JPH03217037A - 半導体素子測定器 - Google Patents
半導体素子測定器Info
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- JPH03217037A JPH03217037A JP1218890A JP1218890A JPH03217037A JP H03217037 A JPH03217037 A JP H03217037A JP 1218890 A JP1218890 A JP 1218890A JP 1218890 A JP1218890 A JP 1218890A JP H03217037 A JPH03217037 A JP H03217037A
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 12
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
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- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体素子、特に、冷却と、裏面からの光照射
を必要とする半導体素子の測定器に関するものである。
を必要とする半導体素子の測定器に関するものである。
〔従来の技術］
従来、半導体素子、特に液体窒素温度で動作するショッ
トキ型赤外イメージセンサ（参考文献：テレビション学
会技術報告ｐｌ９ 〜２４，Ｖｏｌ．ｌ２Ｊ！ｎ３６（
１９８８年）等の素子のウェハ状態での評価は第２図に
示す構造の半導体素子測定器を用いて行われていた。す
なわち、第２図において、被測定ウエハ２００はコール
ドステージ１の」二面に固定されている。前記コールド
ステージｌは容器２内に固定されている。前記容器２は
Ｘ−Ｙステージ３上に載せられている。ブローブカード
４は上下動機能を有する天板５に下向きに取り付けられ
る。前記ブローブカード４に配されている測定針６によ
り、前記被測定ウェハ２００の動作を確認し、特性を測
定する。１１１ｉ記Ｘ−Ｙステージ３により前記被測定
ウエハ２００を測定針６に対して相対移動させ、測定針
６により被測定ウェハ２００」−の任意の位置での特性
測定が行える。前記コールドステージ１は前記容器２内
に満たした、例えば液体チッ素などの冷媒１００により
冷却される。また、前記容器２内部に充填したチッ素ガ
ス等により１）；Ｉ記ウェハ及び１）；ｊ記プローブカ
ード部分に水滴が４４着しないようにしてある。
トキ型赤外イメージセンサ（参考文献：テレビション学
会技術報告ｐｌ９ 〜２４，Ｖｏｌ．ｌ２Ｊ！ｎ３６（
１９８８年）等の素子のウェハ状態での評価は第２図に
示す構造の半導体素子測定器を用いて行われていた。す
なわち、第２図において、被測定ウエハ２００はコール
ドステージ１の」二面に固定されている。前記コールド
ステージｌは容器２内に固定されている。前記容器２は
Ｘ−Ｙステージ３上に載せられている。ブローブカード
４は上下動機能を有する天板５に下向きに取り付けられ
る。前記ブローブカード４に配されている測定針６によ
り、前記被測定ウェハ２００の動作を確認し、特性を測
定する。１１１ｉ記Ｘ−Ｙステージ３により前記被測定
ウエハ２００を測定針６に対して相対移動させ、測定針
６により被測定ウェハ２００」−の任意の位置での特性
測定が行える。前記コールドステージ１は前記容器２内
に満たした、例えば液体チッ素などの冷媒１００により
冷却される。また、前記容器２内部に充填したチッ素ガ
ス等により１）；Ｉ記ウェハ及び１）；ｊ記プローブカ
ード部分に水滴が４４着しないようにしてある。
ｃ発１１１Ｊが解決しようとするｌｆ題〕ところで、前
述の被測定ウェハ２００に形成されたショットキ型赤外
イメーシセンサは−２００℃程度に冷却して動作させる
必要があり、しがもウェハ裏面から赤外線を入躬させる
必要がある。第２図に示した従来の測定器では、１）０
記イメージセンサを冷却して動作させることはできるが
、ウェハ裏而から赤外線を入射させることはできなかっ
た。
述の被測定ウェハ２００に形成されたショットキ型赤外
イメーシセンサは−２００℃程度に冷却して動作させる
必要があり、しがもウェハ裏面から赤外線を入躬させる
必要がある。第２図に示した従来の測定器では、１）０
記イメージセンサを冷却して動作させることはできるが
、ウェハ裏而から赤外線を入射させることはできなかっ
た。
このため、赤外線を入射させた状態での動作の確認及び
特性の測定が行えなかった。
特性の測定が行えなかった。
本発明の１１的はこのような従来の欠点を除去した新し
い半導体素子測定器を提供することにある。
い半導体素子測定器を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
