JPH03247641A - Semiconductive composition - Google Patents

Semiconductive composition

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JPH03247641A
JPH03247641A JP4249290A JP4249290A JPH03247641A JP H03247641 A JPH03247641 A JP H03247641A JP 4249290 A JP4249290 A JP 4249290A JP 4249290 A JP4249290 A JP 4249290A JP H03247641 A JPH03247641 A JP H03247641A
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JP
Japan
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ethylene
alkyl acrylate
rubber
carbon black
weight
Prior art date
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Pending
Application number
JP4249290A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiyuki Inoue
喜之 井上
Yoitsu Sekiguchi
洋逸 関口
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a semiconductive composition suitable as an inner (outer) semiconductive layer of a solid insulating cable by mixing ethylene-propylene- based copolymer rubber and ethylene-alkyl acrylate-based copolymer with carbon black. CONSTITUTION:100 pts.wt. polymer base material composed of (A) 5-70 pts.wt. ethylene-propylene-based copolymer rubber (EP rubber or EPT rubber) and (B) 95-30 pt.wt., preferably 90-40 pts.wt. ethylene-alkyl acrylate-based copolymer containing 1-35wt.%, preferably 2-25wt.% alkyl acrylate unit (preferably ethyl acrylate) having preferably <=30g/10min, especially 0.5-25g/10min is mixed with (C) 30-90 pts.wt. carbon black (preferably acetylene black) and lubricant, antioxidant, filler or crosslinking agent, etc., as necessary, to afford the aimed semiconductive composition.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、架橋ポリエチレンなどを絶縁体とする固体絶
縁ケーブルの内部半導電層及び外部半導電層として好適
な半導電性組成物に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a semiconducting composition suitable as an inner semiconducting layer and an outer semiconducting layer of a solid insulated cable whose insulator is crosslinked polyethylene or the like.

(従来の技術) 架橋ポリエチレンなどを絶縁体とする、いわゆるC■ケ
ーブルに用いられる内部及び外部半導電層は、高分子基
材にカーボンブランクを配合したものが一般に用いられ
る。この時に、高分子基材としては、カーボンブラック
を高濃度に充填する必要から、エチレン−酢酸ビニル共
重合体(以下、EVAという)が最も多くの場合に用い
られており、その他に、エチレン−エチルアクリレート
共重合体(以下、EEAという)などが用いられている
(特開昭63−205340号公報)。
(Prior Art) The inner and outer semiconductive layers used in so-called C■ cables, which use cross-linked polyethylene or the like as an insulator, are generally made of a polymer base material mixed with a carbon blank. At this time, as the polymer base material, ethylene-vinyl acetate copolymer (hereinafter referred to as EVA) is most often used because it is necessary to fill carbon black in a high concentration. Ethyl acrylate copolymer (hereinafter referred to as EEA) is used (Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-205340).

(発明が解決しようとする課題) 従来、この種の半導電性組成物は、高分子基材としての
EVAないしEEAがその重合時に生しる非常に高分子
量化した成分(ポリマーゲル)を含むこと、及びEVA
ないしEEAとカーボンブラックを混合する時に、カー
ボンブラックの分散不良が生じることの2つの理由によ
り、ケーブルに被覆した時に、絶縁層と半導電層との界
面に小さい突起が生しるという問題があった。
(Problem to be Solved by the Invention) Conventionally, this type of semiconductive composition contains a component (polymer gel) with a very high molecular weight produced when EVA or EEA as a polymer base material is polymerized. Koto, and EVA
Also, when mixing EEA and carbon black, there are two reasons for the poor dispersion of carbon black, which causes the problem that small protrusions are formed at the interface between the insulating layer and the semiconductive layer when the cable is coated. Ta.

