JPH0323285A - ボロンメタルの精製法 - Google Patents
ボロンメタルの精製法Info
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- JPH0323285A JPH0323285A JP13161689A JP13161689A JPH0323285A JP H0323285 A JPH0323285 A JP H0323285A JP 13161689 A JP13161689 A JP 13161689A JP 13161689 A JP13161689 A JP 13161689A JP H0323285 A JPH0323285 A JP H0323285A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
- C30B13/24—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はボロンメタル(金属硼素)の高純度化に関する
ものである. [従来の技術] 高純度ボロンメタルを得る方法は主として化学的方法で
あり、これによれば、BCQ 3を原料とし、これを蒸
留により分離m製して高純度化し、その後水素により還
元して高純度ボロンメタルを得ている.しかし、この方
法ではBCQ3の精製に多段蒸留が不可欠であり、かつ
B(13の高腐食性により、使用しうる装置材質が限定
され、かつ装置材質による汚染を完全には防止できない
ことから必ずしも高純度のボロンメタルは得られていな
い.また、物理的方法として帯溶融法が採用されている
と言われているが、その#細にatいては明確ではない
. ところで、この帯溶融法の金属の高純度化への適用は良
く知られているが、金属の蒸発による損失を防止すると
共に安定した溶融帯を維持するためには、融点と沸点と
にある程度以上の差があることが必要とされる.,tた
、この「ある程度jが、加熱方法により変化することは
周知のとうりである. [発明が解決しようとする課題] ところで、ボロンメタルの融点は約2 3 3 0’C
と推定されるが、帯溶融法をボロンメタルの高純度化に
適用しようとするとき、ボロンメタルの融点が極めて高
温であるがら、溶融帯を得る手段として抵抗発熱体は使
用できない. また、ボロンメタルの電気抵抗は温度により大きく変化
し、例えば、27℃では6.5X105Ω’cmである
が、600℃では0.2Ω’cmにまで激減し、1 0
00℃以上では測定誤差内となってしまうことから、I
F溶融法をボロンメタルの高純度化に適用しようとする
とき、通常使用される高周波誘導による加熱方法は、通
常の手段では約1000℃程度までしが昇温できず、溶
解するためには外部加熱の併用が不可欠となる.さらに
、ボロンメタルの沸点は約2500’Cと推定され、融
点との差がわずかしがなく、蒸気圧も高いとされている
.この結果、真空中で加熱を行うのに通常使われるエレ
クトロンビーム法は使用できない.また、エレクトロン
ビーム法に関しては、何等かの方法で溶融したとしても
、蒸発が激しく溶融帯が安定しない..tた、溶融ボロ
ンメタルは.iめて高反応性であるから、適切な保持材
質がないという問題点を持っている.本発明の目的は上
記問題点を解消し、容易にボロンメタルを高純度化する
ことのできる精製方法の提供にある. [課題を解決するための手Pi] 上記課題を解決する本発明の浮遊帯域精製法は、石英管
からなる炉心管の中に浮遊帯域を形或しボロンメタルを
精製する浮遊帯域精製法において、炉心管の中に不活性
気体を加圧状態で流しつつ、集光加熱方式によりボロン
メタルを溶融して浮遊帯域を形成し、浮遊帯域の上下に
位置する上方固体部と下方固体部の少なくとも一方を回
転させている. 浮遊帯域精製法を用いてボロンメタルを精製する本発明
の方法においては、不活性気体を用いて炉心管の中を1
〜5気圧、好ましくは1,5〜3気圧に加圧し、かつ不
活性気体の流量を1〜10Q/minの割合で流しつつ
集光加熱方式により浮遊帯域のボロンメタルを溶融し、
融体を挾む上部固体部と下部[itli部の一方のみ、
若しくは双方を同flfl]または逆方向に10〜10
0rpmの割合で回転させることができる. さらに、本発明の方法では、望ましくは上部固体分と下
部固体部とを逆方向に20〜30rpmの割合で回転さ
せることができる. [作用] 本発明では、浮遊帯域溶融法を用いるに際し、アルゴン
等の不活性雰囲気の加圧下で、集光加熱方式により加熱
して、十分な漏折を安定して得るにたる細い浮遊帯域を
形成することにより、ボロンメタルを精製する.従って
、本発明では、装置等からの不純物の混入はなく、高純
度化が容易に達成できる. 炉心管の中の圧力を高めることにより、蒸発したボロン
や低い沸点不純物が石英管の内面に付着して光の透過性
が低下するのを防止したり、逆に石英管が侵食されて汚
染物質が浮遊帯域に侵入することを防止することができ
る.この為には、アルゴン等の不活性気体が流れている
ときでも、1気圧の圧力が必要である.しかし、5気圧
より高い圧力を掛けても効果の向上は少なく、かえって
装置の耐圧性を害する. 次に、不活性気体を流すことにより、前述のように石英
管の内面への付着を防止できると共に、低い沸点不純物
が炉心管の中から外へ運ばれることで、これらの不純物
の除去効率すなわち精製効果を向上することができる.
