JPH0321176B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、被診察体の収容に適した内室を取囲
みこの内室内に少なくともほぼ均等な磁場を作る
多数の磁石コイルと、一つの円筒面上に規則的に
相互に間隔を隔てて配置された構造同一の少なく
とも４個の梁状遮蔽要素およびこれらの遮蔽要素
の両端部にそれぞれ１個設けられて円筒軸線上に
所定直径の中心孔を持つ端板を有しかつ前記磁石
コイルを包囲するほぼかご形の強磁性材料製遮蔽
装置とを備えた核スピン断層撮影設備の磁石装置
に関する。 このような磁石装置は本件出願人によつて特願
昭59−194525号（特開昭60−90546号）として提
案されている。 〔従来の技術〕 医学的診断のための核スピン断層撮影設備（核
磁気共鳴（NMR）設備）は一般的に知られてい
る（たとえば欧州特許第21535号または西独特許
出願公開第2921252号公報参照）。この種の設備は
正常伝導または超伝導磁場コイル装置を備えた磁
石装置を有しており、それによつて測定区域内に
できるだけ均等な強基底磁場を作る。この基底磁
場にはパルス状のグラジエント磁場が加えられ、
さらに基底磁場に対して垂直な高周波磁場が加え
られる。磁石コイルの寸法は被診察体の寸法に適
合し、それゆえその被診察体はコイルが包囲する
内室の測定区域内に容易に送り込まれ得る。 この種のコイル装置の強磁場は主として測定区
域だけに存在し、そして周囲の電気機器に悪影響
を及ぼしたりまた強磁性可動部分に望ましくない
力作用を及ぼしたりするおそれがあるので、コイ
ル装置の周辺には漏洩磁場の形で拡がらないよう
にしなければならない。そのために、核スピン断
層撮影設備用の磁石装置はコイル装置のほかに同
様に遮蔽装置を有しており、この遮蔽装置によつ
て、漏洩磁場がコイル装置の外に漏出するのを制
限する。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述した特開昭60−90546号にて提案された遮
蔽装置を用いることによつて、磁石装置を構成す
るコイル装置の周辺の磁束の充分な帰還が保証さ
れる。それゆえこの種の遮蔽装置を用いることに
よつて、たとえば１テスラ磁石の漏洩磁場を４〜
５倍の遮蔽率で低減させることができる。更に隣
に合せた遮蔽要素間に形成された中間室が磁石コ
イル装置に導く良好な側路となり、又側方にはみ
出した低温冷却装置部分に対して充分な空間を提
供するという大きな利点を有する。しかしながら
漏洩磁束発生源は主としてこの遮蔽装置の端板に
形成された中心孔であるが、その孔口径は均等磁
場を得るという要求によりたとえば約1.65ｍの所
定直径に決定され、従つて任意に小さくすること
は出来ない。 そこで本発明は、漏洩磁速をより一層低減させ
ることができるように、冒頭で述べた種類の磁石
装置を改良することを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この目的を達成するために本発明は、遮蔽装置
の両端部にはそれぞれ、２枚の補助遮蔽板が互い
に平行に、梁状遮蔽要素のそれぞれ２個を長手方
向に端板を越えて所定長さだけ延長させたような
形態にて、配置されることを特徴とする。 このように軸方向に向けられた強磁性材料製の
遮蔽板を用いることによつて、漏洩磁速を端板の
中心孔の出口部に出来る限り接近して捕捉し、そ
してそれぞれその反対側へ遮蔽装置の円筒状遮蔽
要素を介して帰還させることができる。同時に強
磁性材料の量、従つて補助遮蔽板の重量も適当に
制限することができる。 上述した目的を達成するために、本発明は同様
に、２つの平行な平面内に置かれて長く延ばされ
