JPH04138427A - 光波長フィルタ装置 - Google Patents

光波長フィルタ装置

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JPH04138427A
JPH04138427A JP2262161A JP26216190A JPH04138427A JP H04138427 A JPH04138427 A JP H04138427A JP 2262161 A JP2262161 A JP 2262161A JP 26216190 A JP26216190 A JP 26216190A JP H04138427 A JPH04138427 A JP H04138427A
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optical wavelength
wavelength filter
waveguide
filter
wavelength
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JP2262161A
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Hideaki Okayama
秀彰 岡山
Takashi Ushikubo
牛窪　孝
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は透過波長を可変制御できる光波長フィルタ装
置に関する。
（従来の技術） 従来より、波長多重された光信号のなかから特定波長λ
。の光信号を分離するためのフィルタとして、例えば文
献Ｉ：ＩＥＥＥ　　Ｃｏｍｒｎｕｎｉｃａｔｉｏｎ　　
Ｍａ９ａｚｉｎｅ（アイイーイーイー　コミュニケーシ
ョン　マガジン）１９８９年１０月　ｐ５３〜６３に開
示されているものがある。文献工に開示のフィルタは、
ａ：ファブリベロ型、ｂ：マツハツエンダ型、Ｃ：モー
ド変換型及びｄニブラッグ反射型の４種に分類される。
フィルタの透過波長λ。を設計基準波長λからλ＋△λ
まで変化させることを考えれば、ａ、ｂ及びｄの型では
波長変化量へλに関し次式（１）が成立し、またＣの型
では波長変化量へλに関し次式（２）が成立する。尚、
入。−入＋へλと表せる。
入　　　　　　６　ｎ　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　・・・　（２）ここで、 Δｎ：フィルタか備える導波路に関し電気的に変化させ
ることのできる屈折率の量 ｎ；フィルタか備える導波路の屈折率 ６ｎ：モード間屈折率差例えばＴＭ及びＴＥモード間の
屈折率差 である。
一般的１こは、設計基準波長λはフィルタ構成要素の形
状、寸法、形成材料等から一義的に決定され定数となる
。しかしＣ型のなかでも音響光学効果（Ａ○効果）を利
用したものは、光のモードを変換するためのグレーティ
ジグの周期を電気的に変化させることができるので、設
計基準波長λを可変制御することができる。従って、電
気的に可変制御される屈折率変化量Δｎに上限はあるも
のの、透過波長λ０の可変範囲（チューニング幅）はＣ
の型において最も広くなる。
また上記ａ）〜ｄ）のフィルタは、透過波長λ。を中心
とする八λＦＩ＃ＨＭの線幅（透過帯域幅）の範囲の波
長の光を透過する。ａ、ｂ、ｃ及びｄの型での線幅Δλ
ＦＷ□はそれぞれ次式（３ａ）、（３ｂ）、（３Ｃ）及
び（３ｄ）で表せる。
ここで、 Ｌ；フィルタの素子長（電極長） Ｒ：フィルタの入出射端面の反射率 である。
通常５ｎ＜＜ｎであるので、（３ａ）　〜（３ｄ）から
も理解できるように、ａ、ｂ及びｄの型での線幅ΔλＦ
ＩＩＩＨＭは非常に狭くなるが、Ｃの型での線幅八人Ｆ
ＷＮＭは非常に広くなる。
一方、ａの型でのチャネル数は、 ただし、ＦＳＲ（Ｆｒｅｅ　　５ｐｅｃｔ　ｒｕｍＲａ