この為には、不活性気体の流量が1<7/min以上必
要であるが、10(IF/mfnを超えると、蒸発した
ボロンが炉心管の中から外へ運ばれることで、損失が大
きくなってしまう恐れがある. さらに、浮遊帯域の上下に位置する上方固体部と下方固
体部の少なくとも一方を回転させことにより、浮遊帯域
の融体の温度を均一化できる.この温度の均一化は、溶
融されるボロンメタルの密度の不均一の為に溶融量に変
動のあることに対しても有効である.そして、この為に
は、10rpm以上の回転が必要である.しかし、回転
数を過度に上昇させると融体が踊ってしまうから、浮遊
帯域の安定形成のために100rpm以下にしなければ
ならない.特に、浮遊%Fit4の上下に位置する上方
固体部と下方固体部の整合性を考慮すると、回転数自体
は低い方が良く、従って、上部固体分と下部固体部とを
逆方向に回転させて、回転数自体は低くするほうが望ま
しい, [実施例] 以下に、図面を参照して本発明の実施例を説明する. 第1図は、本発明の方法に用いる集光加熱装置の1例を
示したものであり、この集光加熱装置は、赤外線を透過
する石英管1と、その内部に、その回転輪線を共有して
設けられた上部回転軸2と下部回転軸3と、この下部回
転軸3の上面に種棒4を固定するためのタンタル線等の
固定部材3aと、上部回転軸2に原料棒5を吊り下げ固
定するためのタンタル線等の固定部材2aと、石英管1
の両開に対称的に配置された一対のハロゲンラング6と
、各ハロゲンラング6を囲む回転双楕円fi7とからな
る.ハロゲンランブ6からの光(熱線)は、回転双楕円
fi7で反射して、集光部8に集中して、ここに種棒4
と原料棒5の溶融帯8aを形或する.そして、上部回転
軸2と下部回転軸3が種棒4および原料棒5と共に上下
に移動できるようになっており、これにより溶融帯8a
は浮遊帯域として種棒4から原料棒5の上端に向けて相
対的に移動するのである. この装置の使用に際しては、まず、あらかじめ焼結やホ
ットプレス等により角柱状あるいは円柱状に原料棒5と
N欅4を成型し、原料棒5より融点の高いタンタル線等
の固定部材2aを用いて原料棒5を上部回転軸2より吊
り下げ、次いで下部回転軸3の上面にタンタル線等の固
定部材3aを用(5)て種棒4を固定する.次いで、上
、下部回転軸2、3を操作し、原利棒5の下端と種棒4
の上端とをハロゲンランプ6の集光部8と一致させ、上
部回転軸2を操作し、種4i4の上@部を原料棒5の下
端の直近になるようにする.通常、この間隔は1〜2m
mである.原料棒5と種棒4は何れも回転軸線に対して
偏心しないようにしなければならないのは当然のことで
ある. 原料棒5と種棒4を所定の位置に設定した後、ボロンと
反応することのないアルゴン等、周期率表第8族の不活
性気体を下部回転軸31’Jlより流入させ、石英管1
内の空気を置換した後、上部回転軸2側の排気バルブ(
図示せず)の開度を調整し、ボロンメタルの蒸発の防止
と、石英管lの耐圧性とを考慮し、石英管l内の圧力を
1〜5気圧、好ましくは1.5〜3気圧とする.このよ
うな加圧により、蒸発したボロンや低い沸点不純物が石
英管1の内面の集光部8付近へ付着することが防止され
ると共に、石英管1の侵食も防止でき、したがって光の
