JPS6037869B2 - 蒸着方法 - Google Patents
蒸着方法Info
- Publication number
- JPS6037869B2 JPS6037869B2 JP57062664A JP6266482A JPS6037869B2 JP S6037869 B2 JPS6037869 B2 JP S6037869B2 JP 57062664 A JP57062664 A JP 57062664A JP 6266482 A JP6266482 A JP 6266482A JP S6037869 B2 JPS6037869 B2 JP S6037869B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- rod
- metal rod
- deposition method
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蒸着、さらに詳しくいえば、ボートなしの点状
ソースから非常に反応性の高い金属を蒸着させる方法に
関するものである。
ソースから非常に反応性の高い金属を蒸着させる方法に
関するものである。
チタン、クロムなどの反応性の高い金属は、半導体装置
に使用されることが多く、蒸着法によって付着させるこ
とができる。
に使用されることが多く、蒸着法によって付着させるこ
とができる。
蒸着法は米国特許第3499785号、第386044
4号、第4061800号および1977年3自発行の
BMTechnicaI DisclosmeBull
etin第1甥萱第7号の総52頁〜3853頁に記載
されている。これらの方法は、タンタル、タングステン
ーモリブデソ、窒化ホウ素一石墨、またはTiB2−A
I203のるつぼ若しくはボートを使用している。これ
らのるつぼは、クロムやチタンなど反応性の高いある種
の金属と反応する。タングステン製るつぼは、タングス
テンの痕跡を含むフィルムをもたらすだけでなく1、2
回の操作でなくなってしまう。1976年3自発行の旧
MTechnical DisclosmeBulle
tin第1申登第1び号の3413頁に記載されている
もう一つの方法は蒸発されるべき材料の棒を使用し、そ
の材料を電子線で加熱して棒の頂部に蒸着用の溶融プー
ルを作るものであった。
4号、第4061800号および1977年3自発行の
BMTechnicaI DisclosmeBull
etin第1甥萱第7号の総52頁〜3853頁に記載
されている。これらの方法は、タンタル、タングステン
ーモリブデソ、窒化ホウ素一石墨、またはTiB2−A
I203のるつぼ若しくはボートを使用している。これ
らのるつぼは、クロムやチタンなど反応性の高いある種
の金属と反応する。タングステン製るつぼは、タングス
テンの痕跡を含むフィルムをもたらすだけでなく1、2
回の操作でなくなってしまう。1976年3自発行の旧
MTechnical DisclosmeBulle
tin第1申登第1び号の3413頁に記載されている
もう一つの方法は蒸発されるべき材料の棒を使用し、そ
の材料を電子線で加熱して棒の頂部に蒸着用の溶融プー
ルを作るものであった。
この方法は、帯電レベルの問題があるので一般には適当
でなかった。蒸着のために電子線で加熱すると、反射し
た電子が付着膜に含まれてしまう。そのために膜のェネ
ルギレベルないし帯電レベルが高まり、記憶装置用の膜
には望ましくないことになる。帯電レベルは、通常のコ
ンピュータ操作中に記憶装置にエラーを生じさせる。本
発明は以上のような事情を考慮してなされたものであり
、帯電レベルの問題を招来することなく反応性金属を被
着できる黍着方法を提供することを目的としている。
でなかった。蒸着のために電子線で加熱すると、反射し
た電子が付着膜に含まれてしまう。そのために膜のェネ
ルギレベルないし帯電レベルが高まり、記憶装置用の膜
には望ましくないことになる。帯電レベルは、通常のコ
ンピュータ操作中に記憶装置にエラーを生じさせる。本
発明は以上のような事情を考慮してなされたものであり
、帯電レベルの問題を招来することなく反応性金属を被
着できる黍着方法を提供することを目的としている。
また連続的に蒸隊着を行えるようにすることもこの発明
の目的である。この発明ではこのような目的を達成する
ために蒸着金属をなす棒を繰り出し機構で直立させて保
持し、この棒の末端を誘導または照射によって加熱し、
そこに基板用のコーティング・ソースとして使用できる
溶融した凸形ミニスカスを形成させる。線としては、ク
ロム、チタン、アルミニウム、金、銀、銅などがある。
本発明の特徴を明らかにするため、添付の図面に則して
有利な実施例について詳しく説明する。第1図に示すよ
うに、金属棒(線)12の頂部(末端)13が加熱手段
14によって加熱されるように、送り機構10によって
金属棒12が垂直方向に送られる。加熱手段14の平面
図を第2図に示すが、第2図において抵抗コイル15が
金属棒12の頂部13を取り囲んでいる。抵抗コイル1
5と金属棒12の側面図を第3図に示す。抵抗コイル1
5は、第4図に示すように環状リング部分19が金属棒
12の頂部13を取り囲んでいるフィラメント抵抗抗条
片17の形にすることもできる。抵抗加熱コイルによる