ｎ９ｅ）の制限を受けるので素子単独では、またｂ２ Ｃの型でのチャネル数は、 またｄの型でのチャネル数は、 ２°Ｌ°Δ’　ｍａｗ　テアル。ココテ、Δｎｍａｘは
変λ 化可能な範囲で最大のΔｎである。
従ってΔｎ　ｍａｗ　＝　０　、０１とすると、ａの型
ではＲ＝０．９としてＦＳＲの制御（こより１０チヤネ
ル（ＦＳＲａ無視すれば潜在的には８０チヤネル）とな
り、ｂの型ではしα１ｃｍとして８０チヤネル、Ｃの型
ではＬ＝１ｍｍとして８チヤネル及びｄの型ではＬ＝５
００μｍとして８チヤネルとなる。
（発明が解決しようとする課題） 上述のように、従来のａ、ｂ、ｄの型のフィルタは線幅
ΔλＦＩＩＩＨＭを狭くできてもチューニング幅（透過
波長λ０の可変範囲）を広くできないか、Ｃの型のフィ
ルタはチューニング幅を広くできても線幅へλＦＩ＃Ｈ
Ｍを狭くできない。
従ってチャネル数（＝チューニング幅／線幅へλＦＷＨ
Ｖ）を増やすことを考えた場合、ａ、ｂ、ｄの型では素
子長りを長くすれば線幅へλＦＷＨＭを狭くできチャネ
ル数を増やせるが、線幅へλＦｌ＃ＨＭが狭くなると使
いにくくなる。またＣの型では素子長Ｌ１Ｆｒ極端に長
くしないと例えばし＝１ｍにしないとチャネル数を増や
せない。
この発明の目的は、上述した従来の問題点を解決するた
め、線幅へλＦＩ＃ＨＭを実用的な範囲で狭くできかつ
チューニング幅を広くできる光波長フィルタ装置を提供
することにある。
（課題を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明の光波長フィルタ
装置は、 波長多重の光信号のなかから特定波長の光信号を分離す
るための光波長フィルタ装置ｆ（こおいて、モード変換
型の第一光波長フィルタと、干渉器型の第二光波長フィ
ルタとを光学的に接続して成る。
（作用） このような構成によれば、第一光波長フィルクはモード
変換型のフィルタであるので、その透過波長は実質的に
ひとつの波長λ。１となる。そして第一光波長フィルタ
は、透過波長λ。１を中心とする線幅へλＭＣＩの範囲
の波長の光を透過する。
一方、第二光波長フィルタは干渉器型のフィルタである
ので、その透過波長はある特定の周期で並んだ複数個の
波長λ。２ｏ、λ。２９、・・・どなる。そして第二光
波長フィルタは透過波長λ。２゜を中心とする線幅へλ
ＭＣ２０の範囲の光、透過波長λ。２．を中心とする線
幅△λＭＣ２１の範囲の光、・・・を透過する。線幅Δ
λＭｃ２ｏ、Δ入ＭＣ２１、・・・、はすべで実質的に
等しく、△λＭＣ２０＝ΔλＭＣ２１＝・・・ΔλＭＣ
２と表すことができる。この第二光波長フィルタの線幅
△λＭＣ２は第一光波長フィルタの線幅へλＭＣＩより
も狭い。
波長多重の光のなかから所望の波長λ。ＵＴを分離する
には、第−及び第二の光波長フィルタの透過波長を制御
し、第一光波長フィルタの透過波長λ。１を所望の波長
λ。、Ｔと等しくしかつ第二光波長フィルタの透過波長
λ。２ｏ、λ。２１、・・・のいずれかひとつを所望の
波長λ。。□と等しくする。そして波長多重の光を第一
光波長フィルタに入力し第一光波長フィルタの透過光を
第二光波長フィルタ１こ入力するか、或はまた波長多重
の光を第二光波長フィルタに入力し第二光波長フィルタ
の透過光を第一光波長フィルタに入力する。この結果、
この発明装置から最終的に出力される光は所望の波長λ
。。□を中心とする線幅へλＭＣ２の範囲の波長の光と
なり、従って所望の波長λ。。□の光を分離することが
できる。
（実施例） 以下、図面を参照し、この発明の実施例につき説明する
。尚、図面はこの発明が理解できる程度に概略的に示し
てあるにすぎず、従ってこの発明を図示例に限定するも
のではない。
第１図はこの発明の第−実施例の構成を概略的に示す断
面図であり、導波路に沿った断面を表す。
第１図にも示すように、第一実施例の光波長フィルタ装
置は、モード変換型の第一光波長フィルタ１０と、干渉
器型の第二光波長フィルタ１２とを光学的に接続して成
る。
