JPH03221518A - 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および半導体封止装置Info
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- JPH03221518A JPH03221518A JP1649590A JP1649590A JPH03221518A JP H03221518 A JPH03221518 A JP H03221518A JP 1649590 A JP1649590 A JP 1649590A JP 1649590 A JP1649590 A JP 1649590A JP H03221518 A JPH03221518 A JP H03221518A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 36
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 32
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 claims abstract description 34
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 claims description 11
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 abstract description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 abstract description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 7
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 abstract description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 abstract description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 abstract description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 18
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 10
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QEZIKGQWAWNWIR-UHFFFAOYSA-N antimony(3+) antimony(5+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Sb+3].[Sb+5] QEZIKGQWAWNWIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GGZZISOUXJHYOY-UHFFFAOYSA-N 8-amino-4-hydroxynaphthalene-2-sulfonic acid Chemical compound C1=C(S(O)(=O)=O)C=C2C(N)=CC=CC2=C1O GGZZISOUXJHYOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CAYGQBVSOZLICD-UHFFFAOYSA-N hexabromobenzene Chemical compound BrC1=C(Br)C(Br)=C(Br)C(Br)=C1Br CAYGQBVSOZLICD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006082 mold release agent Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 2
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 125000005480 straight-chain fatty acid group Chemical class 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 2
- 101100532679 Caenorhabditis elegans scc-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、耐湿性、半田耐熱性、成形性に優れた封止用
樹脂組成物および半導体封止装置に関する。
樹脂組成物および半導体封止装置に関する。
（従来の技術）
近年、半導体、集積回路の分野における高集積化、高信
頼性化の技術開発と同時に、半導体装置の実装工程の自
動化が推進されている。 例えば、フラットパッケージ
型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合、従来はリ
ードピン毎に半田付けを行っていたが、最近は半導体装
置全体を２５０°Ｃに加熱した半田浴に浸漬して、−度
に半田付けを行う方法か採用されている。
頼性化の技術開発と同時に、半導体装置の実装工程の自
動化が推進されている。 例えば、フラットパッケージ
型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合、従来はリ
ードピン毎に半田付けを行っていたが、最近は半導体装
置全体を２５０°Ｃに加熱した半田浴に浸漬して、−度
に半田付けを行う方法か採用されている。
従来のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂およ
び無機質充填剤からなる樹脂組成物で封止した半導体装
置では、装置全体の半田浴浸漬を行うと＃４湿性が低下
するという欠点がある。 特に吸湿した半導体装置を半
田浴に浸漬すると、封止樹脂と半導体チップとの間ある
いは封止樹脂とフレームとの間に剥がれが生じ、著しい
耐湿劣化をおこし、電極の腐蝕による断線や水分による
リーク電流を生じ、長期間の信頼性を保証することがで
きないという欠点がある。 このため、耐湿性の影響が
少なく、半導体装置全体の半田浴浸漬をしても耐湿劣化
の少ない成形性のよい封止用樹脂の開発が強く要望され
ていた。
び無機質充填剤からなる樹脂組成物で封止した半導体装
置では、装置全体の半田浴浸漬を行うと＃４湿性が低下
するという欠点がある。 特に吸湿した半導体装置を半
田浴に浸漬すると、封止樹脂と半導体チップとの間ある
いは封止樹脂とフレームとの間に剥がれが生じ、著しい
耐湿劣化をおこし、電極の腐蝕による断線や水分による
リーク電流を生じ、長期間の信頼性を保証することがで
きないという欠点がある。 このため、耐湿性の影響が
少なく、半導体装置全体の半田浴浸漬をしても耐湿劣化
の少ない成形性のよい封止用樹脂の開発が強く要望され
ていた。
（発明か解決しようとする課題）
本発明は、上記の欠点を解消し、要望に応えるためにな
されたもので、吸湿の影響か少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性および半田耐熱性に優れた成形性のよい封止用
