JPH0323285A - ボロンメタルの精製法 - Google Patents

ボロンメタルの精製法

Info

Publication number
JPH0323285A
JPH0323285A JP13161689A JP13161689A JPH0323285A JP H0323285 A JPH0323285 A JP H0323285A JP 13161689 A JP13161689 A JP 13161689A JP 13161689 A JP13161689 A JP 13161689A JP H0323285 A JPH0323285 A JP H0323285A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rotating shaft
rod
inert gas
boron metal
zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP13161689A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2653036B2 (ja
Inventor
Junichi Takahashi
純一 高橋
Naoya Arao
新穂 直也
Yasuhiro Tsugita
泰裕 次田
Yasuhiro Okajima
岡島 靖弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Science & Tech Agency
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Science & Tech Agency
Agency of Industrial Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Science & Tech Agency, Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Science & Tech Agency
Priority to JP1131616A priority Critical patent/JP2653036B2/ja
Publication of JPH0323285A publication Critical patent/JPH0323285A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2653036B2 publication Critical patent/JP2653036B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • C30B13/22Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
    • C30B13/24Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はボロンメタル(金属硼素)の高純度化に関する
ものである. [従来の技術] 高純度ボロンメタルを得る方法は主として化学的方法で
あり、これによれば、BCQ 3を原料とし、これを蒸
留により分離m製して高純度化し、その後水素により還
元して高純度ボロンメタルを得ている.しかし、この方
法ではBCQ3の精製に多段蒸留が不可欠であり、かつ
B(13の高腐食性により、使用しうる装置材質が限定
され、かつ装置材質による汚染を完全には防止できない
ことから必ずしも高純度のボロンメタルは得られていな
い.また、物理的方法として帯溶融法が採用されている
と言われているが、その#細にatいては明確ではない
. ところで、この帯溶融法の金属の高純度化への適用は良
く知られているが、金属の蒸発による損失を防止すると
共に安定した溶融帯を維持するためには、融点と沸点と
にある程度以上の差があることが必要とされる.,tた
、この「ある程度jが、加熱方法により変化することは
周知のとうりである. [発明が解決しようとする課題] ところで、ボロンメタルの融点は約2 3 3 0’C
と推定されるが、帯溶融法をボロンメタルの高純度化に
適用しようとするとき、ボロンメタルの融点が極めて高
温であるがら、溶融帯を得る手段として抵抗発熱体は使
用できない. また、ボロンメタルの電気抵抗は温度により大きく変化
し、例えば、27℃では6.5X105Ω’cmである
が、600℃では0.2Ω’cmにまで激減し、1 0
00℃以上では測定誤差内となってしまうことから、I
F溶融法をボロンメタルの高純度化に適用しようとする
とき、通常使用される高周波誘導による加熱方法は、通
常の手段では約1000℃程度までしが昇温できず、溶
解するためには外部加熱の併用が不可欠となる.さらに
、ボロンメタルの沸点は約2500’Cと推定され、融
点との差がわずかしがなく、蒸気圧も高いとされている
.この結果、真空中で加熱を行うのに通常使われるエレ
クトロンビーム法は使用できない.また、エレクトロン
ビーム法に関しては、何等かの方法で溶融したとしても
、蒸発が激しく溶融帯が安定しない..tた、溶融ボロ
ンメタルは.iめて高反応性であるから、適切な保持材
質がないという問題点を持っている.本発明の目的は上
記問題点を解消し、容易にボロンメタルを高純度化する
ことのできる精製方法の提供にある. [課題を解決するための手Pi] 上記課題を解決する本発明の浮遊帯域精製法は、石英管