透過性が低下するのを防止できる.また、低い沸点不純
物の除去効率を上昇させるため、前記不活性気体の流量
を1〜10(7/minとする. その後、ハロゲンラング6を点灯して、原料棒5の下端
と種414の上端とを加熱する.このとき集光加熱方式
を採用し、ハロゲンラング6より発生した赤外線を回転
双楕円鎗7により集光し、集光部8に融体を形成する.
WL料棒5の下端と種棒4の上端に111を形成しfS
後、下部回転軸3と上部回転軸2との少なくとも一方を
操作して融体相互を接触させる.この結果、融体は一体
となり、融体自身の表面張力で溶融帯8aを形成する.
次いで、上部回転軸2と下部回転軸3の少なくとも一方
を回転させる、すなわち一方のみを回転させるか、若し
くは双方を同方向または逆方向に回転させることにより
、溶融帯8aの上方固体部(原料棒5)または下方固体
部(W棒4)、あるいはその両者を10〜100rpm
の割合で回転させる.これにより、溶融IF8aが攬拌
され、溶融帯8a内の温度分布が均一化される.このと
き、溶融帯8a内での不必要な対流の発生が防止される
と考えられる. 上部回転細2と下部回転軸3の回転に関しては、例えば
、溶融帯8aの上方固体部(原料棒5)と下方固体部(
種棒4)を互いに逆方向に回転させる場合には、20〜
30rpmの回転数が最も好ましい. なお、溶融帯8a内の温度分布の均一化を促進するため
に、回転数を過度に上昇させると、融体が踊ってしまっ
て、安定した溶融帯8aが得られない. 溶融帯8aの上方固#部(原料棒5)と下方固体部(N
棒4)を回転させ、溶融帯8aが安定した後、溶融帯8
aの安定を維持しつつ、上部回転軸2または下部回転軸
3、またはその両者を回転させたまま、上部回転軸2や
下部回転軸3と原料棒5と種棒4とを一体として下方に
所望の一定速度で動かす.この間、石英管l内は所望の
圧力とWr望の不活性気#流量とを維持する.溶融帯8
aが原科棒5の上端になったとき、操作を停止して精製
されたボロンメタルを装置外に取りだす.なお、必要に
応じて上記操作を繰返し、ボロンメタルを再精製するこ
とは言うまでもなく、また、下方への移動速度は要求さ
れる精製度と繰返し回数との兼合で決る. なお、本発明において、種棒の上rlM部が一定の結晶
面になるようにし、晶析時の方位を一定とすることによ
り、晶析効果を加味して精製効果を大きくすることも考
えうる.しかし、現状ではボロンメタルの単結晶の作成
が困難である.また、ボロンメタルは、漏析が大きいの
で、晶析効果が期待できないと考えられる, え腹血ユ 第1表に示すような不純物含有度で平均粒度0.1μm
の原料ボロンメタル粉8.5gを222k2 g/cm 1950℃の条件でプレスして、幅10
、OmmX厚さ5.7mmx長さ90.0mm、充填率
70%の角柱状原料棒を得た.前記角柱状原料棒を2本
用意し、この内の1本を、第1図に示すような集光加熱
装置の上#回転軸2に直径0.3mmのタンタル線2a
で固定し、他の1本を長さ20mmに切断して種棒4と
して、下部回転軸3に同機に固定した.次いで、石英管
1内の空気をアルゴンと置換し、次いで加圧し、石英管
1内を1,5気圧に保持したままアルゴンを5(7/m