た少なくとも２枚の補助遮蔽板が設けられ、補助
遮蔽板は遮蔽装置の梁状遮蔽要素に対して平行に
かつ離隔して配置され、しかも補助遮蔽板は所定
長さだけそれぞれの端部（端板）を越えて突出し
ていることを特徴とする。 この場合には２つの平行な平面の各々には少な
くとも２枚の遮蔽板が置かれ、その遮蔽板相互間
隔を円筒状遮蔽装置の幅に適合させることができ
る。さらに、各平面内に１枚の遮蔽板が置かれ、
その遮蔽板の幅を最も狭い場合でも円筒状遮蔽装
置の幅にほぼ一致させるようにすることもでき
る。 〔実施例〕 次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説
明する。 本発明による図示した磁石装置は公知の核スピ
ン断層撮影設備（NMR設備）を基本としてい
る。この磁石装置は多数の磁石コイルが配設され
ていると共に、遮蔽および磁束帰還のための特別
な措置がそれぞれ講ぜられている。 かかる遮蔽の一実施例が第１図に示されてい
る。この実施例においては、上述した特開昭60−
90546号公報にて提案されているのと同じような
円筒形遮蔽装置が基本となつている。全体が２と
して示されたこの遮蔽装置はクライオスタツト
（低温保持装置）３を包囲しており、そのクライ
オスタツト３内にはたとえば１テスラまたはそれ
以上の磁束密度を持つ均等磁場を発生するための
超伝導磁石コイルが置かれている。クライオスタ
ツト３の端面にはそれぞれ円形状中心孔７を有す
る大質量の端板５，６が設けられている。ほぼ正
四角形に形成されている端板５，６の中心孔７の
直径は、磁石装置内部への出入が容易であると共
に、コイル中心部の有効容積内の磁場の乱れが最
小になるように選定されている。その直径はその
ようにして決定されるが、しかしながら漏出する
漏洩磁束を減少させたいからと云つて単純に小さ
くすることができない。というのは、さもなけれ
ば、基底磁場にかなりの磁場乱れが発生するから
である。 遮蔽装置２の端板５，６は４個の長手方向に延
びる、すなわち中心磁場の軸線Ａに対して平行に
延びる梁状の遮蔽要素を介して磁気的に相互に結
合されている。第１図には３個の遮蔽要素９，１
０，１１だけが示されている。これらの遮蔽要素
は軸線Ａの周りに同心的に形成された仮想円筒面
上に規則的に分割配置されている。これらの遮蔽
要素は総て同形であり、任意の断面形状たとえば
矩形断面を有することができる。しかしながら、
これらの遮蔽要素は特に少なくともほぼ直角三角
形の断面形状を有する。図示された実施例におい
ては、この三角形の外側頂点は切断されており、
それゆえ台形断面を呈している。 ほぼ正方形の端板５，６と共に、梁状の遮蔽要
素は剛性の自己支持形骨組を構成し、その横寸法
は１テスラ磁石コイル装置の場合にはこの磁石コ
イルすなわちクライオスタツト３の外形とほとん
ど同じである。この骨組によつて構成された円筒
状遮蔽装置２を用いることにより、端面に漏出し
た磁束が帰還し、それゆえ漏洩磁束は著しく減少
する。本発明によれば、端面に漏出したこの漏洩
磁束は、漏洩磁束の端面側出口部に出来る限り接
近して配置されて磁束をその反対側へ案内するこ
とのできる補助遮蔽板によつて捕捉される。 第１図に示された実施例においては、４枚の捕
助遮蔽板１３〜１６が設けられている。それぞれ
２枚の互いに平行に配置されたこの遮蔽板１３，
１４あるいは１５，１６は両端板５，６の一方
に、円筒状遮蔽装置２の２個の梁状遮蔽要素が軸
線方向にそれぞれの端板を越えて延長されたよう
な形態にて設けられている。従つて、たとえば、
一つの平面内に置かれて端板５，６の外縁に固定
された２枚の補助遮蔽板１４，１６の間では、２
