JPS6195236A - 核スピン断層撮影設備の磁石装置 - Google Patents
核スピン断層撮影設備の磁石装置Info
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- JPS6195236A JPS6195236A JP60225928A JP22592885A JPS6195236A JP S6195236 A JPS6195236 A JP S6195236A JP 60225928 A JP60225928 A JP 60225928A JP 22592885 A JP22592885 A JP 22592885A JP S6195236 A JPS6195236 A JP S6195236A
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- G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被診察体の収容に適した内室を取囲みこの内
室内に少なくともほぼ均等な磁場を作る多数の磁石コイ
ルと、一つの円筒面上に規則的に配置された構造同一の
少なくとも１個の梁状遮蔽要素およびそれらの遮蔽要素
の両端部にそれぞれ１個設けられて円筒軸線上に所定直
径の中心孔を持つ端板を有しかつ前記磁石コイルを包囲
するほぼ円筒状の強磁性材料製遮蔽装置とを備えた核ス
ピン断層撮影設備の磁石装置に関する。
室内に少なくともほぼ均等な磁場を作る多数の磁石コイ
ルと、一つの円筒面上に規則的に配置された構造同一の
少なくとも１個の梁状遮蔽要素およびそれらの遮蔽要素
の両端部にそれぞれ１個設けられて円筒軸線上に所定直
径の中心孔を持つ端板を有しかつ前記磁石コイルを包囲
するほぼ円筒状の強磁性材料製遮蔽装置とを備えた核ス
ピン断層撮影設備の磁石装置に関する。
このような磁石装置は本件出願人によって持如昭５９−
１９４５２５号（特開昭６０−９０５４６号）として提
案されている。
１９４５２５号（特開昭６０−９０５４６号）として提
案されている。
医学的診断のだめの核スピン断層撮影設備（核磁気共鳴
（ＮＭＲ）設備）は一般的に知られている（たとえば欧
州特許第２１５３５号または西独特許出願公開７ｒＩＪ
２９２１２５２号公報参照）。この種の設（＋？ｆｉは
と常伝導または超伝導磁場コイル装置をωｈえた磁石装
置を有しており、それによって、Ｕｌｌｌｌ定向域内き
るだけ均等な強基底磁場を作る。この基底磁場にはパル
ス状のグラジェント磁場が卯えられ、さらに基底磁場に
灼して垂直な高周波磁場が加えられる。磁石コイルの寸
法は被診察体の寸法に適合し、それゆえその被診察体は
コイルが包囲する内室の測定区域内に容易に送り込まれ
得る。
（ＮＭＲ）設備）は一般的に知られている（たとえば欧
州特許第２１５３５号または西独特許出願公開７ｒＩＪ
２９２１２５２号公報参照）。この種の設（＋？ｆｉは
と常伝導または超伝導磁場コイル装置をωｈえた磁石装
置を有しており、それによって、Ｕｌｌｌｌ定向域内き
るだけ均等な強基底磁場を作る。この基底磁場にはパル
ス状のグラジェント磁場が卯えられ、さらに基底磁場に
灼して垂直な高周波磁場が加えられる。磁石コイルの寸
法は被診察体の寸法に適合し、それゆえその被診察体は
コイルが包囲する内室の測定区域内に容易に送り込まれ
得る。
この種のコイル装置の強磁場は主として測定区域だけに
存在し、そして周囲の電気機器に悪影響を及ぼしたりま
た強磁性可動部品に望ましくない力作用を及ぼしたりす
るおそれがあるので、コイル装置の周辺には漏洩磁場の
形で拡がらないようにしなければならない。そのため（
＝、核スピン断層撮影設備用の磁石装置はコイル装置の
ほかに同様に遮蔽装置を有しており、この遮蔽装置によ
っ） ア１０．よい７、。イア、２４゜４、
ユあ□オう。。ｊ限する。
存在し、そして周囲の電気機器に悪影響を及ぼしたりま
た強磁性可動部品に望ましくない力作用を及ぼしたりす
るおそれがあるので、コイル装置の周辺には漏洩磁場の
形で拡がらないようにしなければならない。そのため（
＝、核スピン断層撮影設備用の磁石装置はコイル装置の
ほかに同様に遮蔽装置を有しており、この遮蔽装置によ
っ） ア１０．よい７、。イア、２４゜４、
ユあ□オう。。ｊ限する。
上述した特開昭６０−９０５．４６号にて提案された遮
蔽装置を用いることによって、磁石装置を構成するコイ
ル装置の周辺の磁束の充分な帰還が保証される１、それ
ゆえこの種の遮蔽装置を用いることによって、たとえば
ｌテスラ磁石の漏洩磁場を４〜５倍の遮蔽率で低減させ
ることができる。
蔽装置を用いることによって、磁石装置を構成するコイ
ル装置の周辺の磁束の充分な帰還が保証される１、それ
ゆえこの種の遮蔽装置を用いることによって、たとえば
ｌテスラ磁石の漏洩磁場を４〜５倍の遮蔽率で低減させ
ることができる。
