JPH0325798A - Eepromを使用した記憶装置 - Google Patents
Eepromを使用した記憶装置Info
- Publication number
- JPH0325798A JPH0325798A JP1162396A JP16239689A JPH0325798A JP H0325798 A JPH0325798 A JP H0325798A JP 1162396 A JP1162396 A JP 1162396A JP 16239689 A JP16239689 A JP 16239689A JP H0325798 A JPH0325798 A JP H0325798A
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- JP
- Japan
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- eeprom
- recording
- erasing
- spare
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- Prior art date
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- Pending
Links
- 101100087530 Caenorhabditis elegans rom-1 gene Proteins 0.000 abstract description 8
- 101100305983 Mus musculus Rom1 gene Proteins 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 101000610551 Homo sapiens Prominin-1 Proteins 0.000 description 1
- 102100040120 Prominin-1 Human genes 0.000 description 1
- 101150065817 ROM2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、EEPROMを電源オフ時の記憶媒体とし
て使用した記憶装置に関する。
て使用した記憶装置に関する。
一般に,電子機器において処理中のデータや機器本体各
部の状況を示すフラグ,信号等の情報が、電源をオフし
た時に失われないように,例えば電池でバックアップさ
れたR. A Mのような不揮発性記憶素子が使われて
いる。
部の状況を示すフラグ,信号等の情報が、電源をオフし
た時に失われないように,例えば電池でバックアップさ
れたR. A Mのような不揮発性記憶素子が使われて
いる。
この電池でバックアップされたRAMは、読み出しや書
き込み速度が速いため大容量の記憶装置を構威し易く、
その寿命も半永久的であって,不揮発性記憶素子として
非常に優れている。
き込み速度が速いため大容量の記憶装置を構威し易く、
その寿命も半永久的であって,不揮発性記憶素子として
非常に優れている。
しかしながら、唯一かつ重大な欠点は、バックアップす
る電池に寿命があることであり、電池の寿命に達する前
にそのストアしている情報を一時他の記憶媒体に退避さ
せ、電池を交換した後その退避させたデータを復帰させ
なければならない。
る電池に寿命があることであり、電池の寿命に達する前
にそのストアしている情報を一時他の記憶媒体に退避さ
せ、電池を交換した後その退避させたデータを復帰させ
なければならない。
もし、電池の交換を忘れたり情報の退避と復帰の処理を
誤まると、ストアされていた情報が失われてしまう。
誤まると、ストアされていた情報が失われてしまう。
処理データは再処理により復活することも出来るが、機
器本体各部の状況を示すフラグ,信号等は復活不能であ
る上に、以後の機器の作動管理が出来なくなる恐れが大
きい。
器本体各部の状況を示すフラグ,信号等は復活不能であ
る上に、以後の機器の作動管理が出来なくなる恐れが大
きい。
したがって、最近は不揮発性記憶素子として.電池等の
バックアップが不要であり電気的に消去/Mき込みが可
能なE E P ROMが使用されるようになっている
。
バックアップが不要であり電気的に消去/Mき込みが可
能なE E P ROMが使用されるようになっている
。
しかるに、EEPROMは読み出し速度は速いが消去/
書き込みの速度は相当遅いので,あまり大容量の記憶装
置を構或出来ない. まと、その消去/書き込みの保証回数は例λばH N
5 8 0 6 4シリーズ(日立製)で1万回、一般
に104〜105回といわれている,重要な情報はそれ
程多くないので容量の点は問題にならず、消去/書き込
みの保証回数の点は消去/書き込みの頻度が比較的低い
情報に限定することにより解決され,実用化されていた
。
書き込みの速度は相当遅いので,あまり大容量の記憶装
置を構或出来ない. まと、その消去/書き込みの保証回数は例λばH N
5 8 0 6 4シリーズ(日立製)で1万回、一般
に104〜105回といわれている,重要な情報はそれ
程多くないので容量の点は問題にならず、消去/書き込
みの保証回数の点は消去/書き込みの頻度が比較的低い
情報に限定することにより解決され,実用化されていた
。
し.かしながら、ユーザが予想に反した使い方をして頻
繁に消去/書き込みが行なわれ、その保証回数を超えて
使用していると突然に消去/書き込み不能等の障害が発
生する恐れがある、まと、素子自身の故障により消去/
書き込みの保鉦回数以内であつ1,゛も消去/itき込
み不能になる可能性も絶無ではない、 このような突然の障害が発生した場合、仮31に警報を
出してユーザに知らせても、処理中の作業を中断して処
置しなければならず,もしその処置を誤れば情報確保は
保証し難い。
繁に消去/書き込みが行なわれ、その保証回数を超えて
使用していると突然に消去/書き込み不能等の障害が発
生する恐れがある、まと、素子自身の故障により消去/
書き込みの保鉦回数以内であつ1,゛も消去/itき込