樹脂組成物および半導体封止装置を提供しようとするも
のである６［発明の４１１或］ （課題を解決するための手段） 本発明者は、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重ね
た結果、ボスファゼン系フッ素ゴムを配合するによって
、半田浴浸漬後の耐温性および半田耐熱性が向上し、か
つ成形性がよくなることを見いたし、本発明を完成した
ものである。 すなわち、本発明は、 ＜Ａ＞エポキシ樹脂 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）次の一般式で示されるボスファゼン系フッ素ゴム
および （但し、式中Ｒ１はＣＤＨ２ＤＣＯＦ２゜４．を、Ｒ２
はＣｔ Ｈ２ｔ Ｃｓ Ｆ ２５１を、！＋ｌｌ＋ｎ＋
ｐ＋Ｑ＋ｓ、ｔは１以上の整数を表す） （Ｄ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂Ｍ酸物に対して前記（Ｃ）のボス
ファゼン系フッ素ゴムを０．１〜５重量％、また前記＜
Ｄ）の無機質充填剤を２５〜９０重量冗含有してなるこ
とを特徴とする封止用樹脂組成物およびこの封止用樹脂
組成物の硬化物で半導体ベレットが封止されてなること
を特徴とする半導体封止装置である。
されたもので、吸湿の影響か少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性および半田耐熱性に優れた成形性のよい封止用
樹脂組成物および半導体封止装置を提供しようとするも
のである６［発明の４１１或］ （課題を解決するための手段） 本発明者は、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重ね
た結果、ボスファゼン系フッ素ゴムを配合するによって
、半田浴浸漬後の耐温性および半田耐熱性が向上し、か
つ成形性がよくなることを見いたし、本発明を完成した
ものである。 すなわち、本発明は、 ＜Ａ＞エポキシ樹脂 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）次の一般式で示されるボスファゼン系フッ素ゴム
および （但し、式中Ｒ１はＣＤＨ２ＤＣＯＦ２゜４．を、Ｒ２
はＣｔ Ｈ２ｔ Ｃｓ Ｆ ２５１を、！＋ｌｌ＋ｎ＋
ｐ＋Ｑ＋ｓ、ｔは１以上の整数を表す） （Ｄ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂Ｍ酸物に対して前記（Ｃ）のボス
ファゼン系フッ素ゴムを０．１〜５重量％、また前記＜
Ｄ）の無機質充填剤を２５〜９０重量冗含有してなるこ
とを特徴とする封止用樹脂組成物およびこの封止用樹脂
組成物の硬化物で半導体ベレットが封止されてなること
を特徴とする半導体封止装置である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂としては、その分子
中にエポキシ基を少なくとも２個有する化合物である限
り、分子構造、分子Ｉなと特に制限はなく、一般に封止
用材料として使用されているものを広く包含することか
できる。 例えば、ビスフェノール型の芳香族系、シク
ロヘキサン誘樽体等脂肪族系、さらに次の一般式で示さ
れるエボキシノホラック系の樹脂が挙げられる。
中にエポキシ基を少なくとも２個有する化合物である限
り、分子構造、分子Ｉなと特に制限はなく、一般に封止
用材料として使用されているものを広く包含することか
できる。 例えば、ビスフェノール型の芳香族系、シク
ロヘキサン誘樽体等脂肪族系、さらに次の一般式で示さ
れるエボキシノホラック系の樹脂が挙げられる。
（但し、式中Ｒ′は水素原子、ハロゲン原子又はアルキ
ル基を、Ｒ２は水素原子又はアルキル基を、ｎは１以上
の整数をそれぞれ表す） これらのエポキシ樹脂は単独もしくは２種以上混合して
用いる。
ル基を、Ｒ２は水素原子又はアルキル基を、ｎは１以上
の整数をそれぞれ表す） これらのエポキシ樹脂は単独もしくは２種以上混合して
用いる。
本発明に用いる＜Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂とし
ては、フェノール、アルキルフェノール等のフェノール
類とホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒドと
を反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂、お
よびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチ
ル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、これら
の樹脂は単独もしくは２種以上混合して用いる。 ノボ
ラック型フェノール樹脂の配合割合は、前述したエポキ
シ樹脂のエポキシ基（ａ ）とノボラック型フェノール
樹脂のフェノール性水酸基（ｂ ）との当量比［＜ａ）
／（ｂ）］か０．１〜１０ノ範囲内であることが望まし
い。 当量比が０．１未満もしくは１０を超えると、１
ｉｉ１湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が悪く
なり、いずれの場合も好ましくない。 従って、上記の
範囲内に限定するのがよい。
ては、フェノール、アルキルフェノール等のフェノール
類とホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒドと
を反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂、お
よびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチ
ル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、これら
の樹脂は単独もしくは２種以上混合して用いる。 ノボ
ラック型フェノール樹脂の配合割合は、前述したエポキ
シ樹脂のエポキシ基（ａ ）とノボラック型フェノール
樹脂のフェノール性水酸基（ｂ ）との当量比［＜ａ）
／（ｂ）］か０．１〜１０ノ範囲内であることが望まし
い。 当量比が０．１未満もしくは１０を超えると、１
ｉｉ１湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が悪く
なり、いずれの場合も好ましくない。 従って、上記の
範囲内に限定するのがよい。
本発明に用いる（Ｃ）ボスファゼン系フッ素ゴムとして
は、例えば前記−数式で示したものが用いられる。 ボ
スファゼン系フッ素ゴムとしては、例えばジクロロホス
フォニトリルの三量体を熟分解した長鎖ゴム（ＰＮＣＩ
２）を含フツ素アルコールと反応させたもの等が挙げ
られる。 具体的な化合物としては次のものが挙げられ
る。
は、例えば前記−数式で示したものが用いられる。 ボ
スファゼン系フッ素ゴムとしては、例えばジクロロホス
フォニトリルの三量体を熟分解した長鎖ゴム（ＰＮＣＩ
２）を含フツ素アルコールと反応させたもの等が挙げ
られる。 具体的な化合物としては次のものが挙げられ
る。
これらは単独又は２種以上混合して使用することができ
る。 ホスファセン系フッ素ゴムの配合割合は、全体の
樹脂組成物に対して０．１〜５重量％含有することが望