つの梁状遮蔽要素１０，１１が長手方向に延在し
ている。同様に、遮蔽板１３，１５も端板５，６
に、従つて対応する梁状遮蔽要素に結合されてい
る。その場合に、補助遮蔽板１３〜１６の長さｌ
を最も短い場合でも円筒状遮蔽要素２の長さＬの
半分の大きさにすることは有利である。一般的
に、その長さｌは漏洩磁束を効果的に低減させる
ために長さＬの3/4以上に長くする必要がない。
たとえば長さｌを2/3Ｌに選定することは好まし
いことである。遮蔽板の幅ｂはその場合に最も狭
い場合でも端板５，６の対応する幅Ｂにほぼ一致
する。一方その厚さは数cmであり、たとえば１〜
２cmである。 具体的な例によれば、遮蔽装置２は軸方向長さ
Ｌが2.6ｍ、幅Ｂが2.2ｍである。同じ幅ｂを有す
る２cmの厚さの遮蔽板１３〜１６はそれぞれ軸方
向長さｌが1.7ｍであり、各端板の対応する外縁
に直接当接している。この種の補助遮蔽板を用い
ることによつて、漏洩磁場は、遮蔽板が設けられ
ていない場合の漏洩磁場に比べて0.7倍減少する。 第１図に示された補助遮蔽板に対して、漏洩磁
場を低減させる他の方法は第２図に図示された遮
蔽手段によつて達成される。この装置は、４個の
梁状遮蔽要素９〜１１と端板５，６とを備えた第
１図のほぼ円筒状の遮蔽装置２のほかに、４個の
補助遮蔽板２０〜２３を有している。延長部とし
て形成された補助遮蔽板１３〜１６（第１図）に
対して、この実施例においては、延長部は長手方
向に分割されて水平に配置されかつ軸方向に延在
させられている。さらに、捕捉された漏洩磁束は
もはや円筒状遮蔽装置自体を通らない。それゆ
え、４枚の軸平行な板の形状に構成されたこのよ
うな構造体は円筒状遮蔽装置のほかに第２の磁束
帰環還部を構成する。従つて、４枚の長く延びた
遮蔽板は平行にかつ梁状遮蔽要素に対して出来る
限り接近して、しかしながらこれらと磁気的に結
合されることなく配置される。その場合に、２つ
の平行な平面内にそれぞれ２枚の遮蔽板、つまり
一方の平面内に遮蔽板２０，２１が、その平面に
対して平行な他方の平面内に遮蔽板２２，２３が
それぞれ間隔ａをもつて配置されている。一つの
平面内に存在する遮蔽板間のこの間隔ａは円筒状
遮蔽装置２の寸法に応じて決定され、たとえばそ
の幅Ｂよりも若干大きい。同様にして、それぞれ
２枚の遮蔽板が存在する平行な平面間の間隔ｅが
決定される。遮蔽板２０〜２３の全長l′は最短の
場合でも円筒状遮蔽装置２の軸方向長さＬの7/3
倍であり、最長の場合にはその長さＬの約３倍で
ある。l′の値が約2.7Lであることは有利である。
遮蔽板の幅b′は好ましくは0.5〜1.5ｍに選定され
る。 第１図の実施例について述べた具体的な例に対
応させて、第２図に示したほぼ円筒状の遮蔽装置
２の具体的な例について述べると、遮蔽板２０〜
２３はそれぞれ長さl′が７ｍ、幅b′が１ｍである。
これらの遮蔽板はその端部に設けられた長さ1.5
ｍの端片２５まで約２cmの厚さをしており、そし
てこの端片２５の領域の厚さは主として重量上の
理由から１cmに薄くされている。それぞれ一つの
平面内に置かれている遮蔽板は2.4ｍの間隔ａに
て互いに離隔されており、一方それぞれ２枚の遮
蔽板を有する平面間の間隔ｅは約、2.35ｍであ
る。このような遮蔽手段を用いることによつて、
端面にかご形遮蔽装置から漏出した漏洩磁束の約
半分を捕捉することができる。 第３図においてはダイヤグラムの一象限内に、
第１図または第２図の実施例によるほぼ円筒状の
遮蔽装置２を備えた１テスラ核スピン断層撮影設
備の磁石周辺の漏洩磁場が示されている。縦軸ｚ
には磁場軸線Ａの方向に見た磁石中心からの距離
がｍ単位で示され、横軸Ｒには半径方向に見た磁