inの割合で流し続けた.本実施例の集光加熱装置は出
力3.5kWのハロゲンランプ6を2つ有し、前述のよ
うにアルゴンにより石英管1内を加圧した後、原料41
5の下端と種棒4の上端との間隔を1mmに調整し、原
料棒5の下端と種棒4の上端とがハロゲンランプ6から
の光の集光部8に位置するように全体の位置を調節した
.次いで上部回転軸2と下部回転軸3とを互いに反対方
向に、それぞh 2 5 r p mの削合で回転しつ
つ、ハロゲンラング6に通電し、2 0 0 V/hの
割合で電圧を上げた.電圧が133Vになった時、原料
棒5の下端と種14の上端とが溶融したのでそれぞれの
溶融体を接触させ、溶融帯8aを作成した.溶融帯8a
が安定したのを確認した擾、7.1mm/hの速度で上
部回転軸2および下部回転軸3ごと移動させて溶融帯8
aを上方に移動させた.この間、溶融帯8aの幅をほぼ
10mmに保つため適宜電圧を調節した.この結果、電
圧は133〜137Vであり、総電流は28〜29Aで
あった.種棒4と原料棒5の接合部(a)、接合部より
それぞれ30mmの位!(b)、60mmの位置(c)
の部分を掻き取り、発光分光分析により不純物含有度を
求めた.この結果を第1表に記載した. 第工表より、得られたものは全ての不純物において精製
されていることがわかる.また、8mから遠くなる(a
−c)につれ、不純物濃度が高くなっており、漏析効果
があることも確認できる.及止遍1 実縄例1と同様にして得た精製ボロンメタルを原料棒と
して用い、実施例1と同様な精製操作を2回繰返した.
得られたボ口ンメタルの種棒測より30cmを掻き取り
、粉砕し、平均試料を作成し、発光分光分析により不純
物含有度を求めた.この結果を第2表に示した. 第2表より、33.Mg以外の不Kt物は検出されなく
なっており、実施例1より一層高純度化が進んだことが
わかる. (この頁以下余白) [!@明の効果J 本発明の方法によれば、浮遊帯域′a融法を用い、かつ
、アルゴン等の不活性雰囲気の加圧rで、集光加熱方式
により浮遊帯域を形成するために、装置等からの不純物
の混入はなく高純度化が容易に達或できる.
ものである. [従来の技術] 高純度ボロンメタルを得る方法は主として化学的方法で
あり、これによれば、BCQ 3を原料とし、これを蒸
留により分離m製して高純度化し、その後水素により還
元して高純度ボロンメタルを得ている.しかし、この方
法ではBCQ3の精製に多段蒸留が不可欠であり、かつ
B(13の高腐食性により、使用しうる装置材質が限定
され、かつ装置材質による汚染を完全には防止できない
ことから必ずしも高純度のボロンメタルは得られていな
い.また、物理的方法として帯溶融法が採用されている
と言われているが、その#細にatいては明確ではない
. ところで、この帯溶融法の金属の高純度化への適用は良
く知られているが、金属の蒸発による損失を防止すると
共に安定した溶融帯を維持するためには、融点と沸点と
にある程度以上の差があることが必要とされる.,tた
、この「ある程度jが、加熱方法により変化することは
周知のとうりである. [発明が解決しようとする課題] ところで、ボロンメタルの融点は約2 3 3 0’C
と推定されるが、帯溶融法をボロンメタルの高純度化に
