JPH03215940A - ドライエッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、ドライエッチング方法に関する。

〈従来の技術〉 第２図（ａ）乃至（ｃ）により従来のエッチング方法を
説明する。

第２図（ａ）に示すプラズマエッチング装ｔｉｌｌを用
いたエッチング方法では、先ずエッチング槽１２内にエ
ッチングガスな導入する。次に高周波電極１３．１３間
に高周波電力を引加し、グロー放電を発生させてプラズ
マ状態を得る。このプラズマ中に発生した活性ラジカル
Ｆｌ′によって試料５０をエッチングする。

第２図（ｂ）に示す反応性イオンエッチング装置２１を
用いた工・ンチンク方法では、平行平板電極２２．２２
間に発生させたラジカルＲの化学反応と、カソード暗部
の電界で加速されたイオンＩｎの衝突によるスパッタリ
ングとによって試料５０をエッチングする。

第２図（Ｃ）に示すイオンエッチング装置３１を用いた
エッチング方法では、イオン源３２で不活性ガスを電離
させる。そして電離によって発生したイオンＩｎをグリ
ッド３３で引き出して加速し、試料５０に衝突させる。

試料５０はイオンＩｎの衝突力によるスパッタリングに
よってエッチングされる．く発明が解決しようとする課
題》 しかしながら、上記したプラズマエッチング装置による
エッチング方法では、ランダムに運動する活性ラジカル
が保護膜の下に廻り込む為にアンダーカットが生してし
まう。

又反応性イオンエッチンク装置やイオンエッチンク装置
によるエッチンク方法では、保護膜と試料との選択比か
小さくなり、保護膜もエッチンクされてしまう。

よってエッチンクによって形成される高精度なパターン
を得ることができなかった。

〈課題を解決するための手段〉 本発明は、上記した課題を解決する為に成された方法で
、高選択比てかっ異方性エッチンクに優れたエッチンタ
方法を提供することを目的とする。

即ち、試料上に反応性物質を含んだ保護膜を形成する工
程■と、前記保護膜に対して前記反応性物質を活性化さ
せる励起線を照射して、反応性物質を活性化する工程■
と、前記活性化した反応性物質で前記試料をエッチング
する工程■とにより成る王程■乃至■を順に行う方法で
ある。

〈作用〉 」二記方法のトライエッチンク方法は、保護膜中の反応
性物質に励起線を照射し活性化して、活性化した反応性
物質によって試料をエッチングすることによりエッチン
ク時の保護膜の膜減りや損傷を防止する。又試料上に形
成した保護膜中て反応性物質を活性化して、反応性物質
か活性化した保護膜の部分に接触している試料部分のみ
を活性化した反応性物質てエッチンクすることにより、
エッチンク部分のアンターカットの発生を防止する。

〈実施例〉 本発明の実施例を第１図に示すトライエッチン夕方法の
工程図により説明する。

工程■ては、塩素や臭素等の反応性物質を含んだ保護膜
１、例えばホトレジスト等の樹脂膜により、試料２上に
エッチングマスクを密着して形成する。

前記反応性物質には、試料２をエッチングしやすい物質
か選択される。

例えば、前記試料２にインジウム・リン基板な用いた場
合には、インジウム・リン基板上に塩素分子（反応性物
質）を含むホトレジスト（保護膜）を５００Ａ程度の厚
さに形成する。

王程■ては、前記保護膜１に対して、前記反応性物質を
活性化させる励起線Ｉを所定位置に照射する。そして保
護膜ｌ中の励起線Ｉを照射した部分１ａの反応性物質を
活性化する。

前記励起線Ｉは、前記反応性物質の吸収帯城のものが用
いられる。その種類としては、レーザ光線，Ｘ線，イオ
ンビーム，電子ビーム等がある。

例えば、前記塩素分子を含むホトレジストには、５ｋｅ
Ｖの電子ビーム（励起線）を照射する。

そして塩素分子を活性化して塩素ラジカルに変化させる
。

■程■では、前記活性化した反応性物質が前記試料２と
反応して、試料２をエッチングする。そして被エッチン
グ部分２ａが除去される。この時、活性化した反応性物
質とエッチングされた試料とにより生成されるエッチン
グ生成物は、例えば励起線Ｉを照射したことにより多孔
質化した保護膜１を通して排出される。次に保護膜１を
除去する。

例えば、前記インジウム・リン基板では、上記した条件
により生成された塩素ラシカルによって、およそ１００
０人の深さにエッチングが成される。

当然のことながら、励起線■の出力を制御して励起線Ｉ
を照射すれば、活性化した反応性物質の生成量を制御す
ることかてきる。よってエッチング深さを自在に選択す
ることかてきる。

又上記方法によれば、従来のエッチンク方法の保護膜形
成過程で行われていた現像工程が省略される。

〈発明の効果〉 以上説明したように本発明によれば、反応性物質を含む
保護膜を試料面に密着形成して、この保護膜の所定位置
に励起線を照射し、保護膜中に活性化した反応性物質を
生成するとともに、この反応性物質で試料をエッチンク
したのて、保護膜がエッヂンク時に損傷を受けることか
なく、更にエッヂンク部にアンターカッ１〜を生しない
。

従って、高精度でかつ微細なパターンを形成することか
てきる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本実施例のドライエッチング方法の工程図、 第２図（ａ）乃至（ｃ）は、従来のドライエッチンク方
法の説明図である。 １・・・保護膜，　　Ｉａ・・・励起線を照射した部分
，２・・・試料，　　　２ａ・・・被エッチング部分，
■・−・励起線。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 試料上に反応性物質を含んだ保護膜を密着形成する工程
   と、 前記保護膜に対して、前記反応性物質を活性化させる励
   起線を照射して、反応性物質を活性化する工程と、 前記活性化した反応性物質で前記試料をエッチングする
   工程を行うことを特徴とするドライエッチング方法。