JPH03225266A - Method for inspecting cut face - Google Patents
Method for inspecting cut faceInfo
- Publication number
- JPH03225266A JPH03225266A JP2162190A JP2162190A JPH03225266A JP H03225266 A JPH03225266 A JP H03225266A JP 2162190 A JP2162190 A JP 2162190A JP 2162190 A JP2162190 A JP 2162190A JP H03225266 A JPH03225266 A JP H03225266A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rays
- ray
- cut surface
- angle
- diffracted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 11
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体工業の分野等で用いられる結晶性ウェ
ハ等のカット面を検査する場合に利用できる結晶性試料
のカット面検査方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for inspecting a cut surface of a crystalline sample that can be used in inspecting a cut surface of a crystalline wafer or the like used in the field of semiconductor industry.
[従来の技術]
結晶性ウェハは、一般に、単結晶の結晶塊を切断(カッ
ト)して製造される。[Prior Art] Crystalline wafers are generally manufactured by cutting a single crystal block.
この場合、このカット面(切断面)と特定の結晶格子面
とが用途に応じた特定の角度関係になっていることが要
請される。この角度関係が所定の許容誤差範囲にないと
、所望の機能を発揮することができなくなる。In this case, it is required that this cut surface (cut surface) and a specific crystal lattice plane have a specific angular relationship depending on the application. If this angular relationship is not within a predetermined tolerance range, the desired function cannot be achieved.
このため、従来から、結晶塊をカットして製造された結
晶性ウェハは、カット面検査装置によって検査に付され
、前記カット面と特定の結晶格子面とのなす角度が所定
の許容誤差範囲にあるか否かの確認がなされる。For this reason, conventionally, crystalline wafers manufactured by cutting crystal blocks are inspected by a cut surface inspection device, and the angle between the cut surface and a specific crystal lattice plane falls within a predetermined tolerance range. A check is made to see if it exists.
このカット面検査装置は、X線回折法の原理を応用して
前記結晶性ウェハの特定の結晶格子面の回折角を測定す
ることにより、前記カット面と前記特定の結晶格子面と
のなす角を求めるものである。すなわち、第2図に示さ
れるように、結晶性ウェハ等の試料101のカット面1
02に入射X線X1を照射し、前記試料101の特定の
結晶格子面103でブラッグの回折条件を満足して回折
されて生ずる回折X線X、を観測する。いま、前記カッ
ト面102と前記特定の結晶格子面103とのなず角度
をα、前記入射X線X・とカット面102とのなす角度
をθ、前記特定の結晶格子面103と入射X線X 及び
回折X線Xrとのなす角度をθB (=回折角;既知)
とする。This cut surface inspection device applies the principle of X-ray diffraction to measure the diffraction angle of a specific crystal lattice plane of the crystalline wafer, thereby detecting the angle between the cut surface and the specific crystal lattice plane. This is what we seek. That is, as shown in FIG. 2, a cut surface 1 of a sample 101 such as a crystalline wafer
02 is irradiated with incident X-rays X1, and diffracted X-rays X generated by being diffracted by a specific crystal lattice plane 103 of the sample 101 satisfying Bragg's diffraction conditions are observed. Now, the angle between the cut plane 102 and the specific crystal lattice plane 103 is α, the angle between the incident X-ray X and the cut plane 102 is θ, and the specific crystal lattice plane 103 and the incident X-ray The angle between X and the diffracted X-ray Xr is θB (=diffraction angle; known)
shall be.
そうすると、第2図から明らかなように、前記カット面
102と前記特定の結晶格子面103とのなす角度αは
、
α二θ−08 ・・・(1)
の式によって求めることができる。したがって、上記(
1)式におけるθを実測すればαを求めることができる
。Then, as is clear from FIG. 2, the angle α between the cut plane 102 and the specific crystal lattice plane 103 can be determined by the following formula: α2θ−08 (1). Therefore, the above (
α can be found by actually measuring θ in equation 1).