み不能になる可能性も絶無ではない、 このような突然の障害が発生した場合、仮31に警報を
出してユーザに知らせても、処理中の作業を中断して処
置しなければならず,もしその処置を誤れば情報確保は
保証し難い。
この発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、電池
交換等でユーザを煩わすことがなく、障害が発生しても
情報を失なわずに業務処理を続行することが出来るE
E P ROMを使用した記憶装置を提供することを目
的とする。
交換等でユーザを煩わすことがなく、障害が発生しても
情報を失なわずに業務処理を続行することが出来るE
E P ROMを使用した記憶装置を提供することを目
的とする。
この発明は上記の目的を達成するため、第1図に機能ブ
ロック図で示すように、記録用EEPROMlと,その
記録用EEPROMIをバックアップするための予備用
E E P R O M 2と、それらのEEPROM
にデー・夕の消去/書き込みを行なう泪去/書き込み手
段3と.その消去/書き込み手段3によって記録用EE
PROMiに消去/書き込みを行なう毎にその記録用E
E P ROM 1の所定エリアにその消去/書き込
み回数をストアする使用回数祐納手段4と,その使用回
数格納手段4によってストアされた消去/書き込み回数
が所定の使用限界値に達した時に消去/書き込みに使用
ずるE E P ROMを記録用EEPROMiから予
備用EEPROM2に切換えるE E P R O M
切換手段5とを備えたものである。
ロック図で示すように、記録用EEPROMlと,その
記録用EEPROMIをバックアップするための予備用
E E P R O M 2と、それらのEEPROM
にデー・夕の消去/書き込みを行なう泪去/書き込み手
段3と.その消去/書き込み手段3によって記録用EE
PROMiに消去/書き込みを行なう毎にその記録用E
E P ROM 1の所定エリアにその消去/書き込
み回数をストアする使用回数祐納手段4と,その使用回
数格納手段4によってストアされた消去/書き込み回数
が所定の使用限界値に達した時に消去/書き込みに使用
ずるE E P ROMを記録用EEPROMiから予
備用EEPROM2に切換えるE E P R O M
切換手段5とを備えたものである。
また,第2図に機能ブロック図で示すようL、,、記録
用EEPROM1と,その記録用EEPROMlをバッ
クアップするための予備用EEPROM2と、それらの
EEPROMにデータの消去/書き込みを行なう消去/
書き込み手段3と、その消去/書き込み手段3によって
記録用EEPROM1に消去/書き込みを行なって書き
込みヱラーが発生した時に消去/書き込みに使用1るF
EPROMを記録用E E P R OM 1から予備
用EEPROM2&.−9J換えるEEPROM切換手
段6とを備えるように1,2てもよい, 〔作 用〕 この発明は,上記のように構威すること番,″。より、
消去/書き込み手段3によって消去/書き込みが行われ
ている使用中の記録用EEPROM1の所定エリアに、
使用回数格納千段4によってス1・アされた消去/書き
込み回数が予め設定されてぃる使用限界値に達した時に
、その記録用EEPROM1がまだ使用可能であるか否
かに関係なく使用を中止して、EEPROM切換手段5
によって未使用の予備用EEPROM2に切換え、その
予備用EEPROM2を新しい記録用E E P RO
Mとして使用し始める。
用EEPROM1と,その記録用EEPROMlをバッ
クアップするための予備用EEPROM2と、それらの
EEPROMにデータの消去/書き込みを行なう消去/
書き込み手段3と、その消去/書き込み手段3によって
記録用EEPROM1に消去/書き込みを行なって書き
込みヱラーが発生した時に消去/書き込みに使用1るF
EPROMを記録用E E P R OM 1から予備
用EEPROM2&.−9J換えるEEPROM切換手
段6とを備えるように1,2てもよい, 〔作 用〕 この発明は,上記のように構威すること番,″。より、
消去/書き込み手段3によって消去/書き込みが行われ
ている使用中の記録用EEPROM1の所定エリアに、
使用回数格納千段4によってス1・アされた消去/書き
込み回数が予め設定されてぃる使用限界値に達した時に
、その記録用EEPROM1がまだ使用可能であるか否
かに関係なく使用を中止して、EEPROM切換手段5
によって未使用の予備用EEPROM2に切換え、その
予備用EEPROM2を新しい記録用E E P RO
Mとして使用し始める。
まと、消去/書き込み手段3によって消去/書き込みが
行なわれている使用中の記録用EEPROMIに消去/
書き込みのエラーが発生して書き込み不能になった時に
、その記録用EEPROM1が、まだ使用限界内である
か否かに関係なく、E E P ROM切換手段6が記
録用EEPROM1の書き込み不能を検知して未使用の
予備用EEPROM2に切換え、その予備用EEPRO
M2を新しい記録用E E P ROMとして使用し始
める。
行なわれている使用中の記録用EEPROMIに消去/
書き込みのエラーが発生して書き込み不能になった時に
、その記録用EEPROM1が、まだ使用限界内である
か否かに関係なく、E E P ROM切換手段6が記
録用EEPROM1の書き込み不能を検知して未使用の
予備用EEPROM2に切換え、その予備用EEPRO
M2を新しい記録用E E P ROMとして使用し始
める。
以下、この発明の実施例を図面の第3図以降を参照して
説明する。
説明する。
第3図は、この発明を実施したレーザプリンタ(以下「
プリンタ』という)の構成を示すプロツク図である。
プリンタ』という)の構成を示すプロツク図である。
マイクロコンピュータよりなるCPU9は、プリンタ全
体のシステム制御と入力する文字や画像のデータ処理と
を行なうと共に、消去/書き込み手段3、使用回数格納
手段4、素子切換手段5,6をも兼ねている。
体のシステム制御と入力する文字や画像のデータ処理と
を行なうと共に、消去/書き込み手段3、使用回数格納
手段4、素子切換手段5,6をも兼ねている。