からなる炉心管の中に浮遊帯域を形或しボロンメタルを
精製する浮遊帯域精製法において、炉心管の中に不活性
気体を加圧状態で流しつつ、集光加熱方式によりボロン
メタルを溶融して浮遊帯域を形成し、浮遊帯域の上下に
位置する上方固体部と下方固体部の少なくとも一方を回
転させている. 浮遊帯域精製法を用いてボロンメタルを精製する本発明
の方法においては、不活性気体を用いて炉心管の中を1
〜5気圧、好ましくは1,5〜3気圧に加圧し、かつ不
活性気体の流量を1〜10Q/minの割合で流しつつ
集光加熱方式により浮遊帯域のボロンメタルを溶融し、
融体を挾む上部固体部と下部[itli部の一方のみ、
若しくは双方を同flfl]または逆方向に10〜10
0rpmの割合で回転させることができる. さらに、本発明の方法では、望ましくは上部固体分と下
部固体部とを逆方向に20〜30rpmの割合で回転さ
せることができる. [作用] 本発明では、浮遊帯域溶融法を用いるに際し、アルゴン
等の不活性雰囲気の加圧下で、集光加熱方式により加熱
して、十分な漏折を安定して得るにたる細い浮遊帯域を
形成することにより、ボロンメタルを精製する.従って
、本発明では、装置等からの不純物の混入はなく、高純
度化が容易に達成できる. 炉心管の中の圧力を高めることにより、蒸発したボロン
や低い沸点不純物が石英管の内面に付着して光の透過性
が低下するのを防止したり、逆に石英管が侵食されて汚
染物質が浮遊帯域に侵入することを防止することができ
る.この為には、アルゴン等の不活性気体が流れている
ときでも、1気圧の圧力が必要である.しかし、5気圧
より高い圧力を掛けても効果の向上は少なく、かえって
装置の耐圧性を害する. 次に、不活性気体を流すことにより、前述のように石英
管の内面への付着を防止できると共に、低い沸点不純物
が炉心管の中から外へ運ばれることで、これらの不純物
の除去効率すなわち精製効果を向上することができる.
この為には、不活性気体の流量が1<7/min以上必
要であるが、10(IF/mfnを超えると、蒸発した
ボロンが炉心管の中から外へ運ばれることで、損失が大
きくなってしまう恐れがある. さらに、浮遊帯域の上下に位置する上方固体部と下方固
体部の少なくとも一方を回転させことにより、浮遊帯域
の融体の温度を均一化できる.この温度の均一化は、溶
融されるボロンメタルの密度の不均一の為に溶融量に変
動のあることに対しても有効である.そして、この為に
は、10rpm以上の回転が必要である.しかし、回転
数を過度に上昇させると融体が踊ってしまうから、浮遊
帯域の安定形成のために100rpm以下にしなければ
ならない.特に、浮遊%Fit4の上下に位置する上方
固体部と下方固体部の整合性を考慮すると、回転数自体
は低い方が良く、従って、上部固体分と下部固体部とを
逆方向に回転させて、回転数自体は低くするほうが望ま
しい, [実施例] 以下に、図面を参照して本発明の実施例を説明する. 第1図は、本発明の方法に用いる集光加熱装置の1例を
示したものであり、この集光加熱装置は、赤外線を透過
する石英管1と、その内部に、その回転輪線を共有して
設けられた上部回転軸2と下部回転軸3と、この下部回
転軸3の上面に種棒4を固定するためのタンタル線等の
固定部材3aと、上部回転軸2に原料棒5を吊り下げ固
定するためのタンタル線等の固定部材2aと、石英管1
の両開に対称的に配置された一対のハロゲンラング6と
、各ハロゲンラング6を囲む回転双楕円fi7とからな
る.ハロゲンランブ6からの光(熱線)は、回転双楕円
fi7で反射して、集光部8に集中して、ここに種棒4
と原料棒5の溶融帯8aを形或する.そして、上部回転
軸2と下部回転軸3が種棒4および原料棒5と共に上下
に移動できるようになっており、これにより溶融帯8a
は浮遊帯域として種棒4から原料棒5の上端に向けて相
対的に移動するのである. この装置の使用に際しては、まず、あらかじめ焼結やホ
ットプレス等により角柱状あるいは円柱状に原料棒5と
N欅4を成型し、原料棒5より融点の高いタンタル線等
の固定部材2aを用いて原料棒5を上部回転軸2より吊
り下げ、次いで下部回転軸3の上面にタンタル線等の固
定部材3aを用(5)て種棒4を固定する.次いで、上
、下部回転軸2、3を操作し、原利棒5の下端と種棒4
の上端とをハロゲンランプ6の集光部8と一致させ、上
部回転軸2を操作し、種4i4の上@部を原料棒5の下
端の直近になるようにする.通常、この間隔は1〜2m
mである.原料棒5と種棒4は何れも回転軸線に対して
偏心しないようにしなければならないのは当然のことで
ある. 原料棒5と種棒4を所定の位置に設定した後、ボロンと
反応することのないアルゴン等、周期率表第8族の不活
性気体を下部回転軸31’Jlより流入させ、石英管1
内の空気を置換した後、上部回転軸2側の排気バルブ(
図示せず)の開度を調整し、ボロンメタルの蒸発の防止
と、石英管lの耐圧性とを考慮し、石英管l内の圧力を
1〜5気圧、好ましくは1.5〜3気圧とする.このよ
うな加圧により、蒸発したボロンや低い沸点不純物が石
英管1の内面の集光部8付近へ付着することが防止され
ると共に、石英管1の侵食も防止でき、したがって光の
透過性が低下するのを防止できる.また、低い沸点不純
物の除去効率を上昇させるため、前記不活性気体の流量
を1〜10(7/minとする. その後、ハロゲンラング6を点灯して、原料棒5の下端
と種414の上端とを加熱する.このとき集光加熱方式