従来は、このθを求める方法として、例えば、周知のX
線ゴニオメータ等を用いて前記カット面102を人、射
X線X・の方向に対して変化させ、前記結晶格子面10
3の回折X線X、が検出されたときにおける前記入射X
線X+のカット面102に対する角度を測定して、それ
をθとして求めていた。Conventionally, as a method for determining this θ, for example, the well-known
Using a line goniometer or the like, the cut plane 102 is changed with respect to the direction of the irradiated X-rays, and the crystal lattice plane 10
The incident X when the diffracted X-ray X of 3 is detected
The angle of the line X+ with respect to the cut surface 102 was measured and determined as θ.
[発明が解決しようとする課題]
ところで、上述の従来の方法でカット面を検査するには
、前記試料101をX線ゴニオメータ等に取り付けて測
定する必要がある。この場合、前記試料101がスライ
ス状のものであれば、これをゴニオメータに容易に取り
付けて測定できる。[Problems to be Solved by the Invention] Incidentally, in order to inspect a cut surface using the above-described conventional method, it is necessary to attach the sample 101 to an X-ray goniometer or the like for measurement. In this case, if the sample 101 is in the form of a slice, it can be easily attached to a goniometer for measurement.
しかしながら、スライス状に形成する前の結晶塊のカッ
ト面を検査したい場合には、該結晶塊を前記ゴニオメー
タに取り付けることが著しく困難であることから、上記
従来の方法では測定が著しく困難であった。また、近年
に至り、結晶塊の切断の自動化の要請が高まるにつれ、
結晶塊を切断装置に取り付けたままでカット面を検査す
る必要が生じてきた。従来の方法では、この要請に対し
ても応えることができなかった。However, when it is desired to inspect the cut surface of a crystal mass before it is formed into slices, it is extremely difficult to attach the crystal mass to the goniometer, making measurement extremely difficult using the conventional method described above. . In addition, in recent years, as the demand for automation of cutting crystal blocks has increased,
It has become necessary to inspect the cut surface while the crystal mass remains attached to the cutting device. Conventional methods have not been able to meet this request.
本発明は、上述の背景のもとでなされたものであり、比
較的簡単な方法により、試料を切断装置等に固定したま
までカット面を検査できるカット面検査方法を提供する
ことを目的としたものである。The present invention has been made against the above-mentioned background, and an object of the present invention is to provide a cut surface inspection method that allows a cut surface to be inspected while a sample is fixed to a cutting device or the like using a relatively simple method. This is what I did.
[課題を解決するための手段]
本発明は、以下の構成とすることにより上述の課題を解
決している。[Means for Solving the Problems] The present invention solves the above problems by having the following configuration.
結晶性試料のカット面にX線を照射したときに該試料の
特定の結晶格子面によって生ずる回折X線を検知し、そ
のときにおける前記カット面に照射するX線の入射角度
を求めることにより、前記試料のカット面と前記特定の
結晶格子面とがなす角度を求めるカット面検査方法にお
いて、前記カット面に照射するX線としてカット面に対
する入射角度が所定の角度範囲を有し、実質的に点状X
線源から射出される発散X線を用い、この発散X線の前
記カット面に対する入射方向を、該発散X線のいずれか
が前記特定の結晶格子面による回折条件を満足するよう
にあらかじめ設定しておき、
X線遮蔽物によって、前記発散X線の前記カット面に対
して入射するX線の一部を遮蔽するとともに、このX線
遮蔽物を移動して前記発散X線のうち前記カット面に入
射するX線の入射角の範囲または入射角を変化させ、
前記X線遮蔽物の移動の当初において前記特定の結晶格
子面による回折X線が生じていない場合にはその回折X
線が生じて所定の強度となったときにおける前記X線遮
蔽物の位置、または、前記X線遮蔽物の移動の当初から
前記特定の結晶格子面による回折X線が生じていた場合
にはその回折X線の強度が減少し始めて所定の強度にな
ったときにおける前記X線遮蔽物の位置をそれぞれ求め
、この位置から前記特定の結晶格子面によって回折X線
が生ずるときの前記カット面に対するX線の入射角を求
めることを特徴とした構成。By detecting the diffraction X-rays generated by a specific crystal lattice plane of the sample when the cut surface of the crystalline sample is irradiated with X-rays, and determining the incident angle of the X-rays irradiating the cut surface at that time, In the cut surface inspection method for determining the angle between the cut surface of the sample and the specific crystal lattice plane, the incident angle of the X-rays irradiated onto the cut surface with respect to the cut surface has a predetermined angular range, and substantially Dotted X