適用しようとするとき、ボロンメタルの融点が極めて高
温であるがら、溶融帯を得る手段として抵抗発熱体は使
用できない. また、ボロンメタルの電気抵抗は温度により大きく変化
し、例えば、27℃では6.5X105Ω’cmである
が、600℃では0.2Ω’cmにまで激減し、1 0
00℃以上では測定誤差内となってしまうことから、I
F溶融法をボロンメタルの高純度化に適用しようとする
とき、通常使用される高周波誘導による加熱方法は、通
常の手段では約1000℃程度までしが昇温できず、溶
解するためには外部加熱の併用が不可欠となる.さらに
、ボロンメタルの沸点は約2500’Cと推定され、融
点との差がわずかしがなく、蒸気圧も高いとされている
.この結果、真空中で加熱を行うのに通常使われるエレ
クトロンビーム法は使用できない.また、エレクトロン
ビーム法に関しては、何等かの方法で溶融したとしても
、蒸発が激しく溶融帯が安定しない..tた、溶融ボロ
ンメタルは.iめて高反応性であるから、適切な保持材
質がないという問題点を持っている.本発明の目的は上
記問題点を解消し、容易にボロンメタルを高純度化する
ことのできる精製方法の提供にある. [課題を解決するための手Pi] 上記課題を解決する本発明の浮遊帯域精製法は、石英管
からなる炉心管の中に浮遊帯域を形或しボロンメタルを
精製する浮遊帯域精製法において、炉心管の中に不活性
気体を加圧状態で流しつつ、集光加熱方式によりボロン
メタルを溶融して浮遊帯域を形成し、浮遊帯域の上下に
位置する上方固体部と下方固体部の少なくとも一方を回
転させている. 浮遊帯域精製法を用いてボロンメタルを精製する本発明
の方法においては、不活性気体を用いて炉心管の中を1
〜5気圧、好ましくは1,5〜3気圧に加圧し、かつ不
活性気体の流量を1〜10Q/minの割合で流しつつ
集光加熱方式により浮遊帯域のボロンメタルを溶融し、
融体を挾む上部固体部と下部[itli部の一方のみ、
若しくは双方を同flfl]または逆方向に10〜10
0rpmの割合で回転させることができる. さらに、本発明の方法では、望ましくは上部固体分と下
部固体部とを逆方向に20〜30rpmの割合で回転さ
せることができる. [作用] 本発明では、浮遊帯域溶融法を用いるに際し、アルゴン
等の不活性雰囲気の加圧下で、集光加熱方式により加熱
して、十分な漏折を安定して得るにたる細い浮遊帯域を
形成することにより、ボロンメタルを精製する.従って
、本発明では、装置等からの不純物の混入はなく、高純
度化が容易に達成できる. 炉心管の中の圧力を高めることにより、蒸発したボロン
や低い沸点不純物が石英管の内面に付着して光の透過性
が低下するのを防止したり、逆に石英管が侵食されて汚
染物質が浮遊帯域に侵入することを防止することができ
る.この為には、アルゴン等の不活性気体が流れている
ときでも、1気圧の圧力が必要である.しかし、5気圧
より高い圧力を掛けても効果の向上は少なく、かえって
装置の耐圧性を害する. 次に、不活性気体を流すことにより、前述のように石英
管の内面への付着を防止できると共に、低い沸点不純物
が炉心管の中から外へ運ばれることで、これらの不純物
の除去効率すなわち精製効果を向上することができる.