ましい。 この割合が０．１重量％未満では半田耐熱性
に効果なく、また５重量２５を超えると樹脂粘度が増加
する等、成形性に悪影響を与え、実用に適さず好ましく
ない。
る。 ホスファセン系フッ素ゴムの配合割合は、全体の
樹脂組成物に対して０．１〜５重量％含有することが望
ましい。 この割合が０．１重量％未満では半田耐熱性
に効果なく、また５重量２５を超えると樹脂粘度が増加
する等、成形性に悪影響を与え、実用に適さず好ましく
ない。
本発明に用いる（Ｄ）！！機質４充填剤としては、シリ
カ粉末、アルミナ、二酸化アンチモン、タルク、炭酸カ
ルシウム、チタンホワイト、クレーマイカ、ペンカラ、
ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独もしくは２種以
上混合して使用す、る。
カ粉末、アルミナ、二酸化アンチモン、タルク、炭酸カ
ルシウム、チタンホワイト、クレーマイカ、ペンカラ、
ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独もしくは２種以
上混合して使用す、る。
これらの中でも特にシリカ粉末やアルミナ粉末か好まし
く、よく使用される。 無機質充填剤の配合割合は、全
体の樹脂組成物に対して２５〜９０重量％である６ そ
の割合が２５重量％未満では、耐湿性、半田耐熱性、機
械的特性および成形性が悪くなり、また９０重量％を超
えるとカサパリか大きくなり成形性が悪く実用に適さな
い。
く、よく使用される。 無機質充填剤の配合割合は、全
体の樹脂組成物に対して２５〜９０重量％である６ そ
の割合が２５重量％未満では、耐湿性、半田耐熱性、機
械的特性および成形性が悪くなり、また９０重量％を超
えるとカサパリか大きくなり成形性が悪く実用に適さな
い。
本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂、ノボラッ
ク型フェノール樹脂、ホスファセン系フッ素ゴムおよび
無機質充填剤を必須酸分とするが、本発明の目的を損な
わないかき゛す、また必要に応こて、天然ワックス類９
合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、エス
テル類、パラフィン類などの離型剤、塩素化パラフィン
、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンセン、二酸化ア
ンチモンなどの難燃剤、カーボンブラ・・ｌり、ペンカ
ラなどの着色剤、シランカップリング剤、種々の硬化促
進剤等を適宜添加配合することができる。
ク型フェノール樹脂、ホスファセン系フッ素ゴムおよび
無機質充填剤を必須酸分とするが、本発明の目的を損な
わないかき゛す、また必要に応こて、天然ワックス類９
合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、エス
テル類、パラフィン類などの離型剤、塩素化パラフィン
、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンセン、二酸化ア
ンチモンなどの難燃剤、カーボンブラ・・ｌり、ペンカ
ラなどの着色剤、シランカップリング剤、種々の硬化促
進剤等を適宜添加配合することができる。
本発明の封止用樹脂組成物を成形材料として製造する場
合の一般的な方法は、エポキシ樹脂、ノボラック型フェ
ノール樹脂、ボスファゼン系フッ素ゴム、！！機質充填
剤、その他の原料成分を所定の組成比に選んで、ミキサ
ー等によって十分均一に混合した後、更に熱ロールによ
る溶融混合処理、また二一夕等による混合処理を行い、
次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料
とする。 そして、この成形材料を電子部品或いは電気
部品の封正に、またそれらの被覆、絶縁等に適用し、優
れた特性と信頼性を付与することができる。
合の一般的な方法は、エポキシ樹脂、ノボラック型フェ
ノール樹脂、ボスファゼン系フッ素ゴム、！！機質充填
剤、その他の原料成分を所定の組成比に選んで、ミキサ
ー等によって十分均一に混合した後、更に熱ロールによ
る溶融混合処理、また二一夕等による混合処理を行い、
次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料
とする。 そして、この成形材料を電子部品或いは電気
部品の封正に、またそれらの被覆、絶縁等に適用し、優
れた特性と信頼性を付与することができる。
本発明の半導体封止装置は、上記のようにして得られた
封止用樹脂組成物を用いて半導体ペレットを封止するこ
とにより容易に製造することかて゛きる。 封止の最も
一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法があ
るが、射出成形、圧綿成形、注型等による封止も可能で
ある。 封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。 加熱による硬化は１５０
℃以上の温度で加熱硬化させることが望ましい。 封止
を行う半導体ベレットとしては、例えば集積回路、大規
模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等
で特に限定されるものではない。
封止用樹脂組成物を用いて半導体ペレットを封止するこ
とにより容易に製造することかて゛きる。 封止の最も
一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法があ
るが、射出成形、圧綿成形、注型等による封止も可能で
ある。 封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。 加熱による硬化は１５０
℃以上の温度で加熱硬化させることが望ましい。 封止
を行う半導体ベレットとしては、例えば集積回路、大規
模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等
で特に限定されるものではない。
（作用）
本発明において、ボスファゼン系フッ素ゴムを用いたこ
とによって、目的とする特性が得られるものである。
ボスファゼン系フッ素ゴムは、封止用樹脂組成物と半導
体ベレットとの密着性、また封止用樹脂組成物とリード
フレームとの密着性を向上させ、半田浴に浸漬しても耐
湿性の劣化を少なくすることができる。
とによって、目的とする特性が得られるものである。
ボスファゼン系フッ素ゴムは、封止用樹脂組成物と半導
体ベレットとの密着性、また封止用樹脂組成物とリード
フレームとの密着性を向上させ、半田浴に浸漬しても耐
湿性の劣化を少なくすることができる。
（実施例）
次に本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発
明は、以下の実施例に限定されるものではない。 以下
の実施例および比較例において「％」とは「重量％」を
意味する。
明は、以下の実施例に限定されるものではない。 以下
の実施例および比較例において「％」とは「重量％」を
意味する。
実施例 １
クレゾールノボラ・ツクエポキシ樹脂（エポキシ当量２
１５） １８％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当ｉ １０７） ９５’≦、次のホスファセン
系フッ素ゴム０．３％、 溶融シリカ粉末７１％、エステル系ワックス０．３％お
