JPH03218906A - 酸化物超伝導薄膜形成装置及びその装置を用いた酸化物超伝導薄膜形成方法 - Google Patents
酸化物超伝導薄膜形成装置及びその装置を用いた酸化物超伝導薄膜形成方法Info
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- JPH03218906A JPH03218906A JP2012802A JP1280290A JPH03218906A JP H03218906 A JPH03218906 A JP H03218906A JP 2012802 A JP2012802 A JP 2012802A JP 1280290 A JP1280290 A JP 1280290A JP H03218906 A JPH03218906 A JP H03218906A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 70
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 47
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 32
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 24
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 24
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 8
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 9
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
基板上に酸化物超伝導薄膜を形成する酸化物超伝導薄膜
形成装置、及びその装置を用いた酸化物超伝導薄膜形成
方法に関し、 膜形成時点で転移温度Ｔｃがなるべく高くなるように形
成するため、ＭＢＥ法または蒸着法により基板上に前記
薄膜を成長し、その直後に、該基板周囲の雰囲気を原料
蒸発手段に悪影響を及ぼすことなく常圧程度の酸素に切
り換えることができるようにすることを目的とし、 装置においては、前記基板を支持して加熱する基板支持
台と、該基板支持台上の前記基板に酸素を供給する酸素
供給手段と、該基板に向けて前記薄膜の原料物質を蒸発
させる原料蒸発手段と、前記基板支持台及び前記酸素供
給手段を含む第１空間と前記原料蒸発手段を含む第２空
間とを気密に仕切り且つ開閉自在なゲートバルブと、を
有するように構成し、または更に、前記第１空間に連通
し且つ前記基板支持台上の前記基板を搬入し得て、搬入
した該基板を冷却する冷却手段を備える第３空間を有す
るように構成し、方法においては、前記ゲートバルブを
開いて、前記原料蒸発手段からの原料蒸発と前記酸素供
給手段からの酸素供給とにより、前記基板支持台上の前
記基板に前記薄膜を成長する工程と、しかる後に該ゲー
トバルブを閉じて、前記酸素供給手段からの酸素供給に
より、前記第１空間の酸素圧を高める工程とを有するよ
うに構成する。
形成装置、及びその装置を用いた酸化物超伝導薄膜形成
方法に関し、 膜形成時点で転移温度Ｔｃがなるべく高くなるように形
成するため、ＭＢＥ法または蒸着法により基板上に前記
薄膜を成長し、その直後に、該基板周囲の雰囲気を原料
蒸発手段に悪影響を及ぼすことなく常圧程度の酸素に切
り換えることができるようにすることを目的とし、 装置においては、前記基板を支持して加熱する基板支持
台と、該基板支持台上の前記基板に酸素を供給する酸素
供給手段と、該基板に向けて前記薄膜の原料物質を蒸発
させる原料蒸発手段と、前記基板支持台及び前記酸素供
給手段を含む第１空間と前記原料蒸発手段を含む第２空
間とを気密に仕切り且つ開閉自在なゲートバルブと、を
有するように構成し、または更に、前記第１空間に連通
し且つ前記基板支持台上の前記基板を搬入し得て、搬入
した該基板を冷却する冷却手段を備える第３空間を有す
るように構成し、方法においては、前記ゲートバルブを
開いて、前記原料蒸発手段からの原料蒸発と前記酸素供
給手段からの酸素供給とにより、前記基板支持台上の前
記基板に前記薄膜を成長する工程と、しかる後に該ゲー
