JPH08313458A - X-ray equipment - Google Patents

X-ray equipment

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JPH08313458A
JPH08313458A JP14246995A JP14246995A JPH08313458A JP H08313458 A JPH08313458 A JP H08313458A JP 14246995 A JP14246995 A JP 14246995A JP 14246995 A JP14246995 A JP 14246995A JP H08313458 A JPH08313458 A JP H08313458A
Authority
JP
Japan
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ray
sample
axis
monochromator
rotation system
Prior art date
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Pending
Application number
JP14246995A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Kobayashi
勇二 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rigaku Denki Co Ltd
Rigaku Corp
Original Assignee
Rigaku Denki Co Ltd
Rigaku Corp
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Filing date
Publication date
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Priority to JP14246995A priority Critical patent/JPH08313458A/en
Publication of JPH08313458A publication Critical patent/JPH08313458A/en
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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

PURPOSE: To enable the execution of highly accurate X-ray measurement by a method wherein a high-intensity X-ray beam controlled to have a small radius of section can be emitted to a sample, in X-ray equipment using a single-crystal monochromator. CONSTITUTION: In X-ray equipment wherein an X ray R emitted from an X-ray source 1 is emitted to a sample and the X ray diffracted, reflected or scattered by the sample is passed through a reception slit and detected by an X-ray detector, a monochromator 2 being curved with a radius Rx of curvature around the axis L1 contained in a plane containing the center line Lc of an incident X ray R1 cast on the sample, i.e., being curved with respect to the longitudinal direction, is provided on an optical path of the X ray from the X-ray source 1 to the sample. This constitution is advantageous, in particular, for obtaining a highly reliable result of measurement in the case when it is applied to an analyzing apparatus of a single-crystal structure using a four-axis goniometer or to a small angle scattering goniometer.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、X線源から出るX線を
試料に照射し、その試料を経由、例えば、回折、反射又
は散乱等したX線を受光スリットを通してX線検出器に
よって検出するX線装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention irradiates a sample with X-rays emitted from an X-ray source, and detects, for example, X-rays that have been diffracted, reflected, or scattered through the sample by an X-ray detector through a light-receiving slit. X-ray device.

【0002】[0002]

【従来の技術】試料にX線を照射したときにその試料で
回折、反射又は散乱するX線をX線検出器によって検出
するようにしたX線装置は、従来より、広く知られてい
る。この種のX線装置において、S/N比の良い測定結
果を得るために、X線源から放射されて発散するX線を
単結晶モノクロメータで回折して単色化することがしば
しば行われている。
2. Description of the Related Art An X-ray device which detects an X-ray diffracted, reflected or scattered by the sample when the sample is irradiated with an X-ray by an X-ray detector has been widely known. In this type of X-ray device, in order to obtain a good S / N ratio measurement result, the X-ray emitted from the X-ray source and diverging is often diffracted by a single crystal monochromator to be monochromatic. There is.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
単結晶モノクロメータの形状は平板状であったので、そ
のモノクロメータで回折したX線はX線光路に対して縦
方向へ発散し、そのため、X線源からX線検出器までの
距離が離れるに従い単位面積当たりのX線強度が減少
し、その結果、X線検出器によるX線の検出精度が低下
するという問題があった。
However, since the conventional single crystal monochromator has a flat plate shape, the X-rays diffracted by the monochromator diverge in the longitudinal direction with respect to the X-ray optical path, and therefore, There is a problem that the X-ray intensity per unit area decreases as the distance from the X-ray source to the X-ray detector increases, and as a result, the accuracy of X-ray detection by the X-ray detector decreases.