よびシラン系カップリング剤０．４％を配合し、常温で
混合し更に９０〜９５°Ｃで混練冷却した後、粉砕して
成形材料を製造した。 この成形材料を１７０℃に加熱
した金型内にトランスファー注入し硬化させて成形品（
封止品〉をつくった、 この成形品についてｉｉ４湿性
等の特性を試験したので、その結果を第１表に示した。
１５） １８％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当ｉ １０７） ９５’≦、次のホスファセン
系フッ素ゴム０．３％、 溶融シリカ粉末７１％、エステル系ワックス０．３％お
よびシラン系カップリング剤０．４％を配合し、常温で
混合し更に９０〜９５°Ｃで混練冷却した後、粉砕して
成形材料を製造した。 この成形材料を１７０℃に加熱
した金型内にトランスファー注入し硬化させて成形品（
封止品〉をつくった、 この成形品についてｉｉ４湿性
等の特性を試験したので、その結果を第１表に示した。
特にｆｆ１４湿性において本発明の顕著な効果が認め
られた。
られた。
実施例 ２〜３
クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当ｆｆｉ
２１５） １９％に、ノボラック型フェノール樹脂（
フェノール当量１０７） ９％、次のホスファセン系
フッ素ゴムを、 実線例２では０．３％、実施例３では０．３％、シリカ
粉末７１％、エステル系ワックス０．３％およびシラン
系カップリング剤０．４％を実施例１と同様に混合、混
練、粉砕して成形材料を製造した。 また実施例１と同
様にして成形品をつくり耐湿性等の特性試験を行ったの
で、その結果を第１表に示した。 耐湿性において本発
明の顕著な効果が認られた。
２１５） １９％に、ノボラック型フェノール樹脂（
フェノール当量１０７） ９％、次のホスファセン系
フッ素ゴムを、 実線例２では０．３％、実施例３では０．３％、シリカ
粉末７１％、エステル系ワックス０．３％およびシラン
系カップリング剤０．４％を実施例１と同様に混合、混
練、粉砕して成形材料を製造した。 また実施例１と同
様にして成形品をつくり耐湿性等の特性試験を行ったの
で、その結果を第１表に示した。 耐湿性において本発
明の顕著な効果が認られた。
比較例
タレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量２１
５＞ １９％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０７） ９％、シリカ粉末７１２ｉ、硬化
促進剤０．３％、エステル系ワックス０．３％およびシ
ラン系カップリング剤０．４％を配合し、実施例１と同
様にして成形材料を製造した。 この成形材料を用いて
成形品とし、成形品の緒特性について実施例１と同様に
して試験を行い、その結果を第１表に示した。
５＞ １９％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０７） ９％、シリカ粉末７１２ｉ、硬化
促進剤０．３％、エステル系ワックス０．３％およびシ
ラン系カップリング剤０．４％を配合し、実施例１と同
様にして成形材料を製造した。 この成形材料を用いて
成形品とし、成形品の緒特性について実施例１と同様に
して試験を行い、その結果を第１表に示した。
第１表
（単位）
＊１ ニドランスファー成形によって直径５０■、厚さ
３ｎｌの成形品をつくり、これを １２７℃２気圧の飽
和水蒸気中に２４時間放置し、増加した重量によって求
めた。
３ｎｌの成形品をつくり、これを １２７℃２気圧の飽
和水蒸気中に２４時間放置し、増加した重量によって求
めた。
＊２ 、吸水率の試験と同じ成形品をつくり、これを１
７５℃で８時間の後硬化を行い、適当な大きさのテスト
ピースとし、熱機器分析装置を用いて測定した。
７５℃で８時間の後硬化を行い、適当な大きさのテスト
ピースとし、熱機器分析装置を用いて測定した。
＊３：成形材料を用いて２本以上のアルミニウム配線を
有するシリコン製チップ（テスト用素子）を４２アロイ
フレームに接着し、１７５℃で２分間トランスファー成
形して ５ｘ １０ｘ １．５ｆｆｉｎのフラットバ
ラゲージ型成形品をつくり、その後１７５℃で８時間の
後硬化を行った。 この成形品を予め４０°Ｃ１９０％
ＲＨ，１００時間の吸湿処理をした後、２５０°Ｃの半
田浴に１０秒間浸漬した６ その後１２７°Ｃ，２，５
気圧の飽和水蒸気中でｐｃＴを行い、アルミニウムの腐
食による断線を不良として評価した。
有するシリコン製チップ（テスト用素子）を４２アロイ
フレームに接着し、１７５℃で２分間トランスファー成
形して ５ｘ １０ｘ １．５ｆｆｉｎのフラットバ
ラゲージ型成形品をつくり、その後１７５℃で８時間の
後硬化を行った。 この成形品を予め４０°Ｃ１９０％
ＲＨ，１００時間の吸湿処理をした後、２５０°Ｃの半
田浴に１０秒間浸漬した６ その後１２７°Ｃ，２，５
気圧の飽和水蒸気中でｐｃＴを行い、アルミニウムの腐
食による断線を不良として評価した。
［発明の効果］
以上の説明および第１表から明らかなように、本発明の
封止用樹脂組成物は、半導体チップやリードフレームに
対する密着性が良いために、吸湿の影響が少なく、半田
浴に浸漬した後でも耐湿性に優れ、その結果、電極の腐
食による断線や水分によるリーク電流の発生などを著し
く低減することができ、しかも長時間にわたって信頼性
を保証することができる。 また、２５０℃の半田浴浸
漬にもかかわらず優れた半田画然性を示した。
封止用樹脂組成物は、半導体チップやリードフレームに
対する密着性が良いために、吸湿の影響が少なく、半田
浴に浸漬した後でも耐湿性に優れ、その結果、電極の腐
食による断線や水分によるリーク電流の発生などを著し
く低減することができ、しかも長時間にわたって信頼性
を保証することができる。 また、２５０℃の半田浴浸
漬にもかかわらず優れた半田画然性を示した。
明細書
発明の名称
封止用樹脂組成物および半導体封止装置２、特許請求の
範囲 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）次の一般式で示されるボスファゼン系フッ素ゴム
および （但し、式中Ｒ１はＣＯＨ２゜ＣＱＦ２Ｇや、を、Ｒ２
はＣＩ Ｈ２ｔ Ｃ５Ｆ２ｅ、 ＋４を、ｌ、ｎ、ｎｐ
、ｑ、ｓ、ｔは１以上の整数を表す）（Ｄ）無機質充填
剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）のホス
ファセン系フッ素ゴムを０．１〜５重量％、また前記（
Ｄ）の無機質充填剤を２５〜９０重量％含有してなるこ
とを特徴とする゛封止用樹脂組成物。
範囲 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）次の一般式で示されるボスファゼン系フッ素ゴム
および （但し、式中Ｒ１はＣＯＨ２゜ＣＱＦ２Ｇや、を、Ｒ２
はＣＩ Ｈ２ｔ Ｃ５Ｆ２ｅ、 ＋４を、ｌ、ｎ、ｎｐ
、ｑ、ｓ、ｔは１以上の整数を表す）（Ｄ）無機質充填
剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）のホス
ファセン系フッ素ゴムを０．１〜５重量％、また前記（
Ｄ）の無機質充填剤を２５〜９０重量％含有してなるこ
とを特徴とする゛封止用樹脂組成物。
２ （Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂
（Ｃ）次の一般式で示されるボスファゼン系フッ素ゴム
および （但し、式中Ｒ１はＣｏ Ｈ２Ｄ Ｃａ Ｆ ２Ｑ ＋
１を、Ｒ２はＣｔＨ２Ｌ Ｃ５Ｆ ２ｇ ＋ｌを、Ｉ
、１．ｎ。
および （但し、式中Ｒ１はＣｏ Ｈ２Ｄ Ｃａ Ｆ ２Ｑ ＋
１を、Ｒ２はＣｔＨ２Ｌ Ｃ５Ｆ ２ｇ ＋ｌを、Ｉ
、１．ｎ。
ｐ、ｑ、ｓ、ｔは１以上の整数を表す）＜Ｄ）無機質充
填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記＜Ｃ）のボス
ファゼン系フッ素ゴムを（１，１〜５ｆ！量％、また前
記＜Ｄ）の無機質充填剤を２５〜９０重量％含有した封
止用樹脂組成分の硬化物により、半導体ベレットが封止
されてなることを特徴とする半導体封止装置。
填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記＜Ｃ）のボス
ファゼン系フッ素ゴムを（１，１〜５ｆ！量％、また前
記＜Ｄ）の無機質充填剤を２５〜９０重量％含有した封
止用樹脂組成分の硬化物により、半導体ベレットが封止
されてなることを特徴とする半導体封止装置。
３、発明の詳細な説明
［発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、耐湿性、半田耐熱性、成形性に優れた封止用
樹脂組成物および半導体封止装置に関する。
樹脂組成物および半導体封止装置に関する。
（従来の技術）
近年、半導体、集積回路の分野における高集積化、高信
頼性化の技術開発と同時に、半導体装置の実装工程の自
動化が推進されている。 例えば、フラットパッケージ
型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合、従来はリ
ードピン毎に半田付けを行っていたが、最近は半導体装
置全体を２５０°Ｃに加熱した半田浴に浸漬して、−度
に半田付けを行う方法か採用されている。
頼性化の技術開発と同時に、半導体装置の実装工程の自
動化が推進されている。 例えば、フラットパッケージ
型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合、従来はリ
ードピン毎に半田付けを行っていたが、最近は半導体装
置全体を２５０°Ｃに加熱した半田浴に浸漬して、−度
に半田付けを行う方法か採用されている。
従来のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂およ
び無機質充填剤からなる樹脂組成物で封止した半導体装
置では、装置全体の半田浴浸漬を行うと＃４湿性が低下
するという欠点がある。 特に吸湿した半導体装置を半
田浴に浸漬すると、封止樹脂と半導体チップとの間ある
いは封止樹脂とフレームとの間に剥がれが生じ、著しい
耐湿劣化をおこし、電極の腐蝕による断線や水分による
リーク電流を生じ、長期間の信頼性を保証することがで
きないという欠点がある。 このため、耐湿性の影響が
少なく、半導体装置全体の半田浴浸漬をしても耐湿劣化
の少ない成形性のよい封止用樹脂の開発が強く要望され
ていた。
び無機質充填剤からなる樹脂組成物で封止した半導体装
置では、装置全体の半田浴浸漬を行うと＃４湿性が低下
するという欠点がある。 特に吸湿した半導体装置を半
田浴に浸漬すると、封止樹脂と半導体チップとの間ある
いは封止樹脂とフレームとの間に剥がれが生じ、著しい
耐湿劣化をおこし、電極の腐蝕による断線や水分による
リーク電流を生じ、長期間の信頼性を保証することがで
きないという欠点がある。 このため、耐湿性の影響が
少なく、半導体装置全体の半田浴浸漬をしても耐湿劣化
の少ない成形性のよい封止用樹脂の開発が強く要望され
ていた。
（発明か解決しようとする課題）
本発明は、上記の欠点を解消し、要望に応えるためにな
されたもので、吸湿の影響か少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性および半田耐熱性に優れた成形性のよい封止用
樹脂組成物および半導体封止装置を提供しようとするも
のである６［発明の４１１或］ （課題を解決するための手段） 本発明者は、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重ね
た結果、ボスファゼン系フッ素ゴムを配合するによって
、半田浴浸漬後の耐温性および半田耐熱性が向上し、か
つ成形性がよくなることを見いたし、本発明を完成した
ものである。 すなわち、本発明は、 ＜Ａ＞エポキシ樹脂 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）次の一般式で示されるボスファゼン系フッ素ゴム
および （但し、式中Ｒ１はＣＤＨ２ＤＣＯＦ２゜４．を、Ｒ２
はＣｔ Ｈ２ｔ Ｃｓ Ｆ ２５１を、！＋ｌｌ＋ｎ＋
ｐ＋Ｑ＋ｓ、ｔは１以上の整数を表す） （Ｄ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂Ｍ酸物に対して前記（Ｃ）のボス
ファゼン系フッ素ゴムを０．１〜５重量％、また前記＜
Ｄ）の無機質充填剤を２５〜９０重量冗含有してなるこ
とを特徴とする封止用樹脂組成物およびこの封止用樹脂
組成物の硬化物で半導体ベレットが封止されてなること
を特徴とする半導体封止装置である。
されたもので、吸湿の影響か少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性および半田耐熱性に優れた成形性のよい封止用
樹脂組成物および半導体封止装置を提供しようとするも
のである６［発明の４１１或］ （課題を解決するための手段） 本発明者は、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重ね
た結果、ボスファゼン系フッ素ゴムを配合するによって
、半田浴浸漬後の耐温性および半田耐熱性が向上し、か
つ成形性がよくなることを見いたし、本発明を完成した
ものである。 すなわち、本発明は、 ＜Ａ＞エポキシ樹脂 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）次の一般式で示されるボスファゼン系フッ素ゴム
および （但し、式中Ｒ１はＣＤＨ２ＤＣＯＦ２゜４．を、Ｒ２
はＣｔ Ｈ２ｔ Ｃｓ Ｆ ２５１を、！＋ｌｌ＋ｎ＋
ｐ＋Ｑ＋ｓ、ｔは１以上の整数を表す） （Ｄ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂Ｍ酸物に対して前記（Ｃ）のボス
ファゼン系フッ素ゴムを０．１〜５重量％、また前記＜
Ｄ）の無機質充填剤を２５〜９０重量冗含有してなるこ
とを特徴とする封止用樹脂組成物およびこの封止用樹脂
組成物の硬化物で半導体ベレットが封止されてなること
を特徴とする半導体封止装置である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂としては、その分子
中にエポキシ基を少なくとも２個有する化合物である限
り、分子構造、分子Ｉなと特に制限はなく、一般に封止
用材料として使用されているものを広く包含することか
できる。 例えば、ビスフェノール型の芳香族系、シク
ロヘキサン誘樽体等脂肪族系、さらに次の一般式で示さ
れるエボキシノホラック系の樹脂が挙げられる。
中にエポキシ基を少なくとも２個有する化合物である限
り、分子構造、分子Ｉなと特に制限はなく、一般に封止