しかしながら漏洩磁束発生源は主としてこの遮蔽 ゛装
置の端板に形成された中心孔であるが、その孔口径は均
等磁場を得るという要求によりたとえば約１６５洛の所
定直径（二決定され、従って任意に小さくすることは出
来ない。
置の端板に形成された中心孔であるが、その孔口径は均
等磁場を得るという要求によりたとえば約１６５洛の所
定直径（二決定され、従って任意に小さくすることは出
来ない。
そこで本発明は、漏洩磁束をより一層低減させることか
できるように、冒頭で述べた種類の磁石装δを改良する
ことを目的とする。
できるように、冒頭で述べた種類の磁石装δを改良する
ことを目的とする。
この目的を達成するために本発明は、遮蔽装置の両端部
にはそれぞれ、２枚の補助遮蔽板が互い
、；１゜、２、□ｌ：、ｌ／、ｕＭｉｌ１ｇ（Ｄ
＋ｈ−Ｅｈ ２ ｍｋ＆：ｆ−ヵ 向に端板を
越えて所定長さだけ延長させたような形態にて、配置さ
れることを特徴とする。
にはそれぞれ、２枚の補助遮蔽板が互い
、；１゜、２、□ｌ：、ｌ／、ｕＭｉｌ１ｇ（Ｄ
＋ｈ−Ｅｈ ２ ｍｋ＆：ｆ−ヵ 向に端板を
越えて所定長さだけ延長させたような形態にて、配置さ
れることを特徴とする。
このように軸方向に向けられた強磁性材ｆ４Ｍの遮蔽板
を用いることによって、漏洩磁束を端板の中心孔の出口
部に出来る限り接近し工捕捉し、そしてそれぞれその反
対側へ遮蔽装置の円筒状遮蔽要素を介して帰還させるこ
とができる。同時に強磁性材料の社、従って補助遮蔽板
の重量も適当に制限することができる。
を用いることによって、漏洩磁束を端板の中心孔の出口
部に出来る限り接近し工捕捉し、そしてそれぞれその反
対側へ遮蔽装置の円筒状遮蔽要素を介して帰還させるこ
とができる。同時に強磁性材料の社、従って補助遮蔽板
の重量も適当に制限することができる。
上述した目的を達成するために、本発明は同様に、２つ
の平行な平面内に置′かれて長く延ばされた少なくとも
２枚の補助遮蔽板が設けられ、補助遮蔽板は、ル蔽装置
の梁状遮蔽要素に対して平行にかつ離隔して配置され、
しかも補助遮蔽板は所定長さだけそれぞれの端部（端板
］を越えて突出していることを特徴とする。
の平行な平面内に置′かれて長く延ばされた少なくとも
２枚の補助遮蔽板が設けられ、補助遮蔽板は、ル蔽装置
の梁状遮蔽要素に対して平行にかつ離隔して配置され、
しかも補助遮蔽板は所定長さだけそれぞれの端部（端板
］を越えて突出していることを特徴とする。
この場合には２つの平行な平面の各々には少なくとも２
枚の遮蔽板が置かれ、その遮蔽板相互間隔を円筒状遮蔽
装置の幅に適合させることができる。さらに、各平面内
に１枚の遮蔽板が置かれ、その遮蔽板の幅を最も狭い場
合でも円筒状遮蔽装置の幅にほぼ一致させるようにする
こともできる。
枚の遮蔽板が置かれ、その遮蔽板相互間隔を円筒状遮蔽
装置の幅に適合させることができる。さらに、各平面内
に１枚の遮蔽板が置かれ、その遮蔽板の幅を最も狭い場
合でも円筒状遮蔽装置の幅にほぼ一致させるようにする
こともできる。
次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
本発明による図示した磁石装置は公知の杉スピン断層撮
影設備（ＮＭＲ設備）を基本としている。この磁石装置
は多数の磁石コイルが配設されていると共に、遮峨およ
び磁束帰還のための特別な措置がそれぞれ講ぜられてい
る。
影設備（ＮＭＲ設備）を基本としている。この磁石装置
は多数の磁石コイルが配設されていると共に、遮峨およ
び磁束帰還のための特別な措置がそれぞれ講ぜられてい
る。
かかる遮蔽の一実施例が第１図に示されている。この実
施例においては、上述した特開昭６０−９０５．１６号
公報にて提案されているのと同じような円筒形遮蔽装置
が基本となっている。全体がヱとして示されたこの遮蔽
装置はクライオスタット（低温保持装置）３を包囲して
おり、そのクライオスタット３内にはたとえば１テスラ
またはそれ以上の磁束畜度を持つ均等磁場を発生するた
めの超伝導磁石コイルが置かれている。クライオスタッ
ト３の端部にはそれぞれ円形状中心孔７を有する大竹Ｆ
ｒ［の端板５．６が設けられている。はぼ正四角形に形
成されている端板５，６の中心孔７の直径は、磁石装置
内部への出入が容易であると共に、コイル中心部の有効
容債内の磁場の乱れが最小になるように選定されている
。その直径はそのようにして決定されるが、しかしなが
ら漏出する漏洩磁束を減少させたいからと云って単純に
小さくすることができない。というのは、さもなければ
、基底磁場にかなりの磁場乱れが発生するからである。
施例においては、上述した特開昭６０−９０５．１６号
公報にて提案されているのと同じような円筒形遮蔽装置
が基本となっている。全体がヱとして示されたこの遮蔽
装置はクライオスタット（低温保持装置）３を包囲して
おり、そのクライオスタット３内にはたとえば１テスラ