【0004】本発明は、単結晶モノクロメータを用いた
従来のX線装置における上記の問題点を解消するために
なされたものであって、強度の強いX線を試料に照射で
きるようにして高精度のX線測定を可能にしたX線装置
を提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems in the conventional X-ray apparatus using a single crystal monochromator, and it is possible to irradiate a sample with high-intensity X-rays. An object is to provide an X-ray device that enables accurate X-ray measurement.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係るX線装置は、X線源から出るX線を試
料に照射し、その試料を経由したX線を受光スリットを
通してX線検出器によって検出するX線装置において、
試料へ入射する入射X線の中心線を含む面に含まれる軸
線を中心として湾曲するモノクロメータを、X線源から
試料に至るX線の光路上に設けたことを特徴とする。試
料を経由したX線というのは、試料で回折したX線、試
料で反射したX線又は試料で散乱したX線等のことであ
る。モノクロメータは、種々の材質の単結晶によって形
成できるが、例えば、グラファイトによって形成され
る。
In order to achieve the above object, an X-ray apparatus according to the present invention irradiates a sample with X-rays emitted from an X-ray source and transmits the X-rays passing through the sample through a light-receiving slit. In an X-ray device that detects with an X-ray detector,
It is characterized in that a monochromator that bends around an axis included in a plane including a center line of an incident X-ray incident on a sample is provided on an X-ray optical path from the X-ray source to the sample. The X-ray passing through the sample is an X-ray diffracted by the sample, an X-ray reflected by the sample, an X-ray scattered by the sample, or the like. The monochromator can be formed of single crystals of various materials, and is formed of graphite, for example.

【0006】上記のように縦方向に湾曲させたモノクロ
メータは、種々の形式のX線装置に適用できる。例え
ば、4軸ゴニオメータを用いた単結晶構造解析装置に適
用できる。この場合には、4軸ゴニオメータによって試
料、受光スリット及びX線検出器を支持すると共に、X
線検出器の出力に基づいて構造解析用演算装置によっ
て、試料を構成する原子の座標値、すなわち結晶構造を
決定する。この4軸ゴニオメータは、通常、試料をその
試料を通るΦ軸線のまわりに回転させるΦ軸回転系と、
Φ軸回転系を試料を中心として回転させるΧ(カイ)軸
回転系と、Χ軸回転系を試料を通るΩ軸線のまわりに回
転させるΩ軸回転系と、Ω軸線を中心としてΩ回転系か
ら独立して回転する2θ回転系との4つの回転系によっ
て構成する。そして、受光スリット及びX線検出器は2
θ回転系によって支持される。
The monochromator curved in the vertical direction as described above can be applied to various types of X-ray apparatuses. For example, it can be applied to a single crystal structure analyzing apparatus using a 4-axis goniometer. In this case, the four-axis goniometer is used to support the sample, the light-receiving slit and the X-ray detector, and
Based on the output of the line detector, the arithmetic unit for structural analysis determines the coordinate values of atoms constituting the sample, that is, the crystal structure. This four-axis goniometer usually has a Φ-axis rotation system that rotates a sample around a Φ-axis line passing through the sample,
From the Ω axis rotation system that rotates the Φ axis rotation system around the sample, the Χ (chi) axis rotation system that rotates the Φ axis rotation system around the Ω axis line passing through the sample, and the Ω rotation system around the Ω axis line. It is configured by four rotating systems including a 2θ rotating system that rotates independently. And the light receiving slit and the X-ray detector are 2
It is supported by the θ rotation system.

【0007】また、縦方向に湾曲させたモノクロメータ
は、例えば、いわゆる小角散乱装置に適用できる。この
場合には、X線検出器を試料を中心として小角度範囲で
走査し、試料に生じる散乱X線をこのX線検出器によっ
て検出する。
The vertically curved monochromator can be applied to, for example, a so-called small-angle scattering device. In this case, the X-ray detector is scanned in a small angle range centering on the sample, and scattered X-rays generated on the sample are detected by this X-ray detector.

【0008】[0008]

【作用】モノクロメータで回折したX線はモノクロメー
タの湾曲形状に応じて、縦方向に発散することなく、例
えば、図2に示すように平行ビームR1に集束して特定
の集光領域へ集光したり、あるいは図3に示すように集
中ビームR2に集束して特定の集光領域へ集光する。こ
れらは、発散するX線の不要部分の進行をスリットやコ
リメータによって規制することによって微小断面の平行
ビームを得るものではないので、上記の集光領域に強度
の強い単色X線を得ることができる。
According to the curved shape of the monochromator, the X-rays diffracted by the monochromator do not diverge in the vertical direction, but are focused on a parallel beam R1 as shown in FIG. The light is emitted, or as shown in FIG. 3, it is focused on the concentrated beam R2 to be focused on a specific focusing area. Since these do not obtain a parallel beam with a minute cross section by restricting the progress of unnecessary portions of diverging X-rays with slits or collimators, it is possible to obtain strong monochromatic X-rays in the above-mentioned condensing region. .

