JPH03211744A - 半導体装置の特性測定装置および半導体装置の特性測定方法 - Google Patents

半導体装置の特性測定装置および半導体装置の特性測定方法

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JPH03211744A
JPH03211744A JP568990A JP568990A JPH03211744A JP H03211744 A JPH03211744 A JP H03211744A JP 568990 A JP568990 A JP 568990A JP 568990 A JP568990 A JP 568990A JP H03211744 A JPH03211744 A JP H03211744A
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JP
Japan
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probe
semiconductor device
pad
contact
holder
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Application number
JP568990A
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English (en)
Inventor
Hideyuki Shoji
庄司 秀行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体装置の特性測定装置および特性測定方法
に関し、特に、探針を半導体装置のパッドと接触させて
測定を行う特性測定装置および特性測定方法に関する。
[従来の技術] 従来のこの種特性測定装置の探針付近の構成は第3図に
示すものであった。すなわち、ホルダー304に探針ゲ
ース301aを固着しておき、探針301を探針ケース
301a内に摺動自在に装着し、探針301と配線30
3とをコネクタ302で接続したものである。なお、3
05は探針301とパッドとの間の接触圧力を緩和する
ために探針ケース301a内に装填されたばねである。
この測定装置を用いて測定者は顕微鏡でパッド付近を観
察しながらホルダー304を降下させ、探針301の先
端がパッドと接触したと認識した後さらにホルダーを降
下させた後これを固定して測定を行ってきた。
[発明が解決しようとする課題] 上述した従来例の半導体装置の特性測定装置では、手動
により探針を降下させていたので、測定に長時間を要す
るとともに探針のパッドに対する接触圧が一定せず測定
値のばらつきが大きいという欠点があった。第4図に探
針がパッドに接触した後、さらにボルダ−を降下させた
距離と測定データ(図示した例ではMO3容量値)の関
係を示す。同図から明らかなように、降下距離が80μ
m以上となれば測定値は飽和して一定の値が得られるが
、これ以下の距離例えば50μmでは80μmのときの
半分の値の測定値となる。このようにある降下距離で測
定値が飽和するのは、この点で探針とパッドとの接触抵
抗が一定値に落ち着くからである。
従来、測定者は、ホルダーの降下距離を勘に頼って決め
ていたので測定値にばらつきが大きくその再現性・信頼
性が低かった。さらに、ホルダーを必要以上に下げすぎ
てパッドに損傷を与えてしまうことがあった。
[課題を解決するための手段] 本発明の半導体装置の特性測定装置は、探針のパッドに
対する接触圧力を検出する圧力検知手段を設け、該圧力
検知手段の出力値を監視しながらコントロールユニット
により探針の降下を制御するものである。
また、この特性測定装置の使用方法としては、探針とパ
ッドとの接触抵抗が一定以下の安定した値とするに必要
な探針とパッドとの間の最低の接触圧力を確定してこの
値をコントロールユニット内番ご設定し、この値に圧力
検知手段の出力値が一致するように探針を降下させて測
定を行うものである。
[実施例コ 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は、本発明の一実施例を示す断面図である。同図
に示すように、探針101は、ホルダー104に設けら
れた透孔に摺動自在に装着されており、その末端部は、
支持棒107によってホルダー104に固定された圧電
素子106とばね105を介して結合されている。圧電
素子106は探針1.01と被測定半導体装置のパッド
との接触圧を検出する。この検出値はコントロールユニ
ット108へ伝達される。
また、探針により検出された検出信号は、コネクタ10
2および配線103を介して図示されない信号処理部へ
伝達される。探針101の上下動は、コントロールユニ
ット108の制御の下にモータ109を回転させ、モー
タ109によって駆動される歯車110とホルダー10
4に螺刻されたねじ山111とを歯合させることにより
行う。
ホルダー104を降下させると、探針101はステージ
112上の被測定半導体装置113と接触する。
次に、この測定装置を用いた測定方法を具体的に説明す
る。ここでは半導体装置のMO3容量を測定する場合に