またはそれ以上の磁束畜度を持つ均等磁場を発生するた
めの超伝導磁石コイルが置かれている。クライオスタッ
ト３の端部にはそれぞれ円形状中心孔７を有する大竹Ｆ
ｒ［の端板５．６が設けられている。はぼ正四角形に形
成されている端板５，６の中心孔７の直径は、磁石装置
内部への出入が容易であると共に、コイル中心部の有効
容債内の磁場の乱れが最小になるように選定されている
。その直径はそのようにして決定されるが、しかしなが
ら漏出する漏洩磁束を減少させたいからと云って単純に
小さくすることができない。というのは、さもなければ
、基底磁場にかなりの磁場乱れが発生するからである。
遮蔽装置ヱの端板５，６は４個の長手方向に延びる。す
なわち中心磁場の軸線Ａに対゛して平行に延びる梁状の
遮蔽要素を介して磁気的に相互に結合されている。第１
図には３個の遮蔽要素９．ｌＯ，１１だけが示されてい
る。これらの遮蔽要素は軸線Ａの周りに同心的に形成さ
れた仮想円筒面上に規則的に分割配置されている。これ
らの遮蔽要素は総て同形であり、任意の断面形状たとえ
ば矩形断面を有することができる。しかしながら、これ
らの遮蔽要素はｆｌｆに少なくともほぼ直角三角形の断
面１ヒ状をＩ−１する。図１ζされた実施例においては
、この三角形の外ｌ１ｌｌＩ頂点は切断されており、そ
れゆえ台形断面を呈している。
なわち中心磁場の軸線Ａに対゛して平行に延びる梁状の
遮蔽要素を介して磁気的に相互に結合されている。第１
図には３個の遮蔽要素９．ｌＯ，１１だけが示されてい
る。これらの遮蔽要素は軸線Ａの周りに同心的に形成さ
れた仮想円筒面上に規則的に分割配置されている。これ
らの遮蔽要素は総て同形であり、任意の断面形状たとえ
ば矩形断面を有することができる。しかしながら、これ
らの遮蔽要素はｆｌｆに少なくともほぼ直角三角形の断
面１ヒ状をＩ−１する。図１ζされた実施例においては
、この三角形の外ｌ１ｌｌＩ頂点は切断されており、そ
れゆえ台形断面を呈している。
はぼ正方形の端板５．６と共に、梁状の遮蔽要素は剛性
の自己〈詩形骨組を購成し、その横寸法は１テスラ磁石
コイル装置の場合にはこの磁石コイルすなわちクライオ
スタット３の外形とほとんど同じである。この骨組によ
って構成された円筒状遮蔽装置主を用いること（二より
、端面に漏出した磁束が帰還し、それゆえ漏洩磁束は著
しく減少する。本発明によれば、端面に漏出したこの漏
洩磁束は、漏洩磁束の端面側出口部に出来る限り接近し
て配ａされて磁束をその反χ」側へ案内することのでき
る補助遮蔽板によって捕捉される。
の自己〈詩形骨組を購成し、その横寸法は１テスラ磁石
コイル装置の場合にはこの磁石コイルすなわちクライオ
スタット３の外形とほとんど同じである。この骨組によ
って構成された円筒状遮蔽装置主を用いること（二より
、端面に漏出した磁束が帰還し、それゆえ漏洩磁束は著
しく減少する。本発明によれば、端面に漏出したこの漏
洩磁束は、漏洩磁束の端面側出口部に出来る限り接近し
て配ａされて磁束をその反χ」側へ案内することのでき
る補助遮蔽板によって捕捉される。
第１図に示された実施例（＝おいては、４枚の補助遮蔽
板１３〜１６が設けられている。それぞれ２枚の互いに
平行に配置されたこの遮蔽板１３゜１４あるいは１５．
１６は両端板５． ６の一方に、円筒状遮蔽装置２の２
個の梁状遮蔽要素が軸線方向にそれぞれの端板を越えて
延長されたような形態にて設けられている。従って、゛
たとえば、−っの平面内に置かれて端板５．６の外縁に
固定された２枚の補助遮蔽板１４．１６の間では、２つ
の梁状遮蔽要素１０．１１が長手方向に延在している。
板１３〜１６が設けられている。それぞれ２枚の互いに
平行に配置されたこの遮蔽板１３゜１４あるいは１５．
１６は両端板５． ６の一方に、円筒状遮蔽装置２の２
個の梁状遮蔽要素が軸線方向にそれぞれの端板を越えて
延長されたような形態にて設けられている。従って、゛
たとえば、−っの平面内に置かれて端板５．６の外縁に
固定された２枚の補助遮蔽板１４．１６の間では、２つ
の梁状遮蔽要素１０．１１が長手方向に延在している。
同様に、遮蔽板１３．１５も端板５，６に、従って対応
する梁状遮蔽要素に結合されている。その場合に、補助
遮蔽板１３〜１６の長さｌを最も短い場合でも円筒状遮
蔽装置ヱの長さＬの半分の大きさにすることは有利であ
る。一般的に。
する梁状遮蔽要素に結合されている。その場合に、補助
遮蔽板１３〜１６の長さｌを最も短い場合でも円筒状遮
蔽装置ヱの長さＬの半分の大きさにすることは有利であ
る。一般的に。
その長さｌは漏洩磁束を効果的に低減させるために長さ
Ｌの一以上に長くする必要がない。たとえば長さｌを−
Ｌに選定することは好ましいことである。遮蔽板の幅す
はその場合に最も狭い場合でも端板５．６の対応する幅
Ｂにほぼ一致する。一方その厚さは数ｃｍであり、たと
えば１〜２ｃｍである。