Using divergent X-rays emitted from a radiation source, the direction of incidence of the divergent X-rays on the cut plane is set in advance so that one of the divergent X-rays satisfies the diffraction conditions according to the specific crystal lattice plane. Then, a portion of the X-rays incident on the cut surface of the divergent X-rays is blocked by an X-ray shield, and the X-ray shield is moved to block the cut surface of the divergent X-rays. changing the range or incident angle of the incident
the position of the X-ray shield when the rays are generated and reach a predetermined intensity, or the position of the X-ray shield when diffracted X-rays by the specific crystal lattice plane have been generated from the beginning of the movement of the X-ray shield; The positions of the X-ray shields are determined when the intensity of the diffracted X-rays starts to decrease and reaches a predetermined intensity, and the X-rays relative to the cut plane when the diffracted X-rays are generated by the specific crystal lattice plane from this position are determined. A configuration characterized by finding the angle of incidence of a line.
「作用」
上述の構成において、前記X線遮蔽物の移動の当初にお
いて前記特定の結晶格子面による回折X線が生じていな
い場合にはその回折X線が生じて所定の強度となったと
きにおける前記X線遮蔽物の位置、または、前記X線遮
蔽物の移動の当初から前記特定の結晶格子面による回折
X線が生じていた場合にはその回折X線の強度が減少し
始めて所定の強度になったときにおける前記Xli遮蔽
物の位置をそれぞれ求めると、この位置から前記特定の
結晶格子面によって回折X線が生ずるときの前記カット
面に対するX線の入射角を求めることができる。"Operation" In the above configuration, if no diffracted X-rays are generated by the specific crystal lattice plane at the beginning of the movement of the X-ray shield, when the diffracted X-rays are generated and reach a predetermined intensity, If diffracted X-rays are generated by the specific crystal lattice plane from the position of the X-ray shield or from the beginning of movement of the X-ray shield, the intensity of the diffracted X-rays begins to decrease and reaches a predetermined intensity. By determining the positions of the Xli shielding objects when the Xli shielding object becomes , it is possible to determine from these positions the incident angle of the X-rays with respect to the cut plane when the diffracted X-rays are generated by the specific crystal lattice plane.
すなわち、前記発散X線のいずれかが前記特定の結晶格
子面による回折条件を満足するようにあらかじめ設定さ
れているから、例えば、前記X線遮蔽物によって前記発
散X線の大部分を遮断しておき、徐々にその遮断範囲を
小さくしていくと、ある位置で前記特定の結晶格子面に
よる回折X線が生じ、この回折X線の強度は急激に増大
して後一定の値になる。このときのX線遮蔽物の位置は
、前記特定の結晶格子面による回折X線が生ずるときの
入射X線の角度に依存する。したがって、例えば、一定
となった回折X線の強度の1/2の強度を示すときのX
線遮蔽物の位置から前記試料のカット面と入射X線との
なす角度を求めることができる。また、例えば、最初前
記X線遮蔽物によって前記発散X線を遮断せず、徐々に
その遮断範囲を増大していくと、最初生じていた前記特
定の結晶格子面による回折X線が、ある位置から減少し
始めて消滅する。したがって、前記同様に、回折X線の
強度の1/2の強度を示すときのX線遮蔽物の位置から
前記試料のカット面と入射X線とのなす角度を求めるこ
とができる。 さらに、例えば、X線遮蔽物としてスリ
ット状のX線通過孔を有するものを用いてこのX線遮蔽
物を移動することにより、前記カット面に入射するX線
の入射角を走査させ、回折X線が最大強度を示すときの
X線遮蔽物の位置を求めることによっても前記試料のカ
ット面と入射X線とのなす角度を求めることができる。That is, since any of the divergent X-rays is preset so as to satisfy the diffraction conditions of the specific crystal lattice plane, for example, most of the divergent X-rays can be blocked by the X-ray shield. When the cutoff range is gradually reduced, diffracted X-rays are generated by the specific crystal lattice plane at a certain position, and the intensity of the diffracted X-rays increases rapidly and then reaches a constant value. The position of the X-ray shield at this time depends on the angle of the incident X-ray when the diffracted X-ray is generated by the specific crystal lattice plane. Therefore, for example, when the intensity of the diffracted X-ray is 1/2 of the constant intensity,
