JPH03217061A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH03217061A JPH03217061A JP2013097A JP1309790A JPH03217061A JP H03217061 A JPH03217061 A JP H03217061A JP 2013097 A JP2013097 A JP 2013097A JP 1309790 A JP1309790 A JP 1309790A JP H03217061 A JPH03217061 A JP H03217061A
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- Japan
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- stem
- light emitting
- emitting diode
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- lens
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光ダイオードを搭載したレンズ付光半導体
装置に関し、特のその光学系の調整機構に関する。
装置に関し、特のその光学系の調整機構に関する。
従来、この種の光半導体装置として、第２図（ａ）．（
ｂ）に示すものがある。これはヒートシンク６上にシリ
コン樹脂のレンズ４が載置された発光ダイオード５を設
け、このヒートシンク６をステムベース９ａ上にのせ、
さらに中央にマイクロレンズ３を設けたキャップ８をか
ぶせたものである。この発光ダイオード５はステムベー
ス９ａに設けられたリード１０とワイヤにより接続され
る。マイクロレンズ３と対向して光ファイバ２に結合さ
れる。この場合、発光ダイオード５とマイクロレンズ３
との闇の最適結合距離を基にヒートシンク６の厚さある
いはステムベース９ａの厚さを設計し、装置の組立を行
なう。また、発光ダイオード５の構造の違い、使用ファ
イバ２の違いにより、それに合わせた新しい装置の設計
を行なっていた。
ｂ）に示すものがある。これはヒートシンク６上にシリ
コン樹脂のレンズ４が載置された発光ダイオード５を設
け、このヒートシンク６をステムベース９ａ上にのせ、
さらに中央にマイクロレンズ３を設けたキャップ８をか
ぶせたものである。この発光ダイオード５はステムベー
ス９ａに設けられたリード１０とワイヤにより接続され
る。マイクロレンズ３と対向して光ファイバ２に結合さ
れる。この場合、発光ダイオード５とマイクロレンズ３
との闇の最適結合距離を基にヒートシンク６の厚さある
いはステムベース９ａの厚さを設計し、装置の組立を行
なう。また、発光ダイオード５の構造の違い、使用ファ
イバ２の違いにより、それに合わせた新しい装置の設計
を行なっていた。
上述した従来の光半導体装置は、発光ダイオード５の構
造の違い、あるいは使用ファイバ２の違いにより、発光
ダイオード５とレンズ３との間の最適距離が異なるなめ
、それぞれに合った新しい装置を設計しなければならな
いという欠点がある。
造の違い、あるいは使用ファイバ２の違いにより、発光
ダイオード５とレンズ３との間の最適距離が異なるなめ
、それぞれに合った新しい装置を設計しなければならな
いという欠点がある。
また、同一装置においても、ヒートシンク６の厚さ、ス
テムベース９ａの厚さ及びレンズ３の位置のバラツキに
より、発光ダイオード５とレンズ３との間の距離が最適
位置からずれ、ファイバ２と結合した時の光出力（Ｐ５
）及びトレランス等のバラツキが大きくなる等の欠点が
ある。
テムベース９ａの厚さ及びレンズ３の位置のバラツキに
より、発光ダイオード５とレンズ３との間の距離が最適
位置からずれ、ファイバ２と結合した時の光出力（Ｐ５
）及びトレランス等のバラツキが大きくなる等の欠点が
ある。
本発明の目的は、これらの欠点を除き、ステム中夫にネ
ジ構造部を備える事により、キャップ封止後に、発光ダ
イオードとマイクロレンズ間距離を最適に調整する事が
出来るようにした光半導体装置を提供することにある。
ジ構造部を備える事により、キャップ封止後に、発光ダ
イオードとマイクロレンズ間距離を最適に調整する事が
出来るようにした光半導体装置を提供することにある。
本発明の構成は、ステムベース上に載置された発光ダイ
オードとそのステムベースを覆い中央にレンズを設けた
レンズ付キャップとを組合せた光半導体装置において、
前記ステムベースがステム外周部とステム内部との別部
品により構成され、組合されていることを特徴とする。
オードとそのステムベースを覆い中央にレンズを設けた
レンズ付キャップとを組合せた光半導体装置において、
前記ステムベースがステム外周部とステム内部との別部
品により構成され、組合されていることを特徴とする。
組合されていることを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ＞．（ｂ）は本発明の第一の実施例の縦断面
図およびその下面図である。発光ダイオード５上にシリ
コン樹脂でレンズ４を形成し、さらにマイクロレンズ３
を付けたキャップ８を使用して組立てた例である。この
発光ダイオード５からの光は、シリコン樹脂レンズ４を
通してある程度収光され、さらにマイクロレンズ３によ
り焦点を結び、光ファイバ２に結合される。ここで発光
ダイオード５とマイクロレンズ４との間の距離は、ファ
イバ２との結合効率及びファイバ側トレランスに大きく
影響を及ぼずため、装置の組立時に、発光ダイオード５
とマイクロレンズ３との間の距離を最適位置に調整する
必要が出てくる。本実施例ではそのためステムベース９
の中央にネジ構造部７を設けている。なお、発光ダイオ
ード５はワイヤを介して各リード１０に接続される。
図およびその下面図である。発光ダイオード５上にシリ
コン樹脂でレンズ４を形成し、さらにマイクロレンズ３
を付けたキャップ８を使用して組立てた例である。この