加熱に加えて、第5図および第6図に示すように、頂部
を誘導によって加熱するための無線周波数(RF)コイ
ル25を使用することができる。
の目的である。この発明ではこのような目的を達成する
ために蒸着金属をなす棒を繰り出し機構で直立させて保
持し、この棒の末端を誘導または照射によって加熱し、
そこに基板用のコーティング・ソースとして使用できる
溶融した凸形ミニスカスを形成させる。線としては、ク
ロム、チタン、アルミニウム、金、銀、銅などがある。
本発明の特徴を明らかにするため、添付の図面に則して
有利な実施例について詳しく説明する。第1図に示すよ
うに、金属棒(線)12の頂部(末端)13が加熱手段
14によって加熱されるように、送り機構10によって
金属棒12が垂直方向に送られる。加熱手段14の平面
図を第2図に示すが、第2図において抵抗コイル15が
金属棒12の頂部13を取り囲んでいる。抵抗コイル1
5と金属棒12の側面図を第3図に示す。抵抗コイル1
5は、第4図に示すように環状リング部分19が金属棒
12の頂部13を取り囲んでいるフィラメント抵抗抗条
片17の形にすることもできる。抵抗加熱コイルによる
加熱に加えて、第5図および第6図に示すように、頂部
を誘導によって加熱するための無線周波数(RF)コイ
ル25を使用することができる。
RFコイルは銅および銀から出来ている。コネクタ28
および30‘こよって、コイル25からRF発生器(図
示せず)に結合されている。コネクタ28および30は
謙導コィ3ル25にハンダ付けした連続する鋼管とする
ことができる。金属棒12は、金、銀、銅、タンタル、
モリブデンなどの金属も使用できるが、できればクロム
、チタンまたはアルミニウムがよい。
および30‘こよって、コイル25からRF発生器(図
示せず)に結合されている。コネクタ28および30は
謙導コィ3ル25にハンダ付けした連続する鋼管とする
ことができる。金属棒12は、金、銀、銅、タンタル、
モリブデンなどの金属も使用できるが、できればクロム
、チタンまたはアルミニウムがよい。
3半導体ウェハなどの加工部片16を球形プラッ
トホーム18上に置く、球形プラットホ−ム18はモー
タ20で回転し、結合器22によってそれから分離する
ことができる。金属棒12と加工部片16を、該加工部
片16 4が金属榛12の頂部13と向き合い、蒸発に
よって形成される円錐形蒸気雲24内に入るように、密
閉した真空室23中に配置する。
トホーム18上に置く、球形プラットホ−ム18はモー
タ20で回転し、結合器22によってそれから分離する
ことができる。金属棒12と加工部片16を、該加工部
片16 4が金属榛12の頂部13と向き合い、蒸発に
よって形成される円錐形蒸気雲24内に入るように、密
閉した真空室23中に配置する。
室内の圧力は10‐2肋Hg(Tom)〜10‐8側H
gの範囲とし、クロムおよびチタンに対する有利な範囲
は10‐8肋Hg〜10‐8側Hgとする。金属を溶か
して溶融した球形ミスカスを形成させるため、誘導ヒー
タ14を付勢して金属棒12の頂部13を誘導によって
加熱する。
gの範囲とし、クロムおよびチタンに対する有利な範囲
は10‐8肋Hg〜10‐8側Hgとする。金属を溶か
して溶融した球形ミスカスを形成させるため、誘導ヒー
タ14を付勢して金属棒12の頂部13を誘導によって
加熱する。
頂部13が溶け始めると、ェネルギが最低になるように
球形になって棒状に留まる。溶けた魂を増大させずに充
分な熱を加えて頂部13の溶融した球体から蒸発が起こ
るようにする。加熱村中に金属棒12を0送り込む速度
を調節することによって、一定の熱源で球体からの蒸発
速度と球体の寸法を両方とも制御することができる。水
冷シールド(図示せず)を使用することにより、抵抗加
熱によって発生する外来性放射熱を最小限に抑えること
ができる。
球形になって棒状に留まる。溶けた魂を増大させずに充
分な熱を加えて頂部13の溶融した球体から蒸発が起こ
るようにする。加熱村中に金属棒12を0送り込む速度
を調節することによって、一定の熱源で球体からの蒸発
速度と球体の寸法を両方とも制御することができる。水
冷シールド(図示せず)を使用することにより、抵抗加
熱によって発生する外来性放射熱を最小限に抑えること
ができる。
金属棒12の頂部13の周りに水冷式放物面鏡(図示せ
ず)を追加すると、放射熱は溶融球体上に袋東する。実
施例 1 単巻RFコイルを弧W200〜400KHzのRF誘導
電源で励起して、クロム榛(直径1.91肌)を加熱し
た。
ず)を追加すると、放射熱は溶融球体上に袋東する。実
施例 1 単巻RFコイルを弧W200〜400KHzのRF誘導
電源で励起して、クロム榛(直径1.91肌)を加熱し
た。
次に真空室を10‐7側Hgの圧力に減圧した。ウェハ
を55.88伽離した距離に置き、クロムを毎秒10△
の速度でウェハ上に蒸着させた。大きな金属粒子の放出
、すなわちクロム・ソースからのスピツテイングはなか
つた。実施例 2 直径0.64肌のチタン棒で、実施例1に記したプロセ
スを使用した。
を55.88伽離した距離に置き、クロムを毎秒10△
の速度でウェハ上に蒸着させた。大きな金属粒子の放出
、すなわちクロム・ソースからのスピツテイングはなか
つた。実施例 2 直径0.64肌のチタン棒で、実施例1に記したプロセ
