JPH03208019A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

液晶表示装置の製造方法

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JPH03208019A
JPH03208019A JP2003863A JP386390A JPH03208019A JP H03208019 A JPH03208019 A JP H03208019A JP 2003863 A JP2003863 A JP 2003863A JP 386390 A JP386390 A JP 386390A JP H03208019 A JPH03208019 A JP H03208019A
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JP
Japan
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rubbing
humidity
tpt
liquid crystal
crystal display
Prior art date
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Pending
Application number
JP2003863A
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English (en)
Inventor
Koji Ishikawa
幸司 石川
Nobuhiko Ohashi
大橋 信彦
Tsukasa Ando
司 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は,薄膜トランジスタ(TPT)を用いたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示素子(LCD)の製造方法,
特にその配向膜のラビング処理方法に関する. 〔従来技術〕 液晶表示素子は,周知のごと<,TPT基板と,その上
に設けた配向膜と.該配向膜と一方の配向膜との間に介
在させた液晶材と.共通電極基板とよりなる。
そして,上記TPT基板上に設ける配向膜は該TPT基
板の上に印刷,焼威され,その後その配同性を一定にす
るためラビング処理が行われる。
このラビング処理は,配向膜の表面を布等により一方向
にラビングすることにより行なわれる.しかしながら,
該配向膜は絶縁性の有機薄膜であるため.このラビング
処理の際に静電気を帯び易い。そして.この静電気は,
薄膜トランジスタ(TPT)を静電気破壊する大きな原
因となる。
なお.一般に静電気に対するTPTの耐圧は0.1〜0
、3KV,高耐圧TPT’?’も0.4KV程度である
そこで.従来,上記TPTのゲート電極端子群と1 ソ
ース電極端子群を,全周で短絡(ガードフレーム法)し
ておき,上記ラビングを行う方法が提案されている(特
開昭61−12268号,特開昭61−59475号公
報参照)。
〔解決しようとする課題〕
しかしながら,この方法は,  COG (chtp 
onglass )型の液晶表示素子については,次の
問題がある。なお,ここにGOG型とは1上記TPTを
利用した上記LCDと,これらの各電極の端子群を集中
させたゲート用ランド部.ソース用ランド部とをガラス
基板上に設けたタイプの液晶表示素子をいう。このラン
ド部上には,液晶表示素子を作動制御するための駆動用
IC素子が搭載される。
即ち,上記COG型の場合には,ICドライバーのTP
T基板へのレイアウト上の制約.例えば少なくとも3方
向のコ字状にICを配置させるような場合,上記のごと
く両端子群を全周で短絡するというガードフレーム法を
採ることができない。
また,該ガードフレーム法によらず.各TPT素子間を
同電位化する場合,例えばCOG用ランド部間を結線す
る方法がある。しかし,LCD加工後にレーザ等の手段
でこのランド部間を結線の切断しなければ,LCD検査
.IC搭載,IC動作検査等を行うことができない。ま
た,ランド部間の断線加工は大きな負担となり.生産性
が非常に低い。
本発明はかかる問題点に鑑み.静電気の帯電量を低減化
し,TPTの静電気破壊を生ずることのない.液晶表示
装置の製造方法を提供しようとするものである。
〔課題の解決手段〕
本発明は,Fj膜トランジスタをマトリクス状に設けた
基板の上に,配向膜を載置し.該配向膜の表面をラビン
グ処理することによりその配向を行う.液晶表示装置の
製造方法において,上記ラビング処理は水蒸気雰囲気中
で行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法にある
上記水蒸気は,ラビング処理部分に.局所的に水蒸気を
吹き付けることなどにより形威する。即ち.ラビング処
理用ローラ等のラビング器具を用いて配向膜表面をラビ
ング処理する際に.このラビング処理器具と配向膜の接
触周辺部分に水茅気を吹き付ける。この水蒸気は,例え
ば加湿器及びパイプ等を用いて供給する。
また,水蒸気雰囲気は,湿度が70〜90%とすること
が好ましい。70%未満では静電気帯電量が高く.一方
90%を越えるとラビング処理布へ水蒸気の水滴が付着
し,パイルの「集まり現象」を生しラビング処理の安定
性に劣る。
なお.70〜75%ではTPT耐圧のばらつき.湿度の
ばらつきにより,TPTが万一静電気破壊することが予
想されることと,上記パイルの「集まり現象」を考慮す
ると.最も好ましいのは,湿度75〜85%である. また.ラビング処理は.ラビング処理布を巻き付けたロ
ーラ等を用いて行う。ラビング処理布としてはレーヨン
,ナイロン.ポリエステルなどが用いられる, 上記配向膜は,基板上にマトリクス状に形威したTFT
の上に,印刷塗布.焼威されている。
なお,ラビング処理によって配向された配向膜上にはス
ペーサによって所定の間隔をおいて,上側の配向膜及び
基板が配置され,両配向膜の間に液晶材が注入され,液
晶表示装置とされる。
また.本発明は,GOGタイプのみならず他のタイプの
液晶表示装置にも適用することができる.C作 用〕 本発明においては,ラビング処理は水蒸気雰囲気中にお
いて行っている。
そのため,ラビング処理付近は水蒸気によって高湿度環
境が形威され.静電気の帯電量を非常に少なくすること
ができる。例えば.水蒸気雰囲気の湿度が75〜85%
の場合には,ラビング処理において発生する帯電量は0
.02〜0.03KV程度でTPT耐圧の3分の1〜1
