ
ューニング範囲を拡大することができる。
次に、第4図及び第5図を用いて、本発明の第2の実施
例によるファイバ型ブラッグ反射器を説明する。
例によるファイバ型ブラッグ反射器を説明する。
第4図は、本発明の第2の実施例によるファイバ型ブラ
ッグ反射器を示す斜視図、第5図は、第4図のファイバ
型ブラッグ反射器の一部断面因である。
ッグ反射器を示す斜視図、第5図は、第4図のファイバ
型ブラッグ反射器の一部断面因である。
なお、第1図及び第2図に示す第1の実施例と同一の構
成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
ガラス基板2にシングルモードの光ファイバ4が埋め込
まれ固定され、その一部は光信号の経路に沿って研磨さ
れてコア層8の一部側面が露出しているのは、上記第1
の実施例と同様である。
まれ固定され、その一部は光信号の経路に沿って研磨さ
れてコア層8の一部側面が露出しているのは、上記第1
の実施例と同様である。
この露出しているコア層8上には、光屈折結晶薄膜とし
て例えばBaTi0.光導波路層15が形成され、高効
率結合されている。このBaTi01光導波路層15上
には、AR(無反射)コート膜としてS i Ot I
II 7が形成されている。また、コア層8とB a
T i Os光導波路層15との界面には、例えばピッ
チΔ=3750人のグレーティング19が形成され、長
さLゎ、Rのグレーティング部20を構成している。更
にグレーティング19が形成されていない他の領域は、
長さLP)1の位相制御部22を構成している。
て例えばBaTi0.光導波路層15が形成され、高効
率結合されている。このBaTi01光導波路層15上
には、AR(無反射)コート膜としてS i Ot I
II 7が形成されている。また、コア層8とB a
T i Os光導波路層15との界面には、例えばピッ
チΔ=3750人のグレーティング19が形成され、長
さLゎ、Rのグレーティング部20を構成している。更
にグレーティング19が形成されていない他の領域は、
長さLP)1の位相制御部22を構成している。
次に、第6図を用いて、動作を説明する。
光ファイバ4のコアI’18に、光信号が入射されてい
る。このときB a T i Os光導波路層15の屈
折率はコア層8のそれより大きいなめ、両者はエバネッ
七ント光結合をしていて、コア層8を通ってきた光信号
はB aT i O,光導波路層15へ浸み出していく
、このB aT i O,光導波路層15へ浸み出した
入射光は、グレーティング19によって回折され、一定
の波長λgの光信号のみが選択的に反射される。このと
きB a T i Os光導波路層15の屈折率をn
os*とすると、グレーティング19のピッチは実効的
にn DIIR・八となり、従って反射光の波長λgは
、λg=2nom* ・八となる。
る。このときB a T i Os光導波路層15の屈
折率はコア層8のそれより大きいなめ、両者はエバネッ
七ント光結合をしていて、コア層8を通ってきた光信号
はB aT i O,光導波路層15へ浸み出していく
、このB aT i O,光導波路層15へ浸み出した
入射光は、グレーティング19によって回折され、一定
の波長λgの光信号のみが選択的に反射される。このと
きB a T i Os光導波路層15の屈折率をn
os*とすると、グレーティング19のピッチは実効的
にn DIIR・八となり、従って反射光の波長λgは
、λg=2nom* ・八となる。
いま、高出力、高速動作の可能な半導体レーザを光源と
して用い、グレーティングtJ20に制御光を照射する
。これにより、グレーティング部20のB a T i
Os光導波路層15の屈折率nD、iが変化し、従っ
てグレーティング19の光学的ピッチも変化する。その
結果、反射光の波長λgが変化する。
して用い、グレーティングtJ20に制御光を照射する
。これにより、グレーティング部20のB a T i
Os光導波路層15の屈折率nD、iが変化し、従っ
てグレーティング19の光学的ピッチも変化する。その
結果、反射光の波長λgが変化する。
こうして、グレーティング部20に照射する制御光のパ
ワーを増減することにより、反射光の波長λgをj!続
的にかつ高速、高精度に制御することができる。
ワーを増減することにより、反射光の波長λgをj!続
的にかつ高速、高精度に制御することができる。
また独立に、位相制御部22に制御光を照射することに
より、位相制御部22のB aT i Os光導波路層
15の屈折率nPIIが変化し、従って位相制御部22
の光路長n口・L□を変化させることができる。
より、位相制御部22のB aT i Os光導波路層
15の屈折率nPIIが変化し、従って位相制御部22
の光路長n口・L□を変化させることができる。
こうして、位相制御部22に照射する制御光のパワーを
増減することにより、位相制御部22の光路長を制御し
、ファイバ型ブラッグ反射器を他の光デバイスと接続し
た際に生じる光路長のずれを連続的にかつ高速、高精度
に補正することができる。
増減することにより、位相制御部22の光路長を制御し
、ファイバ型ブラッグ反射器を他の光デバイスと接続し
た際に生じる光路長のずれを連続的にかつ高速、高精度
に補正することができる。
このように第2の実施例によれば、グレーティング部2
0及び位相制御部22に照射する制御光のパワーを制御