トバルブを閉じて、前記酸素供給手段からの酸素供給に
より、前記第１空間の酸素圧を高める工程とを有するよ
うに構成する。
本発明は、基板上に酸化物超伝導薄膜を形成する酸化物
超伝導薄膜形成装置に関する。
超伝導薄膜形成装置に関する。
酸化物超伝導薄膜は、ジョセフソン素子など新しい高性
能電子素子への応用が検討されているものであり、その
応用のためには、膜形成時点て転移温度Ｔｅ（電気抵抗
が０になる温度）がなるべく高くなっている必要がある
。
能電子素子への応用が検討されているものであり、その
応用のためには、膜形成時点て転移温度Ｔｅ（電気抵抗
が０になる温度）がなるべく高くなっている必要がある
。
基板上に酸化物超伝導薄膜を再現性良く然も比較的大面
積に形成する方法として、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）
法または蒸着法がある。
積に形成する方法として、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）
法または蒸着法がある。
また、その薄膜は、成長直後に周囲の雰囲気を常圧程度
の酸素に切り換えることにより、その切り換えを行わな
い場合よりも転移温度Ｔｅが高《なることが知られてい
る。それは、成長した薄膜が冷却するまでの間にその薄
膜から酸素が抜け出すのを上記酸素雰囲気が抑えるから
である。
の酸素に切り換えることにより、その切り換えを行わな
い場合よりも転移温度Ｔｅが高《なることが知られてい
る。それは、成長した薄膜が冷却するまでの間にその薄
膜から酸素が抜け出すのを上記酸素雰囲気が抑えるから
である。
しかしながら、上記ＭＢＥ法または蒸着法を行う従来の
薄膜形成装置は、周知のように基板を支持する基板支持
台と薄膜の原料物質を基板に向けて蒸発させる原料蒸発
手段とが同一室内にあるために、加熱状態にある原料蒸
発手段に酸化などの悪影響を及ぼさないようにしながら
上記酸素雰囲気に切り換えることが事実上不可能である
。
薄膜形成装置は、周知のように基板を支持する基板支持
台と薄膜の原料物質を基板に向けて蒸発させる原料蒸発
手段とが同一室内にあるために、加熱状態にある原料蒸
発手段に酸化などの悪影響を及ぼさないようにしながら
上記酸素雰囲気に切り換えることが事実上不可能である
。
このため従来は、原料蒸発手段の冷却を待ってこの雰囲
気切り換えを行っており、その間に薄膜から酸素が抜け
出して良好な結果が得られていない。
気切り換えを行っており、その間に薄膜から酸素が抜け
出して良好な結果が得られていない。
本発明は、基板上に酸化物超伝導薄膜を膜形成時点で転
移温度Ｔｅがなるべく高くなるように形成するため、Ｍ
ＢＥ法または蒸着法により基板上に前記薄膜を成長し、
その直後に、該基板周囲の雰囲気を原料蒸発手段に悪影
響を及ぼすことなく常圧程度の酸素に切り換えることが
できる酸化物超伝導薄膜形成装置、及びその装置を用い
た酸化物超伝導薄膜形成方法の提供を目的とする。
移温度Ｔｅがなるべく高くなるように形成するため、Ｍ
ＢＥ法または蒸着法により基板上に前記薄膜を成長し、
その直後に、該基板周囲の雰囲気を原料蒸発手段に悪影
響を及ぼすことなく常圧程度の酸素に切り換えることが
できる酸化物超伝導薄膜形成装置、及びその装置を用い
た酸化物超伝導薄膜形成方法の提供を目的とする。
上記目的は、第１実施例の構成図である第ｌ図を参照し
て、基板Ｓを支持して加熱する基板支持台７と、基板支
持台７上の基板Ｓに酸素を供給する酸素供給手段４．５
と、該基板Ｓに向けて前記薄膜の原料物質を蒸発させる
原料蒸発手段８と、基板支持台７及び酸素供給手段４，
５を含む第１空間（成膜室ｌ）と原料蒸発手段８を含む
第２空間（蒸発室２）とを気密に仕切り且つ開閉自在な
ケートバルブ３と、を有する本発明の酸化物超伝導薄膜
形成装置によって達成される。
て、基板Ｓを支持して加熱する基板支持台７と、基板支
持台７上の基板Ｓに酸素を供給する酸素供給手段４．５
と、該基板Ｓに向けて前記薄膜の原料物質を蒸発させる
原料蒸発手段８と、基板支持台７及び酸素供給手段４，
５を含む第１空間（成膜室ｌ）と原料蒸発手段８を含む
第２空間（蒸発室２）とを気密に仕切り且つ開閉自在な
ケートバルブ３と、を有する本発明の酸化物超伝導薄膜
形成装置によって達成される。
また、第２実施例の構成図である第２図を参照して、上