この為には、不活性気体の流量が1<7/min以上必
要であるが、10(IF/mfnを超えると、蒸発した
ボロンが炉心管の中から外へ運ばれることで、損失が大
きくなってしまう恐れがある. さらに、浮遊帯域の上下に位置する上方固体部と下方固
体部の少なくとも一方を回転させことにより、浮遊帯域
の融体の温度を均一化できる.この温度の均一化は、溶
融されるボロンメタルの密度の不均一の為に溶融量に変
動のあることに対しても有効である.そして、この為に
は、10rpm以上の回転が必要である.しかし、回転
数を過度に上昇させると融体が踊ってしまうから、浮遊
帯域の安定形成のために100rpm以下にしなければ
ならない.特に、浮遊%Fit4の上下に位置する上方
固体部と下方固体部の整合性を考慮すると、回転数自体
は低い方が良く、従って、上部固体分と下部固体部とを
逆方向に回転させて、回転数自体は低くするほうが望ま
しい, [実施例] 以下に、図面を参照して本発明の実施例を説明する. 第1図は、本発明の方法に用いる集光加熱装置の1例を
示したものであり、この集光加熱装置は、赤外線を透過
する石英管1と、その内部に、その回転輪線を共有して
設けられた上部回転軸2と下部回転軸3と、この下部回
転軸3の上面に種棒4を固定するためのタンタル線等の
固定部材3aと、上部回転軸2に原料棒5を吊り下げ固
定するためのタンタル線等の固定部材2aと、石英管1
の両開に対称的に配置された一対のハロゲンラング6と
、各ハロゲンラング6を囲む回転双楕円fi7とからな
る.ハロゲンランブ6からの光(熱線)は、回転双楕円
fi7で反射して、集光部8に集中して、ここに種棒4
と原料棒5の溶融帯8aを形或する.そして、上部回転
軸2と下部回転軸3が種棒4および原料棒5と共に上下
に移動できるようになっており、これにより溶融帯8a
は浮遊帯域として種棒4から原料棒5の上端に向けて相
対的に移動するのである. この装置の使用に際しては、まず、あらかじめ焼結やホ
ットプレス等により角柱状あるいは円柱状に原料棒5と
N欅4を成型し、原料棒5より融点の高いタンタル線等
の固定部材2aを用いて原料棒5を上部回転軸2より吊
り下げ、次いで下部回転軸3の上面にタンタル線等の固
定部材3aを用(5)て種棒4を固定する.次いで、上
、下部回転軸2、3を操作し、原利棒5の下端と種棒4
の上端とをハロゲンランプ6の集光部8と一致させ、上
部回転軸2を操作し、種4i4の上@部を原料棒5の下
端の直近になるようにする.通常、この間隔は1〜2m
mである.原料棒5と種棒4は何れも回転軸線に対して
偏心しないようにしなければならないのは当然のことで
ある. 原料棒5と種棒4を所定の位置に設定した後、ボロンと
反応することのないアルゴン等、周期率表第8族の不活
性気体を下部回転軸31’Jlより流入させ、石英管1
内の空気を置換した後、上部回転軸2側の排気バルブ(
図示せず)の開度を調整し、ボロンメタルの蒸発の防止
と、石英管lの耐圧性とを考慮し、石英管l内の圧力を
1〜5気圧、好ましくは1.5〜3気圧とする.このよ
うな加圧により、蒸発したボロンや低い沸点不純物が石
英管1の内面の集光部8付近へ付着することが防止され
ると共に、石英管1の侵食も防止でき、したがって光の
透過性が低下するのを防止できる.また、低い沸点不純
物の除去効率を上昇させるため、前記不活性気体の流量
を1〜10(7/minとする. その後、ハロゲンラング6を点灯して、原料棒5の下端
と種414の上端とを加熱する.このとき集光加熱方式
を採用し、ハロゲンラング6より発生した赤外線を回転
双楕円鎗7により集光し、集光部8に融体を形成する.
WL料棒5の下端と種棒4の上端に111を形成しfS
後、下部回転軸3と上部回転軸2との少なくとも一方を
操作して融体相互を接触させる.この結果、融体は一体
となり、融体自身の表面張力で溶融帯8aを形成する.