このCPU8には、それぞれバスラインを通じて,プロ
グラム,定数データ等をストアしたROMIOと,変数
データ,モード等をメモリするRAMIIと、各種の文
字フォントをストアしたフォントメモリ12と、ホスト
I/F (インタフェース)13と、操作パネル制御部
14と、画像メモリ制御部15と、プリンタエンジン制
御部16とが接続されている. ホストI/F13には、コンピュータ,ワードプロセッ
サ等のホストマシン30が接続され,ホストマシン30
からの文字コード,画像データおよび各種コマンドを入
力してCPU8に出力し、CPU8からの信号をホス1
・マシン30に出力する. 操作パネル制御部14は操作パネル20と接続され、C
PU8からの情報を操作バネル20に表示したり、操作
パネル20に入力されるオペレータの指令をcpusに
伝える。
グラム,定数データ等をストアしたROMIOと,変数
データ,モード等をメモリするRAMIIと、各種の文
字フォントをストアしたフォントメモリ12と、ホスト
I/F (インタフェース)13と、操作パネル制御部
14と、画像メモリ制御部15と、プリンタエンジン制
御部16とが接続されている. ホストI/F13には、コンピュータ,ワードプロセッ
サ等のホストマシン30が接続され,ホストマシン30
からの文字コード,画像データおよび各種コマンドを入
力してCPU8に出力し、CPU8からの信号をホス1
・マシン30に出力する. 操作パネル制御部14は操作パネル20と接続され、C
PU8からの情報を操作バネル20に表示したり、操作
パネル20に入力されるオペレータの指令をcpusに
伝える。
画像メモリ制御部15は、ホストマシン30から入力し
た画像データや、一時RAMIIにメモリされた文字コ
ードをフォントメモリ12にストアされている文字フォ
ントによりビットマップに変換した文字データを,それ
ぞれ編集してビットマップメモリである画像メモリ17
にメモリさせる。
た画像データや、一時RAMIIにメモリされた文字コ
ードをフォントメモリ12にストアされている文字フォ
ントによりビットマップに変換した文字データを,それ
ぞれ編集してビットマップメモリである画像メモリ17
にメモリさせる。
プリンタエンジン制御部16は、プリンタエンジン21
の図示しないセンサ類の信号に応じてプリンタエンジン
21のシーケンス制御を行なうと共に,CPU8からの
指令によって、画像メモリ17にメモリされているビツ
1−マツプデータをプリンタエンジン21に出力しプリ
ントさせる。
の図示しないセンサ類の信号に応じてプリンタエンジン
21のシーケンス制御を行なうと共に,CPU8からの
指令によって、画像メモリ17にメモリされているビツ
1−マツプデータをプリンタエンジン21に出力しプリ
ントさせる。
まと、cpusにはバスラインを介して、この発明によ
る全く同一性能,同一構或からなる記録用E E P
ROM 1と予備用E E P R O M 2とが接
続されているが、これらのEEPROMは使用済になっ
たら新しいE E P ROMと交換するため,それぞ
れICソケットによって基板に取付けられている。
る全く同一性能,同一構或からなる記録用E E P
ROM 1と予備用E E P R O M 2とが接
続されているが、これらのEEPROMは使用済になっ
たら新しいE E P ROMと交換するため,それぞ
れICソケットによって基板に取付けられている。
この実施例においては、EEPROMはプリンタの各種
動作モードの登録及びジャム等のエラーロギングのため
に使用される。
動作モードの登録及びジャム等のエラーロギングのため
に使用される。
第4図は、EEPROM内部の各データ領域配分の一例
を示すアドレスマップである。
を示すアドレスマップである。
同図に示したように、例えばoooo番地(16進数,
以下同様)からはラインピッチ指定,文字ピッチ指定,
文字サイズ指定等プリンタの動作モード領域であり.O
iOO番地からはエラーが発生した時にその情報を記録
するためのエラーログ領域であって、最後部の7FFB
番地以降にはそれぞれ計数領域(2バイト),使用フラ
グ領域,有効フラグ領域およびCRC領域が割当てられ
ている。
以下同様)からはラインピッチ指定,文字ピッチ指定,
文字サイズ指定等プリンタの動作モード領域であり.O
iOO番地からはエラーが発生した時にその情報を記録
するためのエラーログ領域であって、最後部の7FFB
番地以降にはそれぞれ計数領域(2バイト),使用フラ
グ領域,有効フラグ領域およびCRC領域が割当てられ
ている。
動作モードのWtaは、(第3図に示した)プリンタの
操作パネル20から操作パネル制御部14を介して入力
するオペレータの指示、またはホストマシン30からホ
ストI/F13を介して入力するオペレータやプログラ
マの指示によって動作モードが変更された時に、CPU
8が記録用EEPROM1の動作モード領域の変更され
た各モードに応じたアドレスにそれぞれ消去/@き込み
を行なう。
操作パネル20から操作パネル制御部14を介して入力
するオペレータの指示、またはホストマシン30からホ
ストI/F13を介して入力するオペレータやプログラ
マの指示によって動作モードが変更された時に、CPU
8が記録用EEPROM1の動作モード領域の変更され
た各モードに応じたアドレスにそれぞれ消去/@き込み
を行なう。
エラーログ領域には、あとでそれらのエラーロギングを
行なうために、発生したエラーの種類別に分類された0
100番地以降のアドレスが割り付けられている。
行なうために、発生したエラーの種類別に分類された0
100番地以降のアドレスが割り付けられている。
用紙のジャムその他のエラーが発生すると、CPU8は
発生したエラーに対応するアドレスにその度数を累積記
録してゆく. 7FFB番地の計数領域には、動作モードの変更による
消去/書き込みまたはエラーデータの書き込みが行なわ
れた回数(1回に書き込まれるデータ数またはバイト数
はいくつあってもよい)が記録される。
発生したエラーに対応するアドレスにその度数を累積記
録してゆく. 7FFB番地の計数領域には、動作モードの変更による