記薄膜形成装置で更に、成膜室ｌに連通し且つ基板支持
台７上の基板Ｓを搬入し得て、搬入した該基板Ｓを冷却
する冷却手段ｌＯを備える第３空間（冷却室９）を有す
る本発明の酸化物超伝導薄膜形成装置によって達成され
る。
記薄膜形成装置で更に、成膜室ｌに連通し且つ基板支持
台７上の基板Ｓを搬入し得て、搬入した該基板Ｓを冷却
する冷却手段ｌＯを備える第３空間（冷却室９）を有す
る本発明の酸化物超伝導薄膜形成装置によって達成され
る。
そして、上記薄膜形成装置の何れかを用い、ゲートバル
ブ３を開いて、原料蒸発手段８からの原料蒸発と酸素供
給手段４からの酸素供給とにより、基板支持台７上の基
板Ｓに前記薄膜を成長する工程と、しかる後にゲートバ
ルブ３を閉じて、酸素供給手段５からの酸素供給により
、成膜室ｌの酸素圧を高める工程とを有する本発明の酸
化物超伝導薄膜形成方法によって達成される。
ブ３を開いて、原料蒸発手段８からの原料蒸発と酸素供
給手段４からの酸素供給とにより、基板支持台７上の基
板Ｓに前記薄膜を成長する工程と、しかる後にゲートバ
ルブ３を閉じて、酸素供給手段５からの酸素供給により
、成膜室ｌの酸素圧を高める工程とを有する本発明の酸
化物超伝導薄膜形成方法によって達成される。
上記薄膜の成長は、ゲートバルブ３の開きにより成膜室
１と蒸発室２とが一体の室となるので、原料蒸発千段８
の構成をＭＢＥ用または蒸着用にすることによりＭＢＥ
法または蒸着法によって行うことができる。
１と蒸発室２とが一体の室となるので、原料蒸発千段８
の構成をＭＢＥ用または蒸着用にすることによりＭＢＥ
法または蒸着法によって行うことができる。
そして、ゲートバルブ３を閉じて即ち成膜室ｌと蒸発室
２とを隔離して行う酸素供給手段５からの酸素供給によ
り、成長の直後に、基板Ｓ周囲の雰囲気を原料蒸発手段
８に悪影響を及ぼすことなく常圧程度の酸素に酸素に切
り換えることができる。
２とを隔離して行う酸素供給手段５からの酸素供給によ
り、成長の直後に、基板Ｓ周囲の雰囲気を原料蒸発手段
８に悪影響を及ぼすことなく常圧程度の酸素に酸素に切
り換えることができる。
このことから、成長した薄膜が冷却するまでの間にその
薄膜から酸素が抜け出すのを上記酸素雰囲気が抑えて、
形成される酸化物超伝導薄膜は、膜形成時点で転移温度
Ｔｃの高いものとなる。
薄膜から酸素が抜け出すのを上記酸素雰囲気が抑えて、
形成される酸化物超伝導薄膜は、膜形成時点で転移温度
Ｔｃの高いものとなる。
なお、上記冷却室９は、それを利用することにより、成
長した薄膜が冷却するまでの時間を短縮させることがで
きて、抜け出す酸素量の一層の低減とスループットの向
上を可能にさせる。
長した薄膜が冷却するまでの時間を短縮させることがで
きて、抜け出す酸素量の一層の低減とスループットの向
上を可能にさせる。
以下本発明の実施例について先に示した第１図及び第２
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
第１図において、同図は第１実施例の構成図であり、ｌ
は成膜室（前記第１空間）、２は蒸発室（前記第２空間
）、３はゲートバルブ、４は第１酸素供給手段、５は第
２酸素供給手段、６は排気手段、７は基板支持台、８は
原料蒸発手段、Ｓは酸化物超伝導薄膜形成対象の基板、
を示す。
は成膜室（前記第１空間）、２は蒸発室（前記第２空間
）、３はゲートバルブ、４は第１酸素供給手段、５は第
２酸素供給手段、６は排気手段、７は基板支持台、８は
原料蒸発手段、Ｓは酸化物超伝導薄膜形成対象の基板、
を示す。
成膜室ｌは、基板支持台７を備えている。基板支持台７
は、基板ｌを支持して加熱するものであり、内部に基板
１加熱用のヒータ７ａを備えている。
は、基板ｌを支持して加熱するものであり、内部に基板
１加熱用のヒータ７ａを備えている。
蒸発室２は、成膜室１に連通し、複数の原料蒸発手段８
を備えている。原料蒸発手段８は、形成する酸化物超伝
導薄膜の酸素以外の原料物質を基板支持台７上の基板Ｓ
に向けて蒸発させるものであり、具体的にはＭＢＥ用の
Ｋ−Ｃｅｌｌ （ ＫｎｕｄｓｅｎＣｅｌｌ ）である
。そして、元素毎に別になっている上記原料物質を個別
に入れてそれぞれの原料蒸発手段８がそれぞれの原料物
質を蒸発させる。この原料蒸発手段８は蒸着用の蒸発用
ヒータ、ＥＢガンなどであっても良い。
を備えている。原料蒸発手段８は、形成する酸化物超伝