【0009】図4は、本発明に係る縦湾曲パイロリティ
ックグラファイトモノクロメータと、従来の平板パイロ
リティックグラファイトモノクロメータと、そして従来
の平板ゲルマニウム(111)モノクロメータとの3種
類のモノクロメータを用いてX線源から放射されたX線
を単色化してCuKαを取り出し、さらにそのX線をス
リット直径が0.05mm、0.2mm及び0.5mm
の3種類のコリメータを通したときのX線強度を測定し
たときの結果を示している。なお、パイロリティックグ
ラファイトモノクロメータというのは、グラファイトに
熱合成処理を施して所定形状のモノクロメータを作製し
た場合のモノクロメータのことである。
FIG. 4 shows three types of monochromators including a longitudinally curved pyrolytic graphite monochromator according to the present invention, a conventional flat plate pyrolytic graphite monochromator, and a conventional flat germanium (111) monochromator. The X-ray radiated from the X-ray source is monochromated to take out CuKα, and the X-ray has a slit diameter of 0.05 mm, 0.2 mm and 0.5 mm.
3 shows the results of measuring the X-ray intensity when passing through the three types of collimators. The pyrolytic graphite monochromator is a monochromator in the case where graphite is subjected to a thermal synthesis process to produce a monochromator having a predetermined shape.

【0010】図4から明らかなように、本発明に係る縦
湾曲パイロリティックグラファイトモノクロメータを用
いた場合には、従来の平板パイロリティックグラファイ
トモノクロメータに比べて略2倍のX線強度を得ること
ができる。
As is apparent from FIG. 4, when the longitudinally curved pyrolytic graphite monochromator according to the present invention is used, it is possible to obtain an X-ray intensity approximately twice as high as that of the conventional flat plate pyrolytic graphite monochromator. You can

【0011】[0011]

【実施例】(実施例1) 図1は、4軸ゴニオメータを用いた単結晶
構造解析装置に本発明を適用した場合の実施例を示して
いる。この単結晶構造解析装置は、好ましくはポイント
フォーカスのX線を発生するX線源1と、X線を単色化
するモノクロメータ2と、X線を平行ビームに成形する
コリメータ3と、そして単結晶試料4、受光スリット6
及びX線カウンタ7を支持する4軸ゴニオメータ5とを
有している。X線カウンタ7の出力端子は、結晶構造を
解析するための演算回路12に接続される。
EXAMPLES Example 1 FIG. 1 shows an example in which the present invention is applied to a single crystal structure analyzing apparatus using a 4-axis goniometer. This single crystal structure analyzing apparatus is preferably an X-ray source 1 for generating point-focused X-rays, a monochromator 2 for monochromating the X-rays, a collimator 3 for shaping the X-rays into a parallel beam, and a single crystal. Sample 4, light receiving slit 6
And a 4-axis goniometer 5 that supports an X-ray counter 7. The output terminal of the X-ray counter 7 is connected to the arithmetic circuit 12 for analyzing the crystal structure.

【0012】モノクロメータ2は、例えば、グラファイ
トを熱合成することによって所望形状に形成される。そ
してその形状は、図2に示すように、入射X線Rの中心
線LC を含む面に含まれる軸線L1 を中心として湾曲、
すなわち入射X線Rの進行方向に対して縦方向に湾曲す
るものである。この湾曲形状の曲率半径RX は、X線R
の波長及び回折X線の集束のさせ方に応じて決められる
が、例えば、MoKαを平行ビーム(図2に示す状態)
として取り出すためには、RX =24mmに設定する。
また、CuKαを平行ビームとして取り出すためには、
X =53mmに設定する。X線の集束のさせ方とし
て、図3に示すように、平行ビームではなくて集中ビー
ムとすることも考えられるが、そのような集中ビームを
形成する際にはRX をより小さい値に、すなわち曲率を
より大きく設定する。
The monochromator 2 is formed into a desired shape by, for example, thermally synthesizing graphite. Then, as shown in FIG. 2, the shape is curved about an axis L 1 included in a plane including the center line L C of the incident X-ray R,
That is, it is curved in the vertical direction with respect to the traveling direction of the incident X-ray R. The radius of curvature R X of this curved shape is the X-ray R
Of the parallel beam (state shown in FIG. 2). For example, MoKα is a parallel beam.
R x = 24 mm.
In order to extract CuKα as a parallel beam,
Set R X = 53 mm. As a method of focusing X-rays, it is possible to use a focused beam instead of a parallel beam as shown in FIG. 3, but when forming such a focused beam, R X is set to a smaller value, That is, the curvature is set larger.