5分の1という低い値に低減することができる. したがって,本発明によれば.静電気帯電量を低減化し
,TPTの静電気破壊を生ずることのない.液晶表示装
置の製造方法を提供することができる。
〔実施例〕
第1実施例 本発明の実施例にかかる,液晶表示装置の製造方法につ
き,第1図〜第3図を用いて説明する。
ラビング処理を行うに当たっては.第l図及び第2図に
示すごとく,可動テーブル2の上にTPT基板1を配置
する。また.該TPT基板1の上面の配向膜に接するよ
うにラビング処理用のローラ3を配する。また,ローラ
3とTFTMi1との接触周辺部分に,水蒸気4を噴霧
する。そして,可動テーブル2を左右に移動させながら
、ローラ3によりラビング処理を行う. 上記TPT基板1の断面図は.一般的に.第3図に示す
ごとく,ガラス基板11と,その上にマトリクス状に配
置されたTPTIOとよりなる.該TPTIOは,ゲー
ト線12と,その上に被覆したゲートvA縁膜13と.
その上に順次形威した,(a−Si)14,  Cn+
)15と.ソース線16,ドレイン17及び画素電極(
IT○)18とよりなる。上記n+は,a−Sil4と
ソース16及びドレインl7との間でオーQ7クコンタ
クトを取るためのものである。そして.これらの上に配
向膜が配置してあるl示略)。
上記配向膜は,ガラス基板11上にポリイミド樹脂液を
印刷し3焼或することにより形威した。
そして,その後TPT基板lを洗浄し,ラビング処理に
付した。
また.可動テーブル2は.その下面に回動輪を有し,シ
リンダ22により左右方向に移動可能に設けてある。一
方,ローラ3は.可動テーブル2うえのTFT基板lの
表面に接触できる位置にあり,またモータ31に連結し
てある。また,ローラ3の表面にはラビング布が巻いて
ある.また,ローラ3の近傍には.水蒸気の供給パイブ
4Iの噴霧口42を配設する。上記供給バイプ41は,
加湿器40に連結してある。供給バイブ41の途中には
,水溜防止用のドレインを設けた。
次に,ラビング処理に際して,上記のごとく,可動テー
ブル2を左右に移動させる。これにより.これに載置し
たTPT基板1も左右移動する。
方.ローラ3は,第1図に矢印で示すごとく方向に回転
し,TFT基板1上の配向膜をラビング処理している。
それ故,ラビング処理はローラ3の一方向回転とTFT
基11の左右移動との相対移動により行われる. また.上記ラビング処理の間,水草気供給パイブ41の
噴霧口42からは,ローラ3と配向膜との接触周辺部に
,多量の水蒸気4が噴霧される.これにより.水蒸気雰
囲気が形成され.水蒸気雰囲気中でラビング処理が行わ
れる。本例では,該水蒸気雰囲気の湿度は75〜85%
とした。なお,上記ラビング処理は1回当たり約5秒,
水蒸気供給時間は可動テーブル移動中の約20秒であっ
た.ラビング処理後は,TPT基Fi1を可動テーブル
2より取り出し,液晶表示装置の組付けを行う。
なお,上記ラビング処理は,上記湿度保持のため.ロー
ラ3,供給パイブ41の開口部付近を箱体で囲んでおく
ことが好ましい。
上記のごとく.本例によれば,ラビング処理付近は水蒸
気によって高湿度環境が形威され,静電気の帯電量が非
常に少なくなる。そのため,ラビング処理時にTPTが
静電気破壊するおそれがない。
第2実施例 上記第1実施例におけるラビング処理の際にラビング処
理付近の水草気湿度と静電気帯電量との関係を測定した
その結果を第1表に示す. 第I表 第1表より知られるごとく,湿度が高くなるに従って静
電気帯電量が低下していることが分かる.また.一般に
TPTは,静電気耐圧が0.1〜0.3KVであるため
,TPTの耐圧に応じて湿度が70%以上,より好まし
くは75%以上においてラビング処理を行うべきである
ことが分かる.なお.上例は,TPTの液晶表示装置素
子について示したが,他の液晶表示装置素子のラビング
処理にも適用することができる。
また.本発明は,液晶表示装置の製造工程中における,
偏光板貼り付け工程にも応用することができる。この貼
付工程においては.偏光板とその保護シートとを剥離す
る際に.特に多くの静電気が発生する。
それ故.この貼付工程においても,水草気雰囲気を用い
ることにより.静電気の発生を低減し,TPTの静電気
破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は第1実施例におけるラビング処理時の
状態を示し,第1図はラビング処理装置の側面図,第2
図は第1図の平面図.第3図はTPT基板の断面図であ
る。 1. 1 0. 2. 3. 4. 40. TPT基板 TPT, 可動テーブル, ローラ, 水蒸気 加湿器, 3 第 1 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 薄膜トランジスタをマトリクス状に設けた基板の上に、
    配向膜を載置し、該配向膜の表面をラビング処理するこ
    とによりその配向を行う、液晶表示装置の製造方法にお
    いて、 上記ラビング処理は水蒸気雰囲気中で行うことを特徴と
    する液晶表示装置の製造方法。
JP2003863A 1990-01-10 1990-01-10 液晶表示装置の製造方法 Pending JPH03208019A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05165030A (ja) * 1991-12-18 1993-06-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ラビング装置およびラビング方法
JP2012083600A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Nitto Denko Corp 液晶表示素子の連続製造方法および液晶表示素子の連続製造システム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012083600A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Nitto Denko Corp 液晶表示素子の連続製造方法および液晶表示素子の連続製造システム
US8541250B2 (en) 2010-10-13 2013-09-24 Nitto Denko Corporation Method and system for continuously manufacturing liquid crystal display device

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