スを使用した。
55.88肌の距離で毎秒1〜2Aの蒸発速度が得られ
た。
た。
実施例 3
直径0.64肌−のアルミニウム榛で、実施例1に記し
たプロセスを使用した。
たプロセスを使用した。
55.88肌の距離で毎秒5〜6△の蒸発速度が得られ
た。
た。
実施例 4
直径1.52伽のチタン榛を用いて、抵抗条片ヒータに
よるプロセスで、40.6cmの距離で毎秒0.5Aの
蒸発速度が得られた。
よるプロセスで、40.6cmの距離で毎秒0.5Aの
蒸発速度が得られた。
本発明による蒸着法は、先行技術による蒸着法に比べて
多数の利点をもっている。
多数の利点をもっている。
1つの利点は、るつぼ若しくはボートを使用した場合に
よくあるような付着金属の汚染がないことである。
よくあるような付着金属の汚染がないことである。
電子線蒸着法に勝るもう1つの利点は、散乱電子が加工
部片上に集積することによる帯電レベルの問題がないこ
とである。その上、送り機構が長時間の間必要なだけ金
属榛を送るので密閉した室をこじ開けてボートまたはフ
ィラメントを交換する必要はない。本発明の有利な実施
例について説明してきたが、当然のことながら本発明の
原理に基づいて数多〈の変更を加えることができる。
部片上に集積することによる帯電レベルの問題がないこ
とである。その上、送り機構が長時間の間必要なだけ金
属榛を送るので密閉した室をこじ開けてボートまたはフ
ィラメントを交換する必要はない。本発明の有利な実施
例について説明してきたが、当然のことながら本発明の
原理に基づいて数多〈の変更を加えることができる。
第1図は本発明に基づく蒸着法に使用する装置の概略図
である。 第2図は第1図の加熱手段としての加熱コイルおよび金
属棒の平面図である。第3図は第2図の加熱コイルおよ
び金属棒の側面断面図である。第4図は第1図の加熱手
段としての抵抗加熱帯片および金属棒の平面図である。
第5図は第1図の加熱手段としての誘導RF加熱コイル
および金属榛の平面図である。第6図は第5図に示した
誘導RF加熱コイルの断面図である。12・・…・金属
棒、14・・・・・・加熱手段、16・・…・加工部片
、18・・・・・・球形プラットフオーム、20……モ
ータ。 FIG.l FIG.2 FIG.3 FIG.4 FIG.5 FIG.6
である。 第2図は第1図の加熱手段としての加熱コイルおよび金
属棒の平面図である。第3図は第2図の加熱コイルおよ
び金属棒の側面断面図である。第4図は第1図の加熱手
段としての抵抗加熱帯片および金属棒の平面図である。
第5図は第1図の加熱手段としての誘導RF加熱コイル
および金属榛の平面図である。第6図は第5図に示した
誘導RF加熱コイルの断面図である。12・・…・金属
棒、14・・・・・・加熱手段、16・・…・加工部片
、18・・・・・・球形プラットフオーム、20……モ
ータ。 FIG.l FIG.2 FIG.3 FIG.4 FIG.5 FIG.6
Claims (1)
- 1 繰り出し機構で支持されて直立している棒状金属体
の頂部を熱照射および誘導加熱の一方または双方で溶融
して溶融状金属体を上記頂部の位置に形成し、この溶融
状金属体を蒸着源として蒸着を行うことを特徴とする蒸
着方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/278,932 US4390571A (en) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | Boatless point source evaporation method |
US278932 | 1981-06-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS583971A JPS583971A (ja) | 1983-01-10 |
JPS6037869B2 true JPS6037869B2 (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=23067001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57062664A Expired JPS6037869B2 (ja) | 1981-06-30 | 1982-04-16 | 蒸着方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4390571A (ja) |
EP (1) | EP0068087B1 (ja) |
JP (1) | JPS6037869B2 (ja) |
DE (1) | DE3273808D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4508612A (en) * | 1984-03-07 | 1985-04-02 | International Business Machines Corporation | Shield for improved magnetron sputter deposition into surface recesses |