を採用し、ハロゲンラング6より発生した赤外線を回転
双楕円鎗7により集光し、集光部8に融体を形成する.
WL料棒5の下端と種棒4の上端に111を形成しfS
後、下部回転軸3と上部回転軸2との少なくとも一方を
操作して融体相互を接触させる.この結果、融体は一体
となり、融体自身の表面張力で溶融帯8aを形成する.
次いで、上部回転軸2と下部回転軸3の少なくとも一方
を回転させる、すなわち一方のみを回転させるか、若し
くは双方を同方向または逆方向に回転させることにより
、溶融帯8aの上方固体部(原料棒5)または下方固体
部(W棒4)、あるいはその両者を10〜100rpm
の割合で回転させる.これにより、溶融IF8aが攬拌
され、溶融帯8a内の温度分布が均一化される.このと
き、溶融帯8a内での不必要な対流の発生が防止される
と考えられる. 上部回転細2と下部回転軸3の回転に関しては、例えば
、溶融帯8aの上方固体部(原料棒5)と下方固体部(
種棒4)を互いに逆方向に回転させる場合には、20〜
30rpmの回転数が最も好ましい. なお、溶融帯8a内の温度分布の均一化を促進するため
に、回転数を過度に上昇させると、融体が踊ってしまっ
て、安定した溶融帯8aが得られない. 溶融帯8aの上方固#部(原料棒5)と下方固体部(N
棒4)を回転させ、溶融帯8aが安定した後、溶融帯8
aの安定を維持しつつ、上部回転軸2または下部回転軸
3、またはその両者を回転させたまま、上部回転軸2や
下部回転軸3と原料棒5と種棒4とを一体として下方に
所望の一定速度で動かす.この間、石英管l内は所望の
圧力とWr望の不活性気#流量とを維持する.溶融帯8
aが原科棒5の上端になったとき、操作を停止して精製
されたボロンメタルを装置外に取りだす.なお、必要に
応じて上記操作を繰返し、ボロンメタルを再精製するこ
とは言うまでもなく、また、下方への移動速度は要求さ
れる精製度と繰返し回数との兼合で決る. なお、本発明において、種棒の上rlM部が一定の結晶
面になるようにし、晶析時の方位を一定とすることによ
り、晶析効果を加味して精製効果を大きくすることも考
えうる.しかし、現状ではボロンメタルの単結晶の作成
が困難である.また、ボロンメタルは、漏析が大きいの
で、晶析効果が期待できないと考えられる, え腹血ユ 第1表に示すような不純物含有度で平均粒度0.1μm
の原料ボロンメタル粉8.5gを222k2 g/cm   1950℃の条件でプレスして、幅10
、OmmX厚さ5.7mmx長さ90.0mm、充填率
70%の角柱状原料棒を得た.前記角柱状原料棒を2本
用意し、この内の1本を、第1図に示すような集光加熱
装置の上#回転軸2に直径0.3mmのタンタル線2a
で固定し、他の1本を長さ20mmに切断して種棒4と
して、下部回転軸3に同機に固定した.次いで、石英管
1内の空気をアルゴンと置換し、次いで加圧し、石英管
1内を1,5気圧に保持したままアルゴンを5(7/m
inの割合で流し続けた.本実施例の集光加熱装置は出
力3.5kWのハロゲンランプ6を2つ有し、前述のよ
うにアルゴンにより石英管1内を加圧した後、原料41
5の下端と種棒4の上端との間隔を1mmに調整し、原
料棒5の下端と種棒4の上端とがハロゲンランプ6から
の光の集光部8に位置するように全体の位置を調節した
.次いで上部回転軸2と下部回転軸3とを互いに反対方
向に、それぞh 2 5 r p mの削合で回転しつ
つ、ハロゲンラング6に通電し、2 0 0 V/hの
割合で電圧を上げた.電圧が133Vになった時、原料
棒5の下端と種14の上端とが溶融したのでそれぞれの
溶融体を接触させ、溶融帯8aを作成した.溶融帯8a
が安定したのを確認した擾、7.1mm/hの速度で上
部回転軸2および下部回転軸3ごと移動させて溶融帯8
aを上方に移動させた.この間、溶融帯8aの幅をほぼ
10mmに保つため適宜電圧を調節した.この結果、電
圧は133〜137Vであり、総電流は28〜29Aで
あった.種棒4と原料棒5の接合部(a)、接合部より
それぞれ30mmの位!(b)、60mmの位置(c)
の部分を掻き取り、発光分光分析により不純物含有度を
求めた.この結果を第1表に記載した. 第工表より、得られたものは全ての不純物において精製
されていることがわかる.また、8mから遠くなる(a
−c)につれ、不純物濃度が高くなっており、漏析効果
があることも確認できる.及止遍1 実縄例1と同様にして得た精製ボロンメタルを原料棒と
して用い、実施例1と同様な精製操作を2回繰返した.
得られたボ口ンメタルの種棒測より30cmを掻き取り
、粉砕し、平均試料を作成し、発光分光分析により不純
物含有度を求めた.この結果を第2表に示した. 第2表より、33.Mg以外の不Kt物は検出されなく
なっており、実施例1より一層高純度化が進んだことが
わかる. (この頁以下余白) [!@明の効果J 本発明の方法によれば、浮遊帯域′a融法を用い、かつ
、アルゴン等の不活性雰囲気の加圧rで、集光加熱方式
により浮遊帯域を形成するために、装置等からの不純物
の混入はなく高純度化が容易に達或できる.
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法に用いる装置の1実施例を示した
R略断面図である. 1・・・石英管、    2・・・上部回転軸、3・・
・下部回転軸、  4・・・種棒、5・・・原料棒、 
   6・・・ハロゲンラング、7・・・回転双楕円鐘
、 8・・・集光部、8a・・・溶融帯. V!許出願人 住友金属鉱山株式会社