次いで、上部回転軸2と下部回転軸3の少なくとも一方
を回転させる、すなわち一方のみを回転させるか、若し
くは双方を同方向または逆方向に回転させることにより
、溶融帯8aの上方固体部(原料棒5)または下方固体
部(W棒4)、あるいはその両者を10〜100rpm
の割合で回転させる.これにより、溶融IF8aが攬拌
され、溶融帯8a内の温度分布が均一化される.このと
き、溶融帯8a内での不必要な対流の発生が防止される
と考えられる. 上部回転細2と下部回転軸3の回転に関しては、例えば
、溶融帯8aの上方固体部(原料棒5)と下方固体部(
種棒4)を互いに逆方向に回転させる場合には、20〜
30rpmの回転数が最も好ましい. なお、溶融帯8a内の温度分布の均一化を促進するため
に、回転数を過度に上昇させると、融体が踊ってしまっ
て、安定した溶融帯8aが得られない. 溶融帯8aの上方固#部(原料棒5)と下方固体部(N
棒4)を回転させ、溶融帯8aが安定した後、溶融帯8
aの安定を維持しつつ、上部回転軸2または下部回転軸
3、またはその両者を回転させたまま、上部回転軸2や
下部回転軸3と原料棒5と種棒4とを一体として下方に
所望の一定速度で動かす.この間、石英管l内は所望の
圧力とWr望の不活性気#流量とを維持する.溶融帯8
aが原科棒5の上端になったとき、操作を停止して精製
されたボロンメタルを装置外に取りだす.なお、必要に
応じて上記操作を繰返し、ボロンメタルを再精製するこ
とは言うまでもなく、また、下方への移動速度は要求さ
れる精製度と繰返し回数との兼合で決る. なお、本発明において、種棒の上rlM部が一定の結晶
面になるようにし、晶析時の方位を一定とすることによ
り、晶析効果を加味して精製効果を大きくすることも考
えうる.しかし、現状ではボロンメタルの単結晶の作成
が困難である.また、ボロンメタルは、漏析が大きいの
で、晶析効果が期待できないと考えられる, え腹血ユ 第1表に示すような不純物含有度で平均粒度0.1μm
の原料ボロンメタル粉8.5gを222k2 g/cm 1950℃の条件でプレスして、幅10
、OmmX厚さ5.7mmx長さ90.0mm、充填率
70%の角柱状原料棒を得た.前記角柱状原料棒を2本
用意し、この内の1本を、第1図に示すような集光加熱
装置の上#回転軸2に直径0.3mmのタンタル線2a
で固定し、他の1本を長さ20mmに切断して種棒4と
して、下部回転軸3に同機に固定した.次いで、石英管
1内の空気をアルゴンと置換し、次いで加圧し、石英管
1内を1,5気圧に保持したままアルゴンを5(7/m
inの割合で流し続けた.本実施例の集光加熱装置は出
力3.5kWのハロゲンランプ6を2つ有し、前述のよ
うにアルゴンにより石英管1内を加圧した後、原料41
5の下端と種棒4の上端との間隔を1mmに調整し、原
料棒5の下端と種棒4の上端とがハロゲンランプ6から
の光の集光部8に位置するように全体の位置を調節した
.次いで上部回転軸2と下部回転軸3とを互いに反対方
向に、それぞh 2 5 r p mの削合で回転しつ
つ、ハロゲンラング6に通電し、2 0 0 V/hの
割合で電圧を上げた.電圧が133Vになった時、原料
棒5の下端と種14の上端とが溶融したのでそれぞれの
溶融体を接触させ、溶融帯8aを作成した.溶融帯8a
が安定したのを確認した擾、7.1mm/hの速度で上
部回転軸2および下部回転軸3ごと移動させて溶融帯8
aを上方に移動させた.この間、溶融帯8aの幅をほぼ
10mmに保つため適宜電圧を調節した.この結果、電
圧は133〜137Vであり、総電流は28〜29Aで
あった.種棒4と原料棒5の接合部(a)、接合部より
それぞれ30mmの位!(b)、60mmの位置(c)
の部分を掻き取り、発光分光分析により不純物含有度を
求めた.この結果を第1表に記載した. 第工表より、得られたものは全ての不純物において精製
されていることがわかる.また、8mから遠くなる(a
−c)につれ、不純物濃度が高くなっており、漏析効果
があることも確認できる.及止遍1 実縄例1と同様にして得た精製ボロンメタルを原料棒と
して用い、実施例1と同様な精製操作を2回繰返した.
