SU881592A2 - X-ray spectrometer - Google Patents

X-ray spectrometer Download PDF

Info

Publication number
SU881592A2
SU881592A2 SU802915602A SU2915602A SU881592A2 SU 881592 A2 SU881592 A2 SU 881592A2 SU 802915602 A SU802915602 A SU 802915602A SU 2915602 A SU2915602 A SU 2915602A SU 881592 A2 SU881592 A2 SU 881592A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
detector
crystal
quanta
fluorescent
ray
Prior art date
Application number
SU802915602A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Михаил Валентинович Ковальчук
Рафик Мамед Имамов
Юрий Николаевич Шилин
Анатолий Вениаминович Миренский
Original Assignee
Ордена Трудового Красного Знамени Институт Кристаллографии Им.А.В.Шубникова
Специальное Конструкторское Бюро Института Кристаллографии Им.А.В.Шубникова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Трудового Красного Знамени Институт Кристаллографии Им.А.В.Шубникова, Специальное Конструкторское Бюро Института Кристаллографии Им.А.В.Шубникова filed Critical Ордена Трудового Красного Знамени Институт Кристаллографии Им.А.В.Шубникова
Priority to SU802915602A priority Critical patent/SU881592A2/en
Application granted granted Critical
Publication of SU881592A2 publication Critical patent/SU881592A2/en

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

(54) РЕНТГЕНОВСКИЙ СПЕКТРОМЕТР(54) X-RAY SPECTROMETER

Claims (2)