し、BaTLO,光導波路層15の屈折率n DIR、
n pHを制御することにより、グレーティング19の
光学的ピッチ及び位相制御部22の光路長を高速、高精
度制御することができ、反射光の波長λgを高速、高精
度にチューニングすることができる。
0及び位相制御部22に照射する制御光のパワーを制御
し、BaTLO,光導波路層15の屈折率n DIR、
n pHを制御することにより、グレーティング19の
光学的ピッチ及び位相制御部22の光路長を高速、高精
度制御することができ、反射光の波長λgを高速、高精
度にチューニングすることができる。
なお、第2の実施例においては、コア層8と高効率結合
されている光導波路層として、光屈折結晶薄膜としての
B a T i Os光導波路層15が用いられている
が、こうした材料に限らず、光屈折効果を有する材料で
あればよい。
されている光導波路層として、光屈折結晶薄膜としての
B a T i Os光導波路層15が用いられている
が、こうした材料に限らず、光屈折効果を有する材料で
あればよい。
[発明の効果]
以上のように本発明によれば、光信号の経路に沿って一
部露出されている光ファイバのコア層の側面の露出部分
に対向密着させて半導体先導波路又は光屈折効果をもつ
光等波路が設けられ、その密着部分にグレーティング及
び位相制御部を有していることにより、半導体光導波路
層又は光屈折効果をもつ光等波路の屈折率を電気的に又
は制御光を照射することによって制御し、グレーティン
グの光学的周期及び位相制御部の光路長をそれぞれ独泣
して高速かつ高精度に制御することができる2 これにより、光ファイバに入射された光信号に対する反
射光の波長を高速、高精度にチューニングすることが可
能となる。
部露出されている光ファイバのコア層の側面の露出部分
に対向密着させて半導体先導波路又は光屈折効果をもつ
光等波路が設けられ、その密着部分にグレーティング及
び位相制御部を有していることにより、半導体光導波路
層又は光屈折効果をもつ光等波路の屈折率を電気的に又
は制御光を照射することによって制御し、グレーティン
グの光学的周期及び位相制御部の光路長をそれぞれ独泣
して高速かつ高精度に制御することができる2 これにより、光ファイバに入射された光信号に対する反
射光の波長を高速、高精度にチューニングすることが可
能となる。
第1図は本発明の第1の実施例によるファイバ型ブラッ
グ反射器を示す斜視図、 第2歯は第1図のファイバ型ブラッグ反射器の一部断面
図、 第3図は第1図のファイバ型ブラッグ反射器の動作を説
明するための図 第4図は本発明の第2の実施例によるファイバ型ブラッ
グ反射器を示す斜視図、 第5図は第4図のファイバ型ブラッグ反射器の一部断面
図、 第6図は第4図のファイバ型ブラッグ反射器の動作を説
明するための図 第7図は従来のファイバ型ブラ・ソゲ反射器を示す斜視
図である。 図において、 2・・・・・・ガラス基板、 4・・・・・・光ファイバ、 6・・・・・・ファイバコネクタ、 8・・・・・・コア層、 10・・・・・・クラッド層、 12・・・・・・屈折率マツチングオイル、14・・・
・・・n型I nGaAsP光導波路層、15・・・・
・・BaTi0.光導波路層、16・・・・・・p型I
nP基板、 17・・・・・・SiO□膜、 18.19.42・・・・・・グレーティング、20・
・・・・・グレーティング部、 22・・・・・・位相制御部、 24・・・・・・P側電極、 26.28・・・・・・n側電極、 30・・・・・・Zn拡散領域、 32・−=Au/Zn/Au電極、 34.38−− A u / P t / T i電極
、36−・−A u 、、/A u G e @qj、
40・・・・・・グレーテイング板。
グ反射器を示す斜視図、 第2歯は第1図のファイバ型ブラッグ反射器の一部断面
図、 第3図は第1図のファイバ型ブラッグ反射器の動作を説
明するための図 第4図は本発明の第2の実施例によるファイバ型ブラッ
グ反射器を示す斜視図、 第5図は第4図のファイバ型ブラッグ反射器の一部断面
図、 第6図は第4図のファイバ型ブラッグ反射器の動作を説
明するための図 第7図は従来のファイバ型ブラ・ソゲ反射器を示す斜視
図である。 図において、 2・・・・・・ガラス基板、 4・・・・・・光ファイバ、 6・・・・・・ファイバコネクタ、 8・・・・・・コア層、 10・・・・・・クラッド層、 12・・・・・・屈折率マツチングオイル、14・・・
・・・n型I nGaAsP光導波路層、15・・・・
・・BaTi0.光導波路層、16・・・・・・p型I
nP基板、 17・・・・・・SiO□膜、 18.19.42・・・・・・グレーティング、20・
・・・・・グレーティング部、 22・・・・・・位相制御部、 24・・・・・・P側電極、 26.28・・・・・・n側電極、 30・・・・・・Zn拡散領域、 32・−=Au/Zn/Au電極、 34.38−− A u / P t / T i電極
、36−・−A u 、、/A u G e @qj、
40・・・・・・グレーテイング板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、クラッド層に包まれたコア層の側面が光信号の経路
に沿って一部露出している光ファイバと、 前記コア層の側面露出部分に対向密着させて設けられた
半導体光導波路と、 前記コア層と前記半導体光導波路層との密着部分に形成