The angle between the cut surface of the sample and the incident X-ray can be determined from the position of the radiation shield. Furthermore, for example, if the divergent X-rays are not initially blocked by the X-ray shield and the blocking range is gradually increased, the initially occurring diffracted X-rays by the specific crystal lattice plane may be It starts to decrease and disappears. Therefore, similarly to the above, the angle between the cut surface of the sample and the incident X-ray can be determined from the position of the X-ray shield when the intensity is 1/2 of the intensity of the diffracted X-ray. Further, for example, by using an X-ray shield having a slit-shaped X-ray passage hole and moving this X-ray shield, the incident angle of the X-rays incident on the cut surface is scanned, and the diffracted X-ray The angle between the cut surface of the sample and the incident X-ray can also be determined by determining the position of the X-ray shield when the ray shows the maximum intensity.
これにより、前記試料のカット面と該試料の特定の結晶
格子面とのなす角度を求めることができる。なお、前記
回折X線は、比較的広い範囲でX線を検知できる開放型
のX線検出器を用いることにより容易に検知可能である
。This makes it possible to determine the angle between the cut surface of the sample and a specific crystal lattice plane of the sample. Note that the diffracted X-rays can be easily detected by using an open-type X-ray detector that can detect X-rays over a relatively wide range.
この方法によれば、試料をX線ゴニオメータ等に取り付
ける必要がなく、切断装置等に固定したままでカット面
の検査かできる。According to this method, there is no need to attach the sample to an X-ray goniometer or the like, and the cut surface can be inspected while the sample is fixed to a cutting device or the like.
[実施例]
第1図は本発明の一実施例にかかるカット面検査方法の
説明図、第3図は第1図の一部拡大図である。以下、こ
れらの図面を参照しながら一実施例を詳述する。[Example] FIG. 1 is an explanatory diagram of a cut surface inspection method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 1. Hereinafter, one embodiment will be described in detail with reference to these drawings.
図おいて、符号1は試料、符号2は試料1のカット面(
切断面)、符号3は試料1の特定の結晶格子面、符号4
はX線源、符号5はX線遮蔽物、符号6はX線検出器で
ある。In the figure, code 1 is the sample, code 2 is the cut surface of sample 1 (
(cut plane), code 3 is a specific crystal lattice plane of sample 1, code 4
5 is an X-ray source, 5 is an X-ray shield, and 6 is an X-ray detector.
前記試料1は、シリコン等の単結晶からなる結晶塊であ
る。この試料1は、該試料1のカット面2に対し、角度
αをなす結晶格子面3を有している。この実施例の方法
は、このαを求めるものである。The sample 1 is a crystal block made of a single crystal of silicon or the like. This sample 1 has a crystal lattice plane 3 making an angle α with respect to the cut plane 2 of the sample 1. The method of this embodiment is to find this α.
前記X線源4は実質的に点X線源であり、このX線源4
から射出された発散X線は、発散角規制スリット41に
よって発散角が規制されて適宜の発散角δを有する発散
X線Xiとなる。この発散X線Xiの前記試料1のカッ
ト面2に対する入射角は、最大θ から最小θ3までの
角度範囲を有H
する。Said X-ray source 4 is essentially a point X-ray source;
The divergent X-rays emitted from the slit 41 have their divergence angles regulated by the divergence angle regulating slit 41, and become divergent X-rays Xi having an appropriate divergence angle δ. The angle of incidence of this divergent X-ray Xi on the cut surface 2 of the sample 1 has an angular range H from the maximum θ 2 to the minimum θ 3 .