消去/書き込みまたはエラーデータの書き込みが行なわ
れた回数(1回に書き込まれるデータ数またはバイト数
はいくつあってもよい)が記録される。
この実施例では、使用限界値を消去/書き込み保証回数
の工万回としているから計数領域を2バイトにとったが
,使用限界値が3万回を超える場合は計数領域を7FF
A番地から3バイト設定すればよい。
の工万回としているから計数領域を2バイトにとったが
,使用限界値が3万回を超える場合は計数領域を7FF
A番地から3バイト設定すればよい。
7FFD,7FFE番地は、それぞれ使用フラグ領域,
有効フラグ領域である。
有効フラグ領域である。
使用フラグは、そのE E P ROMが未使用状態(
予備用EEPROM)ならばオフであり、使用中(記録
用EEPROM)または使用済ならばオンである. 有効フラグは、そのEEPROMが未使用状態であれば
オン・オフいずれでもよく、素子切換えによる使用開始
時はオフ、後述する「交換後処理」が実行されるとオン
になる. 7FFF番地のCRC領域には,l回の書き込み時に、
その書き込まれたデータから計算されたCRC値が書き
込まれる. つぎに、この実施例の作用を第5図以降のフロー図を参
照しながら説明する。なお、これらの各フロー図の上で
は、EEPROM,使用中の記録用EEPROMl,使
用していない予備用EEPROM2をそれぞれROM,
ROMI,ROM2と略記する。
予備用EEPROM)ならばオフであり、使用中(記録
用EEPROM)または使用済ならばオンである. 有効フラグは、そのEEPROMが未使用状態であれば
オン・オフいずれでもよく、素子切換えによる使用開始
時はオフ、後述する「交換後処理」が実行されるとオン
になる. 7FFF番地のCRC領域には,l回の書き込み時に、
その書き込まれたデータから計算されたCRC値が書き
込まれる. つぎに、この実施例の作用を第5図以降のフロー図を参
照しながら説明する。なお、これらの各フロー図の上で
は、EEPROM,使用中の記録用EEPROMl,使
用していない予備用EEPROM2をそれぞれROM,
ROMI,ROM2と略記する。
まと、説明の中で2個のICソケットA,Hに挿着され
ているE E P ROMを、それぞれEEPROM(
A),EEPROM(B)という。
ているE E P ROMを、それぞれEEPROM(
A),EEPROM(B)という。
システムインスツール時、すなわち2個のICソケット
A,Bにいずれも新しいEEPROMが挿着されている
時には、イニシアル処理として操作パネル20から第5
図に示すルーチン「初期セット」の実行を指示する。
A,Bにいずれも新しいEEPROMが挿着されている
時には、イニシアル処理として操作パネル20から第5
図に示すルーチン「初期セット」の実行を指示する。
ルーチン「初期セット」がスタートすると、先ず両方の
E E P ROMをクリアして、すべてのビットをオ
フにする。
E E P ROMをクリアして、すべてのビットをオ
フにする。
つぎに、両方のEEPROMの計数領域にそれぞれ数値
のrlJをセットする。
のrlJをセットする。
さらに、いずれか一方のEEPROM、例えばEEPR
OM(A)を選択して記録用E E P ROM1とし
、その使用フラグと有効フラグをオンにして、エンドに
なる。
OM(A)を選択して記録用E E P ROM1とし
、その使用フラグと有効フラグをオンにして、エンドに
なる。
したがって,予備用EEPROM2となったEEPRO
M(B)の使用フラグと有効フラグはオフのままである
. 記録用EEPROMlとして使用されていた例えばEE
PROM(A)が消去/書き込み保証回数(1 0’)
に達したか消去/書き込みエラーを生じると、後述する
ように使用済となり,もう一方の予備用EEPROM2
であったEEPROM(B)が新しい記録用EEPRO
Mlとして使用され始める. EEPROM(A),(B)のどちらが使用済となった
かは、エラーメッセージとして操作パネルにLED,L
CD等により表示されるか、保守点検時にプリントアウ
トされる。
M(B)の使用フラグと有効フラグはオフのままである
. 記録用EEPROMlとして使用されていた例えばEE
PROM(A)が消去/書き込み保証回数(1 0’)
に達したか消去/書き込みエラーを生じると、後述する
ように使用済となり,もう一方の予備用EEPROM2
であったEEPROM(B)が新しい記録用EEPRO
Mlとして使用され始める. EEPROM(A),(B)のどちらが使用済となった
かは、エラーメッセージとして操作パネルにLED,L
CD等により表示されるか、保守点検時にプリントアウ
トされる。
例えば、EEPROM(A)が使用済となったことが判
明すると、処理中の作業終了後あるいは保守点検時に、
プリンタの電源を一度オフにして,ICソケットAに挿
着されているE E F R O M(A)を新品と交
換し、プリンタの電源を再びオンにして、操作パネル2
0から第6図に示すルーチン「交換後処理」の実行を指
示する。
明すると、処理中の作業終了後あるいは保守点検時に、
プリンタの電源を一度オフにして,ICソケットAに挿
着されているE E F R O M(A)を新品と交
換し、プリンタの電源を再びオンにして、操作パネル2
0から第6図に示すルーチン「交換後処理」の実行を指
示する。
ルーチン「交換後処理」をスタートさせると、先ずオペ
レータが操作パネル20からどちらのE E P RO
Mを交換したかを指示する信号を入力する。
レータが操作パネル20からどちらのE E P RO
Mを交換したかを指示する信号を入力する。
その指示信号が入力すると、その指示されたEEPRO
M例えばEEPROM(A)をクリアしてすべてのビッ
トをオフにし、次にその計数領域に数値の「1」をセッ
トする。
M例えばEEPROM(A)をクリアしてすべてのビッ
トをオフにし、次にその計数領域に数値の「1」をセッ
トする。
つぎに、指示されないEEPROMすなわち記録用EE
PROMiとして使用されているEEPROM(B)の
有効フラグをオンにして、エンドになる。
PROMiとして使用されているEEPROM(B)の