この実施例の第一光波長フィルタ１０は、基板１４上に
順次に設けた第一導波路１６、ギャップ層１８、第二導
波路２０及び上部クラッド層２２と、第二導波路２０に
対して設けたグレーティング２４とを備えた構造を有す
る。
そして第一光波長フィルタ１０は、ギャップ層１８Ｉｖ
ｒアースと接続し、第一電極２６を基板１４の下面に設
けると共に第二電極２８を上部クラッド層２２上に設け
、第一導波路１６にキャリアを注入するための第−ｐｎ
接合面と、第二導波路１８に電流或はキャリアを注入す
るための第二ｐｎ接合面とを形成した構造を有する。
第一光波長フィルタ１０の各構成要素の形成材料及び導
電型や第−及び第二接合面の形成位Ｍをこれに限定する
ものではないが、例えば、基板１４としてｐ−ＩｎＰ基
板を用い、ｎ’−−ＩｎＧａＡｓＰ第一導波路１６、ｎ
−ＩｎＰキャップ層１８、ｎ−−ＩｎＧａＡｓＰ第二導
波路２０及びｐ−ＩｎＰ上部クラりド層２２を設け、第
−ｐｎ接合面を第一導波路１６及び基板１４の境界面に
形成しまた第二ｐｎ接合面を第二導波路２゜及び上部ク
ラッド層２２の境界面に形成する。
或は基板１４としてｐ−ＧａＡｓ基板を用い、ｎ−−Ａ
ＪＩ！ＧａＡｓ第一導波路１６、ｎ−ＧａＡｓギヤ’ｙ
ブ層１８、ｎ−−ＡβＧａＡｓ第二導波路２０及びｐ−
ＧａＡｓ上部クラッド層２２を設け、第−ｐｎ接合面を
第一導波路１６及び基板１４の境界面に形成しまた第二
ｐｎ接合面を第一導波路２ｏ及び上部クラッド層２２の
境界面に形成する。
第一導波路１６及び第二導波路２０は、第一導波路１６
に入力された光のうち後述の（４）式を満足しない波長
の光を第一導波路１６がら出射し、かつ、第一導波路１
６に入力された光のうち後述の（４）式を満足する波長
λ。、の光を第導波路２０から出射するような、導波路
系を構成する。この導波路系は、第一導波路１６に偶モ
ト光（又は奇モード光）を励起し、第二導波路２０に奇
モード光（又は偶モード光）を励起する。しかもこの導
波路系は、第一導波路１６に入力された光のうち後述の
（４）式を満足しない波長の光をモード変換せず、第一
導波路１６に入力された光のうぢ後述の（４）式を満足
する波長λｏ１の光をモード変換する。尚、第一導波路
１６の光を入射する端面と、第二導波路２０の光を出射
する端面とに無反射コート或は反射防止膜３０を設ける
。
そして第一導波路１６及び第二導波路２０を、電極２６
．２８に電圧を印加しない状態でこれら導波路１６及び
１８の間にモード間屈折率差６ｎを生じるように、形成
する。
モード間屈折率差６ｎは第一導波路１６で励起したモー
ドが第一導波路１６を伝搬するとき感じる屈折率と、第
二導波路２０で励起したモードが第二導波路２０を伝搬
するとき感じる屈折率との差を表し、この６ｎは、これ
ら導波路１６及び２０の組成比を異ならせることによっ
て、或はこれら導波路１６及び２０の層厚を異ならせる
ことによって、生じさせることができる。
またグレーティング２４は、光の導波方向において周期
的に変化する屈折率分布を第二導波路２０に形成するた
めのものであり、この実施例では例えば第二導波路２０
に直接にグレーティング２４を形成する。
光導波方向におけるグレーティング２４の周期をへで表
せば、第二導波路２０で励起される光の波長λ０．は次
式（４）Ｉこより与えられる。
周期△は設計上窓められる定数であり、また６ｎは第一
導波路１６及び第二導波路２０の注入キャリアの量を任
意好適に制御することによって変化させることができる
量である。
第一電極２６及び第二電極２８の電圧を印加して、第一
電極２６及びアース間に流れる電流工。
の量と第二電極２８及びアース間に流れる電流■２の量
とを任意好適に変化させると、第一導波路１６及び第二
導波路２０の注入キャリアの量が変化し、注入キャリア
の量に応じて、これら導波路１６及び２０の屈折率が変
化しその結果６ｎが変化する。従って第一電極２６及び
第二電極２８の印加電圧を任意好適に調整することによ