Ｌの一以上に長くする必要がない。たとえば長さｌを−
Ｌに選定することは好ましいことである。遮蔽板の幅す
はその場合に最も狭い場合でも端板５．６の対応する幅
Ｂにほぼ一致する。一方その厚さは数ｃｍであり、たと
えば１〜２ｃｍである。
具体的な例によれば、遮蔽装置ヱは軸方向長さ■７が２
６６扉、幅８が２．２ ｍである。同じ幅すをｒｌする
２ｃｍの厚さの遮蔽板１３〜１６はそれぞれ軸方向長さ
ｌが１．７ ｍであり、各端板の対応する外縁に直接当
接している。この踵の補助遮蔽板を用いることによって
、漏洩磁場は、遮蔽板が設けられていない場合の漏洩磁
場に比べて０７＠減少する。
６６扉、幅８が２．２ ｍである。同じ幅すをｒｌする
２ｃｍの厚さの遮蔽板１３〜１６はそれぞれ軸方向長さ
ｌが１．７ ｍであり、各端板の対応する外縁に直接当
接している。この踵の補助遮蔽板を用いることによって
、漏洩磁場は、遮蔽板が設けられていない場合の漏洩磁
場に比べて０７＠減少する。
第１図に示された補助］ル蔽仮に効して、漏洩磁場を低
減させる他の方法は第２図に図示された遮蔽手段によっ
て達成される。この装置は、１個の梁状遮蔽要素（９〜
２）と端板（５，６）とを備えた第１図のほぼ円筒状の
遮蔽装置ヱのほかに、４個の補助遮蔽板２０〜２３を有
している。延長部として形成された補助遮蔽板１３〜１
６（第１図）に幻して、この実施例においては、延長部
は長手方向に分割されて水手に配置されかつ軸方向に延
在させられている。さらに、捕捉された漏洩磁束はもは
や円筒状遮蔽装置自体を通らない。
減させる他の方法は第２図に図示された遮蔽手段によっ
て達成される。この装置は、１個の梁状遮蔽要素（９〜
２）と端板（５，６）とを備えた第１図のほぼ円筒状の
遮蔽装置ヱのほかに、４個の補助遮蔽板２０〜２３を有
している。延長部として形成された補助遮蔽板１３〜１
６（第１図）に幻して、この実施例においては、延長部
は長手方向に分割されて水手に配置されかつ軸方向に延
在させられている。さらに、捕捉された漏洩磁束はもは
や円筒状遮蔽装置自体を通らない。
それゆえ、４枚の軸下行な板の形状に構成されたこのよ
うな構造体は円筒状遮蔽装置のほかに第２の磁束帰還部
を構成する。従って、４枚の長く延びた遮蔽板は平行に
かつ梁状遮蔽要素に対して出来る限り接近して、しかし
ながらこれらと磁気的に結合されることなく配置される
。その場合に。
うな構造体は円筒状遮蔽装置のほかに第２の磁束帰還部
を構成する。従って、４枚の長く延びた遮蔽板は平行に
かつ梁状遮蔽要素に対して出来る限り接近して、しかし
ながらこれらと磁気的に結合されることなく配置される
。その場合に。
２つの平行な平面内にそれぞれ２枚の遮蔽板、つまり一
方の平面内に遮蔽板２０．２１が、その平面に対して平
行な他方の平面内に遮蔽板２２．２３がそれぞれ間隔ａ
をもって配置されている。一つの平面内に存在する遮蔽
板間のこの間隔ａは円筒状遮蔽装置ヱの寸法に応じて決
定され、たとえばその幅Ｂよりも若干大吉い。同様にし
て、それぞれ２枚の遮蔽板が存在する平行な平面間の間
隔ｅが決定される。遮蔽板２０〜２３の全長ｌ？は最短
、 °場３”″″状″″″″Ｅ２（Ｄ
＠ｊ５向ゞ°′°７．１ 倍であり、
最長の場合にはその長さＬの約３倍である。１′の値が
約２．７Ｌであることはａ利である。遮蔽板の幅ｂ′は
好ましくは０．５〜１．５ ｍに選定される。
方の平面内に遮蔽板２０．２１が、その平面に対して平
行な他方の平面内に遮蔽板２２．２３がそれぞれ間隔ａ
をもって配置されている。一つの平面内に存在する遮蔽
板間のこの間隔ａは円筒状遮蔽装置ヱの寸法に応じて決
定され、たとえばその幅Ｂよりも若干大吉い。同様にし
て、それぞれ２枚の遮蔽板が存在する平行な平面間の間
隔ｅが決定される。遮蔽板２０〜２３の全長ｌ？は最短
、 °場３”″″状″″″″Ｅ２（Ｄ
＠ｊ５向ゞ°′°７．１ 倍であり、
最長の場合にはその長さＬの約３倍である。１′の値が
約２．７Ｌであることはａ利である。遮蔽板の幅ｂ′は
好ましくは０．５〜１．５ ｍに選定される。
第１図の実施例について述べた１体的な例に７１応させ
て、第２図に示したほぼ円筒状の遮蔽装置且の具体的な
例について述べると、遮蔽板２０〜２３はそれぞれ長さ
１′が７ｍ５幅ｂ′が１隅である。これらの遮蔽板はそ
の端部に設けられた長さ１５鶏の端片２５まで約２Ｃ１
１の厚さをしており、そしてこの端片２５の領域の厚さ
は主として重量上の理由から１口に薄くされている。そ
れぞれ一つの平面内に置かれている遮蔽板は２．４ｍの
間隔ａにて互いに離隔され又おり、一方それぞれ２枚の
遮蔽板な有する平面間の間隔ｅは約２．３５ Ｂである
。このような遮蔽手段を用いることによって、端面にか
ご形遮蔽装置から漏出した漏洩磁束の約半分を捕捉する
ことができる。
て、第２図に示したほぼ円筒状の遮蔽装置且の具体的な