(課題を解決するための手段) 本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、半
導電層を構成する高分子基材として、エチレン−プロピ
レン系共重合体ゴムにエチレンアクリル酸アルキル系共
重合体を混合した特定のオレフィン系重合体ブレンドを
用いることにより、絶縁層と半導電層との界面に小さい
突起が生じないことを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
(Means for Solving the Problems) As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors have developed an ethylene-propylene copolymer rubber with an ethylene alkyl acrylate-based copolymer as a polymer base material constituting a semiconductive layer. The present inventors have discovered that by using a specific olefin polymer blend, small protrusions do not occur at the interface between the insulating layer and the semiconducting layer, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は: ■ エチレン−プロピレン系共重合体ゴム5〜70重量
部とエチレン−アクリル酸アルキル系共重合体95〜3
0重量部とを含む高分子基材に、カーボンブラックを配
合してなる、半導電性組成物を提供するものであり、ま
た ■ カーボンブランクが、アセチレンブラックである点
にも特徴があり、さらに ■ エチレン−アクリル酸アルキル系共重合体のメルト
フローレートが、30g/10分以下である点にも特徴
がある。
That is, the present invention includes: (1) 5 to 70 parts by weight of ethylene-propylene copolymer rubber and 95 to 3 parts by weight of ethylene-alkyl acrylate copolymer;
The present invention provides a semiconductive composition comprising carbon black blended into a polymer base material containing 0 parts by weight, and is also characterized in that the carbon blank is acetylene black; (2) Another feature is that the melt flow rate of the ethylene-alkyl acrylate copolymer is 30 g/10 minutes or less.

さらに、本発明を具体的に説明する。Furthermore, the present invention will be specifically explained.

本発明に使用するエチレン−プロピレン系共重合体ゴム
としては、いわゆるEPゴム、EPTゴムと称されるエ
チレン−プロピレン二元共重合体ゴム、エチレン−プロ
ピレン−共役または非共役ジエンの三元共重合体ゴムな
どが挙げられる。
The ethylene-propylene copolymer rubber used in the present invention includes ethylene-propylene binary copolymer rubber called EP rubber, EPT rubber, and terpolymer ethylene-propylene conjugated or non-conjugated diene copolymer rubber. Examples include composite rubber.

また、EPTゴムを構成するジエン成分としては、例え
ば1.4−へキサジエン、ジシクロペンタジェン、5−
エチリデン−2−ノルポル7ンなどの非共役ジエンを好
ましく使用できる。
In addition, examples of the diene component constituting the EPT rubber include 1,4-hexadiene, dicyclopentadiene, 5-
Non-conjugated dienes such as ethylidene-2-norpol-7one can be preferably used.

本発明に使用するエチレン−アクリル酸アルキル系共重
合体としては、該共重合体中のアクリル酸アルキル単位
の含を量が1〜35重量%、好ましくは2〜25重量%
の範囲のものであり、かつエチレン−アクリル酸アルキ
ル共重合体、並びにその機能を損なわない範囲の少量で
該共重合成分に他の第3のオレフィン系化合物(例えば
、塩化ビニル、酢酸ビニル、アクリル酸、マレイン酸、
無水マレイン酸など)を共重合したものも含まれる。
The ethylene-alkyl acrylate copolymer used in the present invention has an alkyl acrylate unit content of 1 to 35% by weight, preferably 2 to 25% by weight.
and ethylene-alkyl acrylate copolymer, as well as other third olefinic compounds (e.g., vinyl chloride, vinyl acetate, acrylic acid, maleic acid,
It also includes copolymers of maleic anhydride, etc.).

また、共重合成分である該アクリル酸アルキルとして、
アクリル酸メチル、エチル、イソプロピル、ヘキシルな
どを挙げることができ、特にエチレン−アクリル酸エチ
ル共重合体が好ましく使用できる。
In addition, as the alkyl acrylate which is a copolymerization component,
Examples include methyl acrylate, ethyl, isopropyl, hexyl and the like, with ethylene-ethyl acrylate copolymer being particularly preferred.

さらに、上記エチレン−アクリル酸アルキル系共重合体
は、そのメルトフローレート(以下、MFRという)が
190°Cで荷重2,160g下で30g/10分以下
のものが望ましく、特に好ましくは0.5〜25g/1
0分程度である。
Further, the above-mentioned ethylene-alkyl acrylate copolymer preferably has a melt flow rate (hereinafter referred to as MFR) of 30 g/10 minutes or less at 190°C and under a load of 2,160 g, particularly preferably 0. 5-25g/1
It takes about 0 minutes.

そのMFRが、30g/10分を越えると、小突起が出
来易くなる。
When the MFR exceeds 30 g/10 minutes, small protrusions are likely to form.

半導電層を構成する高分子基材の構成比としては、エチ
レン−プロピレン系共重合体ゴム5〜70重量部、好ま
しくは10〜60重量部とエチレン−アクリル酸アルキ
ル系共重合体95〜30重量部、好ましくは90〜40
重量部とを主体とするブレンドが望ましい。
The composition ratio of the polymer base material constituting the semiconductive layer is 5 to 70 parts by weight of ethylene-propylene copolymer rubber, preferably 10 to 60 parts by weight, and 95 to 30 parts by weight of ethylene-alkyl acrylate copolymer. Parts by weight, preferably 90-40
A blend consisting mainly of parts by weight is desirable.

エチレン−プロピレン系共重合体ゴムの混合量が5重量
部未満では、ブレンドするエチレン−アクリル酸アルキ
ル系共重合体から生ずるポリマーゲルが多くなり、半導
電層に突起を形成するようになり、またカーボンの分散
性も悪くなる。
If the amount of ethylene-propylene copolymer rubber mixed is less than 5 parts by weight, a large amount of polymer gel will be produced from the ethylene-alkyl acrylate copolymer to be blended, forming protrusions on the semiconductive layer, and Carbon dispersibility also deteriorates.

また、エチレン−プロピレン系共重合体ゴムの混合量が
70重量部を越えると、半導電層が粘着性の高いものと
なって取り扱い難いものとなる。
Furthermore, if the amount of the ethylene-propylene copolymer rubber mixed exceeds 70 parts by weight, the semiconductive layer becomes highly sticky and difficult to handle.

半導電層を構成する上記高分子基材には、前記エチレン
−プロピレン系共重合体ゴムとエチレンアクリル酸アル
キル系共重合体との他に、これらの機能を損なわない範
囲の少量で他のポリオレフィン系材料、例えばポリエチ
レン、エチレン酢酸ビニル系共重合体などを含ませても
よい。
In addition to the ethylene-propylene copolymer rubber and the ethylene alkyl acrylate copolymer, the polymer base material constituting the semiconductive layer may contain other polyolefins in small amounts that do not impair these functions. It may also contain a material such as polyethylene, ethylene vinyl acetate copolymer, etc.

このような高分子基材に半S電性を付与するためには、
カーボンブラック、例えば導電性カーボンブラックを配
合する必要がある。
In order to impart semi-S conductivity to such a polymer base material,
It is necessary to incorporate carbon black, for example conductive carbon black.

二のカーボンブラックとしては、前述の小突起の低減の
ためには、アセチレンブラックが特に好ましく使用でき
る。
As the second carbon black, acetylene black can be particularly preferably used in order to reduce the aforementioned small protrusions.

このカーボンブラックの配合量は、半導電層に要求され
る導電性を考慮して決定されるが、一般には上記高分子
基材100重量部当たり30〜90重量部が用いられる
The amount of carbon black to be blended is determined in consideration of the conductivity required of the semiconductive layer, but generally 30 to 90 parts by weight is used per 100 parts by weight of the polymer base material.

本発明の半導電性組成物には、必要に応して滑剤、酸化
防止剤、充填剤、架橋剤、架橋助剤などの種々の添加剤
を配合することができる。
The semiconductive composition of the present invention may contain various additives such as a lubricant, an antioxidant, a filler, a crosslinking agent, and a crosslinking aid, if necessary.

特に、滑剤としては、例えばステアリン酸、ステアリン
酸亜鉛などを;酸化防止剤としては、例えば4,4”−
チオビス(6−t−ブチル−3メチルフエノール)など
を;充填剤としては、炭酸カルシウム、クレー、マグネ
シア、酸化亜鉛などを;架橋剤としては、ジクミルパー
オキサイド、2.5−ジメチル−2,5−ジ(L−ブチ
ルパーオキシ)ヘキシン−3などの有機過酸化物系架橋
剤を;架橋助剤としては、トリアリルイソシアヌレート
、トリアリルシアヌレート、テトラアリルオキシエタン
、m−フェニレンビスマレイミドなどが好ましく使用で
きる。
In particular, as a lubricant, for example, stearic acid, zinc stearate, etc.; as an antioxidant, for example, 4,4"-
Thiobis (6-t-butyl-3 methylphenol), etc.; fillers include calcium carbonate, clay, magnesia, zinc oxide, etc.; crosslinking agents include dicumyl peroxide, 2.5-dimethyl-2, An organic peroxide crosslinking agent such as 5-di(L-butylperoxy)hexyne-3; As a crosslinking aid, triallyl isocyanurate, triallyl cyanurate, tetraallyloxyethane, m-phenylene bismaleimide etc. can be preferably used.

そして、このような組成の本発明の半導電性組成物を用
いて半導電層を形成するには、例えば押出被覆法などを
適用して行うことができる。
A semiconductive layer can be formed using the semiconductive composition of the present invention having such a composition by applying, for example, an extrusion coating method.

この際に、上記有機過酸化物などを用いる化学架橋で架
橋させても、あるいは場合により電離性放射線による架
橋を行ってもよい。
At this time, crosslinking may be carried out by chemical crosslinking using the above-mentioned organic peroxide or the like, or crosslinking by ionizing radiation may be carried out depending on the case.

(作用) ■ 本発明において、エチレン−プロピレン系共重合体
ゴムを用いたので、ポリマーゲルの形成が従来のEVA
、EEA等と比べて少なく、かつカーボンの配合時にカ
ーボンの分散不良が生しにくい。
(Function) ■ In the present invention, since ethylene-propylene copolymer rubber is used, the formation of polymer gel is different from that of conventional EVA.
, compared to EEA, etc., and less likely to cause poor dispersion of carbon when blending carbon.

■ 一方、エチレン−アクリル酸アルキル系共重合体を
用いたので、エチレン−プロピレン系共重合体ゴムのみ
を用いたのでは、得られた半導電性組成物で半導電層を
形成した場合に、非常に粘着性が高くなり実用上取り扱
いに(い問題点が回避される。
■On the other hand, since an ethylene-alkyl acrylate copolymer was used, if only an ethylene-propylene copolymer rubber was used, when a semiconductive layer was formed with the obtained semiconductive composition, It becomes extremely sticky, which avoids practical handling problems.

また、EVAを用いずに、エチレン−アクリル酸アルキ
ル系共重合体を選択したので、EVAとエチレン−プロ
ピレン系共重合体ゴムとを混合した場合に小突起の個数
が増加するのに比較して、そのような現象が生じない。
In addition, since we selected an ethylene-alkyl acrylate copolymer without using EVA, the number of small protrusions increases compared to when EVA and ethylene-propylene copolymer rubber are mixed. , such a phenomenon does not occur.

その機構は、未だ判っていないが、EVA又はエチレン
−アクリル酸アルキル系共重合体と、エチレン−プロピ
レン系共重合体ゴムとの相溶性の差に起因するものと考
えられる。
Although the mechanism is not yet clear, it is thought to be due to the difference in compatibility between EVA or ethylene-alkyl acrylate copolymer and ethylene-propylene copolymer rubber.

■ 本発明において、使用するカーボンブランクとして
は、アセチレンブランクであることが望ましい。
(2) In the present invention, the carbon blank used is preferably an acetylene blank.

その理由は、最も汎用のオイルを原料とするファーネス
ブラックは、原料中に不純物が多いことから、高分子基
材中に配合した場合に分散不良となり易い成分が多く、
かつ小突起が出来易いためである。
The reason for this is that furnace black, which is made from the most commonly used oil, has many impurities in the raw material, so there are many components that tend to cause poor dispersion when blended into a polymer base material.
This is also because small protrusions are easily formed.

■ エチレン−アクリル酸アルキル系共重合体のMFR
は、30以下、好ましくは0,5〜25のイ直が望まし
い。
■ MFR of ethylene-alkyl acrylate copolymer
is preferably 30 or less, preferably 0.5 to 25.

このMFRが30を越え、VFRが大きくなると(すな
わち、分子量が低くなると)、小突起が出来やすい。
When the MFR exceeds 30 and the VFR increases (that is, when the molecular weight decreases), small protrusions are likely to be formed.

この理由は、混合時にエチレン−プロピレン系共重合体
ゴムとエチレン−アクリル酸アルキル系共重合体との粘
度が違いすぎるために両者の分散が悪くなるとか、ある
いはエチレン−アクリル酸アルキル系共重合体の分子量
が低くいために、その重合時にポリマーゲルが生し易く
なるためと考えられる。
The reason for this is that the viscosity of the ethylene-propylene copolymer rubber and the ethylene-alkyl acrylate copolymer is too different during mixing, resulting in poor dispersion of the two, or This is thought to be because the molecular weight of the compound is low, making it easier to form a polymer gel during polymerization.

(実施例) 本発明を以下の実施例により詳細に説明するが、これら
は本発明の範囲を制限しない。
(Examples) The present invention will be explained in detail by the following examples, but these do not limit the scope of the present invention.

14m”の撚り線導体上に1m+++厚の内部半導電層
、3閣厚のXLPE (低密度ポリエチレン)絶縁層、
及び1ma+厚の第1表に示す配合の外部半導電層を順
次押出被覆し、赤外線ヒーターで140°Cで加熱し、
モデルケーブルを作製した。
14m” stranded conductor with 1m+++ thick internal semi-conducting layer, 3mm thick XLPE (low density polyethylene) insulation layer,
and an outer semiconductive layer having a composition shown in Table 1 with a thickness of 1 ma+ was sequentially extruded and coated, heated at 140 ° C with an infrared heater,
A model cable was created.

これらのモデルケーブルから1m厚のスライス片を切り
出し、光学顕微鏡で絶縁層と外部導電層の界面を観察し
た6 その結果、見つかった高さ10μm以上の小突起を、比
較例1を1とした相対数で第1表に示す。
Slices of 1 m thickness were cut from these model cables and the interface between the insulating layer and the external conductive layer was observed using an optical microscope6. The numbers are shown in Table 1.

また、出来上がったケーブル表面の粘着性を触感で調べ
、同様に第1表に示した。
In addition, the tackiness of the surface of the finished cable was examined by touch and is also shown in Table 1.

なお、実施例で使用した各材料は以下の通りである。The materials used in the examples are as follows.

EVA−1:三片・デュポンポリケミカル製、エバフレ
ックスEV450 (MFR15)EEA−1:三片・
デュポンポリケミカル製、エバフレックスA−707(
MFR25)EEA−2:三片・デュポンポリケミカル
製、エバフレックスA−701(MFR5)EEA−3
:三片・デュポンポリケミカル製、エバフレックスA−
104(MFR275)EPゴム :住人化学■製、ニ
スプレン 301アセチレンブランク:電気化学■製、
デンカブラック、 ファーネスブラック:東海カーボン■製、ジーストSO
1 酸化防止剤:住人化学■製、スミライザーWX−R。
EVA-1: Mikata, manufactured by DuPont Polychemical, Evaflex EV450 (MFR15) EEA-1: Mikata,
Manufactured by DuPont Polychemical, Evaflex A-707 (
MFR25) EEA-2: Mikata, manufactured by DuPont Polychemicals, Evaflex A-701 (MFR5) EEA-3
: Mikata, manufactured by DuPont Polychemical, Evaflex A-
104 (MFR275) EP rubber: Manufactured by Susumu Kagaku ■, Nisprene 301 Acetylene blank: Manufactured by Denki Kagaku ■,
Denka black, Furnace black: Manufactured by Tokai Carbon ■, Geast SO
1 Antioxidant: Sumilizer WX-R, manufactured by Susumu Kagaku ■.

滑剤:       ステアリン酸亜鉛、有m過酸化物
二日本油脂■製、ジクミルパーオキサイド。
Lubricant: Zinc stearate, Nippon Yushi Corporation, dicumyl peroxide.

比較例1〜2と実施例1とを比較すると、EVAlある
いはEEA単独使用と比べて、EEAとEPゴムとのブ
レンドは高分子基材として用いると、絶縁層と半導電層
との界面の小突起数が非常に少なくなるのが判る。
Comparing Comparative Examples 1 and 2 with Example 1, it is found that when the blend of EEA and EP rubber is used as a polymeric base material, the interface between the insulating layer and the semiconducting layer is smaller than when EVAl or EEA is used alone. It can be seen that the number of protrusions is significantly reduced.

しかし、比較例4のように、EEAに混合するEPゴム
の量が少ないブレンドでは、上記の効果が殆どないこと
が判る。
However, it can be seen that in a blend in which the amount of EP rubber mixed with EEA is small, as in Comparative Example 4, the above effect is almost absent.

次に、比較例7と実施例1とを比較すると、アセチレン
ブラックを配合する実施例1が界面の小突起数が非常に
少な(で、アセチレンブラックの使用が望ましいことが
判る。
Next, when Comparative Example 7 and Example 1 are compared, it can be seen that Example 1, in which acetylene black is blended, has a very small number of small protrusions at the interface (and therefore, it is desirable to use acetylene black).

また、実施例1.3と比較例6とを比較すると、使用す
るEEAのMFR値は25以下程度に低いことが望まし
いことが判る。
Furthermore, a comparison between Example 1.3 and Comparative Example 6 shows that it is desirable that the MFR value of the EEA used be as low as about 25 or less.

さらに、実施例4の結果を他の実施例と比べると、有機
過酸化物による架橋を施してもその効果に変わりがない
ことが判る。
Furthermore, when the results of Example 4 are compared with other examples, it can be seen that there is no difference in the effect even if crosslinking is performed using an organic peroxide.

(発明の効果) 以上説明したように、本発明の半導電性組成物では、C
■ケーブルの絶縁体と半導電層との間に存在する小突起
数を減らすことが出来る。
(Effects of the Invention) As explained above, in the semiconductive composition of the present invention, C
■The number of small protrusions existing between the cable insulator and the semiconducting layer can be reduced.

従って、特に、超高圧C■ケーブルの分野において、そ
の半導電層用に用いれば初期及び長期のケーブル性能を
向上できる。
Therefore, especially in the field of ultra-high voltage C■ cables, the initial and long-term performance of the cable can be improved if used for the semiconducting layer thereof.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)エチレン−プロピレン系共重合体ゴム5〜70重
量部とエチレン−アクリル酸アルキル系共重合体95〜
30重量部とを含む高分子基材に、カーボンブラックを
配合してなることを特徴とする、半導電性組成物。
(1) 5 to 70 parts by weight of ethylene-propylene copolymer rubber and 95 to 95 parts by weight of ethylene-alkyl acrylate copolymer
1. A semiconductive composition comprising carbon black and a polymer base material containing 30 parts by weight of carbon black.
(2)カーボンブラックが、アセチレンブラックである
ことを特徴とする、請求項(1)記載の半導電性組成物
(2) The semiconductive composition according to claim (1), wherein the carbon black is acetylene black.
(3)エチレン−アクリル酸アルキル系共重合体のメル
トフローレートが、30g/10分以下であることを特
徴とする、請求項(1)ないし(2)記載の半導電性組
成物。
(3) The semiconductive composition according to any one of claims (1) and (2), wherein the ethylene-alkyl acrylate copolymer has a melt flow rate of 30 g/10 minutes or less.
JP4249290A 1990-02-26 1990-02-26 Semiconductive composition Pending JPH03247641A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5747563A (en) * 1995-03-20 1998-05-05 Cabot Corporation Polyethylene glycol treated carbon black and compounds thereof
US6525119B2 (en) 1999-06-09 2003-02-25 Nippon Unicar Company Limited Cable semiconductive shield compositions

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