って波長λｏ１を変化させることができる。
尚、第一導波路１６及び第二導波路２０へのキャリア注
入により、第一導波路１６及び第二導波路２０の双方に
おいて光の誘導放出を生ゼしぬ光を増幅することができ
る。
次に第二波長フィルタ１２につき説明する。
第−実施例の第二光波長フィルタ１２はファブリベロ干
渉器を備えたフィルタであり、このような干渉器として
ファブリベロ共振器を備えた半導体レーザ構造を用いる
。この実施例では、この半導体レーザ構造として従来周
知の任意好適な構造のものを用いるので、その構造説明
を簡略化する。
この実施例の第二光波長フィルタ１２は基板３２と、こ
の基板３２上に設けたレーザ層３４とから成る。レーザ
層３４は半導体レーザにおいてレーザ光を励起発振する
部分でありファブリベロ共振器を備える。ファブリ共振
器は活性層（導波路）とこの導波路の両端部にそれぞれ
設けた光反射部とから成り、この共振器を干渉器として
機能させる。干渉器の光の入射端面及び出射端面に光反
射膜３６を光反射部として設け、基板３２の下面及びレ
ーザ層３４上にそれぞれ電極３８及び４０を設ける。
電極３８及び４０問に電流工、を流し干渉器の導波路中
のキャリア濃度を変化させると、この導波路の屈折率ｎ
が変化する。
干渉器から出射される光の波長（第二光波長フィルタの
透過波長λ。２．、ｍ＝ｏ、１．２・・・）は、次式（
５）で表せる。
ここでＬは干渉器の長さ（共振器長）を表す。
従って（５）式からも理解できるように、電流ｌ３１Ｆ
！：任意好適に調整することによって、第二光波長フィ
ルタ１４の透過波長λ。２ｍを可変制御することできる
。
そして第一実施例では、第一光波長フィルタ１０及び第
二光波長フィルタ１２を光学的に接続するに当っては、
第二導波路２０が第一光波長フィルタ１０の一方の側に
備える端面ａと、干渉器が第二光波長フィルタ１４の一
方の側（こ備える端面Ｃとを結合レンズ４２を介して光
学的（こ結合する。この場合には、第一導波路１６が第
一光波長フィルタ１０の他方の側に備える端面ｂｖ、入
力側外部伝送路４４と光学的に接続し、かつ干渉器が第
二光波長フィルタ１４の他方の側に備える端面ｄを、出
力側外部伝送路４６と光学的に結合する。第−実施例の
光波長フィルタ装置は、入力側外部伝送路４４から波長
多重の光信号を入力し、波長多重の信号のなかから所望
の波長の光信号を分離し、分離した光信号を出力側外部
伝送路４６へと出力する。尚、図示例では、入力側外部
伝送路４４を結合レンズ４８を介して端面すと、また出
力側外部伝送路４６を結合レンズ５０を介して端面ｄと
光学的に結合した。
第一光波長フィルタ１０及び第二光波長フィルタ１２の
結合の仕方は、上述のものに限定されるものではなく、
端面すとを端面Ｃと光学的に結合し、端面ｄに入力側外
部伝送路４４を及び端面ａを出力側外部伝送路４６を光
学的に結合するようにしてもよい。
第２図は第一実施例の光波長フィルタ装Ｍ（こおける光
透過特性を示す図である。第２図（Ａ）においては第二
光波長フィルタを単独で用いた場合の光透過特性を表し
縦軸に第二光波長フィルタから出力される光のパワー及
び横軸に波長を取って示し、第２図（Ｂ）１こおいては
第一光波長フィルタを単独で用いた場合の光透過特性を
表し縦軸１こ第一光波長フィルタから出力される光のパ
ワー及び横軸に波長を取って示し、また第２図（Ｃ）に
おいては第−及び第二光波長フィルタを光学的に結合し
て用いた場合の光透過特性を表し縦軸に第一光波長フィ
ルタから出力される光のパワー及び横軸に波長を取って
示した。
第２図（Ａ）に実線で示すよう１こ、第二光波長フィル
タ１２を単独で用いた場合、第二光波長フィルタ１２の
透過波長λ。２ｍは、ある特定の周期で並んだ複数個の
波長となる（式（５）参照）。これら透過波長の周期（
ピッチ）Δ入。
は、 第二光波長フィルタ１２の干渉器が備える導波路の屈折
率をΔｎだけ変化きせると、透過波長λ。２１は八λだ