有効フラグをオンにして、エンドになる。
ルーチン「交換後処理」が実行されたことにより,交換
された新しいEEPROM(A)は正式な予備用EEP
ROM2になる, 第7図以降は、動作モードの登録あるいはエラーが生じ
た時のエラーログ記録によるEEPROMの書換えが発
生した場合に、その割込みによってメインルーチンから
ジャンプする書換え処理のためのサブルーチンを示すフ
ロー図である。
された新しいEEPROM(A)は正式な予備用EEP
ROM2になる, 第7図以降は、動作モードの登録あるいはエラーが生じ
た時のエラーログ記録によるEEPROMの書換えが発
生した場合に、その割込みによってメインルーチンから
ジャンプする書換え処理のためのサブルーチンを示すフ
ロー図である。
第7図は、第1の発明による消去/書き込み回数が使用
限界値に達した時にEEPROMを切換えるサブルーチ
ンrsUBIJを示すフU一図である. サブルーチンrsUBIJがスタートすると、先ず動作
モード登録かエラーログ記録かに応じて、書換えデータ
を作成する. つぎに、記録用E E F ROM lの計数領域から
消去/書き込み回数を読出して、インクリメントする. さらに、書換えデータ,書き込み回数に応じたCRC
(サイクリック・リダンダンシイ・チェック)を行って
、そのCRC値を計算する。
限界値に達した時にEEPROMを切換えるサブルーチ
ンrsUBIJを示すフU一図である. サブルーチンrsUBIJがスタートすると、先ず動作
モード登録かエラーログ記録かに応じて、書換えデータ
を作成する. つぎに、記録用E E F ROM lの計数領域から
消去/書き込み回数を読出して、インクリメントする. さらに、書換えデータ,書き込み回数に応じたCRC
(サイクリック・リダンダンシイ・チェック)を行って
、そのCRC値を計算する。
つぎに,インクリメントされた消去/書き込み回数が使
用限界値すなわち保証回数(1 0’)に達したか否か
を判定し、使用限界値に達したら後述するEEPROM
を切換える共通ルーチン(第IC[)のステップAにジ
ャンプする.否すなわち使用限界値に達していなければ
、記録用EEPROMIの対応アドレスに書換えデータ
,消去/書き込み回数,CRC値をストアして、メイン
ルーチンにリターンする. 第10図は、E E P ROMの切換えが必要になっ
た時に、各サブルーチンからジャンプしてくる共通ルー
チンの一例を示すフロー図である.この共通ルーチンの
ステップAにジャンプして、共通ルーチンがスタートす
ると,先ず使用中であった記録用EEPROMlの有効
フラグがオンか否かを判定し,否であれば後述する重要
警告のステップにジャンプする。
用限界値すなわち保証回数(1 0’)に達したか否か
を判定し、使用限界値に達したら後述するEEPROM
を切換える共通ルーチン(第IC[)のステップAにジ
ャンプする.否すなわち使用限界値に達していなければ
、記録用EEPROMIの対応アドレスに書換えデータ
,消去/書き込み回数,CRC値をストアして、メイン
ルーチンにリターンする. 第10図は、E E P ROMの切換えが必要になっ
た時に、各サブルーチンからジャンプしてくる共通ルー
チンの一例を示すフロー図である.この共通ルーチンの
ステップAにジャンプして、共通ルーチンがスタートす
ると,先ず使用中であった記録用EEPROMlの有効
フラグがオンか否かを判定し,否であれば後述する重要
警告のステップにジャンプする。
オンであれば、使用していなかった予備用EEPROM
2の有効フラグがオンか否かを判定し,オンであれば重
要警告のステップにジャンプする。
2の有効フラグがオンか否かを判定し,オンであれば重
要警告のステップにジャンプする。
否すなわちオフであれば、予備用E E P ROM2
から消去/書き込み回数を読出して、それが数値のrl
Jであるか否かを判定し、否であれば重要警告のステッ
プにジャンプする。
から消去/書き込み回数を読出して、それが数値のrl
Jであるか否かを判定し、否であれば重要警告のステッ
プにジャンプする。
「1」であれば、それをインクリメントしてr2jとす
る。
る。
つぎに,記録用EEPROMIからすべての動作モード
とエラーログをRAMII(第3図)に読出し、それに
新しい書換えデータを対応アドレスに相当するエリアに
挿入する。また.後でどちらのEEPROMが使用済み
になったかを調べる時のために.所定のアドレスに相当
するエリアに使用済みにするEEPROMの種類(A)
または(B)の種別コードをストアする。
とエラーログをRAMII(第3図)に読出し、それに
新しい書換えデータを対応アドレスに相当するエリアに
挿入する。また.後でどちらのEEPROMが使用済み
になったかを調べる時のために.所定のアドレスに相当
するエリアに使用済みにするEEPROMの種類(A)
または(B)の種別コードをストアする。
さらに,未使用であり新しく記録用EEPROMとして
使用される予備用EEPROM2に書き込むこれらのデ
ータについて、CRC値を計算する. つぎに,予備用EEPROM2の使用フラグをオンにし
た後、RAMli内の全動作モード,全エラーログ,消
去/書き込み回数,CRC値を書き込む。
使用される予備用EEPROM2に書き込むこれらのデ
ータについて、CRC値を計算する. つぎに,予備用EEPROM2の使用フラグをオンにし
た後、RAMli内の全動作モード,全エラーログ,消
去/書き込み回数,CRC値を書き込む。
このようにして、今までの記録用EEPROM1が使用
済みになり、予備用E E P R O M 2が新し
い記録用E E P ROMとして使用されるようにな
る。
済みになり、予備用E E P R O M 2が新し
い記録用E E P ROMとして使用されるようにな
る。
最後に、使用済みとなったEEPROMの種類(A)ま
たは(B)を操作パネル20に表示した後,メインルー
チンから各サブルーチンにジャンプした番地の次の番地
にリターンする。
たは(B)を操作パネル20に表示した後,メインルー
チンから各サブルーチンにジャンプした番地の次の番地
にリターンする。