例について述べると、遮蔽板２０〜２３はそれぞれ長さ
１′が７ｍ５幅ｂ′が１隅である。これらの遮蔽板はそ
の端部に設けられた長さ１５鶏の端片２５まで約２Ｃ１
１の厚さをしており、そしてこの端片２５の領域の厚さ
は主として重量上の理由から１口に薄くされている。そ
れぞれ一つの平面内に置かれている遮蔽板は２．４ｍの
間隔ａにて互いに離隔され又おり、一方それぞれ２枚の
遮蔽板な有する平面間の間隔ｅは約２．３５ Ｂである
。このような遮蔽手段を用いることによって、端面にか
ご形遮蔽装置から漏出した漏洩磁束の約半分を捕捉する
ことができる。
第３図においてはダイヤグラムの一象限内に。
第１図または褐２図の実施例によるほぼ円筒状の遣蔽装
置ヱな備えたｌテスラ杉スピン断層撮影設
ｊ′備の磁石周辺の漏洩磁場が示されている
。縦軸２：二は磁場軸線Ａの方向に見た磁°石中心から
の距離がｍ単位で示され、横軸Ｒには半径方向に見た磁
石中心からの距離が同様に１単位で示されている。さら
に、ダイヤグラムには遮蔽装置２の状態が描かれている
。このダイヤグラムには７本の等高線ＩＳ７が描かれて
おり、これらの等高線はこの図の下に示されているテー
ブルにより規定され、ミリテスラ（、ｍＴ ）で示され
ている磁場平均値に相当している。
置ヱな備えたｌテスラ杉スピン断層撮影設
ｊ′備の磁石周辺の漏洩磁場が示されている
。縦軸２：二は磁場軸線Ａの方向に見た磁°石中心から
の距離がｍ単位で示され、横軸Ｒには半径方向に見た磁
石中心からの距離が同様に１単位で示されている。さら
に、ダイヤグラムには遮蔽装置２の状態が描かれている
。このダイヤグラムには７本の等高線ＩＳ７が描かれて
おり、これらの等高線はこの図の下に示されているテー
ブルにより規定され、ミリテスラ（、ｍＴ ）で示され
ている磁場平均値に相当している。
゛同じようにして、第４図にも、はぼ円筒状の遮・□
蔽装置且を備えた１テスラ核スピン断層撮影設備の磁石
周辺の漏洩磁石が個々の磁場等高線によって示されてい
る。しかしながら第３図に対してこの第４図では、遮蔽
装置ｌのは、かにさらに第２図の具体的な例にて示した
長く延びた遮蔽板を有する遮蔽手段が設けられている６
第３図と第４図とを比較すると判るように、ｉ！１蔽板
駐機る補助遮蔽手段を用いることにより漏洩磁場が著し
く低減される。
蔽装置且を備えた１テスラ核スピン断層撮影設備の磁石
周辺の漏洩磁石が個々の磁場等高線によって示されてい
る。しかしながら第３図に対してこの第４図では、遮蔽
装置ｌのは、かにさらに第２図の具体的な例にて示した
長く延びた遮蔽板を有する遮蔽手段が設けられている６
第３図と第４図とを比較すると判るように、ｉ！１蔽板
駐機る補助遮蔽手段を用いることにより漏洩磁場が著し
く低減される。
本発明による遮蔽手段の第２図に示された実施例は、２
つの平行な毛調内にそれぞれ２枚の補助遮蔽板（２０，
２１および２２．２３）が設けられ、これらの補助遮蔽
板はほぼ円筒状の遮蔽装置（２）の関係する梁状遮蔽要
素（９〜１１）からは離されて配置されしかも互いに所
定間隔（ａ）だけ離されて配置されることを基本として
いる。
つの平行な毛調内にそれぞれ２枚の補助遮蔽板（２０，
２１および２２．２３）が設けられ、これらの補助遮蔽
板はほぼ円筒状の遮蔽装置（２）の関係する梁状遮蔽要
素（９〜１１）からは離されて配置されしかも互いに所
定間隔（ａ）だけ離されて配置されることを基本として
いる。
しかしながらこれらの４枚の遮蔽板の代わりに。
軸平行な２つの平面内でかつ遮蔽装置（２）の上方およ
びド方にそれぞれ１枚の幅広の遮蔽板を設置するように
してもよい。その場合、それらのそれぞれの幅は；ｌ！
蔽装置の幅にほぼ一致する。
びド方にそれぞれ１枚の幅広の遮蔽板を設置するように
してもよい。その場合、それらのそれぞれの幅は；ｌ！
蔽装置の幅にほぼ一致する。
図面に示された実施例は、４個の梁状遮蔽要素がほぼ三
角形状または台形状断面を有するようなほぼ内筒状の遮
蔽装置または磁束帰還装置が基本となっている。第１図
および第２図に示された補助遮蔽手段は、梁状遮蔽要素
が他の断面形状を有するような磁束帰還装置にも同じよ
うに良好に適する。
角形状または台形状断面を有するようなほぼ内筒状の遮
蔽装置または磁束帰還装置が基本となっている。第１図
および第２図に示された補助遮蔽手段は、梁状遮蔽要素
が他の断面形状を有するような磁束帰還装置にも同じよ
うに良好に適する。
以上に説明したように１本発明によれば補助遮駐機を用
いることによって、円筒状遮蔽装置の端面に漏出した漏
洩磁束を効果的に低減させることが出来るという利点が
奏される１、
いることによって、円筒状遮蔽装置の端面に漏出した漏
洩磁束を効果的に低減させることが出来るという利点が
奏される１、
第１図は本発明の一実施例を示す概略囚、第２図は本発
明の他の実施例を示す概略図である。 第３図および第４図は本発明による効果を説明するため