されたグレーティングとを有し、 前記半導体光導波路層に電流注入、電圧印加又は光注入
を行なうことにより、前記グレーティングの光学的周期
を変化させることを特徴とするファイバ型ブラッグ反射
器。 2、請求項1記載のファイバ型ブラッグ反射器において
、 前記半導体光導波路層の前記コア層との密着部分に設け
られた位相制御部とを有し、位相制御部における前記半
導体光導波路層に電流注入、電圧印加又は光注入を行な
うことにより、前記位相制御部の光路長を変化させるこ
とを特徴とするファイバ型ブラッグ反射器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6335190A JPH03263010A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | ファイバ型ブラッグ反射器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6335190A JPH03263010A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | ファイバ型ブラッグ反射器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03263010A true JPH03263010A (ja) | 1991-11-22 |
Family
ID=13226743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6335190A Pending JPH03263010A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | ファイバ型ブラッグ反射器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03263010A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5305336A (en) * | 1992-01-29 | 1994-04-19 | At&T Bell Laboratories | Compact optical pulse source |
US5673284A (en) * | 1994-05-25 | 1997-09-30 | Texas Instruments Incorporated | Integrated laser and coupled waveguide |
US6236773B1 (en) | 1998-12-15 | 2001-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Single wavelength semiconductor laser with grating-assisted dielectric waveguide coupler |
JP2014016458A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Univ Of Electro-Communications | ナノファイバーフォトニック結晶 |
-
1990
- 1990-03-14 JP JP6335190A patent/JPH03263010A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5305336A (en) * | 1992-01-29 | 1994-04-19 | At&T Bell Laboratories | Compact optical pulse source |
US5673284A (en) * | 1994-05-25 | 1997-09-30 | Texas Instruments Incorporated | Integrated laser and coupled waveguide |
US6064783A (en) * | 1994-05-25 | 2000-05-16 | Congdon; Philip A. | Integrated laser and coupled waveguide |
US6487328B2 (en) | 1997-12-15 | 2002-11-26 | Texas Instruments Incorporated | Single wavelength semiconductor laser with grating-assisted dielectric waveguide coupler |
US6236773B1 (en) | 1998-12-15 | 2001-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Single wavelength semiconductor laser with grating-assisted dielectric waveguide coupler |
JP2014016458A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Univ Of Electro-Communications | ナノファイバーフォトニック結晶 |
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