導薄膜の酸素以外の原料物質を基板支持台７上の基板Ｓ
に向けて蒸発させるものであり、具体的にはＭＢＥ用の
Ｋ−Ｃｅｌｌ （ ＫｎｕｄｓｅｎＣｅｌｌ ）である
。そして、元素毎に別になっている上記原料物質を個別
に入れてそれぞれの原料蒸発手段８がそれぞれの原料物
質を蒸発させる。この原料蒸発手段８は蒸着用の蒸発用
ヒータ、ＥＢガンなどであっても良い。
ゲートバルブ３は、成膜室ｌと蒸発室２との間を気密に
仕切り且つ開閉自在である。
仕切り且つ開閉自在である。
第１酸素供給手段４は、所要時に前記薄膜の原料とする
酸素を基板支持台７上の基板Ｓに向けて供給する。その
流量は前記薄膜の成長に適合した値に調節される。
酸素を基板支持台７上の基板Ｓに向けて供給する。その
流量は前記薄膜の成長に適合した値に調節される。
第２酸素供給手段５は、所要時に酸素を成膜室ｌに供給
する。その際ゲートバルブ３を閉じてあれば、成膜室ｌ
内の圧力を１気圧程度またはそれ以上にすることができ
る。
する。その際ゲートバルブ３を閉じてあれば、成膜室ｌ
内の圧力を１気圧程度またはそれ以上にすることができ
る。
排気手段６は、排気口６ａを蒸発室２に設けて、蒸発室
２を高真空に排気し、ゲートバルブ３が開いていれば成
膜室ｌをも一緒に排気する。
２を高真空に排気し、ゲートバルブ３が開いていれば成
膜室ｌをも一緒に排気する。
酸化物超伝導薄膜の形成は、基板支持台７上の基板Ｓに
該薄膜を成長し、その直後に、基板Ｓ周囲の雰囲気を１
気圧程度以上の酸素．に切り換えて該薄膜を自然冷却さ
せることによって行う。
該薄膜を成長し、その直後に、基板Ｓ周囲の雰囲気を１
気圧程度以上の酸素．に切り換えて該薄膜を自然冷却さ
せることによって行う。
その際の薄膜成長は、ゲートバルブ３を開き排気手段６
により蒸発室２及び成膜室ｌを高真空にして、原料蒸発
手段８からの原料蒸発と第１酸素供給手段４からの酸素
供給とにより行う。従ってこの成長は、原料蒸発手段８
がＫ−Ｃｅｌｌであることから、ＭＢＥ法となる。なお
、原料蒸発手段８が蒸着用の蒸発用ヒータであるならば
蒸着法となる。
により蒸発室２及び成膜室ｌを高真空にして、原料蒸発
手段８からの原料蒸発と第１酸素供給手段４からの酸素
供給とにより行う。従ってこの成長は、原料蒸発手段８
がＫ−Ｃｅｌｌであることから、ＭＢＥ法となる。なお
、原料蒸発手段８が蒸着用の蒸発用ヒータであるならば
蒸着法となる。
そして基板Ｓ周囲雰囲気の酸素への切り換えは、ゲート
バルブ３を閉じて第２酸素供給手段５から成膜室ｌに酸
素を導入することによって行う。導入された酸素は、ゲ
ートバルブ３に遮られて原料蒸発手段８に悪影響を及ぼ
すことがない。
バルブ３を閉じて第２酸素供給手段５から成膜室ｌに酸
素を導入することによって行う。導入された酸素は、ゲ
ートバルブ３に遮られて原料蒸発手段８に悪影響を及ぼ
すことがない。
本発明者は、下記の条件により転移温度Ｔ。が６８Ｋの
酸化物超伝導薄膜を再現性良く形成することができた。
酸化物超伝導薄膜を再現性良く形成することができた。
成長条件
原料物質 ： Ｂｉ， Ｓｒ， Ｃａ， Ｃｕ基板Ｓ
： ＭｇＯ（１００）単結晶基板基板温度 ：
７００°Ｃ 排気圧力 ： ２ Ｘ １０−” ｔｏｒｒ成膜圧力
： Ｉ ＸＩＯ−’ ｔｏｒｒ成長速度 ：０．２
人／秒 成長膜厚 ： １０００ 人 雰囲気の切り換え条件 切り換え後の酸素圧 ： ｌ 気圧 １気圧になる迄の時間 ：３０ 秒 ちなみに、この薄膜の形成において雰囲気の切り換えを
省略して減圧中で冷却した場合は、転移温度Ｔｃが４５
Ｋとなった。
： ＭｇＯ（１００）単結晶基板基板温度 ：
７００°Ｃ 排気圧力 ： ２ Ｘ １０−” ｔｏｒｒ成膜圧力
： Ｉ ＸＩＯ−’ ｔｏｒｒ成長速度 ：０．２
人／秒 成長膜厚 ： １０００ 人 雰囲気の切り換え条件 切り換え後の酸素圧 ： ｌ 気圧 １気圧になる迄の時間 ：３０ 秒 ちなみに、この薄膜の形成において雰囲気の切り換えを
省略して減圧中で冷却した場合は、転移温度Ｔｃが４５
Ｋとなった。
なお上記実施例において、第１酸素供給手段４と第２酸
素供給手段５が共に酸素を供給するものであることから
、供給の調節可能範囲を広げることにより両者を一つの
酸素供給手段にまとめることも可能である。
素供給手段５が共に酸素を供給するものであることから
、供給の調節可能範囲を広げることにより両者を一つの