石中心からの距離が同様にｍ単位で示されてい
る。さらに、ダイヤグラムには遮蔽装置２の状態
が描かれている。このダイヤグラムには７本の等
高線１〜７が描かれており、これらの等高線はこ
の図の下に示されているテーブルにより規定さ
れ、ミリテスラ〔mT〕で示されている磁場平均
値に相当している。 同じようにして、第４図にも、ほぼ円筒状の遮
蔽装置２を備えた１テスラ核スピン断層撮影設備
の磁石周辺の漏洩磁場が個々の磁場等高線によつ
て示されている。しかしながら第３図に対してこ
の第４図では、遮蔽装置２のほかにさらに第２図
の具体的な例にて示した長く延びた遮蔽板を有す
る遮蔽手段を設けられている。第３図と第４図と
を比較すると判るように、遮蔽板による補助遮蔽
手段を用いることにより漏洩磁石が著しく低減さ
れる。 本発明による遮蔽手段の第２図に示された実施
例は、２つの平行な平面内にそれぞれ２枚の補助
遮蔽板２０，２１および２２，２３が設けられ、
これらの補助遮蔽板はほぼ円筒状の遮蔽装置２の
関係する梁状遮蔽要素９〜１１からは離されて配
置されしかも互いに所定間隔ａだけ離されて配置
されることを基本としている。しかしながらこれ
らの４枚の遮蔽板の代わりに、軸平行な２つの平
面内でかつ遮蔽装置２の上方および下方にそれぞ
れ１枚の幅広の遮蔽板を設置するようにしてもよ
い。その場合、それらのそれぞれの幅は遮蔽装置
の幅にほぼ一致する。 図面に示された実施例は、４個の梁状遮蔽要素
がほぼ三角形状または台形状断面を有するような
ほぼ円筒状の遮蔽装置または磁束帰還装置が基本
となつている。第１図および第２図に示された補
助遮蔽手段は、梁状遮蔽要素が他の断面形状を有
するような磁束帰還装置にも同じように良好に適
する。 〔発明の効果〕 以上に説明したように、本発明によれば補助遮
蔽板を用いることによつて、円筒状遮蔽装置の端
面に漏出した漏洩磁束を効果的に低減させること
が出来るという利点が奏される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す概略図、第２
図は本発明の他の実施例を示す概略図である。第
３図および第４図は本発明による効果を説明する
ためのダイヤグラムで、第３図は本発明による補
助遮蔽板を備えていない磁石装置周辺の漏洩磁場
を示し、第４図は第２図に示した本発明による補
助遮蔽板を備えている磁石装置周辺の漏洩磁場を
示す。 ２……遮蔽装置、３……クライオスタツト、
５，６……端板、９，１０，１１……梁状遮蔽要
素、１３，１４，１５，１６……補助遮蔽板、２
０，２１，２２，２３……補助遮蔽板。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 被診察体の収容に適した内室を取囲みこの内
   室内に少なくともほぼ均等な磁場を作る多数の磁
   石コイルと、一つの円筒面上に規則的に相互に間
   隔を隔てて配置された構造同一の少なくとも４個
   の梁状遮蔽要素およびこれらの遮蔽要素の両端部
   にそれぞれ１個設けられて円筒軸線上に所定直径
   の中心孔を持つ端板を有しかつ前記磁石コイルを
   包囲するほぼかご形の強磁性材料製遮蔽装置とを
   備えた核スピン断層撮影設備の磁石装置におい
   て、 遮蔽装置２の両端部５，６にはそれぞれ２枚の
   補助遮蔽板１３，１４または１５，１６が互いに
   平行に、梁状遮蔽要素９〜１１のそれぞれ２個を
   長手方向にその対応する端板５または６を越えて
   所定の長さｌだけ延長させたような形態にて配置
   されていることを特徴とする核スピン断層撮影設
   備の磁石装置。 ２ 補助遮蔽板１３〜１６はそれぞれの端板５ま