また、前記試料1の特定の結晶格子面3は、前記発散X
線Xiのうち、回折条件を満足する入射角θのX線のみ
を回折して回折X線X、を生ずる。Further, the specific crystal lattice plane 3 of the sample 1 has the divergence
Of the rays Xi, only the X-rays having an incident angle θ that satisfies the diffraction conditions are diffracted to generate diffracted X-rays X.
前記X線遮蔽物5は、X線遮蔽物駆動手段51によって
図中矢印pで示されるように前記試料1のカット面2と
平行な方向に移動できるようになっている。前記X線遮
蔽物駆動手段51には前記X線遮蔽物5を移動する機構
とともに、その移動距離Xを測定する手段が組み込まれ
ている。ここで、距離Xは、前記X線源4から前記カッ
ト面2を含む面に下ろした垂線と前記X線遮蔽物5の図
中r方側の面との交点Oから前記X線遮蔽物5の先端5
2までの距離である。また、図示しないが、X線遮蔽物
駆動手段51には、マイクロプロセッサ等を備えた制御
装置が接続され、この制御装置によって前記X線遮蔽物
駆動手段51の制御や後述する演算が行われるようにな
っている。The X-ray shield 5 can be moved by an X-ray shield driving means 51 in a direction parallel to the cut surface 2 of the sample 1, as shown by an arrow p in the figure. The X-ray shield driving means 51 incorporates a mechanism for moving the X-ray shield 5 and a means for measuring the distance X of the movement. Here, the distance tip 5
The distance is up to 2. Although not shown, a control device including a microprocessor or the like is connected to the X-ray shield driving means 51, and this control device controls the X-ray shield driving means 51 and performs calculations to be described later. It has become.
前記X線検出器6は、比較的広い面積を有する検出部を
備えたものであり、仮に、前記発散X線X のうちいず
れのX線が回折条件を満足した場合でもその回折X!!
X、を検出できるようになっている。The X-ray detector 6 is equipped with a detection section having a relatively large area, and even if any of the divergent X-rays X satisfies the diffraction conditions, the diffraction X! !
X, can be detected.
さて、上述の関係にあるとき、前記X線遮蔽物駆動手段
51によって前記X線遮蔽物5を移動し、前記発散X線
Xiの遮断範囲を変える。すなわち、例えば、まず、前
記X線遮蔽物5を図中右方−杯に移動させておき、前記
発散X線X・の大部分を遮断しておく。次に、これを徐
々に左方に移動させてその遮断範囲を小さくしていく。Now, when the above-mentioned relationship exists, the X-ray shield 5 is moved by the X-ray shield driving means 51 to change the blocking range of the divergent X-rays Xi. That is, for example, first, the X-ray shield 5 is moved to the right in the figure to block most of the divergent X-rays X. Next, this is gradually moved to the left to reduce its blocking range.
そうすると、ある位置から前記特定の結晶格子面3によ
る回折X線X、が生じ始め、前記X線検出器6によって
検知される。この回折X線の強度は急激に増大して最大
になった後、一定になる。そこで、一定となった回折X
線の強度の1/2の強度を示すときのX線遮蔽物の位置
、すなわち、前記点Oから前記X線遮蔽物5の先端52
までの距離をXとする。Then, diffracted X-rays X by the specific crystal lattice plane 3 begin to occur from a certain position and are detected by the X-ray detector 6. The intensity of this diffracted X-ray increases rapidly, reaches a maximum, and then becomes constant. Therefore, the diffraction X which became constant
The position of the X-ray shield when the intensity is 1/2 of the intensity of the ray, that is, from the point O to the tip 52 of the X-ray shield 5.