用材料として使用されているものを広く包含することか
できる。 例えば、ビスフェノール型の芳香族系、シク
ロヘキサン誘樽体等脂肪族系、さらに次の一般式で示さ
れるエボキシノホラック系の樹脂が挙げられる。
（但し、式中Ｒ′は水素原子、ハロゲン原子又はアルキ
ル基を、Ｒ２は水素原子又はアルキル基を、ｎは１以上
の整数をそれぞれ表す） これらのエポキシ樹脂は単独もしくは２種以上混合して
用いる。
ル基を、Ｒ２は水素原子又はアルキル基を、ｎは１以上
の整数をそれぞれ表す） これらのエポキシ樹脂は単独もしくは２種以上混合して
用いる。
本発明に用いる＜Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂とし
ては、フェノール、アルキルフェノール等のフェノール
類とホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒドと
を反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂、お
よびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチ
ル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、これら
の樹脂は単独もしくは２種以上混合して用いる。 ノボ
ラック型フェノール樹脂の配合割合は、前述したエポキ
シ樹脂のエポキシ基（ａ ）とノボラック型フェノール
樹脂のフェノール性水酸基（ｂ ）との当量比［＜ａ）
／（ｂ）］か０．１〜１０ノ範囲内であることが望まし
い。 当量比が０．１未満もしくは１０を超えると、１
ｉｉ１湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が悪く
なり、いずれの場合も好ましくない。 従って、上記の
範囲内に限定するのがよい。
ては、フェノール、アルキルフェノール等のフェノール
類とホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒドと
を反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂、お
よびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチ
ル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、これら
の樹脂は単独もしくは２種以上混合して用いる。 ノボ
ラック型フェノール樹脂の配合割合は、前述したエポキ
シ樹脂のエポキシ基（ａ ）とノボラック型フェノール
樹脂のフェノール性水酸基（ｂ ）との当量比［＜ａ）
／（ｂ）］か０．１〜１０ノ範囲内であることが望まし
い。 当量比が０．１未満もしくは１０を超えると、１
ｉｉ１湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が悪く
なり、いずれの場合も好ましくない。 従って、上記の
範囲内に限定するのがよい。
本発明に用いる（Ｃ）ボスファゼン系フッ素ゴムとして
は、例えば前記−数式で示したものが用いられる。 ボ
スファゼン系フッ素ゴムとしては、例えばジクロロホス
フォニトリルの三量体を熟分解した長鎖ゴム（ＰＮＣＩ
２）を含フツ素アルコールと反応させたもの等が挙げ
られる。 具体的な化合物としては次のものが挙げられ
る。
は、例えば前記−数式で示したものが用いられる。 ボ
スファゼン系フッ素ゴムとしては、例えばジクロロホス
フォニトリルの三量体を熟分解した長鎖ゴム（ＰＮＣＩ
２）を含フツ素アルコールと反応させたもの等が挙げ
られる。 具体的な化合物としては次のものが挙げられ
る。
これらは単独又は２種以上混合して使用することができ
る。 ホスファセン系フッ素ゴムの配合割合は、全体の
樹脂組成物に対して０．１〜５重量％含有することが望
ましい。 この割合が０．１重量％未満では半田耐熱性
に効果なく、また５重量２５を超えると樹脂粘度が増加
する等、成形性に悪影響を与え、実用に適さず好ましく
ない。
る。 ホスファセン系フッ素ゴムの配合割合は、全体の
樹脂組成物に対して０．１〜５重量％含有することが望
ましい。 この割合が０．１重量％未満では半田耐熱性
に効果なく、また５重量２５を超えると樹脂粘度が増加
する等、成形性に悪影響を与え、実用に適さず好ましく
ない。
本発明に用いる（Ｄ）！！機質４充填剤としては、シリ
カ粉末、アルミナ、二酸化アンチモン、タルク、炭酸カ
ルシウム、チタンホワイト、クレーマイカ、ペンカラ、
ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独もしくは２種以
上混合して使用す、る。
カ粉末、アルミナ、二酸化アンチモン、タルク、炭酸カ
ルシウム、チタンホワイト、クレーマイカ、ペンカラ、
ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独もしくは２種以
上混合して使用す、る。
これらの中でも特にシリカ粉末やアルミナ粉末か好まし
く、よく使用される。 無機質充填剤の配合割合は、全
体の樹脂組成物に対して２５〜９０重量％である６ そ
の割合が２５重量％未満では、耐湿性、半田耐熱性、機
械的特性および成形性が悪くなり、また９０重量％を超
えるとカサパリか大きくなり成形性が悪く実用に適さな
い。
く、よく使用される。 無機質充填剤の配合割合は、全
体の樹脂組成物に対して２５〜９０重量％である６ そ
の割合が２５重量％未満では、耐湿性、半田耐熱性、機
械的特性および成形性が悪くなり、また９０重量％を超
えるとカサパリか大きくなり成形性が悪く実用に適さな
い。
本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂、ノボラッ
ク型フェノール樹脂、ホスファセン系フッ素ゴムおよび
無機質充填剤を必須酸分とするが、本発明の目的を損な
わないかき゛す、また必要に応こて、天然ワックス類９
合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、エス
テル類、パラフィン類などの離型剤、塩素化パラフィン
、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンセン、二酸化ア
ンチモンなどの難燃剤、カーボンブラ・・ｌり、ペンカ
ラなどの着色剤、シランカップリング剤、種々の硬化促
進剤等を適宜添加配合することができる。
ク型フェノール樹脂、ホスファセン系フッ素ゴムおよび
無機質充填剤を必須酸分とするが、本発明の目的を損な
わないかき゛す、また必要に応こて、天然ワックス類９
合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、エス
テル類、パラフィン類などの離型剤、塩素化パラフィン
、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンセン、二酸化ア
ンチモンなどの難燃剤、カーボンブラ・・ｌり、ペンカ
ラなどの着色剤、シランカップリング剤、種々の硬化促
進剤等を適宜添加配合することができる。
本発明の封止用樹脂組成物を成形材料として製造する場
合の一般的な方法は、エポキシ樹脂、ノボラック型フェ
ノール樹脂、ボスファゼン系フッ素ゴム、！！機質充填
剤、その他の原料成分を所定の組成比に選んで、ミキサ