酸素供給手段にまとめることも可能である。
次に第２図において、同図は第２実施例の構成図であり
、第１図と同一符号は同一対象物を示し、９は冷却室（
前記第３空間）、１０は冷却手段、を示す。
、第１図と同一符号は同一対象物を示し、９は冷却室（
前記第３空間）、１０は冷却手段、を示す。
この第２実施例は、第１実施例に冷却室９が付加された
ものである。
ものである。
冷却室９は、成膜室ｌに連通し且つ基板支持台７上の基
板Ｓを搬入し得るもので、前後にゲートバルブ■１が配
設されてロードロックを構成し、内部に冷却手段ＩＯを
備えている。冷却手段ｌＯは、基板支持台７から搬入し
た基板Ｓを冷却するものであり、内部に冷却用の液体窒
素１０ａを有している。
板Ｓを搬入し得るもので、前後にゲートバルブ■１が配
設されてロードロックを構成し、内部に冷却手段ＩＯを
備えている。冷却手段ｌＯは、基板支持台７から搬入し
た基板Ｓを冷却するものであり、内部に冷却用の液体窒
素１０ａを有している。
なお図中の１２は、基板Ｓの上記搬入に用いる移送杆で
ある。
ある。
この第２実施例による酸化物超伝導薄膜の形成は、第１
実施例の場合と同様に該該薄膜の成長と基板Ｓ周囲雰囲
気の酸素への切り換えを行い、その後基板Ｓを冷却室９
に搬入して自然冷却によらず冷却手段１０によって急速
に冷却するものである。
実施例の場合と同様に該該薄膜の成長と基板Ｓ周囲雰囲
気の酸素への切り換えを行い、その後基板Ｓを冷却室９
に搬入して自然冷却によらず冷却手段１０によって急速
に冷却するものである。
このため、基板Ｓ周囲雰囲気の酸素への切り換えでは、
ゲートバルブ３を閉じる際に成膜室ｌ側のゲートバルブ
１１を開き、冷却室９内にも酸素を導入する。
ゲートバルブ３を閉じる際に成膜室ｌ側のゲートバルブ
１１を開き、冷却室９内にも酸素を導入する。
そして、基板Ｓの上記急速冷却は、成長した酸化物超伝
導薄膜が冷却するまでの時間を短縮させることができて
、該薄膜から抜け出す酸素量の一層の低減と装置のスル
ープット向上を可能にさせる。
導薄膜が冷却するまでの時間を短縮させることができて
、該薄膜から抜け出す酸素量の一層の低減と装置のスル
ープット向上を可能にさせる。
以上説明したように本発明の構成によれば、ＭＢＥ法ま
たは蒸着法により基板上に前記薄膜を成長し、その直後
に、該基板周囲の雰囲気を原料蒸発手段に悪影響を及ぼ
すことなく常圧程度の酸素に切り換えることができる酸
化物超伝導薄膜形成装置、及びその装置を用いた酸化物
超伝導薄膜形成方法が提供されて、膜形成の時点で転移
温度Ｔ．が高い酸化物超伝導薄膜を、基板上に再現性良
《然も比較的大面積に形成することを可能にさせる効果
がある。
たは蒸着法により基板上に前記薄膜を成長し、その直後
に、該基板周囲の雰囲気を原料蒸発手段に悪影響を及ぼ
すことなく常圧程度の酸素に切り換えることができる酸
化物超伝導薄膜形成装置、及びその装置を用いた酸化物
超伝導薄膜形成方法が提供されて、膜形成の時点で転移
温度Ｔ．が高い酸化物超伝導薄膜を、基板上に再現性良
《然も比較的大面積に形成することを可能にさせる効果
がある。
第１図は第１実施例の構成図、
第２図は第２実施例の構成図、
である。
図において、
ｌは第１空間である成膜室、
２は第２空間である蒸発室、
３はゲートバルブ、
４は第１酸素供給手段、
５は第２酸素供給手段、
６は排気手段、
７は基板支持台、
８は原料蒸発手段、
９は第３空間である冷却室、
１０は冷却手段、
Ｓは基板、
を示す。
箔
１
図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板（Ｓ）上に酸化物超伝導薄膜を形成する装置で
あって、 前記基板（Ｓ）を支持して加熱する基板支持台（７）と
、 該基板支持台（７）上の前記基板（Ｓ）に酸素を供給す
る酸素供給手段（４、５）と、 該基板（Ｓ）に向けて前記薄膜の原料物質を蒸発させる
原料蒸発手段（８）と、 前記基板支持台（７）及び前記酸素供給手段（４、５）
を含む第１空間と前記原料蒸発手段（８）を含む第２空
間とを気密に仕切り且つ開閉自在なゲートバルブ（３）
と、 を有することを特徴とする酸化物超伝導薄膜形成装置。 ２）前記第１空間に連通し且つ前記基板支持台（７）上
の前記基板（Ｓ）を搬入し得て、搬入した該基板（Ｓ）
を冷却する冷却手段（１０）を備える第３空間を有する