得られたボ口ンメタルの種棒測より30cmを掻き取り
、粉砕し、平均試料を作成し、発光分光分析により不純
物含有度を求めた.この結果を第2表に示した. 第2表より、33.Mg以外の不Kt物は検出されなく
なっており、実施例1より一層高純度化が進んだことが
わかる. (この頁以下余白) [!@明の効果J 本発明の方法によれば、浮遊帯域′a融法を用い、かつ
、アルゴン等の不活性雰囲気の加圧rで、集光加熱方式
により浮遊帯域を形成するために、装置等からの不純物
の混入はなく高純度化が容易に達或できる.
第1図は本発明の方法に用いる装置の1実施例を示した
R略断面図である. 1・・・石英管、 2・・・上部回転軸、3・・
・下部回転軸、 4・・・種棒、5・・・原料棒、
6・・・ハロゲンラング、7・・・回転双楕円鐘
、 8・・・集光部、8a・・・溶融帯. V!許出願人 住友金属鉱山株式会社
R略断面図である. 1・・・石英管、 2・・・上部回転軸、3・・
・下部回転軸、 4・・・種棒、5・・・原料棒、
6・・・ハロゲンラング、7・・・回転双楕円鐘
、 8・・・集光部、8a・・・溶融帯. V!許出願人 住友金属鉱山株式会社
Claims (3)
- (1)石英管からなる炉心管の中に浮遊帯域を形成する
浮遊帯域精製法によりボロンメタルを精製する方法にお
いて、炉心管の中に不活性気体を加圧状態で流しつつ、
集光加熱方式によりボロンメタルを溶融して浮遊帯域を
形成し、浮遊帯域の上下に位置する上方固体部と下方固
体部との少なくとも一方を回転させることを特徴とする
ボロンメタルの精製法。 - (2)前記不活性気体による加圧が1〜5気圧の加圧で
あり、かつ前記不活性気体の流量が1〜10l/min
であり、前記上方固体部と下方固体部との少なくとも一
方を、10〜100rpmの割合で回転させることを特
徴とする請求項1記載のボロンメタルの精製法。 - (3)前記不活性気体による加圧が1.5〜3気圧の加
圧であり、かつ不活性気体の流量が1〜10l/min
であり、前記上方固体部と下方固体部とを互いに逆方向
に20〜30rpmの割合で回転させることを特徴とす
る請求項1記載のボロンメタルの精製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1131616A JP2653036B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | ボロンメタルの精製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1131616A JP2653036B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | ボロンメタルの精製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0323285A true JPH0323285A (ja) | 1991-01-31 |
JP2653036B2 JP2653036B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=15062230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1131616A Expired - Lifetime JP2653036B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | ボロンメタルの精製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2653036B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019078125A1 (ja) | 2017-10-17 | 2019-04-25 | 株式会社トクヤマ | ホウ素構造体およびホウ素粉末 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57188877U (ja) * | 1981-05-28 | 1982-11-30 |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP1131616A patent/JP2653036B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57188877U (ja) * | 1981-05-28 | 1982-11-30 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019078125A1 (ja) | 2017-10-17 | 2019-04-25 | 株式会社トクヤマ | ホウ素構造体およびホウ素粉末 |
KR20200068662A (ko) | 2017-10-17 | 2020-06-15 | 가부시키가이샤 도쿠야마 | 붕소 구조체 및 붕소 분말 |
US11091371B2 (en) | 2017-10-17 | 2021-08-17 | Tokuyama Corporation | Boron structure and boron powder of high purity |
Also Published As
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---|---|
JP2653036B2 (ja) | 1997-09-10 |
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