のダイヤグラムで、第３図は本発明による補助ｉｌ蔽駐
機備えていない磁石装置周辺の漏洩磁場を示し、第４図
は第２図に示した本発明による補助遮蔽板を備えている
磁石装置周辺の漏洩磁場を示す。 ヱ・・・ＭｔｉＪｌ、 ３・・・ クライオスタット
、５．６・・・端板、 ９，１０．１１・・・梁状遮
蔽要素、１３．１４，１５．１６・・・補助遮蔽板、
２０，２１゜２２．２３・・・補助遮蔽板。
明の他の実施例を示す概略図である。 第３図および第４図は本発明による効果を説明するため
のダイヤグラムで、第３図は本発明による補助ｉｌ蔽駐
機備えていない磁石装置周辺の漏洩磁場を示し、第４図
は第２図に示した本発明による補助遮蔽板を備えている
磁石装置周辺の漏洩磁場を示す。 ヱ・・・ＭｔｉＪｌ、 ３・・・ クライオスタット
、５．６・・・端板、 ９，１０．１１・・・梁状遮
蔽要素、１３．１４，１５．１６・・・補助遮蔽板、
２０，２１゜２２．２３・・・補助遮蔽板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）被診察体の収容に適した内室を取囲みこの内室内に
少なくともほぼ均等な磁場を作る多数の磁石コイルと、
一つの円筒面上に規則的に配置された構造同一の少なく
とも４個の梁状遮蔽要素およびこれらの遮蔽要素の両端
部にそれぞれ１個設けられて円筒軸線上に所定直径の中
心孔を持つ端板を有しかつ前記磁石コイルを包囲するほ
ぼ円筒状の強磁性材料製遮蔽装置とを備えた核スピン断
層撮影設備の磁石装置において、 遮蔽装置（￥２￥）の両端部（端板５、６）にはそれぞ
れ２枚の補助遮蔽板（１３、１４または１５、１６）が
互いに平行に、梁状遮蔽要素（９〜１１）のそれぞれ２
個を長手方向にその対応する端板（５または６）を越え
て所定長さ（１）だけ延長させたような形態にて配置さ
れていることを特徴とする核スピン断層撮影設備の磁石
装置。 ２）補助遮蔽板（９〜１１）はそれぞれの端板（５また
は６）の外側領域にてこの端板に取付けられていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁石装置。 ３）補助遮蔽板（９〜１１）の軸方向長さ（１）は最も
短い場合でも円筒状遮蔽装置（￥２￥）の軸方向長さ（
Ｌ）の半分の大きさであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項または第２項記載の磁石装置。 ４）補助遮蔽板（９〜１１）の軸方向長さ（１）は最も
長い場合でも円筒状遮蔽装置（２）の軸方向長さ（Ｌ）
の２／３の大きさであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項ないし第３項のいずれか１項に記載の磁石装置
。 ５）補助遮蔽板（９〜１１）の幅（ｂ）は最も狭い場合
でも円筒状遮蔽装置（￥２￥）の幅（Ｂ）とほぼ等しい
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項の
いずれか１項に記載の磁石装置。 ６）被診察体の収容に適した内室を取囲みこの内室内に
少なくともほぼ均等な磁場を作る多数の磁石コイルと、
一つの円筒面上に規則的に配置された構造同一の少なく
とも４個の梁状遮蔽要素およびこれらの遮蔽要素の両端
部にそれぞれ１個設けられて円筒軸線上に所定直径の中
心孔を持つ端板を有しかつ前記磁石コイルを包囲するほ
ぼ円筒状の強磁性材料製遮蔽装置とを備えた核スピン断
層撮影設備の磁石装置において、 ２つの平行な平面内に置かれて長く延ばさ れた少なくとも２枚の補助遮蔽板（２０〜２３）が設け
られ、補助遮蔽板は遮蔽装置（￥２￥）の梁状遮蔽要素
（９〜１１）に対して平行にかつ離隔して配置され、し
かも補助遮蔽板は所定長さだけそれぞれの端部（端板５
、６）を越えて突出していることを特徴とする核スピン
断層撮影設備の磁石装置。 ７）２つの平行な平面の各々には少なくとも２枚の遮蔽
板（２０、２１または２２、２３）が置かれ、その遮蔽
板の相互間隔（ａ）は円筒状遮蔽装置（￥２￥）の幅（
Ｂ）に適合することを特徴とする特許請求の範囲第６項
記載の磁石装置。 ８）２つの平行な平面の各々には１枚の遮蔽板が置かれ
、その遮蔽板の幅は最も狭い場合でも円筒状遮蔽装置（
￥２￥）の幅（Ｂ）にほぼ一致することを特徴とする特
許請求の範囲第６項記載の磁石装置。 ９）補助遮蔽板（２０〜２３）の軸方向長さ（１′）は
最も短い場合でも円筒状遮蔽装置（￥２￥）の軸方向長
さ（Ｌ）の７／３の大きさであることを特徴とする特許
請求の範囲第６項ないし第８項のいずれか１項に記載の
磁石装置。 １０）補助遮蔽板（２０〜２３）の軸方向長さ（１′）
は最も長い場合でも円筒状遮蔽装置（￥２￥）の軸方向
長さ（Ｌ）の３倍の大きさであることを特徴とする特許
請求の範囲第６項ないし第９項のいずれか１項に記載の