けずれる。透過波長λ。２．、、がΔλだけずれた様子
を図中点線で示す。
このずれ量へλは、 で表される量の八〇が必要となる。
一方、第２図（Ｂ）に実線で示すように、第一光波長フ
ィルタ１０の透過波長λ。１は実質的ｌこひとつとなる
（式（４）９照）。そして第一光波長フィルクコ０の線
幅△λＭＣＩは、 ここでβは第一導波路１６及び又は第二導波路２０の長
さである（第１図参照）。
そして第一導波路１６及び又は第二導波路２゜の屈折率
をΔｎ″だけ変化させると、透過波長大。１は八λ”だ
けずれる。透過波長λ。１がΔλ゛。
だけずれた様子を図中、点線で示す。このずれ量へ入パ
は、次式（７）のように表せる。
ところで第２図（Ｃ）に実線で示すように、第一光波長
フィルタ１０及び第二光波長フィルタ１２の双方を用い
て、ひとつの透過波長大。ｕＴの光を分離するためには
、λｏｕ□＝λ。２□＝λ。、としたとき、 駆動電圧を印加しない状態で次式（８）を満足するよう
に、第一光波長フィルタ］０及び第二光波長フィルタ１
２を作成すればよい。
上限は（ｎ”は第一導波路１６及び又は第二導波路２０
の屈折率）、１ｏ−３〜１０−２程度である。そこでこ
のような上限のもとで、具体的に一例を挙げてチャネル
数につき考える。
例えば八λ”＝１００ｎｍとすれば、λ＝１ｕｍにおい
て（７）式からΔλ”／λは０．１程度となり、６　ｎ
　／　ｎ″＠１０−２〜１０−１程度とすることができ
る。また（６）式よりしは２００〜２０ｕｍ程度に、（
８）式よりｌは２０ｍｍ〜２００ｕｍ程度にすればよい
。尚、駆動電流を低減し或はまた動作速度をはやめるた
めにはｌを１ｍｍ以下とするのがよい。
ところで第−実施例のチ最ネル数は、 従ってβが長く日が１に近い程チャネル数を増やすこと
ができる。尚、ΔλＭＣ２／λ。ｕＴ”２Ｘ１ｏ−４程
度である。
ここで第一光波長フィルタ１２の透過ピークの半値幅を
ΔλＭＣ２／λ。ＵＴ及び反射膜３６の反射率ＲをＲ＝
０．９とすれば、上式より第一実施例のチャネル数はほ
ぼ１４０となる。
一方、第一光波長フィルタ１０を単独で用いた場合のチ
ャネル数は、 第二光波長フィルタ１２を単独で用いた場合のチャネル
数は、 従って第一実施例のチャネル数は、第一光波長フィルタ
１０を単独で用いる場合の（２・Ｒ）／（１−Ｒ）倍、
及び第二光波長フィルタ１２を単独で用いる場合のｕ／
Ｌ　（＝ｎ／６ｎ）倍となるので、光波長フィルタ１０
又は１２を単独で用いた場合のほぼ１０倍のチャネル数
となる。
第一実施例によれば、β及びＬを１ｍｍ以下としてチャ
ネル数１４０となる光波長フィルタを作成することがで
きる。
第３図はこの発明の第二実施例の構成を概略的に示す断
面図である。尚、第一実施例に対応する構成成分につい
ては同一の符号を付して示し、その詳細な説明を省略す
る。
第二実施例の光波長フィルタ製雪は、第一光波長フィル
タ５２及び第二光波長フィルタ５２を共通基板５４に集
積化したものである。
第一光波長フィルタ５２は、このフィルタ５２の形成領
域の共通基板５６上に第一光導波路１６、ギャップ層１
８、第二導波路２０及び上部クラッド層２２を順次に設
け、第二導波路２０に対しグレーティング２４を設けた
構成を有する。
ざらに第一光波長フィルタ５２は、第一光波長フィルタ
５２の形成領域の、共通基板５６の下面に第一電極２６
を及び上部クラッド層２２上に第二電極２８を設け、共
通基板５６と第一導波路１６との境界面に第−ｐｎ接合
面をまた第二導波路２０と上部クラッド層２２との境界
面に第二ｐｎ接合面を形成した構成を有する。
また第二光波長フィルタ５４は、このフィルタ５４の形
成領域の共通基板５６上にレーザ層５７を設けて成る。
レーザ層５７は、第二光波長フィルタ５４の形成領域の
共通基板５６上に、下部クラッド層５８、導波路６０及
び上部クラッド６２を順次に設け、導波路６０の端面Ｃ
の側にブラッグ反射器６４を形成した構成を有する。そ
して第二光波長フィルタ５２の形成領域の共通基板５６