１１０記１１的を達成するため、本発明に係る半導体素
子測定器においては、冷奴によって冷却されたコールド
ステージにデバイスが形成された被測定ウェハをｅ置し
、該デバイスを冷却しながらデバイスの特性をＩｌｇ定
する半導体素子測定器であって、被測定ウェハ」ユのデ
バイスに測定波長の光線を照射する光源と、 １｝ｕ記光源よりの光線が入射する光路が形成され、Ｈ
１＋１定波長の光線を透過させる天板に前記測定ウェハ
を支持して該ウェハ上のデバイスを１）；ｊ記光路上に
保持するコールドステージとを有するものである。
子測定器においては、冷奴によって冷却されたコールド
ステージにデバイスが形成された被測定ウェハをｅ置し
、該デバイスを冷却しながらデバイスの特性をＩｌｇ定
する半導体素子測定器であって、被測定ウェハ」ユのデ
バイスに測定波長の光線を照射する光源と、 １｝ｕ記光源よりの光線が入射する光路が形成され、Ｈ
１＋１定波長の光線を透過させる天板に前記測定ウェハ
を支持して該ウェハ上のデバイスを１）；ｊ記光路上に
保持するコールドステージとを有するものである。
本発明では、冷媒により被測定半導体素子を冷却する半
導体素子測定器において、前記半導体素子の下方に発光
面が」二向きになるように光源を置き、発光面から１１
１ｊ記半導体素子までの光路」一には、必要とする光を
さえぎるものを置かない構造にすることにより、１１１
１記半導体素子を冷却しながら、かつ、裏面から光を照
射させて測定することを可能にしてある。
導体素子測定器において、前記半導体素子の下方に発光
面が」二向きになるように光源を置き、発光面から１１
１ｊ記半導体素子までの光路」一には、必要とする光を
さえぎるものを置かない構造にすることにより、１１１
１記半導体素子を冷却しながら、かつ、裏面から光を照
射させて測定することを可能にしてある。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を模式的に示す構成ｊ冫１で
ある。
ある。
図において、内部が真空若しくは窒素ガス，アルゴン等
が充填される容器２′は、平面上の直交する２軸方向に
移動可能なＸ−Ｙステージ３」一に設置してあり、容器
２′の底部開口２ａ’には透明な底藍１０がへ（密に取
｛＝Ｊけてあり、ｘ−Ｙステージ３には容器２′の透明
な底盈ｌＯに対向して光透過性の開口３ａが設けてある
。また、容器２の下方には、発光面３０ ｌａを容器２
′の底器１０側の」ユ向きにした光源３０１が配設して
ある。光源３０１はその発光面３０１ ａより被測定ウ
ェハ２００」―のデバイスに測定波長の光線３００を照
射する。光源３０１としては黒体炉等を用いる。
が充填される容器２′は、平面上の直交する２軸方向に
移動可能なＸ−Ｙステージ３」一に設置してあり、容器
２′の底部開口２ａ’には透明な底藍１０がへ（密に取
｛＝Ｊけてあり、ｘ−Ｙステージ３には容器２′の透明
な底盈ｌＯに対向して光透過性の開口３ａが設けてある
。また、容器２の下方には、発光面３０ ｌａを容器２
′の底器１０側の」ユ向きにした光源３０１が配設して
ある。光源３０１はその発光面３０１ ａより被測定ウ
ェハ２００」―のデバイスに測定波長の光線３００を照
射する。光源３０１としては黒体炉等を用いる。
さらに、容器２′内には被測定ウェハ２００を冷却する
コールドステージビが底器１０に対向して設置してある
。該コールドステージ１′は」二下２段に平行に配列さ
れた透明な天板７及び底板９と、天板７及び底板９の外
周縁間に気密に介装した冷媒管８とを有し、内部に光源
３０＋よりの光線３００が入射する光路１２１′が形成
してあり、測定波長の光線３００を透過させる天＃ｊ．
７に被測定ウエハ２００ を載置してそのデバイスを光
路１ａ’上に保持し、一力冷媒管８に冷媒１００を充填
して天板７及び底板９を冷却し、天板７にて被測定ウエ
ハ２００を冷却するものである。また天板７及び底板９
，冷媒管８により」一下の天板７，底板９間に形成され
たコールドステージ１′の空間内に気化させた冷気１０
１を満たして天板７及び底板９の冷却を補助する。天板
７，底板９，容器２′の底ＪｊｌＯは例えばサファイア
，石英等の透明素材を用いる。
コールドステージビが底器１０に対向して設置してある
。該コールドステージ１′は」二下２段に平行に配列さ
れた透明な天板７及び底板９と、天板７及び底板９の外
周縁間に気密に介装した冷媒管８とを有し、内部に光源
３０＋よりの光線３００が入射する光路１２１′が形成
してあり、測定波長の光線３００を透過させる天＃ｊ．
７に被測定ウエハ２００ を載置してそのデバイスを光
路１ａ’上に保持し、一力冷媒管８に冷媒１００を充填
して天板７及び底板９を冷却し、天板７にて被測定ウエ
ハ２００を冷却するものである。また天板７及び底板９
，冷媒管８により」一下の天板７，底板９間に形成され
たコールドステージ１′の空間内に気化させた冷気１０
１を満たして天板７及び底板９の冷却を補助する。天板