【0013】図1において、4軸ゴニオメータ5は、単
結晶試料4をその試料4を通るΦ軸線のまわりに回転さ
せるΦ回転軸8と、Φ回転軸8を試料4を中心として回
転させるΧ(カイ)サークル部材9と、Χサークル部材
9を試料4を通るΩ軸線のまわりに回転させるΩ回転軸
10と、Ω軸線を中心としてΩ回転軸10から独立して
回転する2θ回転軸11との4つの回転系を有してい
る。試料4はΦ回転軸8の上端に固着され、そして受光
スリット6及びX線カウンタ7は2θ回転軸11によっ
て支持される。Φ回転軸8、Χサークル部材9、Ω回転
軸10及び2θ回転軸11は、それぞれ、ステッピング
モータによって独自に回転駆動制御される。
In FIG. 1, a four-axis goniometer 5 has a Φ rotating shaft 8 for rotating a single crystal sample 4 around a Φ axis passing through the sample 4, and a Φ rotating shaft 8 for rotating the Φ rotating shaft 8 about the sample 4. Chi) A circle member 9, an Ω rotating shaft 10 that rotates the Χ circle member 9 around an Ω axis passing through the sample 4, and a 2θ rotating shaft 11 that rotates independently from the Ω rotating shaft 10 about the Ω axis. It has four rotating systems. The sample 4 is fixed to the upper end of the Φ rotating shaft 8, and the light receiving slit 6 and the X-ray counter 7 are supported by the 2θ rotating shaft 11. The Φ rotation shaft 8, the Χ circle member 9, the Ω rotation shaft 10, and the 2θ rotation shaft 11 are individually driven and controlled by a stepping motor.

【0014】本実施例の単結晶構造解析装置は以上のよ
うに構成されているので、X線源1から放射されたX線
は、縦湾曲モノクロメータ2によって単色化及び集束さ
れてコリメータ3へ送り込まれ、その後、単結晶試料4
へ照射される。単結晶4の結晶格子面と入射X線との間
で回折条件が満足されると、X線の回折が生じ、その回
折X線がX線カウンタ7によって検出され、そのX線の
強度に対応した出力信号が生じる。この出力信号は結晶
構造演算回路12へ送られ、所定の演算処理が実行され
て結晶構造、すなわち単結晶試料4を構成する各種の原
子の座標値が決定される。
Since the single crystal structure analyzing apparatus of the present embodiment is constructed as described above, the X-rays emitted from the X-ray source 1 are monochromaticized and focused by the longitudinally curved monochromator 2 and are then focused on the collimator 3. Sent, then single crystal sample 4
Is irradiated. When the diffraction condition is satisfied between the crystal lattice plane of the single crystal 4 and the incident X-ray, X-ray diffraction occurs, and the diffracted X-ray is detected by the X-ray counter 7 and corresponds to the intensity of the X-ray. Output signal is generated. This output signal is sent to the crystal structure calculation circuit 12, and predetermined calculation processing is executed to determine the crystal structure, that is, the coordinate values of various atoms forming the single crystal sample 4.

【0015】結晶構造を決定するための演算回路12に
よる演算処理及びそれに付随する4軸ゴニオメータ5の
動作は、それ自体は周知であるので、詳しい説明は省略
するが、基本的には、次のような演算処理が実行され
る。まず、面指数が(hkl)の面の回折条件を満たす
2θ、ω、χ(カイ)、φの各角度を計算によって求め
る。なお、2θは2θ回転軸11のΩ軸線のまわりの回
転角度を示し、ωはΩ回転軸10の回転角度を示し、χ
はΧサークル部材9の試料4のまわりの回転角度を示
し、そしてφはΦ回転軸8の回転角度を示している。
The calculation process by the calculation circuit 12 for determining the crystal structure and the operation of the 4-axis goniometer 5 associated therewith are well known per se, and a detailed description thereof will be omitted. Such arithmetic processing is executed. First, each angle of 2θ, ω, χ (chi), and φ satisfying the diffraction condition of a surface having a surface index of (hkl) is calculated. Note that 2θ represents the rotation angle of the 2θ rotation axis 11 around the Ω axis line, ω represents the rotation angle of the Ω rotation axis 10, and χ
Indicates the rotation angle of the circle member 9 around the sample 4, and φ indicates the rotation angle of the Φ rotation shaft 8.