発光ダイオード５からの光は、シリコン樹脂レンズ４を
通してある程度収光され、さらにマイクロレンズ３によ
り焦点を結び、光ファイバ２に結合される。ここで発光
ダイオード５とマイクロレンズ４との間の距離は、ファ
イバ２との結合効率及びファイバ側トレランスに大きく
影響を及ぼずため、装置の組立時に、発光ダイオード５
とマイクロレンズ３との間の距離を最適位置に調整する
必要が出てくる。本実施例ではそのためステムベース９
の中央にネジ構造部７を設けている。なお、発光ダイオ
ード５はワイヤを介して各リード１０に接続される。
そこで、キャップ封止後にこの光半導体装置から発する
パワーを光ファイバ２を介してパワーメータ１で測定し
ながらステムベース９の中央のネジ構造部７を上下に調
整し、最適位置にした上で、ねじ構造部７をハンダ１１
で固定する。この構造を用いる事により、個々の装置の
使用条件を最適の状態にして組立てる事が可能となった
。
パワーを光ファイバ２を介してパワーメータ１で測定し
ながらステムベース９の中央のネジ構造部７を上下に調
整し、最適位置にした上で、ねじ構造部７をハンダ１１
で固定する。この構造を用いる事により、個々の装置の
使用条件を最適の状態にして組立てる事が可能となった
。
以上説明したように本発明は、ステム中央部にネジ構造
部を設計する事により、個々の光半導体装置の発光ダイ
オードとレンズとの間の距離を最適位置に組立てる事が
出来る様になり、ヒートシンク厚、ステムベース厚及び
キャップに対するレンズ位置のバラツキにそる装置自体
の特性のバラツキを押え、最適条件で使用できるという
効果がある。
部を設計する事により、個々の光半導体装置の発光ダイ
オードとレンズとの間の距離を最適位置に組立てる事が
出来る様になり、ヒートシンク厚、ステムベース厚及び
キャップに対するレンズ位置のバラツキにそる装置自体
の特性のバラツキを押え、最適条件で使用できるという
効果がある。
さらに、発光ダイオードの構造の違いや使用する光ファ
イバの種類によって、装置の設計を変更する必要も無く
なり、同一装置内に他種の発光ダ５ イオードを使用出来、あらゆるファイバにも対応出来る
という効果がある。
イバの種類によって、装置の設計を変更する必要も無く
なり、同一装置内に他種の発光ダ５ イオードを使用出来、あらゆるファイバにも対応出来る
という効果がある。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の光半導体装置の一実施
例の縦断面図およびその下面図、第２図（ａ），（ｂ）
は従来の光半導体装置の一例の断面図および下面図であ
る。 １・・・パワーメータ、２・・・光ファイバ、３・・・
マイクロレンズ、４・・・シリコン樹脂レンズ、５・・
・発光ダイオード、６・・・ヒートシンク、７・・・ネ
ジ部、８・・・キャップ、９，９ａ・・・ステムベース
、１０・・・リード、１１・・・ハンダ。
例の縦断面図およびその下面図、第２図（ａ），（ｂ）
は従来の光半導体装置の一例の断面図および下面図であ
る。 １・・・パワーメータ、２・・・光ファイバ、３・・・
マイクロレンズ、４・・・シリコン樹脂レンズ、５・・
・発光ダイオード、６・・・ヒートシンク、７・・・ネ
ジ部、８・・・キャップ、９，９ａ・・・ステムベース
、１０・・・リード、１１・・・ハンダ。
Claims (1)
- ステムベース上に載置された発光ダイオードとそのステ
ムベースを覆い中央にレンズを設けたレンズ付キャップ
とを組合せた光半導体装置において、前記ステムベース
がステム外周部とステム内部との別部品により構成され
、これらステム外周部とステム内部とがネジ構造で組合
されていることを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013097A JPH03217061A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013097A JPH03217061A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03217061A true JPH03217061A (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=11823650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013097A Pending JPH03217061A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03217061A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007249065A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Olympus Corp | 光学顕微鏡用ｌｅｄ照明装置 |
| JP2010272858A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-12-02 | Ccs Inc | 露光機用光源装置 |
-
1990
- 1990-01-22 JP JP2013097A patent/JPH03217061A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007249065A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Olympus Corp | 光学顕微鏡用ｌｅｄ照明装置 |
| JP2010272858A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-12-02 | Ccs Inc | 露光機用光源装置 |
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