７，底板９，容器２′の底ＪｊｌＯは例えばサファイア
，石英等の透明素材を用いる。
また、容器２′の１一部開口側には支持板５を図示しな
い昇降機構に支持されて昇降可能に設置してあり、支持
板５の下面にはブローブカード４をその測定針６が下向
きになるように設置してある。
い昇降機構に支持されて昇降可能に設置してあり、支持
板５の下面にはブローブカード４をその測定針６が下向
きになるように設置してある。
実施例において、イメージセンサ等のデバイスが形成さ
れた被測定ウエハ２００をコールドステージ１′の天板
７−１−に設置し、支持板５に支持されたブローブカー
ド４の測定劃６を被測定ウエハ２００に形成されたデバ
イスの電極に接触させる。この状態でコールドステージ
ドの冷媒管８内に冷媒１００を充填することにより天板
７を介して被測定ウェハ２００を冷却しながら、光源３
０１にて、Ｘ−Ｙステージ３の開Ｉ１３ａ，容器２′の
透明な底器１０，コールドステージドの透明な天板７及
び底板９を介して被測定ウェハ２００の裏面側から該ウ
ェハ２００」−のデバイスに光照射を行い、ウェハ２０
０」一に形成されたデバイスの評価を行う。本発明によ
れば、被測定ウェハ２００ ．．ｌ−のデバイスを冷却
しながら、光照射を行って特性測定を行うことができる
。また、１）ｉｊ記光源３０１ にシャッタや光学バン
ドパスフィルタを付加することにより、暗時，明時，特
定の波長光照射時のデバイス特性を得ることができる。
れた被測定ウエハ２００をコールドステージ１′の天板
７−１−に設置し、支持板５に支持されたブローブカー
ド４の測定劃６を被測定ウエハ２００に形成されたデバ
イスの電極に接触させる。この状態でコールドステージ
ドの冷媒管８内に冷媒１００を充填することにより天板
７を介して被測定ウェハ２００を冷却しながら、光源３
０１にて、Ｘ−Ｙステージ３の開Ｉ１３ａ，容器２′の
透明な底器１０，コールドステージドの透明な天板７及
び底板９を介して被測定ウェハ２００の裏面側から該ウ
ェハ２００」−のデバイスに光照射を行い、ウェハ２０
０」一に形成されたデバイスの評価を行う。本発明によ
れば、被測定ウェハ２００ ．．ｌ−のデバイスを冷却
しながら、光照射を行って特性測定を行うことができる
。また、１）ｉｊ記光源３０１ にシャッタや光学バン
ドパスフィルタを付加することにより、暗時，明時，特
定の波長光照射時のデバイス特性を得ることができる。
−．１１記構造でＸ−Ｙステージ３」ユに」ユ記容器２
′をのせるかわりに、コールドステージ１′をＸ−＼゜
ステージ３により互いに直交する２軸方向に移動させる
構造にしても、−１一記各種特性を同様に得ることがで
きる。
′をのせるかわりに、コールドステージ１′をＸ−＼゜
ステージ３により互いに直交する２軸方向に移動させる
構造にしても、−１一記各種特性を同様に得ることがで
きる。
［発明の効果］
以−１−述べたように本発明によれば、被測定ウェハを
冷却しながら、ウェハ裏而から光を照射させた状態でウ
ェハ」−に形成されたショットキ型赤外イメージセンサ
等のデバイスの評価を行うことができる。したがって、
ウエハをダイシング及びパッケージングするゴー程なし
に、デバイスの選別等を行うことができるという効果を
有する。
冷却しながら、ウェハ裏而から光を照射させた状態でウ
ェハ」−に形成されたショットキ型赤外イメージセンサ
等のデバイスの評価を行うことができる。したがって、
ウエハをダイシング及びパッケージングするゴー程なし
に、デバイスの選別等を行うことができるという効果を
有する。
第１図は本発明に係る半導体素子測定器の一実施例を示
す構成図、第２図は従来の半導体素子測定器を示す構成
図である。 １，１′・・・コールドステージ ２，２′・・・容器
３・・・Ｘ−Ｙステージ ４・・・ブローブカー
ド５・・・支持板 ６・・・測定針７・
・・コールドステージの透明天板 ８・・・冷媒管９・
・・コールドステージの透明底板 １０・・・透明底器
１００・・・冷媒 １０１・・・冷気２
００・・・被測定ウェハ ３００・・・光線３０
１・・・光源
す構成図、第２図は従来の半導体素子測定器を示す構成
図である。 １，１′・・・コールドステージ ２，２′・・・容器
３・・・Ｘ−Ｙステージ ４・・・ブローブカー
ド５・・・支持板 ６・・・測定針７・
・・コールドステージの透明天板 ８・・・冷媒管９・
・・コールドステージの透明底板 １０・・・透明底器
１００・・・冷媒 １０１・・・冷気２
００・・・被測定ウェハ ３００・・・光線３０
１・・・光源
Claims (1)
- （１）冷媒によって冷却されたコールドステージにデバ
イスが形成された被測定ウェハを載置し、該デバイスを
冷却しながらデバイスの特性を測定する半導体素子測定
器であって、 被測定ウェハ上のデバイスに測定波長の光線を照射する
光源と、 前記光源よりの光線が入射する光路が形成され、測定波