【0016】そして、4軸ゴニオメータ5の上記各軸線
まわりの角度を上記の算出された各角度に設定し、その
状態で試料4にX線を照射し、さらにX線カウンタ7に
よって回折X線を検出する。そして、そのカウント値に
基づいて回折X線の積分強度I(h)を算出し、その積
分強度I(h)から結晶構造因子 F0(h)を算出し、
さらにその F0(h)をフーリエ変換して電子密度ρ
(r)を算出する。この電子密度ρ(r)により、原子
の座標値が明らかになり、それ故、試料4の結晶構造が
明らかになる。必要に応じて、実測された結晶構造因子
0(h)と計算による結晶構造因子 FC(h)を比較
し、それらが最も一致するように、求められた電子密度
ρ(r)に修正を加える。
Then, the angles around the respective axes of the 4-axis goniometer 5 are set to the respective calculated angles described above, the sample 4 is irradiated with X-rays in that state, and the diffracted X-rays are further irradiated by the X-ray counter 7. To detect. Then, the integrated intensity I (h) of the diffracted X-ray is calculated based on the count value, and the crystal structure factor F 0 (h) is calculated from the integrated intensity I (h),
Further, the F 0 (h) is Fourier transformed to obtain an electron density ρ
Calculate (r). This electron density ρ (r) reveals the coordinate values of the atoms and hence the crystal structure of Sample 4. If necessary, the measured crystal structure factor F 0 (h) is compared with the calculated crystal structure factor F C (h), and the calculated electron density ρ (r) is corrected so that they are the best match. Add.

【0017】上記の結晶構造解析装置においては、結晶
構造因子 F0(h)を正確に測定するために、試料4が
X線ビームに完全に浴しなければならず、そのX線ビー
ムの強度ができる限り強くなければならず、さらに回折
X線が受光スリットを「無傷」で通過しなければならな
い。本実施例のように、縦湾曲モノクロメータ2を用い
れば、X線ビームの断面径を所望の大きさに正確に絞り
込むことができるので、可能な限り強度の強いX線を試
料に照射することができ、しかも最良の状態の回折X線
をX線カウンタに導くことができる。その結果、信頼性
の高い構造解析結果を得ることができる。
In the above crystal structure analysis apparatus, the sample 4 must be completely bathed in the X-ray beam in order to accurately measure the crystal structure factor F 0 (h), and the intensity of the X-ray beam is measured. Must be as strong as possible, and the diffracted X-rays must pass through the receiving slit "intactly". By using the longitudinally curved monochromator 2 as in the present embodiment, the cross-sectional diameter of the X-ray beam can be accurately narrowed to a desired size, so that the sample should be irradiated with X-ray having the highest intensity. In addition, the diffracted X-ray in the best state can be guided to the X-ray counter. As a result, a highly reliable structural analysis result can be obtained.

【0018】(実施例2)図5は、いわゆる小角散乱装
置に本発明を適用した場合の実施例を示している。小角
散乱装置は、試料にX線を照射したときの試料を中心と
する低角度範囲、例えば0゜〜5゜程度の角度範囲に発
生する散乱X線の強度に基づいて、試料を構成する粒子
の大きさや形状を測定したり、タンパク質の結晶に見ら
れるような結晶の長周期構造を測定する場合等に用いら
れる。
Example 2 FIG. 5 shows an example in which the present invention is applied to a so-called small-angle scattering device. The small-angle scattering device is a particle forming a sample based on the intensity of scattered X-rays generated in a low angle range around the sample when the sample is irradiated with X-rays, for example, an angle range of about 0 ° to 5 °. It is used when measuring the size and shape of the protein, or when measuring the long-period structure of crystals such as those found in protein crystals.