ついて説明する。
ロットの中の1枚のウェハを取り出しステージ112上
に載置する。コントロールユニット108を操作してホ
ルダー104を降下させて探針101の先端を被測定半
導体装W113のパッドと接触させる。しかる後、一定
の距離、例えば10)1 mホルダー104を降下させ
その点における測定値(この場合はMO8容量値)と圧
電素子の出力値を記憶させる。以下、例えば10μmず
つホルダーを降下させ、その都度測定値と圧電素子の出
力値とを記憶していく、ある点までホルダーが降下する
と、探針とパッドとの接触抵抗が一定値に落ち着くこと
により、測定容量値も飽和する。
この飽和した測定値がこのウェハに関する求めるべき容
量値である。この飽和を始める点の圧電素子の出力値を
コントロールユニット108にセットする。
2枚目以降のウェハについては、コントロールユニット
108は圧電素子の出力値を監視しながらホルダー10
4を降下させ、出力値が先にセットした値と一致したと
ころでホルダーを停止させる。続いて、図示されていな
い測定システムはこの被測定半導体装置の特性を測定す
る。
第2図は、本発明の他の実施例を示す断面図である。こ
の実施例では、探針201はホルダー204に固着され
、探針201と被測定半導体装置のパッドとの接触圧は
、ばね205を介してホルダー204と結合された圧電
素子206によって検出される。圧電素子206は歯車
210とねじ山211との歯合により上下動せしめられ
る伝動軸214の下端に固着されている。
この実施例によれば、先の実施例と比較して探針取付部
の構造が簡素化されているため、探針の交換を容易に実
施することができる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明は、圧力検出手段により探
針とパッドとの接触圧力を検出し、これが予め設定され
た探針とパッドとの間の接触抵抗が一定以下の安定した
値とするための最低圧力と一致するように、探針の移動
を行うものであるので、以下の効果を奏することができ
る。
■ 探針とパッドとの間の接触抵抗が一定となったとこ
ろで測定を行っているので、安定した再現性の高い測定
値を得ることができる。
■ 従来人手により勘に頼って操作していた探針の上下
動を自動的に行えるので作業能率を大幅に向上させるこ
とができる。
■ 探針によるパッドへの加圧を最小限にとどめること
ができるので、パッドの探針による損傷を抑制すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は、それぞれ本発明の実施例を示す断面
図、第3図は、従来例を示す断面図、第45!iは、ホ
ルダー降下量と測定データとの関係を示す図である。 101.201.301・・・探針、  102.20
2.302・・・コネクタ、    103.2゜3.
303・・・配線、   104.204.304・・
ホルダー    105.205.305・・・ばね、
  106,206−・・圧電素子、  107・・・
支持棒、   108.208・・・コントロールユニ
ット、   109.209・・・モータ、   11
0.210・・・歯車、    111.211・・・
ねじ山、 12、 2・・・ステージ、 3、 3・・・被測定半導体装置、 4・・・伝 動軸。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被測定半導体装置のパッドと接触する探針と、探
    針の前記パッドとの接触圧力を検知する圧力検知手段と
    、前記圧力検知手段の出力を監視して前記探針の降下を
    自動的に制御するコントロールユニットとを備えた半導
    体装置の特性測定装置。
  2. (2)請求項1に記載された半導体装置の特性測定装置
    を使用して行う半導体装置の特性測定方法であって、探
    針と被測定半導体装置のパッドとの接触抵抗値が一定以
    下となる探針−パッド間接触圧力を確定してこれをコン
    トロールユニット内に設定し、この設定値と圧力検知手
    段の出力値が一致するように探針を降下させて探針によ
    る測定を行う半導体装置の特性測定方法。
JP568990A 1990-01-12 1990-01-12 半導体装置の特性測定装置および半導体装置の特性測定方法 Pending JPH03211744A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103135022A (zh) * 2011-11-23 2013-06-05 上海华虹Nec电子有限公司 在测试程序中自动检测探针卡接触特性的方法
JP2014103136A (ja) * 2012-11-16 2014-06-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体評価装置
CN110286310A (zh) * 2019-07-30 2019-09-27 河北普兴电子科技股份有限公司 基于半导体晶片表面的测试装置

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