JPH03230463A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH03230463A JPH03230463A JP2023676A JP2367690A JPH03230463A JP H03230463 A JPH03230463 A JP H03230463A JP 2023676 A JP2023676 A JP 2023676A JP 2367690 A JP2367690 A JP 2367690A JP H03230463 A JPH03230463 A JP H03230463A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion source
- magnetic field
- ion
- analysis tube
- tube
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路等のウェハへの不純物注入に使
用されるイオン注入装置に関し、特に目的とするイオン
ビームを質量と電荷により分析するために用いられる分
析管の構造に関する。
用されるイオン注入装置に関し、特に目的とするイオン
ビームを質量と電荷により分析するために用いられる分
析管の構造に関する。
図４および図５は従来のイオン注入装置の分析管近傍の
断面図および図４のＡ−Ａ′線の断面図である。
断面図および図４のＡ−Ａ′線の断面図である。
イオン源３より引出電極２にて引き出されたイオンビー
ム４は、分析マグネット５による磁界の作用を受は分析
管１を通り質量と電荷により分離され、目的とするイオ
ンのみが分析管１の出口より注入室に導かれる構造とな
っていた。
ム４は、分析マグネット５による磁界の作用を受は分析
管１を通り質量と電荷により分離され、目的とするイオ
ンのみが分析管１の出口より注入室に導かれる構造とな
っていた。
上述した従来のイオン注入装置では、内部にただ１つの
分析管しか有していないため、長時間装置を使用してい
ると分析管の内壁に付着堆積した不純物生成物が薄膜状
にはがれ、イオンビームを遮蔽してしまったり、あるい
はイオン源が分析管の直下に位置するようなイオン注入
装置では、薄膜状にはがれた不純物生成物により、イオ
ン源と引出電極がショートしてしまうなどの欠点がある
。
分析管しか有していないため、長時間装置を使用してい
ると分析管の内壁に付着堆積した不純物生成物が薄膜状
にはがれ、イオンビームを遮蔽してしまったり、あるい
はイオン源が分析管の直下に位置するようなイオン注入
装置では、薄膜状にはがれた不純物生成物により、イオ
ン源と引出電極がショートしてしまうなどの欠点がある
。
本発明のイオン注入装置は、イオン源と、このイオン源
からのイオンを引出すための引出電極と、引出されたイ
オンビームを磁界により分析するための、同一磁界を受
けるように配列された複数の分析管とを含んで構成され
る。
からのイオンを引出すための引出電極と、引出されたイ
オンビームを磁界により分析するための、同一磁界を受
けるように配列された複数の分析管とを含んで構成され
る。
次に本発明について図面を参照し説明する。
図１は本発明の第１の実施例の断面図である。
図１においてイオン注入装置は、真空チャンバー７内に
絶縁硝子６により固定されたイオン源３と、引出電極２
と、分析マグネット５の磁界を受けるように配列された
２本の分析管ＩＡ、ＩＢとを含んで構成される。
絶縁硝子６により固定されたイオン源３と、引出電極２
と、分析マグネット５の磁界を受けるように配列された
２本の分析管ＩＡ、ＩＢとを含んで構成される。
イオン源３より引き出されたイオンビーム４は、引出電
極２を通過し仕切板８にて隔てられた第１の分析管ＩＡ
を通過する途中で質量と電荷により分離される。第１の
分析管ＩＡの側壁に不純物生成物が付着堆積しはがれる
前に、図２に示すように引出電極２及びイオン源３のユ
ニットを第２の分析管ＩＢの直下にくるように位置決め
し取付ける。この時、第１の分析管ＩＡの下方には引出
型８ｉ！２およびイオン源３のユニットに組み込まれた
不純物生成物除去カバー１０が第１の分析管ＩＡの下方
を覆うように位置し、第１の分析管ＩＡから不純物生成
物が引出電極２およびイオン源３に落下するのを防止す
る。
極２を通過し仕切板８にて隔てられた第１の分析管ＩＡ
を通過する途中で質量と電荷により分離される。第１の
分析管ＩＡの側壁に不純物生成物が付着堆積しはがれる
前に、図２に示すように引出電極２及びイオン源３のユ
ニットを第２の分析管ＩＢの直下にくるように位置決め
し取付ける。この時、第１の分析管ＩＡの下方には引出
型８ｉ！２およびイオン源３のユニットに組み込まれた
不純物生成物除去カバー１０が第１の分析管ＩＡの下方
を覆うように位置し、第１の分析管ＩＡから不純物生成
物が引出電極２およびイオン源３に落下するのを防止す
る。
図３は本発明の第２の実施例の断面図である。
イオン源３より引き出されたイオンビーム４は、引出電
極２を通過し仕切板８にて隔てられた第１の分析管ＩＡ
内を通過する途中で質量と電荷により分離される。第１
の分析管ＩＡの側壁に不純物生成物が付着堆積しはがれ
る前に、ベローズ９により接続された引出電極２および
イオン源３を含む真空チャンバーを、駆動部１１により
第２の分析管ＩＢの直下に引出電極２およびイオン源３
がくるように移動させる。この時、第１の分析管ＩＡの
下方には、引出電極２およびイオン源３のユニットに組
み込まれた不純物生成物除去カバー１０が第１の分析管
ＩＡの下方を覆うように位置し、第１の分析管側から不
純物生成物が引出電極２およびイオン源３に落下するの
を防止する。
極２を通過し仕切板８にて隔てられた第１の分析管ＩＡ
内を通過する途中で質量と電荷により分離される。第１