Изобретение относитс  к аппаратур дл  рентгенодифракционного анализа монокристаллов. По основному авт. св. № 463045 известен рентгеновский спектрометр, содержащий источник рентгеновских лучей, коллиматор, кристалл-монохроматор , кристалл-анализатор и детекто излучени , снабженный средствами его перемещени  перпендикул рно направлению первичного рентгеновского пучка. Дл  регистрации флуоресцентного излучени  в услови х дифракции детектор располагают максимально близко к поверхности образца перпендикул рна ей l . Однако при измерении кривых флуоресценции часто необходимо, измен ть глубину выхода регистрируемых флуоре центных квантов, например дл  повышени  точности получаемых результатов . Это возможно сделать, изменив угол между поверхностью исследуемого кристалла и детектором в вертикальной плоскости. Целью изобретени   вл етс  расширение функциональных возможностей рентгеновского спектрометра за счет дифференциации информации по глубине исследуемого образца. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в рентгеновском спектрометре введен второй детектор, установленный на кронштейне, выполненном в виде дуги, причем плоскость дуги проходит через вертикальную ось спектрометра и перпендикул рна плоскости перемещени  первого детектора, а ее центр лежит на этой оси. На фиг. 1 показан кронштейн с установленным на нем детектором; на фиг. 2 - схема работы устройства. Устройство содержит дополнительный детектор 1, Который установлен на дуге заданного радиуса This invention relates to single crystal X-ray diffraction apparatus. According to the main author. St. No. 463045 is an X-ray spectrometer comprising an X-ray source, a collimator, a crystal monochromator, an analyzer crystal, and a radiation detection unit, equipped with means for moving it perpendicular to the direction of the primary X-ray beam. To detect fluorescence under diffraction conditions, the detector is located as close to the sample surface as perpendicular to it l. However, when measuring fluorescence curves it is often necessary to change the depth of output of recorded fluorescent quanta, for example, to increase the accuracy of the results obtained. This can be done by changing the angle between the surface of the investigated crystal and the detector in the vertical plane. The aim of the invention is to enhance the functionality of the X-ray spectrometer by differentiating information according to the depth of the sample under investigation. The goal is achieved by introducing a second detector mounted on an arc-shaped bracket in the X-ray spectrometer, the arc plane passing through the vertical axis of the spectrometer and perpendicular to the plane of movement of the first detector, and its center lies on this axis. FIG. 1 shows a bracket with a detector mounted on it; in fig. 2 - scheme of the device. The device contains an additional detector 1, which is installed on an arc of a given radius 2. Перемещение детектора 1 по дуге 2 позвол ет измен ть угол f между нормалью N к поверхности кристалла и продольной осью детектора в диапазоне 0-90° Последовательно увеличива  угол , можно измен ть максимальную глубину выхода флуоресцентных квантов, после довательно уменьша  ее-. Увеличение угла Ч позвол ет реги трировать флуоресцентные кванты, вы- ход щие с различной глубины кристалла . Обычно, рентгеновские флуоресцентные кванты (фиг. 2) образовавшиес , например, на рассто нии LO от поверхности кристалла, имеют прак тически, сферически симметричное угловое распределение. Это означает, что максимальную веро тность выхода из кристалла имеют кванты, вылетающие вдоль нормали N к поверхности, поскольку им соответствует минимальна  длина пробега в кристалле по сра нению с квантами, выход щими под углом к нормали. Детектор вторичного излучени , установленный в непосредственной бли зости к поверхности кристалла, регистрирует флуоресцентные кванты, п падающие в телесный угол, определ емый апертурой детектора. При этом счетчик, наход щийс  в положении, перпендикул рном поверхности образца (т.е. продольна  ось счетчика совпадает с нормалью к поверхности кристалла), регистрирует флуоресцентные кванты с максимально возмож ной глубиной выхода. Если детектор находитс  в положении, при котором его продольна  ось образует некоторый угол с нормалью к поверхности, то он уже регистрирует кванты, выхо д щие с глубины 2, , меньшей L , поскольку рассто ние LQ -В достаточно дл  поглощени  квантов. В то же врем  кванты, образовавщиес  на меньшей глубине кристалла L, , могут преодолеть рассто ние L, В и выйти на поверхность кристалла. Установка второго детектора на специальном кронштейне дает возможность измер ть интенсивность флуоресцентного излучени  в услови х дифракции рентгеновских лучей, измен   при этом толщину исследуемого сло . Реализаци  возможности измерени  флуоресцентного излу1-ени  на стандартных рентгеновских спектрометрах существенно расшир ет область применени  этих приборов. Спектрометр может быть использован дл  анализа, реальной структуры кристаллов. Поскольку измерение кривых флуоресценции с малой глубиной выхода дает однозначную информацию о положении флуоресцентных атомов в кристаллической решетки, то предлагаемый спектрометр оказываетс  очень эффективным при определении местоположени  атомов примеси, вводимой в полупроводниковые кристаллы в процессе технологических операций при производстве изделий микроэлектроники . Формула изобретени  Рентгеновский спектрометр по авт. св. № 463045, о тличающийс   тем, что, с целью расишрени  функциональных возможностей за счет дифференциации информации по глубине исследуемого образца, в устройство введен второй детектор, установленHbrii на кронштейне, выполненном в виде дуги плоскость которой проходит через вертикальную ось спектрометра и перпендикул рна плоскости перемещени  первого детектора, а ее центр лежит на этой оси. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1 . Авторскре,. свидетельство СССР № 463045, кл., G 01 N 23/207, 1973 (прототип).2. Moving detector 1 along arc 2 allows changing the angle f between the normal N to the surface of the crystal and the longitudinal axis of the detector in the range of 0-90 °. Increasing the angle successively, you can change the maximum depth of the output of fluorescent quanta, gradually reducing it. Increasing the angle H allows the detection of fluorescent quanta exiting from different depths of the crystal. Usually, X-ray fluorescent quanta (Fig. 2) formed, for example, at a distance LO from the surface of the crystal, have a practically spherically symmetric angular distribution. This means that quanta emitting along the normal N to the surface have the maximum probability of escape from the crystal, since they correspond to the minimum path length in the crystal compared to quanta exiting at an angle to the normal. A secondary radiation detector, mounted in close proximity to the surface of the crystal, detects fluorescent quanta p falling into the solid angle determined by the aperture of the detector. In this case, the counter located in a position perpendicular to the sample surface (i.e., the longitudinal axis of the counter coincides with the normal to the crystal surface) registers fluorescent quanta with the maximum possible exit depth. If the detector is in a position where its longitudinal axis forms a certain angle with the normal to the surface, then it already registers quanta extending from a depth of 2, less than L, since the distance LQ –B is sufficient to absorb quanta. At the same time, quanta formed at a smaller crystal depth L, can overcome the distance L, B and reach the surface of the crystal. Installing a second detector on a special bracket makes it possible to measure the intensity of the fluorescent radiation under x-ray diffraction conditions, while changing the thickness of the layer under study. The realization of the possibility of measuring fluorescent radiation on standard X-ray spectrometers greatly expands the field of application of these instruments. The spectrometer can be used to analyze the real structure of the crystals. Since the measurement of fluorescence curves with a shallow depth of output provides unambiguous information about the position of fluorescent atoms in the crystal lattice, the proposed spectrometer is very effective in determining the location of impurity atoms introduced into semiconductor crystals during technological operations in the manufacture of microelectronics products. The invention of the X-ray spectrometer according to ed. St. No. 463045, differing in the fact that, in order to improve the functionality due to the differentiation of information according to the depth of the sample under study, a second detector was inserted into the device, mounted Hbrii on a bracket made in the form of an arc whose plane passes through the vertical axis of the spectrometer and perpendicular to the plane of the first detector, and its center lies on this axis. Sources of information taken into account during the examination 1. Autoskree ,. USSR certificate No. 463045, cl., G 01 N 23/207, 1973 (prototype).
SU802915602A 1980-01-31 1980-01-31 X-ray spectrometer SU881592A2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802915602A SU881592A2 (en) 1980-01-31 1980-01-31 X-ray spectrometer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802915602A SU881592A2 (en) 1980-01-31 1980-01-31 X-ray spectrometer