【0019】図5に示した小角散乱装置では、X線源1
とコリメータ3との間のX線光路上に、図2や図3に示
す構成の縦湾曲モノクロメータ2を配設してある。コリ
メータ3を出たX線は散乱線阻止スリット13を通って
試料4に照射され、そして、試料4で発生した散乱X線
が受光スリット6を通過してX線カウンタ7に取り込ま
れ、そのX線カウンタによってカウントされる。X線カ
ウンタ7及び受光スリット6は、試料4を支持する支持
軸14を中心として回転する2θ回転軸21に支持され
る。2θ回転軸21は、図示しないステッピングモータ
によって駆動されて2θ回転角度のうちの低角度範囲、
例えば0゜〜5゜の角度範囲で回転し、散乱X線を検出
する。
In the small-angle scattering device shown in FIG. 5, the X-ray source 1
The longitudinally curved monochromator 2 having the configuration shown in FIGS. 2 and 3 is arranged on the X-ray optical path between the collimator 3 and the collimator 3. The X-rays emitted from the collimator 3 are applied to the sample 4 through the scattered-ray blocking slit 13, and the scattered X-rays generated in the sample 4 pass through the light-receiving slit 6 and are captured by the X-ray counter 7, and the X-ray Counted by line counter. The X-ray counter 7 and the light-receiving slit 6 are supported by a 2θ rotation shaft 21 that rotates around a support shaft 14 that supports the sample 4. The 2θ rotation shaft 21 is driven by a stepping motor (not shown), and is in the low angle range of the 2θ rotation angle,
For example, it rotates in an angle range of 0 ° to 5 ° and detects scattered X-rays.

【0020】この小角散乱装置では、X線カウンタ7に
よる分解能を高めるため、すなわち2θの角度範囲内の
細かな角度ごとに正確にX線を検出できるようにするた
めに、試料4から受光スリット6までの距離L2 をでき
る限り長く設定し、さらにその範囲を真空パス15で覆
うことによってX線の空気散乱を防止する等といった措
置を講じる。
In this small-angle scattering device, in order to enhance the resolution by the X-ray counter 7, that is, to enable accurate detection of X-rays at each fine angle within the angular range of 2θ, the sample 4 to the light-receiving slit 6 are provided. The distance L2 up to is set as long as possible, and the range is covered with a vacuum path 15 to prevent air scattering of X-rays.

【0021】この小角散乱装置に関しても、上述した単
結晶構造解析装置と同様にして、信頼性の高い測定結果
を得るために、できるだけ強度の強い平行X線ビーム又
は集束X線ビームを試料に照射するようにしなければな
らない。従って、強度の強い単色X線を形成するするこ
とができる縦湾曲モノクロメータ2を小角散乱装置に用
いるということは、信頼性の高い測定結果を得ることに
関してきわめて有利である。
Also for this small-angle scattering device, in the same manner as the above-mentioned single crystal structure analyzing device, in order to obtain a highly reliable measurement result, the sample is irradiated with a parallel X-ray beam or a focused X-ray beam having the highest intensity. I have to do it. Therefore, the use of the vertically curved monochromator 2 capable of forming strong monochromatic X-rays in the small-angle scattering device is extremely advantageous for obtaining a reliable measurement result.

【0022】なお、従来知られている小角散乱装置とし
ては、上述したスリット光学系を用いた装置以外に、U
字型ブロックを用いたクラツキ光学装置や、点集束カメ
ラ等があり、これらの種々の形式の小角散乱装置に上記
の縦湾曲モノクロメータを適用できることはもちろんで
ある。
As the small-angle scattering device known in the prior art, in addition to the device using the slit optical system described above, U
There are, for example, a kraft optical device using a letter-shaped block, a point-focusing camera, and the like, and it is needless to say that the above-mentioned longitudinally curved monochromator can be applied to these various types of small-angle scattering devices.

【0023】[0023]

【発明の効果】請求項1記載のX線装置によれば、X線
源から発散するX線ビームを縦湾曲モノクロメータによ
って集束させるようにしたので、平板状のモノクロメー
タを用いてX線を単色化する場合に比べて、著しく強度
の強いX線を取り出すことができ、よって、S/N比の
良い測定結果を得ることができる。
According to the X-ray apparatus of the first aspect of the present invention, the X-ray beam diverging from the X-ray source is focused by the longitudinally curved monochromator. X-rays having a significantly higher intensity can be extracted as compared with the case of using a single color, and thus a measurement result with a good S / N ratio can be obtained.

【0024】請求項2記載のX線装置によれば、より強
度の強い単色X線を得ることができる。
According to the X-ray apparatus of the second aspect, it is possible to obtain a monochromatic X-ray having a higher intensity.