下面に電極４０１Ｆｒ、また第二光波長フィルタ５２の
形成領域のうちブラッグ反射器６４に対応する領域の上
部クラッド層６２上に電極６６を及び残りの領域の上部
クラッド層６２上に電極４０を設ける。
またこの実施例では上部クラッド層２２及び６２を１層
と成してこれらに共通の材料で形成し、第二導波路２０
及び導波路６０を１層と成してこれらに共通の材料で形
成し、ざらにギャップ層１８及び下部クラッド層５８を
１層と成してこれらに共通の材料で形成する。
そして第一光導波路１６の端面すに無反射コート３０を
設ける。第一実施例では無反射コート３ｏを第二導波路
２０の端面ａにも設けたが、第二実施例では無反射コー
ト３０を端面ａに設けない。また導波路６０の端面ｄに
反射膜３６を設ける。第一実施例では反射膜３６を導波
路６０の端面ｄに設けたが、第二実施例では反射膜３６
にかえてブラッグ反射器６４を干渉器の光反射部として
設ける。尚、図示例では反射膜３６を第一光導波路１６
に対応する位置にも設けているが、第一光導波路１６か
ら出射された光が反射膜３６で反射され第一導波路１６
へ戻るのを防止するため、第一導波路１６に対応する位
置には反射膜３６を設けないのがよい。
ブラッグ反射器６４を設けた部分の導波路６０に注入さ
れるキャリアを、電極６６を介して制御することによっ
てブラッグ反射器６４か効率良く反射する光の波長を透
過波長λ。ＵＴと一致させるようにする。
ブラッグ反射器６４の反射率が高くなる波長（ブラッグ
反射器６４が効率良く反射する光の波長）の範囲へλ８
は、ブラッグ反射器６４の、導波路６０に沿う方向にお
ける長さをβ６と表せば、 従ってΔλパ／λ＝Δλ８／λとして透過波長λ。ｕＴ
の可変範囲（チューニング幅）をなるべく広くするため
には、β８は短い方がよい。Δλ”／λユ八へ８／λと
するためには！８＝（λ２／（２・ｎ））／Δλ”とす
ればよく、従って例えば△λＨ／λ＝０．０１〜０．１
とするには１８た２０〜２μｍとする必要がある。しか
しながらこのようにβ８を短くした場合、実用上充分な
反射率を得るためには反射器６４のグレーティングを深
く形成する必要があり、作成が困難になる。
そこでβ８を短くせずにチューニング幅をなるべ〈広く
するためには、フラッグ反射器６４のグレーティングの
周期を、導波路６０に沿う方向において徐々に狭くする
或は広くして、チャーブ構造のグレーティングを形成す
るのがよい。
この発明は上述した実施例にのみ限定されるものではな
く、従って各構成成分の構造、形状、寸法、配置位置、
形成材料及びそのほかの条件を任意好適に変更すること
ができる。
例えば第一光波長フィルタにおいで、第−ｐｎ接合面及
び第二ｐｎ接合面の形成位置を、第−導波路及び第二導
波路にキャリアを注入できる任意好適な位置とすること
ができ、従ってこれに応じて第一光波長フィルタの構成
要素の導電型も任意好適に変更できる。
（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の光波長
フィルタによれば、第一光波長フィルタはモード変換型
のフィルタであるので、その透過波長は実質的にひとつ
の波長λ。、となる。そしノて第一光波長フィルタは、
透過波長λ。１を中心とする線幅ΔλＭＣＩの範囲の波
長の光を透過する。
また、第二光波長フィルタは干渉器型のフィルタである
ので、その透過波長はある特定の周期で並んだ複数個の
波長λ。２ｏ、λ。２．　・・・となる。そして第二光
波長フィルタは透過波長λ。２゜を中心とする線幅Δλ
ＭＣ２０の範囲の光、透過波長天。２Ｉを中心とする線
幅△λＭＣ２１の範囲の光、・・・を透過する。線幅△
λＭＣ２０、ΔλＭＣ２１，・・・、はすべて実質的に
等しく、△λＭＣ２０−ΔλＭＣ２１＝・・・△λＭＣ
２と表すことができる。この第二光波長フィルタの線幅
△λＭＣ２は第一光波長フィルタの線幅へλＭＣＩより
も狭い。
従って、第一光波長フィルタの透過波長λ。１を所望の