ー等によって十分均一に混合した後、更に熱ロールによ
る溶融混合処理、また二一夕等による混合処理を行い、
次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料
とする。 そして、この成形材料を電子部品或いは電気
部品の封正に、またそれらの被覆、絶縁等に適用し、優
れた特性と信頼性を付与することができる。
合の一般的な方法は、エポキシ樹脂、ノボラック型フェ
ノール樹脂、ボスファゼン系フッ素ゴム、！！機質充填
剤、その他の原料成分を所定の組成比に選んで、ミキサ
ー等によって十分均一に混合した後、更に熱ロールによ
る溶融混合処理、また二一夕等による混合処理を行い、
次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料
とする。 そして、この成形材料を電子部品或いは電気
部品の封正に、またそれらの被覆、絶縁等に適用し、優
れた特性と信頼性を付与することができる。
本発明の半導体封止装置は、上記のようにして得られた
封止用樹脂組成物を用いて半導体ペレットを封止するこ
とにより容易に製造することかて゛きる。 封止の最も
一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法があ
るが、射出成形、圧綿成形、注型等による封止も可能で
ある。 封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。 加熱による硬化は１５０
℃以上の温度で加熱硬化させることが望ましい。 封止
を行う半導体ベレットとしては、例えば集積回路、大規
模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等
で特に限定されるものではない。
封止用樹脂組成物を用いて半導体ペレットを封止するこ
とにより容易に製造することかて゛きる。 封止の最も
一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法があ
るが、射出成形、圧綿成形、注型等による封止も可能で
ある。 封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。 加熱による硬化は１５０
℃以上の温度で加熱硬化させることが望ましい。 封止
を行う半導体ベレットとしては、例えば集積回路、大規
模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等
で特に限定されるものではない。
（作用）
本発明において、ボスファゼン系フッ素ゴムを用いたこ
とによって、目的とする特性が得られるものである。
ボスファゼン系フッ素ゴムは、封止用樹脂組成物と半導
体ベレットとの密着性、また封止用樹脂組成物とリード
フレームとの密着性を向上させ、半田浴に浸漬しても耐
湿性の劣化を少なくすることができる。
とによって、目的とする特性が得られるものである。
ボスファゼン系フッ素ゴムは、封止用樹脂組成物と半導
体ベレットとの密着性、また封止用樹脂組成物とリード
フレームとの密着性を向上させ、半田浴に浸漬しても耐
湿性の劣化を少なくすることができる。
（実施例）
次に本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発
明は、以下の実施例に限定されるものではない。 以下
の実施例および比較例において「％」とは「重量％」を
意味する。
明は、以下の実施例に限定されるものではない。 以下
の実施例および比較例において「％」とは「重量％」を
意味する。
実施例 １
クレゾールノボラ・ツクエポキシ樹脂（エポキシ当量２
１５） １８％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当ｉ １０７） ９５’≦、次のホスファセン
系フッ素ゴム０．３％、 溶融シリカ粉末７１％、エステル系ワックス０．３％お
よびシラン系カップリング剤０．４％を配合し、常温で
混合し更に９０〜９５°Ｃで混練冷却した後、粉砕して
成形材料を製造した。 この成形材料を１７０℃に加熱
した金型内にトランスファー注入し硬化させて成形品（
封止品〉をつくった、 この成形品についてｉｉ４湿性
等の特性を試験したので、その結果を第１表に示した。
１５） １８％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェ
ノール当ｉ １０７） ９５’≦、次のホスファセン
系フッ素ゴム０．３％、 溶融シリカ粉末７１％、エステル系ワックス０．３％お
よびシラン系カップリング剤０．４％を配合し、常温で
混合し更に９０〜９５°Ｃで混練冷却した後、粉砕して
成形材料を製造した。 この成形材料を１７０℃に加熱
した金型内にトランスファー注入し硬化させて成形品（
封止品〉をつくった、 この成形品についてｉｉ４湿性
等の特性を試験したので、その結果を第１表に示した。
特にｆｆ１４湿性において本発明の顕著な効果が認め
られた。
られた。
実施例 ２〜３
クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当ｆｆｉ
２１５） １９％に、ノボラック型フェノール樹脂（
フェノール当量１０７） ９％、次のホスファセン系
フッ素ゴムを、 実線例２では０．３％、実施例３では０．３％、シリカ
粉末７１％、エステル系ワックス０．３％およびシラン
系カップリング剤０．４％を実施例１と同様に混合、混
練、粉砕して成形材料を製造した。 また実施例１と同
様にして成形品をつくり耐湿性等の特性試験を行ったの
で、その結果を第１表に示した。 耐湿性において本発
明の顕著な効果が認られた。
２１５） １９％に、ノボラック型フェノール樹脂（
フェノール当量１０７） ９％、次のホスファセン系
フッ素ゴムを、 実線例２では０．３％、実施例３では０．３％、シリカ
粉末７１％、エステル系ワックス０．３％およびシラン
系カップリング剤０．４％を実施例１と同様に混合、混
練、粉砕して成形材料を製造した。 また実施例１と同
様にして成形品をつくり耐湿性等の特性試験を行ったの
で、その結果を第１表に示した。 耐湿性において本発
明の顕著な効果が認られた。
比較例
タレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量２１
５＞ １９％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０７） ９％、シリカ粉末７１２ｉ、硬化
促進剤０．３％、エステル系ワックス０．３％およびシ
ラン系カップリング剤０．４％を配合し、実施例１と同
様にして成形材料を製造した。 この成形材料を用いて
成形品とし、成形品の緒特性について実施例１と同様に
して試験を行い、その結果を第１表に示した。
５＞ １９％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノ
ール当量１０７） ９％、シリカ粉末７１２ｉ、硬化
促進剤０．３％、エステル系ワックス０．３％およびシ
ラン系カップリング剤０．４％を配合し、実施例１と同
様にして成形材料を製造した。 この成形材料を用いて
成形品とし、成形品の緒特性について実施例１と同様に
して試験を行い、その結果を第１表に示した。
第１表
（単位）
＊１ ニドランスファー成形によって直径５０■、厚さ