しかしながら、先に述べたような各判定によって重要警
告のステップにジャンプして来た原因は、使用済みのE
E P ROMの交換や交換した時に交換後処理(第
6図)を忘れていて、使用中のEEPROMが消去/書
き込みの使用限界値に達して了った場合か、後述するよ
うに消去/書き込みエラーが発生した場合等である。
告のステップにジャンプして来た原因は、使用済みのE
E P ROMの交換や交換した時に交換後処理(第
6図)を忘れていて、使用中のEEPROMが消去/書
き込みの使用限界値に達して了った場合か、後述するよ
うに消去/書き込みエラーが発生した場合等である。
したがって、予備用EEPROMとして使えるEEPR
OMがないから.CPU9が自動的に切換えを行なうこ
とが出来ず、例えばホストマシン30のディスプレイ等
に警告を表示した後,一時停止してオペレータかサービ
スマンの処置を待機する。
OMがないから.CPU9が自動的に切換えを行なうこ
とが出来ず、例えばホストマシン30のディスプレイ等
に警告を表示した後,一時停止してオペレータかサービ
スマンの処置を待機する。
オペレータやサービスマンはどちらのEEPROMに最
新のデータが入っているかを判断して、これらのデータ
を新しく交換したEEPROMに移し変える処理をする
必要がある。
新のデータが入っているかを判断して、これらのデータ
を新しく交換したEEPROMに移し変える処理をする
必要がある。
このようなユーザあるいは保守側の人為的ミスがなけれ
ば、以上述べたように、第1の発明によって、使用中の
記録用EEPROMIが消去/@き込みの使用限界値に
達した時にオペレータの指示がなくても自動的に予備用
EEPROM2に切換えられるから、処理中の作業はそ
のまま続行され、貴重なデータが失われることがない。
ば、以上述べたように、第1の発明によって、使用中の
記録用EEPROMIが消去/@き込みの使用限界値に
達した時にオペレータの指示がなくても自動的に予備用
EEPROM2に切換えられるから、処理中の作業はそ
のまま続行され、貴重なデータが失われることがない。
以上説明したことを整理して次表に示すよう:.L、シ
ステムインスツール時はルーチン「初期セット」(第5
図)の実行により、例えばEEPROM(A)は記録用
EEPROMとなってその使用フラグ,有効フラグは共
にオン、EEPROM(B)は予備用EEPROMとな
ってその使用フラグ,有効フラグは共にオフとなる. EEFROMを切換えるために共通ルーチン(第10図
)が実行されると、EEPROM(A)は使用済となっ
てその両フラグはオンのまま、EEPROM(B)は記
録用EEPROMとなッテソノ使用フラグはオンになる
が有効フラグはオフのままである。
ステムインスツール時はルーチン「初期セット」(第5
図)の実行により、例えばEEPROM(A)は記録用
EEPROMとなってその使用フラグ,有効フラグは共
にオン、EEPROM(B)は予備用EEPROMとな
ってその使用フラグ,有効フラグは共にオフとなる. EEFROMを切換えるために共通ルーチン(第10図
)が実行されると、EEPROM(A)は使用済となっ
てその両フラグはオンのまま、EEPROM(B)は記
録用EEPROMとなッテソノ使用フラグはオンになる
が有効フラグはオフのままである。
EEPROM(A)を新品と交換してルーチン「交換後
処理』(第6図)が実行されると,予備用EEPROM
となる新しいEEPROM(A)の使用フラグ,有効フ
ラグはクリアされて共にオフ、記録用E E P RO
MI’あるEEPROM(B)(711(使用フラグは
オンのまま)有効フラグもオンになる。
処理』(第6図)が実行されると,予備用EEPROM
となる新しいEEPROM(A)の使用フラグ,有効フ
ラグはクリアされて共にオフ、記録用E E P RO
MI’あるEEPROM(B)(711(使用フラグは
オンのまま)有効フラグもオンになる。
註:O・・・オン,X・・・オフ
したがって、電源がオンになってCPU8がイニシアル
セッ1−を実用する時に、EEPROM(A),(B)
の使用フラグのオン,オフを判定して、一方だけオンで
あれば使用フラグがオンである方を記録用EEPROM
Iと判断する。この時、他方は予備用EEPROM2で
ある。
セッ1−を実用する時に、EEPROM(A),(B)
の使用フラグのオン,オフを判定して、一方だけオンで
あれば使用フラグがオンである方を記録用EEPROM
Iと判断する。この時、他方は予備用EEPROM2で
ある。
使用フラグが両方共オンであれば、次に有効フラグのオ
ン,オフを判定して、有効フラグがオフである方を記録
用EEPROMIと判断する。この時、他方は使用済E
EPROMである。
ン,オフを判定して、有効フラグがオフである方を記録
用EEPROMIと判断する。この時、他方は使用済E
EPROMである。
第8図は、第2の発明による消去/書き込みエラーが発
生した時にEEPROMを切換えるサブルーチンrSU
B2Jを示すフロー図である。
生した時にEEPROMを切換えるサブルーチンrSU
B2Jを示すフロー図である。
サブルーチンrSUB2Jがスタートすると、先ず動作
モード登録かエラーログ記録かに応じて、書換えデータ
を作戊する。
モード登録かエラーログ記録かに応じて、書換えデータ
を作戊する。
つぎに、記録用EEPROMIの計数領域から消去/書
き込み回数を読出して、インクリメントする。
き込み回数を読出して、インクリメントする。
さらに、書換えデータ,書き込み回数に応じたCRC値
を計算する。
を計算する。
つぎに、記録用EEPROMIの対応アドレスに書換え
データ,消去/書き込み回数,CRC.+j貞を書き込
んだ後、EEPROMのデータ・ポーリング機能等によ
って書き込まれたデータが正しく書き込まれたか否かを
チェックし、OKならばリターン、否であれば消去/書
き込みエラーが発生したと判定して共通ルーチン(第1
0図)のステップAにジャンプし、EEPROMの切換
えを行なう. フロー図には図示しないが、データが正しく書き込まれ
なかった時は、書き込みとチェックを数回繰返し、それ
