JPH03261837A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH03261837A JPH03261837A JP5817990A JP5817990A JPH03261837A JP H03261837 A JPH03261837 A JP H03261837A JP 5817990 A JP5817990 A JP 5817990A JP 5817990 A JP5817990 A JP 5817990A JP H03261837 A JPH03261837 A JP H03261837A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- semiconductor pressure
- resin container
- sensor chip
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体拡散抵抗のピエゾ抵抗効果を利用して
圧力を電気信号に変換する半導体圧力センサの構造に関
するものである。
圧力を電気信号に変換する半導体圧力センサの構造に関
するものである。
（従来の技術）
従来のこの種の半導体圧力センサは、測定媒体として固
体を用い、その圧力を圧力センサチップへ正確に伝達す
る手段が神々検討されてきた結果。
体を用い、その圧力を圧力センサチップへ正確に伝達す
る手段が神々検討されてきた結果。
第３図の断面図および第４図の斜視図に示されるような
構造が採用されている。
構造が採用されている。
第３図において、圧力を電気信号に変換する半導体圧力
センサチップ１は、中心に挿通孔（ａを有する方形の台
座１ｂと１台座１ｂの上端面に固着した、中央にダイア
フラムを形成した圧電素子１ｃとから構成されている。
センサチップ１は、中心に挿通孔（ａを有する方形の台
座１ｂと１台座１ｂの上端面に固着した、中央にダイア
フラムを形成した圧電素子１ｃとから構成されている。
上記の半導体圧力センサチップエを収容する樹脂容器２
は、第４図に示すように、半導体圧力センサチップ１の
電気信号の入出力１１！極となる複数本のリード端子３
を一体成形したもので、方形の収納凹みの底面に、測定
媒体となる固体を案内する貫通孔２ａが形成され、また
、段部にリード端子３の端末部３ａが露是している。
は、第４図に示すように、半導体圧力センサチップ１の
電気信号の入出力１１！極となる複数本のリード端子３
を一体成形したもので、方形の収納凹みの底面に、測定
媒体となる固体を案内する貫通孔２ａが形成され、また
、段部にリード端子３の端末部３ａが露是している。
半導体圧力センサは、上記の樹脂容器２の収納凹みの底
面に、半導体圧力センサチップ１を固着した後、圧電素
子１Ｃとリード端子３の端末部３ａをボンディングワイ
ヤ４で接続しである。
面に、半導体圧力センサチップ１を固着した後、圧電素
子１Ｃとリード端子３の端末部３ａをボンディングワイ
ヤ４で接続しである。
以上のように構成された半導体圧力センサの動作につい
て説明する。
て説明する。
測定媒体である固体によって矢印Ａの方向へ圧力を加え
られると、樹脂容器２の貫通孔２ａおよび台座１ｂの挿
通孔１ａを通って、圧電素子ＩＣの受圧面に伝達され、
電気信号に変換されて、リード端子３から出力される。
られると、樹脂容器２の貫通孔２ａおよび台座１ｂの挿
通孔１ａを通って、圧電素子ＩＣの受圧面に伝達され、
電気信号に変換されて、リード端子３から出力される。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記の構成では、半導体圧力センサを組
み立てる際に、樹脂容器２と半導体圧力センサチップｌ
との接着位置精度が悪く、貫通孔２ａと挿通孔１ａとの
位置がずれると、測定媒体である固体の圧力が、貫通孔
２ａおよび挿通孔１ａとの摩擦力に邪魔され圧電素子１
ｃの受圧面に正しく伝達されず、高精度な測定が出来ず
、実用性および信頼性に欠けるという問題があった。
み立てる際に、樹脂容器２と半導体圧力センサチップｌ
との接着位置精度が悪く、貫通孔２ａと挿通孔１ａとの
位置がずれると、測定媒体である固体の圧力が、貫通孔
２ａおよび挿通孔１ａとの摩擦力に邪魔され圧電素子１
ｃの受圧面に正しく伝達されず、高精度な測定が出来ず
、実用性および信頼性に欠けるという問題があった。
本発明は上記の問題を解決するもので、信頼性の高い、
組立作業の容易な半導体圧力センサを提供するものであ
る。
組立作業の容易な半導体圧力センサを提供するものであ
る。
（１１１１題を解決するための手段）
上記の課題を解決するため、本発明は、樹脂容器の収納
凹みに半導体圧力センサチップの位置決め用突起を設け
るものである。
凹みに半導体圧力センサチップの位置決め用突起を設け
るものである。
（作 用）
上記の構成によって、樹脂容器に対する半導体圧力セン
サチップの取付は位置精度が向上し、測定誤差を生じな
い高い測定精度と、信頼性が得られる。
サチップの取付は位置精度が向上し、測定誤差を生じな
い高い測定精度と、信頼性が得られる。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図および第２図により説明する
。
。
第１図は本発明による半導体圧力センサの断面図、第２
図はその斜視図である。
図はその斜視図である。
第１図において、本実施例が第３図に示した従来例と異
なる点は、樹脂容器２の収納凹みの四方に、上方に向っ