長の光線を透過させる天板に前記測定ウェハを支持して
該ウェハ上のデバイスを前記光路上に保持するコールド
ステージとを有することを特徴とする半導体素子測定器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012188A JP2611468B2 (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 半導体素子測定器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012188A JP2611468B2 (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 半導体素子測定器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03217037A true JPH03217037A (ja) | 1991-09-24 |
| JP2611468B2 JP2611468B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=11798434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012188A Expired - Lifetime JP2611468B2 (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 半導体素子測定器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2611468B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686753B1 (en) | 1999-09-13 | 2004-02-03 | Nec Electronics Corporation | Prober and apparatus for semiconductor chip analysis |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS568841A (en) * | 1979-07-04 | 1981-01-29 | Nec Corp | Measuring method of micro probe deep level |
| JPS59143339A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体結晶中の不純物分析方法 |
| JPS6222268A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Seiko Epson Corp | フロツピ−デイスク装置 |
| JPH01303960A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Nec Corp | フォトセンサの感度調整装置 |
-
1990
- 1990-01-22 JP JP2012188A patent/JP2611468B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS568841A (en) * | 1979-07-04 | 1981-01-29 | Nec Corp | Measuring method of micro probe deep level |
| JPS59143339A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体結晶中の不純物分析方法 |
| JPS6222268A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Seiko Epson Corp | フロツピ−デイスク装置 |
| JPH01303960A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Nec Corp | フォトセンサの感度調整装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686753B1 (en) | 1999-09-13 | 2004-02-03 | Nec Electronics Corporation | Prober and apparatus for semiconductor chip analysis |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2611468B2 (ja) | 1997-05-21 |
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