でもチェックOKにならない場合に消去/書き込みエラ
ー発生と判定してもよい.以上説明したような、消去/
書き込みエラーが発生した時にEEPROMを切換える
場合には、消去/書き込み回数の記録は必要とされるも
のではないから、省略しても差支えない. 一般に、EEPROMの読出しサイクルは紫外線消去型
EPROMと同様に実用上無限と考えてもよく,そのた
めのエラーは極めて稀である.しかしながら、消去/書
き込みサイクルが或る回数を超えると次第にゲートしき
い電圧やメモリセル・オン電流等が変化してくるために
消去/書き込みエラーが発生するようになるものである
。
データ,消去/書き込み回数,CRC.+j貞を書き込
んだ後、EEPROMのデータ・ポーリング機能等によ
って書き込まれたデータが正しく書き込まれたか否かを
チェックし、OKならばリターン、否であれば消去/書
き込みエラーが発生したと判定して共通ルーチン(第1
0図)のステップAにジャンプし、EEPROMの切換
えを行なう. フロー図には図示しないが、データが正しく書き込まれ
なかった時は、書き込みとチェックを数回繰返し、それ
でもチェックOKにならない場合に消去/書き込みエラ
ー発生と判定してもよい.以上説明したような、消去/
書き込みエラーが発生した時にEEPROMを切換える
場合には、消去/書き込み回数の記録は必要とされるも
のではないから、省略しても差支えない. 一般に、EEPROMの読出しサイクルは紫外線消去型
EPROMと同様に実用上無限と考えてもよく,そのた
めのエラーは極めて稀である.しかしながら、消去/書
き込みサイクルが或る回数を超えると次第にゲートしき
い電圧やメモリセル・オン電流等が変化してくるために
消去/書き込みエラーが発生するようになるものである
。
EEPROMのメーカはロット毎に消去/書き込み回数
の品質管理検査を行なって出荷しているから,平均的な
消去/書き込み回数は保証回数よりも相当多くなってい
る. したがって、第2の発明によれば、個々のEEPROM
の使用寿命を延ばし,データの消滅を防止しなからEE
PROM交換の頻度を減らすことが出来る. さらに.以上説明した第1及び第2の発明を組み合わせ
ることにより、データ消滅防止を更に確実にし、安全性
を増したE E P ROM交換を行なうことも出来る
. 第9図は、第1及び第2の発明を組み合わせた実施例を
示すフロー図である. 同図に示したサブルーチンrSUB3Jは、記録用EE
PROM1に新しいデータを書き込む直前に,サブルー
チンrsUBIJ(第7図)と同様に消去/書き込み回
数のチェックを行ない、新しいデータを書き込んだ直後
にサブルーチンrSUB2」(第8図)と同様に書き込
んだデータのチェックを行なっている. したがって、僅かな使用者危険率ながらも混入している
可能性が有る保証回数以前に消去/書き込みエラーを発
生する素子に対しては書込みデータのチェックが事故を
防止し、使用限界値に達した素子に対しては消去/書き
込み回数チェックが機能して、事故防止の万全を期して
いる。
の品質管理検査を行なって出荷しているから,平均的な
消去/書き込み回数は保証回数よりも相当多くなってい
る. したがって、第2の発明によれば、個々のEEPROM
の使用寿命を延ばし,データの消滅を防止しなからEE
PROM交換の頻度を減らすことが出来る. さらに.以上説明した第1及び第2の発明を組み合わせ
ることにより、データ消滅防止を更に確実にし、安全性
を増したE E P ROM交換を行なうことも出来る
. 第9図は、第1及び第2の発明を組み合わせた実施例を
示すフロー図である. 同図に示したサブルーチンrSUB3Jは、記録用EE
PROM1に新しいデータを書き込む直前に,サブルー
チンrsUBIJ(第7図)と同様に消去/書き込み回
数のチェックを行ない、新しいデータを書き込んだ直後
にサブルーチンrSUB2」(第8図)と同様に書き込
んだデータのチェックを行なっている. したがって、僅かな使用者危険率ながらも混入している
可能性が有る保証回数以前に消去/書き込みエラーを発
生する素子に対しては書込みデータのチェックが事故を
防止し、使用限界値に達した素子に対しては消去/書き
込み回数チェックが機能して、事故防止の万全を期して
いる。
まと、このようにダブルチェックを行なうことにより、
消去/書き込み回数チェックは保証回数ではなく、保証
回数に或る倍率をかけた使用限界値を設定し、その使用
限界値に対してチェックを行なって、E E P RO
M交換の頻度を減少させることも出来る. 以上、第1及び第2の発明を実施例により説明したが、
これらの発明は必ずしも記録用EEPROM,予備用E
EPROMが各l個の場合に限定されるものではなく、
EEPROMに記憶させるデータの量に応じて複数の記
録用E E P ROMを設けたり、EEPROM交換
の頻度に応じて複数の予備用EEPROMを設けてもよ
い.また,このEEFROMと他の不揮発性記憶素子、
例えば電池でバックアップされたRAM等とを併用して
、それぞれの長所を生かした使い分けをすることも出来
るし、電池を交換する前にそのRAMのデータを一時的
に予備用EEPROMに退避させるようにしてもよい. 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明によれば、消去/書き込
み回数を管理することにより障害発生以前に、あるいは
障害が発生しても貴重な情報を失なうことなく、自動的
に予備用EEPROMに切換えて業務処理を続行するE
E P ROMを使用した記憶装置を提供することが
出来る。
消去/書き込み回数チェックは保証回数ではなく、保証
回数に或る倍率をかけた使用限界値を設定し、その使用
限界値に対してチェックを行なって、E E P RO
M交換の頻度を減少させることも出来る. 以上、第1及び第2の発明を実施例により説明したが、
これらの発明は必ずしも記録用EEPROM,予備用E
EPROMが各l個の場合に限定されるものではなく、
EEPROMに記憶させるデータの量に応じて複数の記
録用E E P ROMを設けたり、EEPROM交換
の頻度に応じて複数の予備用EEPROMを設けてもよ