磁石装置。 １１）補助遮蔽板（２０〜２３）の幅（ｂ′）は０．５
〜１．５ｍの間にあることを特徴とする特許請求の範囲
第６項、第７項、第９項、第１０項のいずれか１項に記
載の磁石装置。 １２）補助遮蔽板（２０〜２３）の厚さは１〜３ｃｍの
間にあることを特徴とする特許請求の範囲第６項ないし
第１１項のいずれか１項に記載の磁石装置。 １３）補助遮蔽板（２０〜２３）はその端部（２５）の
領域における厚さが円筒状遮蔽装置（￥２￥）の領域に
おける厚さよりも薄くなつていることを特徴とする特許
請求の範囲第６項ないし第１２項のいずれか１項に記載
の磁石装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3437529 | 1984-10-12 | ||
| DE3437529.5 | 1984-10-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6195236A true JPS6195236A (ja) | 1986-05-14 |
| JPH0321176B2 JPH0321176B2 (ja) | 1991-03-22 |
Family
ID=6247784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225928A Granted JPS6195236A (ja) | 1984-10-12 | 1985-10-09 | 核スピン断層撮影設備の磁石装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4635017A (ja) |
| EP (1) | EP0177869B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6195236A (ja) |
| DE (1) | DE3572401D1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4646046A (en) * | 1984-11-21 | 1987-02-24 | General Electric Company | Shielded room construction for containment of fringe magnetic fields |
| JP2603944B2 (ja) * | 1986-11-13 | 1997-04-23 | 株式会社東芝 | Ｍｒｉ装置用磁石の磁気遮蔽体 |
| US4743880A (en) * | 1987-09-28 | 1988-05-10 | Ga Technologies Inc. | MRI magnet system having shield and method of manufacture |
| US5001447A (en) * | 1989-08-23 | 1991-03-19 | General Electric Company | Ferromagnetic compensation rings for high field strength magnets |
| US5220302A (en) * | 1990-01-22 | 1993-06-15 | The University Of Texas System Board Of Regents | Nmr clinical chemistry analyzer and method of forming a shield |
| DE19638230C1 (de) * | 1996-09-19 | 1998-05-28 | Bruker Analytische Messtechnik | Ferromagnetische Raumabschirmung für den supraleitenden Hochfeldmagneten eines NMR-Spektrometers |
| AUPS224702A0 (en) * | 2002-05-10 | 2002-06-13 | Thorlock International Limited | Transmit - receive coil system for nuclear quadrupole resonance signal detection in substances |
| AUPS322802A0 (en) * | 2002-06-26 | 2002-07-18 | Thorlock International Limited | Large volume scanner for nuclear quadrupole resonance measurements (#14) |
Citations (4)