Let the distance to
このときのX線の入射角が回折条件を満足する入射角で
ある。この角度をθとし、前記X線源4から前記点Oま
での距離をaとすると、簡単な幾何学的関係から、
tanθ= a / x・・・・・・(2)が成り立つ
。(2)式において、aは前記X線源4と前記X線遮蔽
物駆動手段51との位置関係によって一義的に定まる既
知の定数であり、また、Xは前記X線遮蔽物駆動手段5
1によって測定できる。これにより、前記制御手段に所
定の演算を行なわせることにより、ただちにθを求める
ことができる。上述のように、このθが求まれば、既知
の回折角θBから、α−6!8−θを計算することによ
りαを求めることができる。なお、この計算は、前記図
示しない制御装置に前記θ、を記憶させておき、適宜に
演算をさせることにより、容易に行うことができる。The incident angle of the X-ray at this time is the incident angle that satisfies the diffraction conditions. If this angle is θ and the distance from the X-ray source 4 to the point O is a, then tanθ=a/x (2) holds from a simple geometrical relationship. In formula (2), a is a known constant uniquely determined by the positional relationship between the X-ray source 4 and the X-ray shield driving means 51, and
It can be measured by 1. Thereby, θ can be immediately determined by causing the control means to perform a predetermined calculation. As described above, once this θ is determined, α can be determined by calculating α−6!8−θ from the known diffraction angle θB. Note that this calculation can be easily performed by storing the value θ in the control device (not shown) and performing calculations as appropriate.
また、前記と逆に、最初前記X線遮蔽物5によって前記
発散X線を遮断せず、徐々にその遮断範囲を増大してい
くと、最初生じていた前記特定の結晶格子面3による回
折X線Xrが、ある位置で減少を始め、急激に消滅する
。この場合にも前記前記と同様にしてこのときのXを求
めて同様の計算を行うことによってもαを求めることが
できる。In addition, contrary to the above, if the divergent X-rays are not initially blocked by the X-ray shield 5 and the blocking range is gradually increased, the initially occurring diffracted X-rays due to the specific crystal lattice plane 3 The line Xr begins to decrease at a certain position and suddenly disappears. In this case, α can also be determined by determining X at this time and performing the same calculation in the same manner as described above.
なお、回折X線の増大及び減少が著しく急激である場合
には増大または減少の開始時点におけるX線遮蔽物の位
置をただちにXとしてもよい。Note that if the increase or decrease in diffracted X-rays is extremely rapid, the position of the X-ray shield may be set to X immediately at the start of the increase or decrease.
この実施例によれば、従来のように、試料1をX線ゴニ
オメータ等に取り付ける必要がなく、切断装置等に固定
したままでカット面の検査ができる。しかも、この方法
によれば、従来のようにX線ゴニオメータ等の複雑なj
a横の装置を必要とせず、比較的簡単な構成の装置でカ
ット面検査を行うことが可撓となる。According to this embodiment, there is no need to attach the sample 1 to an X-ray goniometer or the like as in the conventional case, and the cut surface can be inspected while the sample 1 is fixed to a cutting device or the like. Moreover, according to this method, complicated equipment such as X-ray goniometers, etc.
It is flexible to perform cut surface inspection with a relatively simple device without requiring a horizontal device.
なお、本発明は、上記一実施例に限られるものでなく、
例えば、X線遮蔽物としてスリット状のX線通過孔を有
するものを用いてこのX線遮蔽物を移動することにより
、前記カット面に入射するX線の入射角を走査させ、回
折X線が最大強度を示すときのX線遮蔽物の位置を求め
ることによっても前記試料のカット面と入射X線とのな
す角度を求めることができる。Note that the present invention is not limited to the above-mentioned example,
For example, by using an X-ray shield with a slit-shaped X-ray passing hole and moving this X-ray shield, the incident angle of the X-rays incident on the cut surface is scanned, and the diffracted X-rays are The angle between the cut surface of the sample and the incident X-ray can also be determined by determining the position of the X-ray shield when the maximum intensity is exhibited.
