JPH03258834A - フッ化有機ケイ素高分子化合物及びその製造方法 - Google Patents
フッ化有機ケイ素高分子化合物及びその製造方法Info
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- JPH03258834A JPH03258834A JP5505190A JP5505190A JPH03258834A JP H03258834 A JPH03258834 A JP H03258834A JP 5505190 A JP5505190 A JP 5505190A JP 5505190 A JP5505190 A JP 5505190A JP H03258834 A JPH03258834 A JP H03258834A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は任意形状に成形可能なはっ水性高分子化合物及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
これまでのはっ水性高分子化合物の代表的なものは、有
機シリコン高分子化合物とフッ化高分子化合物である。
機シリコン高分子化合物とフッ化高分子化合物である。
前者はシリコン樹脂やシリコンオイルのように主鎖の一
部にケイ素を含むことを特徴とし、後者はフッ素樹脂の
ように側鎖の一部にフッ素を含むという特徴をもつ。
部にケイ素を含むことを特徴とし、後者はフッ素樹脂の
ように側鎖の一部にフッ素を含むという特徴をもつ。
本発明の目的は画商分子化合物の分子構造上の特徴を合
せもつ新しい高分子化合物をつくることにより、更に優
れたはっ水性を発現した高(R’)(R2)SiX2
− CII )分子化合物及びその製造方法
を提供することにある。
せもつ新しい高分子化合物をつくることにより、更に優
れたはっ水性を発現した高(R’)(R2)SiX2
− CII )分子化合物及びその製造方法
を提供することにある。
本発明を4!脱すれば、本発明の第1の発明はフッ化有
機ケイ素高分子化合物に関する発明であって、下記一般
式I: (式中R’及びR2は、炭化水素基を示すが、少なくと
も一方の水素は、少なくとも1個のフッ素で置換されて
おり、nは2以上の整数を示す)で表されることを特徴
とする。
機ケイ素高分子化合物に関する発明であって、下記一般
式I: (式中R’及びR2は、炭化水素基を示すが、少なくと
も一方の水素は、少なくとも1個のフッ素で置換されて
おり、nは2以上の整数を示す)で表されることを特徴
とする。
そし2て、本発明の第2の発明はフッ化有機ケイ素高分
子化合物の製造方法に関する発明であって、第1の発明
の一般式Iで表されるフッ化有機ケイ素高分子化合物を
製造するに際し、下記一般式■: (R’)(R’)SiL ・−CI
I ](式中R1及びR3は式1と同義であり、Xはハ
ロゲンを示す)で表されるジハロシランを、有機溶媒中
、高温においてアルカリ金属で脱塩縮合させることを特
徴とする。
子化合物の製造方法に関する発明であって、第1の発明
の一般式Iで表されるフッ化有機ケイ素高分子化合物を
製造するに際し、下記一般式■: (R’)(R’)SiL ・−CI
I ](式中R1及びR3は式1と同義であり、Xはハ
ロゲンを示す)で表されるジハロシランを、有機溶媒中
、高温においてアルカリ金属で脱塩縮合させることを特
徴とする。
前記両分子構造を実現するため、本発明では主鎖をケイ
素のみ、側鎖をフッ化炭化水素基で構成した。ここで、
炭化水素基としては、炭化水素基であれば何でもよく、
例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘ
キシル基、シクロヘキシル基等の脂肪族W1換基や、フ
ェニル基、トリル基等の芳香族vl換基がある。これら
の中でも、好適なものとして、片方がメチル基で、他方
が3.3.3−)!Jフルオロプロピル基であるものを
見出した。
素のみ、側鎖をフッ化炭化水素基で構成した。ここで、
炭化水素基としては、炭化水素基であれば何でもよく、
例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘ
キシル基、シクロヘキシル基等の脂肪族W1換基や、フ
ェニル基、トリル基等の芳香族vl換基がある。これら
の中でも、好適なものとして、片方がメチル基で、他方
が3.3.3−)!Jフルオロプロピル基であるものを
見出した。
このような高分子化合物の合成には、当該側鎖をもつジ
ハロシランを原料として用い、有機溶媒中アルカリ金属
で脱塩縮合させる下記一般反応式(1)で表される重合
方法が適用できる。
ハロシランを原料として用い、有機溶媒中アルカリ金属
で脱塩縮合させる下記一般反応式(1)で表される重合
方法が適用できる。
2
・・・(1)
(1)式中、R1、R2、X及びnは式l及び■と同義
であり、Mはアルカリ金属を示す。Xとしては塩素、M