ことを特徴とする請求項１記載の酸化物超伝導薄膜形成
装置。 ３）請求項１または２記載の薄膜形成装置を用いて基板
（Ｓ）上に酸化物超伝導薄膜を形成する方法であって、 前記ゲートバルブ（３）を開いて、前記原料蒸発手段（
８）からの原料蒸発と前記酸素供給手段（４）からの酸
素供給とにより、前記基板支持台（７）上の前記基板（
Ｓ）に前記薄膜を成長する工程と、しかる後に該ゲート
バルブ（３）を閉じて、前記酸素供給手段（５）からの
酸素供給により、前記第１空間の酸素圧を高める工程と
を有することを特徴とする酸化物超伝導薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012802A JPH03218906A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 酸化物超伝導薄膜形成装置及びその装置を用いた酸化物超伝導薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012802A JPH03218906A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 酸化物超伝導薄膜形成装置及びその装置を用いた酸化物超伝導薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218906A true JPH03218906A (ja) | 1991-09-26 |
Family
ID=11815524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012802A Pending JPH03218906A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 酸化物超伝導薄膜形成装置及びその装置を用いた酸化物超伝導薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03218906A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05221613A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-08-31 | Nitto Koki Kk | 圧縮スプレー法による噴霧状材料を被覆する薄膜形成装置 |
| US5421890A (en) * | 1991-07-10 | 1995-06-06 | International Superconductivity Technology Center | Apparatus for producing oxide thin film |
| US5556472A (en) * | 1991-12-09 | 1996-09-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Film deposition apparatus |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP2012802A patent/JPH03218906A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5421890A (en) * | 1991-07-10 | 1995-06-06 | International Superconductivity Technology Center | Apparatus for producing oxide thin film |
| US5556472A (en) * | 1991-12-09 | 1996-09-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Film deposition apparatus |
| JPH05221613A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-08-31 | Nitto Koki Kk | 圧縮スプレー法による噴霧状材料を被覆する薄膜形成装置 |
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