DE3530106A1 (de) * | 1985-08-23 | 1987-02-26 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Aufdampfgut zum aufdampfen anorganischer verbindungen mittels einer photonen-erzeugenden strahlungsheizquelle in kontinuierlich betriebenen vakuumbedampfungsanlagen |
JPH0676607B2 (ja) * | 1986-09-02 | 1994-09-28 | 三井東圧化学株式会社 | 強磁性金属粉末の製造方法 |
JP2005091345A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 蒸着型蛍光体シートの製造方法および装置並びに蒸着型蛍光体シート |
CN103993266B (zh) * | 2014-04-17 | 2016-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 真空蒸镀设备 |
JP6488928B2 (ja) * | 2015-07-15 | 2019-03-27 | アイシン精機株式会社 | 蒸着装置 |
CN111699276A (zh) | 2017-12-06 | 2020-09-22 | 亚利桑那薄膜研究有限责任公司 | 用于金属和陶瓷材料沉积的增材制造系统和方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5512100A (en) * | 1979-07-09 | 1980-01-28 | Shichifuku Shiyokuhin Kk | Egg tofu sealed container |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL6600179A (ja) * | 1966-01-07 | 1967-07-10 | ||
BE795116A (fr) * | 1972-02-08 | 1973-05-29 | Cockerill | Procede d'alimentation de bain d'evaporation |
US4061800A (en) * | 1975-02-06 | 1977-12-06 | Applied Materials, Inc. | Vapor desposition method |
US4183975A (en) * | 1978-03-16 | 1980-01-15 | Dare Pafco, Inc. | Vacuum metallizing process |
US4276855A (en) * | 1979-05-02 | 1981-07-07 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Coating apparatus |
US4263872A (en) * | 1980-01-31 | 1981-04-28 | Rca Corporation | Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates |
US4406252A (en) * | 1980-12-29 | 1983-09-27 | Rockwell International Corporation | Inductive heating arrangement for evaporating thin film alloy onto a substrate |
-
1981
- 1981-06-30 US US06/278,932 patent/US4390571A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-04-07 EP EP82102981A patent/EP0068087B1/en not_active Expired
- 1982-04-07 DE DE8282102981T patent/DE3273808D1/de not_active Expired
- 1982-04-16 JP JP57062664A patent/JPS6037869B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5512100A (en) * | 1979-07-09 | 1980-01-28 | Shichifuku Shiyokuhin Kk | Egg tofu sealed container |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0068087A1 (en) | 1983-01-05 |
EP0068087B1 (en) | 1986-10-15 |
US4390571A (en) | 1983-06-28 |
DE3273808D1 (en) | 1986-11-20 |
JPS583971A (ja) | 1983-01-10 |
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