としてはナトリウムが好適である。
であり、Mはアルカリ金属を示す。Xとしては塩素、M
としてはナトリウムが好適である。
この方法は、主鎖がケイ素で構成される高分子化合物を
合成するときの一般的な方法であり〔ジャーナル オブ
オルガノメタリック ケミ ス ト リ − (J、
Organometal 、 Chem、) 第
300巻、第327頁(1986)) 、通常トルエン
を溶媒として110℃付近で重合する。
合成するときの一般的な方法であり〔ジャーナル オブ
オルガノメタリック ケミ ス ト リ − (J、
Organometal 、 Chem、) 第
300巻、第327頁(1986)) 、通常トルエン
を溶媒として110℃付近で重合する。
しかし、この反応条件では、前記式Iの高分子化合物は
合成できない。本発明では、トルエンよりも沸点の高い
溶媒を用い、更に、反応温度をより高温の範囲に制御し
て重合させることにより、はじめて上記高分子化合物の
合成に成功した。例えば、3.3.3−)IJフルオロ
プロピル(メチル)ジクロロシランとナトリウムとの反
応では、140〜195℃の範囲が好適な温度範囲であ
った。
合成できない。本発明では、トルエンよりも沸点の高い
溶媒を用い、更に、反応温度をより高温の範囲に制御し
て重合させることにより、はじめて上記高分子化合物の
合成に成功した。例えば、3.3.3−)IJフルオロ
プロピル(メチル)ジクロロシランとナトリウムとの反
応では、140〜195℃の範囲が好適な温度範囲であ
った。
以下、本発明を合成例及び応用例によって、更に具体的
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
合成例1
[3,3,3−トリフルオロプロピル(メチル)ポリシ
ランの合成〕 300cc4つロフラスコに滴下漏斗と還流冷却管、か
くはん機、アルゴン吹込み管をセットし、乾燥デカン(
100cc)と金属ナトリウム(2,6g)を仕込んだ
。アルゴンガスをバブルしつつ加熱還流かくはんし、3
.3.3−)!Jフルオロプロピル(メチル)ジクロシ
ラン(20g)を滴下した。5時間反応後、室温まで冷
却し、反応液をエタノール(600cc)中へ注ぎ込ん
だ。沈殿物をろ取し、水洗、真空乾燥後、テトラヒドロ
フラン(THF)−メタノール系で再沈殿精製し、52
0mgの高分子化合物を得た(4%、淡黄色)。得られ
た高分子化合物は、THF、ジメチルホルムアミド、1
.3−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンに可溶であ
った。
ランの合成〕 300cc4つロフラスコに滴下漏斗と還流冷却管、か
くはん機、アルゴン吹込み管をセットし、乾燥デカン(
100cc)と金属ナトリウム(2,6g)を仕込んだ
。アルゴンガスをバブルしつつ加熱還流かくはんし、3
.3.3−)!Jフルオロプロピル(メチル)ジクロシ
ラン(20g)を滴下した。5時間反応後、室温まで冷
却し、反応液をエタノール(600cc)中へ注ぎ込ん
だ。沈殿物をろ取し、水洗、真空乾燥後、テトラヒドロ
フラン(THF)−メタノール系で再沈殿精製し、52
0mgの高分子化合物を得た(4%、淡黄色)。得られ
た高分子化合物は、THF、ジメチルホルムアミド、1
.3−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンに可溶であ
った。
第1図に得られた高分子化合物の分子量分布を示す。す
なわち第1図は3.3.3−)!Iフルオロプロピル(
メチル)ポリシランの分子量分布を信号強度(任意単位
、縦軸)と分子量(横軸)との関係で示すグラフである
。なおモニター光は254 nmである。
なわち第1図は3.3.3−)!Iフルオロプロピル(
メチル)ポリシランの分子量分布を信号強度(任意単位
、縦軸)と分子量(横軸)との関係で示すグラフである
。なおモニター光は254 nmである。
重量平均分子量(M−〉は31.000で、分散 (M
w/Mn)は2.1であった。後記表1に元素分析結果
を示す。実測値は計算値(C=87SiFs)とよく一
致した。第2図は赤外吸収スペクトルを示す。すなわち
第2図は3.3.3−)リフルオロプロピル(メチル)
ポリシランの赤外吸収スペクトルのグラフであり、縦紬
は透過率(%)、横軸は波数(c+N’)を表している
。後記表2にNMRの測定結果、すなわちNMR化学シ
フトを示す。
w/Mn)は2.1であった。後記表1に元素分析結果
を示す。実測値は計算値(C=87SiFs)とよく一
致した。第2図は赤外吸収スペクトルを示す。すなわち
第2図は3.3.3−)リフルオロプロピル(メチル)
ポリシランの赤外吸収スペクトルのグラフであり、縦紬
は透過率(%)、横軸は波数(c+N’)を表している
。後記表2にNMRの測定結果、すなわちNMR化学シ
フトを示す。
これらの分析結果は、この高分子化合物の主鎖がケイ素
からなり、側鎖がメチル基と3.3. 3−トリフルオ