３ｎｌの成形品をつくり、これを １２７℃２気圧の飽
和水蒸気中に２４時間放置し、増加した重量によって求
めた。
３ｎｌの成形品をつくり、これを １２７℃２気圧の飽
和水蒸気中に２４時間放置し、増加した重量によって求
めた。
＊２ 、吸水率の試験と同じ成形品をつくり、これを１
７５℃で８時間の後硬化を行い、適当な大きさのテスト
ピースとし、熱機器分析装置を用いて測定した。
７５℃で８時間の後硬化を行い、適当な大きさのテスト
ピースとし、熱機器分析装置を用いて測定した。
＊３：成形材料を用いて２本以上のアルミニウム配線を
有するシリコン製チップ（テスト用素子）を４２アロイ
フレームに接着し、１７５℃で２分間トランスファー成
形して ５ｘ １０ｘ １．５ｆｆｉｎのフラットバ
ラゲージ型成形品をつくり、その後１７５℃で８時間の
後硬化を行った。 この成形品を予め４０°Ｃ１９０％
ＲＨ，１００時間の吸湿処理をした後、２５０°Ｃの半
田浴に１０秒間浸漬した６ その後１２７°Ｃ，２，５
気圧の飽和水蒸気中でｐｃＴを行い、アルミニウムの腐
食による断線を不良として評価した。
有するシリコン製チップ（テスト用素子）を４２アロイ
フレームに接着し、１７５℃で２分間トランスファー成
形して ５ｘ １０ｘ １．５ｆｆｉｎのフラットバ
ラゲージ型成形品をつくり、その後１７５℃で８時間の
後硬化を行った。 この成形品を予め４０°Ｃ１９０％
ＲＨ，１００時間の吸湿処理をした後、２５０°Ｃの半
田浴に１０秒間浸漬した６ その後１２７°Ｃ，２，５
気圧の飽和水蒸気中でｐｃＴを行い、アルミニウムの腐
食による断線を不良として評価した。
［発明の効果］
以上の説明および第１表から明らかなように、本発明の
封止用樹脂組成物は、半導体チップやリードフレームに
対する密着性が良いために、吸湿の影響が少なく、半田
浴に浸漬した後でも耐湿性に優れ、その結果、電極の腐
食による断線や水分によるリーク電流の発生などを著し
く低減することができ、しかも長時間にわたって信頼性
を保証することができる。 また、２５０℃の半田浴浸
漬にもかかわらず優れた半田画然性を示した。
封止用樹脂組成物は、半導体チップやリードフレームに
対する密着性が良いために、吸湿の影響が少なく、半田
浴に浸漬した後でも耐湿性に優れ、その結果、電極の腐
食による断線や水分によるリーク電流の発生などを著し
く低減することができ、しかも長時間にわたって信頼性
を保証することができる。 また、２５０℃の半田浴浸
漬にもかかわらず優れた半田画然性を示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １（Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）次の一般式で示されるボスファゼン 系フッ素ゴムおよび ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、式中Ｒ＾１はＣ＿ｐＨ＿２＿ｐＣ＿ｑ、Ｆ＿２
＿ｑ＿＋＿１を、Ｒ＾２はＣ＿ｔＨ＿２＿ｔＣ＿ｓＦ＿
２＿ｓ＿＋＿１を、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｓ、ｔは１以
上の整数を表す） （Ｄ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記 （Ｃ）のボスファゼン系フッ素ゴムを０．１〜５重量％
、また前記（Ｄ）の無機質充填剤を２５〜９０重量％含
有してなることを特徴とする封止用樹脂組成物。 ２（Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 （Ｃ）次の一般式で示されるボスファゼン 系フッ素ゴムおよび （但し、式中Ｒ＾１はＣｐはＨ＿２＿ｐＣ＿ｑＦ＿２＿
ｑ＿＋＿１を、Ｒ＾２はＣ＿ｔＨ＿２＿ｔＣ＿ｓＦ＿２
＿ｓ＿＋＿１を、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｓ、ｔは１以上
の整数を表す） （Ｄ）無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記 （Ｃ）のボスファチッ系フッ素ゴムを０．１〜５重量％
、また前記（Ｄ）の無機質充填剤を２５〜９０重量％含
有した封止用樹脂組成分の硬化物により、半導体ペレッ
トが封止されてなることを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1649590A JP2857444B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1649590A JP2857444B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03221518A true JPH03221518A (ja) | 1991-09-30 |
| JP2857444B2 JP2857444B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=11917868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1649590A Expired - Fee Related JP2857444B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2857444B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006176792A (ja) * | 1997-01-17 | 2006-07-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 |
| CN109535612A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-03-29 | 南阳医学高等专科学校 | 一种计算机用芯片封装材料及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2123712A1 (en) | 2008-05-19 | 2009-11-25 | Evonik Degussa GmbH | Epoxy resin composition and electronic part |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP1649590A patent/JP2857444B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006176792A (ja) * | 1997-01-17 | 2006-07-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 |
| CN109535612A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-03-29 | 南阳医学高等专科学校 | 一种计算机用芯片封装材料及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2857444B2 (ja) | 1999-02-17 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |