JPH03244143A - 減圧cvd膜生成装置用ウエハホルダ - Google Patents
減圧cvd膜生成装置用ウエハホルダInfo
- Publication number
- JPH03244143A JPH03244143A JP2039781A JP3978190A JPH03244143A JP H03244143 A JPH03244143 A JP H03244143A JP 2039781 A JP2039781 A JP 2039781A JP 3978190 A JP3978190 A JP 3978190A JP H03244143 A JPH03244143 A JP H03244143A
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- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 93
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、ウェハに均一な膜厚を生成する縦形の減圧
CVD膜生成装置用ウェハホルダに関するものである。
CVD膜生成装置用ウェハホルダに関するものである。
[従来の技術]
第4図は一般に使用されている縦形の減圧CVD膜生成
装置の概略側面図を示し、この図において、(1)は炉
心管、(2)は炉心管(1〉の外周に配置されたヒータ
、(3)は炉心管(1)内に昇降機構(図示しない)を
介して出し入れされる石英ボード、(4)は石英ボード
(3)内にウェハホルダ(図示せず)に保持され所定の
間隔を有して積層されたウェハ、(5)は石英ボード〈
3)の底部に形成されたガス供給口、(6〉は炉心管(
1〉の下部に形成されガス供給口(5〉より供給された
ガスの排出口を示す。
装置の概略側面図を示し、この図において、(1)は炉
心管、(2)は炉心管(1〉の外周に配置されたヒータ
、(3)は炉心管(1)内に昇降機構(図示しない)を
介して出し入れされる石英ボード、(4)は石英ボード
(3)内にウェハホルダ(図示せず)に保持され所定の
間隔を有して積層されたウェハ、(5)は石英ボード〈
3)の底部に形成されたガス供給口、(6〉は炉心管(
1〉の下部に形成されガス供給口(5〉より供給された
ガスの排出口を示す。
このように構成された縦形の減圧CVD膜生成装置は、
炉心管(1)内の圧力が数Torr以下の雰囲気でガス
の供給とヒータ(2〉の輻射熱とによりガス対流を生じ
させ、ウェハ(4)上にCVD膜を生成する。
炉心管(1)内の圧力が数Torr以下の雰囲気でガス
の供給とヒータ(2〉の輻射熱とによりガス対流を生じ
させ、ウェハ(4)上にCVD膜を生成する。
次に、従来のウェハホルダを第5図(^)、(B)に示
す。第5図(^)はウェハホルダの斜視図、第5図(B
)はウェハ(4)をウェハホルダに保持した状態の断面
図である。この図において、り7〉はウェハホルダ本体
、(8)はウェハホルダ本体(7)の平面上に複数個固
定されたウェハ保持部材を示す。
す。第5図(^)はウェハホルダの斜視図、第5図(B
)はウェハ(4)をウェハホルダに保持した状態の断面
図である。この図において、り7〉はウェハホルダ本体
、(8)はウェハホルダ本体(7)の平面上に複数個固
定されたウェハ保持部材を示す。
従って、ウェハ保持部材<7)にウェハ(4)が載置保
持される構成であるが、均一な生成膜厚を必要とするウ
ェハ(4)の被膜生成面(4a〉はウェハホルダ本体(
7)と対面しなように配置され、しかも、ウェハホルダ
本体(7)とウェハ(4)との間に一定の間隔(h)を
有している。そして、ウェハホルダ本体(7)の外周の
みでガスの乱流を発生させるようにし、ウェハ(4)で
のガス対流は均一化し、ウェハ(4)に生成される膜厚
は一定にならしめるようにしている。
持される構成であるが、均一な生成膜厚を必要とするウ
ェハ(4)の被膜生成面(4a〉はウェハホルダ本体(
7)と対面しなように配置され、しかも、ウェハホルダ
本体(7)とウェハ(4)との間に一定の間隔(h)を
有している。そして、ウェハホルダ本体(7)の外周の
みでガスの乱流を発生させるようにし、ウェハ(4)で
のガス対流は均一化し、ウェハ(4)に生成される膜厚
は一定にならしめるようにしている。
[発明が解決しようとする課題]
上記のような従来の減圧CVD膜生成装置用ウェハホル
ダは、ウェハホルダ本体(7〉の直径に比べてウェハ(
4)の直径が小さくなっているので、ウェハ(4)の周
辺部でのガス対流をウェハホルダ本体(7)の周辺部に
比べ小さく、ウェハ(4〉の周辺部に生成される膜の厚
さを軽減することができるものの、ウェハ(4)自身に
も段差があるので、ウェハ(4)の周辺部が中央部に比
べて膜が厚くなる問題点があった。また、被膜生成面(
4a〉は上向きで配設されているので、被膜生成面(4
a〉にパーティクルが堆積し、付着するという問題点も
あった。
ダは、ウェハホルダ本体(7〉の直径に比べてウェハ(
4)の直径が小さくなっているので、ウェハ(4)の周
辺部でのガス対流をウェハホルダ本体(7)の周辺部に
比べ小さく、ウェハ(4〉の周辺部に生成される膜の厚
さを軽減することができるものの、ウェハ(4)自身に
も段差があるので、ウェハ(4)の周辺部が中央部に比
べて膜が厚くなる問題点があった。また、被膜生成面(
4a〉は上向きで配設されているので、被膜生成面(4
a〉にパーティクルが堆積し、付着するという問題点も
あった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたものであり、ウェハの被膜生成面への膜厚を均一に
すると共に、パーティクルがウェハの被膜生成面に付着
しないようにした減圧CVD膜生成装置用ウェハホルダ
を提供することを目的とする。
れたものであり、ウェハの被膜生成面への膜厚を均一に
すると共に、パーティクルがウェハの被膜生成面に付着
しないようにした減圧CVD膜生成装置用ウェハホルダ
を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明に係る減圧CVD膜生成装置用ウェハホルダは
、ウェハホルダ本体にはウェハを収容する孔を設け、ま
たこの孔の下部周縁部にウェハ落下防止用の保持突部を
設けたものである。
、ウェハホルダ本体にはウェハを収容する孔を設け、ま
たこの孔の下部周縁部にウェハ落下防止用の保持突部を
設けたものである。
[作 用]
この発明においては、ウェハホルダ本体の孔内にウェハ
の表面がウェハホルダの表面と同一面になるように配設
した場合には、ウェハとウェハホルダとの間には段差が
なく、ウェハホルダの周辺はガスの乱流が発生するが、
ウェハの周辺でのガスの乱流は抑制される。また、ウェ
ハの被膜生成面を下向に設置した場合には、被膜生成面
におけるパーティクルの堆積や付着は減少する。
の表面がウェハホルダの表面と同一面になるように配設
した場合には、ウェハとウェハホルダとの間には段差が
なく、ウェハホルダの周辺はガスの乱流が発生するが、
ウェハの周辺でのガスの乱流は抑制される。また、ウェ
ハの被膜生成面を下向に設置した場合には、被膜生成面
におけるパーティクルの堆積や付着は減少する。
[実施例]
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第1図および第2図はこの発明の一実施例のウェハホル
ダの斜視図およびウェハホルダにウェハを保持した状能
の断面図で、先に説明した第4図および第5図(^)、
(B)と同一または相当部分は同一符号を付し、その説
明は省略する。
ダの斜視図およびウェハホルダにウェハを保持した状能
の断面図で、先に説明した第4図および第5図(^)、
(B)と同一または相当部分は同一符号を付し、その説
明は省略する。
図において、(10)はウェハホルダ本体(7a)に形
成されたウェハ(4〉を収容する孔、(11〉は孔(1
0)の下部周縁部に形成されたウェハ落下防止用の保持
突部である。孔(10)の内径はウェハ(4)の外径よ
りもやや大きく形成されている。保持突部(11)は孔
(10)の下部周縁部にリング状にウェハホルダ本体(
7a)と一体に形成されている。また、ウェハホルダ本
体(7a)の厚みはウェハ(4)の厚みより大きく、ウ
ェハ(4)とウェハホルダ本体(7a)の孔(10)に
収容したとき、ウェハ(4)の外表面はウニハホルダ本
体(7a〉の外表面に対して同一平面内にある。また、
孔(10)に収容されたウェハ(4)の被膜生成面(4
a)は、保持突部(11)に当接し、所謂ウェハ(4)
の被膜生成面(4a)は下向になるように孔(10)に
収容されている。
成されたウェハ(4〉を収容する孔、(11〉は孔(1
0)の下部周縁部に形成されたウェハ落下防止用の保持
突部である。孔(10)の内径はウェハ(4)の外径よ
りもやや大きく形成されている。保持突部(11)は孔
(10)の下部周縁部にリング状にウェハホルダ本体(
7a)と一体に形成されている。また、ウェハホルダ本
体(7a)の厚みはウェハ(4)の厚みより大きく、ウ
ェハ(4)とウェハホルダ本体(7a)の孔(10)に
収容したとき、ウェハ(4)の外表面はウニハホルダ本
体(7a〉の外表面に対して同一平面内にある。また、
孔(10)に収容されたウェハ(4)の被膜生成面(4
a)は、保持突部(11)に当接し、所謂ウェハ(4)
の被膜生成面(4a)は下向になるように孔(10)に
収容されている。
以上の槽底において、ウェハ(4〉はウェハホルダ本体
(7〉の孔(10)に収容され、しかもウェハ(4〉の
外表面がウェハホルダ本体(7a)の外表面に同一平面
内になるようにしたので、対流ガスはウェハホルダ本体
(7a)の周辺部で乱流を起すのみであり、ウェハ(4
)の表面上ではガスの乱流が発生せずCVD膜は均一と
なる。また、ウェハ(4)の被膜生成面(4a)が下向
きに配置されているために、パーティクルの付着作用が
減少される。また、ウェハホルダ本体(7a)からウェ
ハ(4〉を着脱するに際し、ウェハ(4)の裏面(上側
)をエアーチャック等で行なうようにすれば、ウェハ(
4)の被膜生成面(4a)には外部から何ら触れられる
ことがない。
(7〉の孔(10)に収容され、しかもウェハ(4〉の
外表面がウェハホルダ本体(7a)の外表面に同一平面
内になるようにしたので、対流ガスはウェハホルダ本体
(7a)の周辺部で乱流を起すのみであり、ウェハ(4
)の表面上ではガスの乱流が発生せずCVD膜は均一と
なる。また、ウェハ(4)の被膜生成面(4a)が下向
きに配置されているために、パーティクルの付着作用が
減少される。また、ウェハホルダ本体(7a)からウェ
ハ(4〉を着脱するに際し、ウェハ(4)の裏面(上側
)をエアーチャック等で行なうようにすれば、ウェハ(
4)の被膜生成面(4a)には外部から何ら触れられる
ことがない。
なお、上記の実施例では、ウェハ(4)の落下防止用の
保持突部(11)をリング状にウェハホルダ本体(7a
)と一体に形成したが、これに限られるものでなく、孔
(10)の下部周縁に複数分割した保持突部(11)に
設けてもよい。
保持突部(11)をリング状にウェハホルダ本体(7a
)と一体に形成したが、これに限られるものでなく、孔
(10)の下部周縁に複数分割した保持突部(11)に
設けてもよい。
第3図はこの発明の他の実施例を示した断面図で、ウェ
ハ(4)の保持突部(11)がウェハホルダ本体(7a
)とは別体に形成されたものであり、この保持突部(1
1)はウェハホルダ本体(7a)の孔(10)の下部周
縁に複数分割して設けたものである。この場合は、ウェ
ハ(4)の被膜生成面(4a)とウェハホルダ本体(7
a)の下面とは同一平面にして段差が生じないようにさ
れている。
ハ(4)の保持突部(11)がウェハホルダ本体(7a
)とは別体に形成されたものであり、この保持突部(1
1)はウェハホルダ本体(7a)の孔(10)の下部周
縁に複数分割して設けたものである。この場合は、ウェ
ハ(4)の被膜生成面(4a)とウェハホルダ本体(7
a)の下面とは同一平面にして段差が生じないようにさ
れている。
[発明の効果]
以上説明したように、この発明の減圧CVD膜生成装置
用ウェハホルダによれば、ウェハホルダ本体の孔にウェ
ハを平面的に収容した場合にウェハ表面に均一なCVD
膜が生成されるという効果がある。また、ウェハの被膜
生成面がウェハホルダに対し下向きに配置した場合には
、パーティクルの被膜生成面付着が減少される効果もあ
る。
用ウェハホルダによれば、ウェハホルダ本体の孔にウェ
ハを平面的に収容した場合にウェハ表面に均一なCVD
膜が生成されるという効果がある。また、ウェハの被膜
生成面がウェハホルダに対し下向きに配置した場合には
、パーティクルの被膜生成面付着が減少される効果もあ
る。
第1図はこの発明の一実施例を示すウェハホルダ本体の
斜視図、第2図は第1図のウェハホルダ本体にウェハを
保持した状態の断面図、第3図はこの発明の他の実施例
を示す断面図、第4図は一般に供されている縦形減圧C
VD膜生戒生成の概略側面図、第5図(^〉は従来のウ
ェハホルダ本体の斜視図、第5図(B)は第5図(^)
のウェハホルダ本体にウェハを保持した状態の断面図で
ある。 図において、(4)はウェハ、(7八)はウェハホルダ
本体、(10)は孔、(11)は保持突部である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
斜視図、第2図は第1図のウェハホルダ本体にウェハを
保持した状態の断面図、第3図はこの発明の他の実施例
を示す断面図、第4図は一般に供されている縦形減圧C
VD膜生戒生成の概略側面図、第5図(^〉は従来のウ
ェハホルダ本体の斜視図、第5図(B)は第5図(^)
のウェハホルダ本体にウェハを保持した状態の断面図で
ある。 図において、(4)はウェハ、(7八)はウェハホルダ
本体、(10)は孔、(11)は保持突部である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- ウェハホルダ本体で保持されるウェハに均一な膜厚を生
成する減圧CVD膜生成装置用ウェハホルダにおいて、
前記ウェハホルダ本体には、前記ウェハを収容する孔を
設け、またこの孔の下部周縁には前記孔の内方に突出し
て形成されたウェハ落下防止用の保持突部を設け、前記
ウェハの被膜生成面を前記保持突部に当接できるように
配設したことを特徴とする減圧CVD膜生成装置用ウェ
ハホルダ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2039781A JPH03244143A (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 減圧cvd膜生成装置用ウエハホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2039781A JPH03244143A (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 減圧cvd膜生成装置用ウエハホルダ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03244143A true JPH03244143A (ja) | 1991-10-30 |
Family
ID=12562476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2039781A Pending JPH03244143A (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 減圧cvd膜生成装置用ウエハホルダ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03244143A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100794719B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2008-01-15 | 주식회사 실트론 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터 |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP2039781A patent/JPH03244143A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100794719B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2008-01-15 | 주식회사 실트론 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터 |
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