ロプロピル基からなることを示している。
からなり、側鎖がメチル基と3.3. 3−トリフルオ
ロプロピル基からなることを示している。
また、第31!Iにこの高分子化合物の紫外可視吸収ス
ペクトルを示す。すなわち、第3図は3゜3、3− )
リフルオロプロピル(メチル)ポリシランの紫外可視吸
収スペクトルを示すグラフであり、縦軸は吸光係数[X
10”(SiU)−’ −cm−’)横軸は波長(n
m)を表している。溶媒はTHFで、濃度は4 X 1
0−’(Sill)/ 1である。285 nmにケイ
素連鎖に基づく吸収ピークが観測された。
ペクトルを示す。すなわち、第3図は3゜3、3− )
リフルオロプロピル(メチル)ポリシランの紫外可視吸
収スペクトルを示すグラフであり、縦軸は吸光係数[X
10”(SiU)−’ −cm−’)横軸は波長(n
m)を表している。溶媒はTHFで、濃度は4 X 1
0−’(Sill)/ 1である。285 nmにケイ
素連鎖に基づく吸収ピークが観測された。
表 1
実測値 C:34.06% H:5.17%表
2 11F −68,7(−02) CFCI、から合成例2 合成例1と同様の方法で、溶媒と温度を変えて合成した
場合の収率変化の結果を表3に示す。
2 11F −68,7(−02) CFCI、から合成例2 合成例1と同様の方法で、溶媒と温度を変えて合成した
場合の収率変化の結果を表3に示す。
当該高分子化合物は、非極性溶媒であるトルエン若しく
は極性溶媒であるトルエン/ジグリム混合溶媒のどちら
を溶媒として用いても生成しないが、非極性溶媒である
鎮状炭化水素を用いて反応温度を140を以上に設定し
たときに生成しはじめる。収率は温度の増加と共に増加
し、デカンを用いた場合の加熱還流温度(153〜16
5℃)で最大となり、以後徐々に低下する。このことか
ら、3.3.3−)リフルオロプロピル基を側鎖に含む
高分子化合物の生成は、溶媒の極性よりも反応温度に主
として依存し、反応温度を140〜195℃の範囲に制
御してはじめて可能となることがわかる。
は極性溶媒であるトルエン/ジグリム混合溶媒のどちら
を溶媒として用いても生成しないが、非極性溶媒である
鎮状炭化水素を用いて反応温度を140を以上に設定し
たときに生成しはじめる。収率は温度の増加と共に増加
し、デカンを用いた場合の加熱還流温度(153〜16
5℃)で最大となり、以後徐々に低下する。このことか
ら、3.3.3−)リフルオロプロピル基を側鎖に含む
高分子化合物の生成は、溶媒の極性よりも反応温度に主
として依存し、反応温度を140〜195℃の範囲に制
御してはじめて可能となることがわかる。
応用例1
合成例1又は2で得られた3、3.3−)リフルオロプ
ロピル(メチル)ポリシランをTHFに溶解し、スピン
コード法によりガラス基板上に塗布した。塗布面に水を
散布した。このポリシランを塗布したガラス基板は、塗
布していないものに比べ良好なはっ水性を示した。
ロピル(メチル)ポリシランをTHFに溶解し、スピン
コード法によりガラス基板上に塗布した。塗布面に水を
散布した。このポリシランを塗布したガラス基板は、塗
布していないものに比べ良好なはっ水性を示した。
以上説明したように、一般反応式(1)において反応温
度を高温に制御して重合することにより、主鎖がケイ素
からなり側鎖にフッ素を含む高分子化合物が合成される
。この高分子化合物は良好なはっ水性を示すことから、
はっ水材料や防水材料等に利用することができる。
度を高温に制御して重合することにより、主鎖がケイ素
からなり側鎖にフッ素を含む高分子化合物が合成される
。この高分子化合物は良好なはっ水性を示すことから、
はっ水材料や防水材料等に利用することができる。
また、この高分子化合物は主鎖がすべてケイ素で構成さ
れたいわゆるポリシランの一つであるため、上記の用途
以外に、ポリシランの一般的用途であるシリコンカーバ
イド前駆体や電子写真感光体、ホトレジスト、光重合開
始剤、光学非線形材料として利用できることはいうまで
もない。更に、この高分子化合物は側鎖の一部に電子吸
引性置換基を含むため、これまでのポリシランでは実現
できなかってN型ドーピングの可能性があるなど、これ
まで利用できなかった分野への幅広い応用が考えられる
。
れたいわゆるポリシランの一つであるため、上記の用途
以外に、ポリシランの一般的用途であるシリコンカーバ
イド前駆体や電子写真感光体、ホトレジスト、光重合開
始剤、光学非線形材料として利用できることはいうまで
もない。更に、この高分子化合物は側鎖の一部に電子吸
引性置換基を含むため、これまでのポリシランでは実現
できなかってN型ドーピングの可能性があるなど、これ
まで利用できなかった分野への幅広い応用が考えられる
。
第1図は3,3.3−)!Jフルオロプロピル(メチル
)ポリシランの分子量分布を示すグラフ、第2図は3.
3.3−)リフルオロプロピル(メチル)ポリシランの
赤外吸収スペクトルを示すグラフ、第3図は3,3.3
−)!Jフルオロプロピル(メチル)ポリシランの紫外