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU463045 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU881592A2 true SU881592A2 (en) 1981-11-15

Family

ID=20892088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802915602A SU881592A2 (en) 1980-01-31 1980-01-31 X-ray spectrometer

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU881592A2 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6359964B1 (en) X-ray analysis apparatus including a parabolic X-ray mirror and a crystal monochromator
WO2018211664A1 (en) X-ray spectrometer
US6885726B2 (en) Fluorescent X-ray analysis apparatus
JP3968350B2 (en) X-ray diffraction apparatus and method
SU881592A2 (en) X-ray spectrometer
JPH08313458A (en) X-ray equipment
KR100703819B1 (en) Fluorescent X-ray Analysis Apparatus
US6310937B1 (en) X-ray diffraction apparatus with an x-ray optical reference channel
US20110188631A1 (en) X-ray spectrometer
JP2000193613A (en) X-ray fluorescence analytical equipment
JP2013148431A (en) Total reflection x-ray analysis method and total reflection x-ray analysis device
RU2706445C1 (en) Device for waveguide-resonance x-ray fluorescence element analysis
SU1436036A1 (en) Method of determining lattice parameters of polycrystalline materials
SU702280A1 (en) X-ray goniometer
SU1622803A1 (en) Method of determining the degree of disturbance of surface of volume of monocrystalline plates
JPS6315546B2 (en)
SU448372A1 (en) The method of determining the angle of inclination of the x-ray beam to the goniometer axis
RU2216010C2 (en) Multichannel x-ray diffractometer
JP2002093594A (en) X-ray tube and x-ray analyzer
RU2166184C2 (en) X-ray reflectometer
SU949441A1 (en) X-ray spectrometer
JPH11248652A (en) X-ray diffraction measuring method and x-ray differactometer
JPH04184155A (en) Total reflection spectrum measuring device
SU873067A1 (en) X-ray spectrometer
SU1536284A1 (en) Method of x-ray diffractometry of thin films