[発明の効果]
以上詳述したように、本発明は、要するに、カッ1〜面
に照射するX線としてカット面に対する入射角度か所定
の角度範囲を有し、実質的に点状X線源から射出される
発散X線を用い、
この発散X線の前記カット面に対する入射方向を、該発
散X線のいずれかが前記特定の結晶格子面による回折条
件を満足するようにあらかじめ設定しておき、
X線遮蔽物によって、前記発散X線の前記カット面に対
して入射するX線の一部を遮蔽するとともに、このX線
遮蔽物を移動して前記発散X線のうち前記カット面に入
射するX線の入射角の範囲または入射角を変化させ、
前記X線遮蔽物の移動の当初において前記特定の結晶格
子面による回折X線が生じていない場合にはその回折X
線が生じて所定の強度となったときにおける前記X線遮
蔽物の位置、または、前記X線遮蔽物の移動の当初から
前記特定の結晶格子面による回折X線が生じていた場合
にはその回折X線の強度か減少し始めて所定の強度にな
ったときにおける前記X線遮蔽物の位置をそれぞれ求め
、この位置から前記特定の結晶格子面によって回折X線
が生ずるときの前記カット面に対するX線の入射角を求
めることを特徴とした構成を有し、これにより、比較的
簡単な方法により、試料を切断装置等に固定したままで
カット面を検査できるカッI・面検査方法を得たもので
ある。[Effects of the Invention] As detailed above, the present invention has an incident angle with respect to the cut surface or a predetermined angle range as the X-rays irradiated to the cut surface, and is substantially a point-shaped X-ray source. The direction of incidence of the divergent X-rays on the cut plane is set in advance so that one of the divergent X-rays satisfies the diffraction conditions by the specific crystal lattice plane. , Blocking a part of the X-rays incident on the cut surface of the divergent X-rays with an X-ray shield, and moving this X-ray shield so that some of the divergent X-rays are incident on the cut surface. changing the incident angle range or incident angle of the X-rays, and if no diffracted X-rays are occurring due to the specific crystal lattice plane at the beginning of the movement of the X-ray shield, the diffracted X-rays are changed;
the position of the X-ray shield when the rays are generated and reach a predetermined intensity, or the position of the X-ray shield when diffracted X-rays by the specific crystal lattice plane have been generated from the beginning of the movement of the X-ray shield; The positions of the X-ray shields when the intensity of the diffracted X-rays begins to decrease and reach a predetermined intensity are determined, and the X-rays relative to the cut plane when the diffracted X-rays are generated by the specific crystal lattice plane from this position are determined. It has a configuration characterized by determining the angle of incidence of a line, and as a result, a cut I/surface inspection method that can inspect the cut surface while the sample is fixed to a cutting device etc. is obtained using a relatively simple method. It is something.
第1図は本発明の一実施例にかかるカット面検査方法の
説明図、第2図はカット面検査の原理説明図、第3図は
第1図の一部拡大図である。
1・・・試料、2・・・カット面、3・・・試料1の特
定の結晶格子面、4・・・X線源、5・・・X線遮蔽物
、6・・・X線検出器。FIG. 1 is an explanatory diagram of a cut surface inspection method according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram of the principle of cut surface inspection, and FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 1. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Sample, 2... Cut surface, 3... Specific crystal lattice plane of sample 1, 4... X-ray source, 5... X-ray shield, 6... X-ray detection vessel.