可視吸収スペクトルを示すグラフである。
)ポリシランの分子量分布を示すグラフ、第2図は3.
3.3−)リフルオロプロピル(メチル)ポリシランの
赤外吸収スペクトルを示すグラフ、第3図は3,3.3
−)!Jフルオロプロピル(メチル)ポリシランの紫外
可視吸収スペクトルを示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記一般式 I : ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 (式中R^1及びR^2は、炭化水素基を示すが、少な
くとも一方の水素は少なくとも1個のフッ素で置換され
ており、nは2以上の整数を示す)で表されることを特
徴とするフッ化有機ケイ素高分子化合物。 2、請求項1記載の一般式 I で表されるフッ化有機ケ
イ素高分子化合物を製造するに際し、下記一般式II: (R^1)(R^2)SiX_2・・・〔II〕(式中R
^1及びR^2は式 I と同義であり、Xはハロゲンを
示す)で表されるジハロシランを、有機溶媒中、高温に
おいてアルカリ金属で脱塩縮合させることを特徴とする
フッ化有機ケイ素高分子化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5505190A JPH03258834A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | フッ化有機ケイ素高分子化合物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5505190A JPH03258834A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | フッ化有機ケイ素高分子化合物及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03258834A true JPH03258834A (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=12987878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5505190A Pending JPH03258834A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | フッ化有機ケイ素高分子化合物及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03258834A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0680081A2 (en) * | 1994-04-25 | 1995-11-02 | Hitachi, Ltd. | Method of forming thin film and electronic device using thin film |
WO1996034034A1 (fr) * | 1995-04-25 | 1996-10-31 | Hitachi, Ltd. | Polymere de fluorosilicium en reseau, revetement isolant compose de ce dernier, et dispositifs electroniques revetus de ce polymere |
-
1990
- 1990-03-08 JP JP5505190A patent/JPH03258834A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0680081A2 (en) * | 1994-04-25 | 1995-11-02 | Hitachi, Ltd. | Method of forming thin film and electronic device using thin film |
EP0680081A3 (en) * | 1994-04-25 | 1998-03-04 | Hitachi, Ltd. | Method of forming thin film and electronic device using thin film |
WO1996034034A1 (fr) * | 1995-04-25 | 1996-10-31 | Hitachi, Ltd. | Polymere de fluorosilicium en reseau, revetement isolant compose de ce dernier, et dispositifs electroniques revetus de ce polymere |
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