【0025】請求項3記載のX線装置によれば、いわゆ
る4軸ゴニオメータを用いた単結晶構造解析装置におい
て、所望の断面形状に集束した強度の強いX線を用いる
ことによって信頼性の高い測定結果を得ることができ
る。
According to the X-ray apparatus of the third aspect, in a single crystal structure analyzing apparatus using a so-called four-axis goniometer, high-intensity X-rays focused into a desired cross-sectional shape are used for highly reliable measurement. The result can be obtained.

【0026】請求項4記載のX線装置によれば、いわゆ
る小角散乱装置において、所望の断面形状に集束した強
度の強いX線を用いることによって信頼性の高い測定結
果を得ることができる。
According to the X-ray apparatus of the fourth aspect, in the so-called small-angle scattering apparatus, highly reliable measurement results can be obtained by using X-rays of high intensity focused in a desired sectional shape.

【0027】[0027]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明を4軸ゴニオメータを用いた単結晶構造
解析装置に適用した場合の実施例を模式的に示す図であ
る。
FIG. 1 is a diagram schematically showing an example in which the present invention is applied to a single crystal structure analyzing apparatus using a 4-axis goniometer.

【図2】縦湾曲モノクロメータの一実施例を模式的に示
す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view schematically showing an example of a longitudinally curved monochromator.

【図3】縦湾曲モノクロメータの他の一実施例を模式的
に示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view schematically showing another embodiment of a vertically curved monochromator.

【図4】縦湾曲モノクロメータに関してX線強度の測定
を行った場合の測定結果を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing a measurement result when X-ray intensity is measured for a longitudinally curved monochromator.

【図5】本発明を小角散乱装置に適用した場合の実施例
を模式的に示す図である。
FIG. 5 is a diagram schematically showing an example in which the present invention is applied to a small-angle scattering device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 X線源 2 縦湾曲モノクロメータ 3 コリメータ 4 試料 5 4軸ゴニオメータ 6 受光スリット 7 X線カウンタ 8 Φ回転軸 9 Χサークル部材 10 ω回転軸 11 2θ回転軸 12 結晶構造演算回路 13 散乱線阻止スリット 14 試料支持軸 15 真空パス R 入射X線 RX モノクロメータの曲率半径1 X-ray source 2 Longitudinal curved monochromator 3 Collimator 4 Sample 5 4-axis goniometer 6 Light-receiving slit 7 X-ray counter 8 Φ Rotating shaft 9 Χ Circle member 10 ω Rotating shaft 11 2θ Rotating shaft 12 Crystal structure calculation circuit 13 Scattering ray blocking slit 14 sample support axis 15 vacuum path R incident X-ray R X radius of curvature of monochromator