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)石英管からなる炉心管の中に浮遊帯域を形成する
    浮遊帯域精製法によりボロンメタルを精製する方法にお
    いて、炉心管の中に不活性気体を加圧状態で流しつつ、
    集光加熱方式によりボロンメタルを溶融して浮遊帯域を
    形成し、浮遊帯域の上下に位置する上方固体部と下方固
    体部との少なくとも一方を回転させることを特徴とする
    ボロンメタルの精製法。
  2. (2)前記不活性気体による加圧が1〜5気圧の加圧で
    あり、かつ前記不活性気体の流量が1〜10l/min
    であり、前記上方固体部と下方固体部との少なくとも一
    方を、10〜100rpmの割合で回転させることを特
    徴とする請求項1記載のボロンメタルの精製法。
  3. (3)前記不活性気体による加圧が1.5〜3気圧の加
    圧であり、かつ不活性気体の流量が1〜10l/min
    であり、前記上方固体部と下方固体部とを互いに逆方向
    に20〜30rpmの割合で回転させることを特徴とす
    る請求項1記載のボロンメタルの精製法。
JP1131616A 1989-05-26 1989-05-26 ボロンメタルの精製法 Expired - Lifetime JP2653036B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1131616A JP2653036B2 (ja) 1989-05-26 1989-05-26 ボロンメタルの精製法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1131616A JP2653036B2 (ja) 1989-05-26 1989-05-26 ボロンメタルの精製法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0323285A true JPH0323285A (ja) 1991-01-31
JP2653036B2 JP2653036B2 (ja) 1997-09-10