の分析管ＩＡの側壁に不純物生成物が付着堆積しはがれ
る前に、ベローズ９により接続された引出電極２および
イオン源３を含む真空チャンバーを、駆動部１１により
第２の分析管ＩＢの直下に引出電極２およびイオン源３
がくるように移動させる。この時、第１の分析管ＩＡの
下方には、引出電極２およびイオン源３のユニットに組
み込まれた不純物生成物除去カバー１０が第１の分析管
ＩＡの下方を覆うように位置し、第１の分析管側から不
純物生成物が引出電極２およびイオン源３に落下するの
を防止する。
この第２の実施例では、真空チャンバー７を真空に保っ
たまま第１の分析管ＩＡから第２の分析管ＩＢに切り替
えが出来るという利点が有る。
たまま第１の分析管ＩＡから第２の分析管ＩＢに切り替
えが出来るという利点が有る。
尚、上記実施例においては分析管を２本用いた場合につ
いて説明したが、２本以上であってもよい。
いて説明したが、２本以上であってもよい。
以上説明したように本発明は、同一磁界を受ける複数の
分析管を備えることにより、一方の分析管の側壁に不純
物生成物が付着堆積した場合でも、イオンビームのパス
をもう一方の分析管に変更できるため、薄膜状にはがれ
た不純物生成物によるイオンビームの遮蔽やイオン源と
引出電極間のショートを未然に防止出来る効果がある。
分析管を備えることにより、一方の分析管の側壁に不純
物生成物が付着堆積した場合でも、イオンビームのパス
をもう一方の分析管に変更できるため、薄膜状にはがれ
た不純物生成物によるイオンビームの遮蔽やイオン源と
引出電極間のショートを未然に防止出来る効果がある。
図１および図２は本発明の第１の実施例の断面図、図３
は第２の実施例の断面図、図４は従来のイオン注入装置
の断面図、図５は図４のＡ−Ａ’線断面図である。 １・・・分析管、ＩＡ・・・第１の分析管、ＩＢ・・・
第２の分析管、２・・・引出電極、３・・・イオン源、
４・・イオンビーム、５・・・分析管マグネット、６・
・絶縁硝子、７・・・真空チャンバー、８・・・仕切板
、９・・・ベローズ、１０・・・付着生成物除去カバー
、１１・・駆動部。
は第２の実施例の断面図、図４は従来のイオン注入装置
の断面図、図５は図４のＡ−Ａ’線断面図である。 １・・・分析管、ＩＡ・・・第１の分析管、ＩＢ・・・
第２の分析管、２・・・引出電極、３・・・イオン源、
４・・イオンビーム、５・・・分析管マグネット、６・
・絶縁硝子、７・・・真空チャンバー、８・・・仕切板
、９・・・ベローズ、１０・・・付着生成物除去カバー
、１１・・駆動部。
Claims (1)
- イオン源と、このイオン源からのイオンを引出すための
引出電極と、引出されたイオンビームを磁界により分析
するための、同一磁界を受けるように配列された複数の
分析管とを含むことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023676A JPH03230463A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023676A JPH03230463A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03230463A true JPH03230463A (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=12117082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023676A Pending JPH03230463A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03230463A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7993948B2 (en) | 2005-06-13 | 2011-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device, method for fabricating an electrode, and method for manufacturing a semiconductor device |
| WO2018087593A1 (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion implanter |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2023676A patent/JPH03230463A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7993948B2 (en) | 2005-06-13 | 2011-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device, method for fabricating an electrode, and method for manufacturing a semiconductor device |
| WO2018087593A1 (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion implanter |
| US11017974B2 (en) | 2016-11-11 | 2021-05-25 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion source |
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