い.また,このEEFROMと他の不揮発性記憶素子、
例えば電池でバックアップされたRAM等とを併用して
、それぞれの長所を生かした使い分けをすることも出来
るし、電池を交換する前にそのRAMのデータを一時的
に予備用EEPROMに退避させるようにしてもよい. 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明によれば、消去/書き込
み回数を管理することにより障害発生以前に、あるいは
障害が発生しても貴重な情報を失なうことなく、自動的
に予備用EEPROMに切換えて業務処理を続行するE
E P ROMを使用した記憶装置を提供することが
出来る。
第1図及び第2図はそれぞれ第1及び第2の発明の基本
的構成を示す機能ブロック図、 第3図はこれらの発明を実施したレーザプリンタの構成
例を示すブロック図5 第4図は同じくそのEEPROMの各データ領域配分の
一例を示すアドレスマップ、 第5図及び第6図は同じくその新規のEEPROMを使
用する際の初期設定ルーチンの一例を示すフロー図, 第7図乃至第9図はそれぞれ第1の発明,第2の発明、
第1及び第2の発明によるサブルーチンの一例を示すフ
ロー図、 第10図は各サブルーチンに共通するEEPROM切換
ルーチンの一例を示すフロー図である. 1・・・記録用EEFROM 2・・・予備用EEPROM 3・・・消去/書き込み手段 4・・・使用回数格納手段 5,6・・・素子切換手段 第3図 −664− ′M1 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図
的構成を示す機能ブロック図、 第3図はこれらの発明を実施したレーザプリンタの構成
例を示すブロック図5 第4図は同じくそのEEPROMの各データ領域配分の
一例を示すアドレスマップ、 第5図及び第6図は同じくその新規のEEPROMを使
用する際の初期設定ルーチンの一例を示すフロー図, 第7図乃至第9図はそれぞれ第1の発明,第2の発明、
第1及び第2の発明によるサブルーチンの一例を示すフ
ロー図、 第10図は各サブルーチンに共通するEEPROM切換
ルーチンの一例を示すフロー図である. 1・・・記録用EEFROM 2・・・予備用EEPROM 3・・・消去/書き込み手段 4・・・使用回数格納手段 5,6・・・素子切換手段 第3図 −664− ′M1 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 記録用EEPROMと、その記録用EEPROMを
バックアップするための予備用EEPROMと、それら
のEEPROMにデータの消去/書き込みを行なう消去
/書き込み手段と、 その消去/書き込み手段によつて前記記録用EEPRO
Mに消去/書き込みを行なう毎に、その記録用EEPR
OMの所定エリアにその消去/書き込み回数をストアす
る使用回数格納手段と、その使用回数格納手段によつて
ストアされた前記消去/書き込み回数が所定の使用限界
値に達した時に、消去/書き込みに使用するEEPRO
Mを前記記録用EEPROMから前記予備用EEPRO
Mに切換えるEEPROM切換手段とを備えたことを特
徴とするEEPROMを使用した記憶装置。 2 記録用EEPROMと、その記録用EEPROMを
バックアップするための予備用EEPROMと、それら
のEEPROMにデータの消去/書き込みを行なう消去
/書き込み手段と、 その消去/書き込み手段によつて前記記録用EEPRO
Mに消去/書き込みを行なつて書き込みエラーが発生し
た時に、消去/書き込みに使用するEEPROMを前記
記録用EEPROMから前記予備用EEPROMに切換
えるEEPROM切換手段とを備えたことを特徴とする
EEPROMを使用した記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1162396A JPH0325798A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Eepromを使用した記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1162396A JPH0325798A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Eepromを使用した記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0325798A true JPH0325798A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15753796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1162396A Pending JPH0325798A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Eepromを使用した記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0325798A (ja) |
Cited By (14)
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---|---|---|---|---|
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JP2008217811A (ja) * | 2008-04-03 | 2008-09-18 | Hitachi Ltd | 不揮発メモリを使用したディスク制御装置 |
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-
1989
- 1989-06-23 JP JP1162396A patent/JPH0325798A/ja active Pending
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