て開いた斜面２ｃを具えた位置決め用突起２ｂを形成し
た点である。その他は従来例と変わらないので、同一構
成部品には同一符号を付し、説明を省略する。また、半
導体圧力センサの動作も変わりがないので、その説明も
省略する。
なる点は、樹脂容器２の収納凹みの四方に、上方に向っ
て開いた斜面２ｃを具えた位置決め用突起２ｂを形成し
た点である。その他は従来例と変わらないので、同一構
成部品には同一符号を付し、説明を省略する。また、半
導体圧力センサの動作も変わりがないので、その説明も
省略する。
上記の構成を有する半導体圧力センサは、樹脂容器２の
貫通孔２ａと半導体圧力センサチップｌの挿通孔１ａと
が、斜面２ｃの助けも借りて組立ても容易で且つ正しく
同軸になるので、作業能率が向上し且つ測定媒体の固体
の運動を妨げる事態は発生しない。
貫通孔２ａと半導体圧力センサチップｌの挿通孔１ａと
が、斜面２ｃの助けも借りて組立ても容易で且つ正しく
同軸になるので、作業能率が向上し且つ測定媒体の固体
の運動を妨げる事態は発生しない。
（発明の効果）
以上説明したように１本発明によれば、樹脂容器に対す
る、半導体圧力センサの取付は精度が向上するので、信
頼性の高い半導体圧力センサが実現できる。
る、半導体圧力センサの取付は精度が向上するので、信
頼性の高い半導体圧力センサが実現できる。
第１図は本発明による半導体圧力センサの断面図、第２
図はその斜視図、第３図は従来の半導体圧力センサの断
面図、第４図はその斜視図である。 ｌ ・・・半導体圧力センサチップ、 １ａ・・・挿通
孔、 ｌｂ・・・台座、 １ｃ・・・圧電素子、 ２
・・・樹脂容器、 ２ａ・・・貫通孔、２ｂ・・・位
置決め用突起、 ２ｃ・・・斜面、３ ・・・ リード
端子、 ３ａ・・・端末部、４ ・・・ボンディング
ワイヤ。
図はその斜視図、第３図は従来の半導体圧力センサの断
面図、第４図はその斜視図である。 ｌ ・・・半導体圧力センサチップ、 １ａ・・・挿通
孔、 ｌｂ・・・台座、 １ｃ・・・圧電素子、 ２
・・・樹脂容器、 ２ａ・・・貫通孔、２ｂ・・・位
置決め用突起、 ２ｃ・・・斜面、３ ・・・ リード
端子、 ３ａ・・・端末部、４ ・・・ボンディング
ワイヤ。
Claims (2)
- （１）圧力を電気信号に変換する半導体圧力センサチッ
プと、上記の半導体圧力センサチップを収納する樹脂容
器とからなる半導体圧力センサにおいて、 上記の樹脂容器の収納凹みに半導体圧力センサチップの
固着位置を規制する位置決め用の突起を少なくとも１個
以上設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。 - （２）突起の上端部に上方に向って開いた斜面を設けた
ことを特徴とする請求項（１）記載の半導体圧力センサ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5817990A JPH03261837A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5817990A JPH03261837A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03261837A true JPH03261837A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13076781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5817990A Pending JPH03261837A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03261837A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010121957A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Yokogawa Electric Corp | 圧力測定装置 |
| JP2016109606A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | アルプス電気株式会社 | センサパッケージ |
| US10784176B1 (en) | 2019-04-12 | 2020-09-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP5817990A patent/JPH03261837A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010121957A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Yokogawa Electric Corp | 圧力測定装置 |
| JP2016109606A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | アルプス電気株式会社 | センサパッケージ |
| US10784176B1 (en) | 2019-04-12 | 2020-09-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
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