Claims (1)
特定の結晶格子面によって生ずる回折X線を検知し、そ
のときにおける前記カット面に照射するX線の入射角度
を求めることにより、前記試料のカット面と前記特定の
結晶格子面とがなす角度を求めるカット面検査方法にお
いて、 前記カット面に照射するX線としてカット面に対する入
射角度が所定の角度範囲を有し、実質的に点状X線源か
ら射出される発散X線を用い、この発散X線の前記カッ
ト面に対する入射方向を、該発散X線のいずれかが前記
特定の結晶格子面による回折条件を満足するようにあら
かじめ設定しておき、 X線遮蔽物によつて、前記発散X線の前記カット面に対
して入射するX線の一部を遮蔽するとともに、このX線
遮蔽物を移動して前記発散X線のうち前記カット面に入
射するX線の入射角の範囲または入射角を変化させ、 前記X線遮蔽物の移動の当初において前記特定の結晶格
子面による回折X線が生じていない場合にはその回折X
線が生じて所定の強度となったときにおける前記X線遮
蔽物の位置、または、前記X線遮蔽物の移動の当初から
前記特定の結晶格子面による回折X線が生じていた場合
にはその回折X線の強度が減少し始めて所定の強度にな
つたときにおける前記X線遮蔽物の位置をそれぞれ求め
、この位置から前記特定の結晶格子面によって回折X線
が生ずるときの前記カット面に対するX線の入射角を求
めることを特徴としたカット面検査方法。[Claims] When a cut surface of a crystalline sample is irradiated with X-rays, diffraction X-rays generated by a specific crystal lattice plane of the sample are detected, and the X-rays irradiated onto the cut surface at that time are incident. In the cut surface inspection method for determining the angle between the cut surface of the sample and the specific crystal lattice plane by determining the angle, the incident angle of the X-rays irradiated onto the cut surface with respect to the cut surface falls within a predetermined angular range. using divergent X-rays emitted from a substantially point-like X-ray source, the direction of incidence of the divergent X-rays on the cut surface is such that any of the divergent X-rays is diffracted by the specific crystal lattice plane. The conditions are set in advance to satisfy the conditions, and the X-ray shield partially blocks the X-rays incident on the cut surface of the divergent X-rays, and the X-ray shield is moved. and changing the incident angle range or incidence angle of the X-rays incident on the cut surface among the divergent X-rays, so that diffracted X-rays are generated by the specific crystal lattice plane at the beginning of movement of the X-ray shield. If not, its diffraction
the position of the X-ray shield when the rays are generated and reach a predetermined intensity, or the position of the X-ray shield when diffracted X-rays by the specific crystal lattice plane have been generated from the beginning of the movement of the X-ray shield; The positions of the X-ray shields when the intensity of the diffracted X-rays begins to decrease and reach a predetermined intensity are determined, and the X-rays relative to the cut plane when the diffracted X-rays are generated by the specific crystal lattice plane from this position are determined. A cut surface inspection method characterized by determining the angle of incidence of a line.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2162190A JPH03225266A (en) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Method for inspecting cut face |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2162190A JPH03225266A (en) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Method for inspecting cut face |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03225266A true JPH03225266A (en) | 1991-10-04 |
Family
ID=12060132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2162190A Pending JPH03225266A (en) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Method for inspecting cut face |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03225266A (en) |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2162190A patent/JPH03225266A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20190339215A1 (en) | Method and apparatus for x-ray scatterometry | |
JP6230618B2 (en) | Apparatus and method for surface mapping using in-plane oblique incidence diffraction | |
US20040109534A1 (en) | Fluorescent X-ray analysis apparatus | |
TW201816393A (en) | Closed-loop control of X-ray knife edge | |
EP3550292A1 (en) | X-ray reflectometer | |
JP3968350B2 (en) | X-ray diffraction apparatus and method | |
JPH03225266A (en) | Method for inspecting cut face | |
US3539808A (en) | Measuring corrosion on a coated metallic surface by means of backscattered nuclear radiation | |
US20110188631A1 (en) | X-ray spectrometer | |
JP2977166B2 (en) | X-ray diffractometer with wide-range X-ray detector | |
JP2000035409A (en) | X-ray apparatus and x-ray measuring method | |
JPS649575B2 (en) | ||
JPH11281339A (en) | Plate thickness measuring device by compton scattering | |
JPH11248653A (en) | Method and device for analyzing total reflection fluorescent x-ray | |
JPS6259255B2 (en) | ||
KR101603305B1 (en) | Slit control system of x-ray | |
SU448372A1 (en) | The method of determining the angle of inclination of the x-ray beam to the goniometer axis | |
JPH11248652A (en) | X-ray diffraction measuring method and x-ray differactometer | |
SU881592A2 (en) | X-ray spectrometer | |
JPS6033364Y2 (en) | Radiation applied measurement device | |
SU1087853A1 (en) | Surface machining quality control method | |
JPS62214335A (en) | Total reflection fluorescent exafs device | |
JP2023118009A (en) | X-ray diffraction device and method for measurement | |
JPH0714873Y2 (en) | X-ray diffraction measuring device | |
JPS6382350A (en) | X ray crystal diffraction apparatus |