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 X線源から出るX線を試料に照射し、そ
の試料を経由したX線を受光スリットを通してX線検出
器によって検出するX線装置において、試料へ入射する
入射X線の中心線を含む面に含まれる軸線を中心として
湾曲するモノクロメータをX線源から試料に至るX線の
光路上に設けたことを特徴とするX線装置。
1. A center of an incident X-ray incident on a sample in an X-ray device in which an X-ray emitted from an X-ray source is applied to a sample and the X-ray passing through the sample is detected by an X-ray detector through a light receiving slit. An X-ray apparatus, wherein a monochromator that curves around an axis included in a surface including a line is provided on an X-ray optical path from an X-ray source to a sample.
【請求項2】 請求項1記載のX線装置において、モノ
クロメータはグラファイトによって形成されることを特
徴とするX線装置。
2. The X-ray apparatus according to claim 1, wherein the monochromator is made of graphite.
【請求項3】 請求項1又は請求項2記載のX線装置に
おいて、試料、受光スリット及びX線検出器を支持する
4軸ゴニオメータと、X線検出器の出力に基づいて原子
の座標値を演算する演算手段とを有しており、 上記4軸ゴニオメータは、試料をその試料を通るΦ軸線
のまわりに回転させるΦ軸回転系と、Φ軸回転系を試料
を中心として回転させるΧ軸回転系と、Χ軸回転系を試
料を通るΩ軸線のまわりに回転させるΩ軸回転系と、Ω
回転系から独立してΩ軸線を中心として回転する2θ回
転系との4つの回転系を有しており、 受光スリット及びX線検出器は2θ回転系によって支持
されることを特徴とするX線装置。
3. The X-ray apparatus according to claim 1 or 2, wherein the coordinate values of the atoms are calculated based on the output of the four-axis goniometer supporting the sample, the light-receiving slit and the X-ray detector. The 4-axis goniometer has a Φ-axis rotation system for rotating the sample around a Φ-axis line passing through the sample and an Χ-axis rotation for rotating the Φ-axis rotation system around the sample. System and Ω axis rotation system that rotates the Χ axis rotation system around the Ω axis line passing through the sample, and Ω
It has four rotation systems, a 2θ rotation system that rotates independently about the Ω axis independently of the rotation system, and the light receiving slit and the X-ray detector are supported by the 2θ rotation system. apparatus.
【請求項4】 請求項1又は請求項2記載のX線装置に
おいて、X線検出器を試料を中心として小角度範囲で走
査して、試料に生じる散乱X線を検出することを特徴と
するX線装置。
4. The X-ray apparatus according to claim 1 or 2, wherein the X-ray detector scans the sample in a small angle range to detect scattered X-rays generated in the sample. X-ray equipment.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005127817A (en) * 2003-10-23 2005-05-19 Rigaku Corp Micro-portion x-ray irradiation device and micro-portion x-ray irradiation method of x-ray diffraction device
JP2005227251A (en) * 2004-02-13 2005-08-25 Japan Synchrotron Radiation Research Inst Method for determining structure factor tensor element, and method for using x-ray diffractometer therefor
US6990177B2 (en) 2002-09-03 2006-01-24 Rigaku Corporation X-ray optical system for small angle scattering
JP2006138837A (en) * 2004-09-21 2006-06-01 Jordan Valley Applied Radiation Ltd Multifunction x-ray analysis system
WO2011002037A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 株式会社リガク X-ray device, method for using same, and method for applying x-rays
US8243878B2 (en) 2010-01-07 2012-08-14 Jordan Valley Semiconductors Ltd. High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity
US8437450B2 (en) 2010-12-02 2013-05-07 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers
JP2013108800A (en) * 2011-11-18 2013-06-06 Sumitomo Rubber Ind Ltd Method for simulating rubber material
US8687766B2 (en) 2010-07-13 2014-04-01 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Enhancing accuracy of fast high-resolution X-ray diffractometry
US9726624B2 (en) 2014-06-18 2017-08-08 Bruker Jv Israel Ltd. Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6990177B2 (en) 2002-09-03 2006-01-24 Rigaku Corporation X-ray optical system for small angle scattering
JP2005127817A (en) * 2003-10-23 2005-05-19 Rigaku Corp Micro-portion x-ray irradiation device and micro-portion x-ray irradiation method of x-ray diffraction device
JP2005227251A (en) * 2004-02-13 2005-08-25 Japan Synchrotron Radiation Research Inst Method for determining structure factor tensor element, and method for using x-ray diffractometer therefor
JP4578832B2 (en) * 2004-02-13 2010-11-10 財団法人高輝度光科学研究センター Structure factor tensor element determination method and X-ray diffractometer utilization method therefor
JP2006138837A (en) * 2004-09-21 2006-06-01 Jordan Valley Applied Radiation Ltd Multifunction x-ray analysis system
CN102472714A (en) * 2009-07-01 2012-05-23 株式会社理学 X-ray apparatus, method of using the same and x-ray irradiation method
WO2011002037A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 株式会社リガク X-ray device, method for using same, and method for applying x-rays
JP5525523B2 (en) * 2009-07-01 2014-06-18 株式会社リガク X-ray apparatus, method of using the same, and method of X-ray irradiation
US9336917B2 (en) 2009-07-01 2016-05-10 Rigaku Corporation X-ray apparatus, method of using the same and X-ray irradiation method
US8243878B2 (en) 2010-01-07 2012-08-14 Jordan Valley Semiconductors Ltd. High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity
US8687766B2 (en) 2010-07-13 2014-04-01 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Enhancing accuracy of fast high-resolution X-ray diffractometry
US8693635B2 (en) 2010-07-13 2014-04-08 Jordan Valley Semiconductor Ltd. X-ray detector assembly with shield
US8437450B2 (en) 2010-12-02 2013-05-07 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers
JP2013108800A (en) * 2011-11-18 2013-06-06 Sumitomo Rubber Ind Ltd Method for simulating rubber material
US9726624B2 (en) 2014-06-18 2017-08-08 Bruker Jv Israel Ltd. Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement

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