   たは６の外側領域にてこの端板に取付けられてい
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   磁石装置。 ３ 補助遮蔽板１３〜１６の軸方向長さｌは最も
   短い場合でも円筒状遮蔽装置２の軸方向長さＬの
   半分の大きさであることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項または第２項記載の磁石装置。 ４ 補助遮蔽板１３〜１６の軸方向長さｌは最も
   長い場合でも円筒状遮蔽装置２の軸方向長さＬの
   ２／３の大きさであることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項ないし第３項のいずれか１項に記載の
   磁石装置。 ５ 補助遮蔽板１３〜１６の幅ｂは最も狭い場合
   でも円筒状遮蔽装置２の幅Ｂとほぼ等しいことを
   特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項の
   いずれか１項に記載の磁石装置。 ６ 被診察体の収容に適した内室を取囲みこの内
   室内に少なくともほぼ均等な磁場を作る多数の磁
   石コイルと、一つの円筒面上に規則的に相互に間
   隔を隔てて配置された構造同一の少なくとも４個
   の梁状遮蔽要素およびこれらの遮蔽要素の両端部
   にそれぞれ１個設けられて円筒軸線上に所定直径
   の中心孔を持つ端板を有しかつ前記磁石コイルを
   包囲するほぼかご形の強磁性材料製遮蔽装置とを
   備えた核スピン断層撮影設備の磁石装置におい
   て、 ２つの平行な平面内に置かれて長く延ばされた
   少なくとも２枚の補助遮蔽板２０〜２３が設けら
   れ、補助遮蔽板は遮蔽装置２の梁状遮蔽要素９〜
   １１に対して平行にかつ離隔して配置され、しか
   も補助遮蔽板は所定長さだけそれぞれの端部５，
   ６を越えて突出していることを特徴とする核スピ
   ン断層撮影設備の磁石装置。 ７ ２つの平行な平面の各々には少なくとも２枚
   の遮蔽板２０，２１または２２，２３が置かれ、
   その遮蔽板の相互間隔ａは円筒状遮蔽装置２の幅
   Ｂに適合することを特徴とする特許請求の範囲第
   ６項記載の磁石装置。 ８ ２つの平行な平面の各々には１枚の遮蔽板が
   置かれ、その遮蔽板の幅は最も狭い場合でも円筒
   状遮蔽装置２の幅Ｂにほぼ一致することを特徴と
   する特許請求の範囲第６項記載の磁石装置。 ９ 補助遮蔽板２０〜２３の軸方向長さl′は最も
   短い場合でも円筒状遮蔽装置２の軸方向長さＬの
   ７／３の大きさであることを特徴とする特許請求の
   範囲第６項ないし第８項のいずれか１項に記載の
   磁石装置。 １０ 補助遮蔽板２０〜２３の軸方向長さl′は最
   も長い場合でも円筒状遮蔽装置２の軸方向長さＬ
   の３倍の大きさであることを特徴とする特許請求
   の範囲第６項ないし第９項のいずれか１項に記載
   の磁石装置。 １１ 補助遮蔽板２０〜２３の幅b′は0.5〜1.5ｍ
   の間にあることを特徴とする特許請求の範囲第６
   項、第７項、第９項、第１０項のいずれか１項に
   記載の磁石装置。 １２ 補助遮蔽板２０〜２３の厚さは１〜３cmの
   間にあることを特徴とする特許請求の範囲第６項
   ないし第１１項のいずれか１項に記載の磁石装
   置。 １３ 補助遮蔽板２０〜２３はその端部２５の領
   域における厚さが円筒状遮蔽装置２の領域におけ
   る厚さよりも薄くなつていることを特徴とする特
   許請求の範囲第６項ないし第１２項のいずれか１
   項に記載の磁石装置。