Family

ID=15062230

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1131616A Expired - Lifetime JP2653036B2 (ja) 1989-05-26 1989-05-26 ボロンメタルの精製法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2653036B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019078125A1 (ja) 2017-10-17 2019-04-25 株式会社トクヤマ ホウ素構造体およびホウ素粉末

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57188877U (ja) * 1981-05-28 1982-11-30

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57188877U (ja) * 1981-05-28 1982-11-30

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019078125A1 (ja) 2017-10-17 2019-04-25 株式会社トクヤマ ホウ素構造体およびホウ素粉末
KR20200068662A (ko) 2017-10-17 2020-06-15 가부시키가이샤 도쿠야마 붕소 구조체 및 붕소 분말
US11091371B2 (en) 2017-10-17 2021-08-17 Tokuyama Corporation Boron structure and boron powder of high purity

Also Published As

Publication number Publication date
JP2653036B2 (ja) 1997-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2538150B2 (ja) 石英ガラスの製造方法、及びその製造装置
Calverley et al. The floating-zone melting of refractory metals by electron bombardment
JPH0784328B2 (ja) ガラス質シリカ製容器又はパイプの品質改良法
Lipsett On the production of single crystals of naphthalene and anthracene
KR20060128619A (ko) 자유-형성된 석영 유리 잉곳 및 이의 제조 방법
US5312471A (en) Method and apparatus for the manufacture of large optical grade SiO2 glass preforms
EP1344751B1 (en) Process and apparatus for producing a quartz glass crucible by arc fusion
JPS6355190A (ja) 半導体製造に際して使用するための溶融石英部材
US6143073A (en) Methods and apparatus for minimizing white point defects in quartz glass crucibles
Peech et al. Preparation of pure alkali halide crystals and some of their properties
JPH0323285A (ja) ボロンメタルの精製法
JP2005529050A (ja) 厚肉シリカ管の製造
US4102663A (en) Method for manufacturing hollow and solid ingots
JP2022159501A (ja) 多結晶シリコン棒、多結晶シリコンロッドおよびその製造方法
JPS6037869B2 (ja) 蒸着方法
US3053639A (en) Method and apparatus for growing crystals
JPH0710681A (ja) 浮融帯装置用サセプタ
US4178165A (en) Apparatus for manufacturing hollow and solid ingots
JPS60226495A (ja) 六硼化ランタン単結晶の育成方法
JPH0543378A (ja) 単結晶製造装置
JPH0834628A (ja) 高純度石英ガラスルツボの製造方法
JPH04130082A (ja) 単結晶成長装置
JP2514689B2 (ja) 光フアイバ用プリフォ―ムの製造方法
GB2093817A (en) Method for reducing striations in fused silica
JPH01138111A (ja) ダイヤモンド製容器およびその製造法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term