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| JPS5839939A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-03-08 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 核スピン共鳴装置用の高周波発生又は受信装置 |
| JPS59214744A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Hitachi Ltd | 磁場発生装置の遮蔽容器 |
| JPS60108044A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-13 | 株式会社日立製作所 | Ｎｍｒ断層写真法のための電磁石装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1464798A (en) * | 1973-08-20 | 1977-02-16 | Zumtobel W | Transformer or choke with an iron body |
| US4156862A (en) * | 1978-02-21 | 1979-05-29 | Westinghouse Electric Corp. | Electrical inductive apparatus having non-magnetic flux shields |
| GB1584949A (en) * | 1978-05-25 | 1981-02-18 | Emi Ltd | Imaging systems |
| NL7904986A (nl) * | 1979-06-27 | 1980-12-30 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het bepalen van een kernspindichtheidsverdeling in een deel van een lichaam. |
| DE3245944A1 (de) * | 1982-12-11 | 1984-06-14 | Bruker Analytische Meßtechnik GmbH, 7512 Rheinstetten | Elektromagnet fuer die nmr-tomographie |
| DE3333755A1 (de) * | 1983-09-19 | 1985-04-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Magneteinrichtung einer anlage der kernspin-tomographie mit einer abschirmvorrichtung |
| NL8303535A (nl) * | 1983-10-14 | 1985-05-01 | Philips Nv | Kernspinresonantie apparaat. |
-
1985
- 1985-09-30 DE DE8585112377T patent/DE3572401D1/de not_active Expired
- 1985-09-30 EP EP85112377A patent/EP0177869B1/de not_active Expired
- 1985-09-30 US US06/782,502 patent/US4635017A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-10-09 JP JP60225928A patent/JPS6195236A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS581437A (ja) * | 1981-06-13 | 1983-01-06 | ブル−カ−・アナリユ−テイツシエ・メステヒニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | Ｎｍｒ断層写真法のための電磁石装置 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4635017A (en) | 1987-01-06 |
| EP0177869A3 (en) | 1986-07-30 |
| JPH0321176B2 (ja) | 1991-03-22 |
| EP0177869B1 (de) | 1989-08-16 |
| EP0177869A2 (de) | 1986-04-16 |
| DE3572401D1 (en) | 1989-09-21 |
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