波長λ。８工と等しくしかつ第二光波長フィルタの透過
波長λ。２０　、λ。２１、・・・のいずれかびとつを
所望の波長λ。０丁と等しくすれば、この発明装置から
最終的に出力される光は所望の波長λ。０．を中心とす
る線幅へλＭＣ２の範囲の波長の光となる。
従って干渉器型の第二光波長フィルタの特徴である狭い
線幅へλＭＣ２の範囲で、所望の波長λ。ｕｙの光信号
を分離できる。
しかも、第二光波長フィルタの透過波長λ。２□を透過
波長λｏ２．．の周期の範囲内で可変制御し、かつ第一
光波長フィルタの透過波長λ。１を第二光波長フィルク
の透過波長と一致させれば、所望の波長λ。ＬＩＴの光
を分離できるので、この発明装置のチューニング幅は第
一光波長フィルタを単独で用いた場合のチューニング幅
と等価であり、広い。
従って、この発明装置によれば、広いチューニング幅で
しかも狭い線幅ΔλＭｅ２を得ることができるので、チ
ャネル数を増やせる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の第−実施例の構成を概略的に示す断
面図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の第一実施例の光透過
特性の説明に供する図、 第３図はこの発明の第二実施例の構成を概略的ｆこ示す
断面図である。 １０．５２・・・第一光波長フィルタ １２．５４・・・第二光波長フィルタ １４．３２．５６・・・基板 １６・・・第一導波路、　　１８・・・ギャップ層２０
・・・第二導波路、　２２・・・上部クラッド層２４・
・・グレーティング ３４．５７−・・レーザ層 ３６・・・反射膜、　　　４２・・・結合レンズ５８・
・・下部クラッド層 ６０・・・導波路、　　　６２−・・上部クラッド層６
４・・・ブラッグ反射器。 特許出願人　　　沖電気工業株式会社 手続補正書 平成３年７月２５日 平成２年特許願第２６２１６１、 発明の名称 光波長フィルタ装置 ３補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所（〒−１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号 名称（０２９）沖電気工業株式会社 代表者　小村　信光 ４代理人　〒１７０　　ｆｆｉ　（３９８Ｂ）５５６３
住所　東京都豊島区東池袋１丁目２０番地５池袋ホワイ
トハウスビル９０５号 ６補正の対象 （１）、明細書の第１４頁第１８行、第１５頁第５行お
よび第１０行の「波長フィルタ１４」を「波長フィルタ
１２Ｊと訂正する。 （２）、同、第２０頁第５行の「第一」を「第二Ｊと訂
正する。 （３）、同、第２１頁第１１行、第２２頁第１２行およ
び第１３行の「波長フィルタ５２」を「波巻フィルタ５
４、ｌｌと訂正する。 （４）、同、第２１頁第１２行の「基板５４」を「基板
５６Ｊと訂正する。 以上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）波長多重の光信号のなかから特定波長の光信号を
    分離するための光波長フィルタ装置において、 モード変換型の第一光波長フィルタと、干渉器型の第二
    光波長フィルタとを光学的に接続して成ることを特徴と
    する光波長フィルタ装置。
  2. （２）前記第二光波長フィルタは、ファブリベロ干渉器
    型のフィルタであることを特徴とする請求項１に記載の
    光波長フィルタ装置。
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EP19910308921 EP0478391A3 (en) 1990-09-28 1991-09-30 Optical wavelength filter device

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