JPH03207676A - イオンフロー記録方法 - Google Patents

イオンフロー記録方法

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JPH03207676A
JPH03207676A JP386790A JP386790A JPH03207676A JP H03207676 A JPH03207676 A JP H03207676A JP 386790 A JP386790 A JP 386790A JP 386790 A JP386790 A JP 386790A JP H03207676 A JPH03207676 A JP H03207676A
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JP
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ion flow
electrode
electric field
passage hole
ion
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JP386790A
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English (en)
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Masaharu Nishikawa
正治 西川
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、イオンフロー通過孔を二次元マトリクス状に
形成したイオンフロー制御体によって、コロナワイヤ等
のイオン源から発生したイオンフローを制御することに
より、上記イオンフロー制御体とは相対的に移動可能に
設けられた記録媒体上に、所要のイオンフロー記録を行
なうようにしたイオンフロー記録方法に関する。
[従来の技術] 平行平面状に離間して配置された複数の電極層の間に絶
縁層を介在させ、これにイオンフロー通過孔を貫通形成
したイオンフロー制御体を用い、コロナワイヤ等のイオ
ン源から発生したイオンフローを制御することにより、
静電記録紙のような電荷保持記録媒体に対し、所要の記
録を行なうようにしたイオンフロー記録ヘッドおよび記
録方法は、USP3,689,935号等において公知
である。
またイオンフロー通過孔を二次元マトリクス状に配設し
、上記通過孔を記録媒体移動方向に沿った縦方向に電気
的に連接する縦電極と、上記通過孔を記録媒体移動方向
とは直交する横方向に電気的に連接する横電極とを対向
配置し、上記イオンフロー通過孔を二次元選択して選択
駆動し得るように構成したイオンフロー制御体を備えて
なるイオンフロー記録ヘッドは、特公昭59−0433
17号公報等において公知である。
さらに、イオンフロー集束用電極およびイオンフロー集
束用開口を設けることにより、記録速度を高速化したイ
オンフロー記録装置は、特開昭62−16162号公報
等において公知である。
第8図および第9図(a)(b)は上記公開公報から引
用したイオンフロー記録装置の構成を示す図である。第
8図および第9図CB>  (b)において、101は
イオンフロー制御体、102はイオンフロー集束板であ
る。
イオンフロー制御体101は、電極103および105
で絶縁板104を挾持し、これにイオンフロー通過孔1
08を設けたものとなっている。
上記電極のうち、イオン源側の電極105は平板状をな
す所謂ベタ電極であり、反対側の電極103は各通過孔
毎に分離された帯状をなすセグメント状電極である。
イオンフロー集束板102は、前記イオンフロー制御体
101と、コロナイオン発生用のコロトロン帯電器11
0との間に、イオンフロー制御体101から所定距離だ
け離間して配置されている。
このイオンフロー集束板102は絶縁板106にて電極
板107を支持したものであり、中央部にスリット状開
口部109が設けられている。電極板107と前記ベタ
電極105との間には、電源V4が接続されている。こ
の電源V4は、コロトロン帯電器110のケーシング1
11内に配置されているコロナワイヤ112からのイオ
ンフローを吸引する方向の促進電界を形成する電源であ
る。
スリット状開口部109の幅は、イオンフロー通過孔コ
08の孔径よりも大きくつくられている。
かくして、コロナワイヤ112からのイオンフローは、
イオンフロー集束板2の作用により集束され、高密度化
されてイオンフロー制御体101の通過孔108へ送り
込まれる事になる。
このようにコロトロン帯電器110からのイオンフロー
を、電界による作用で集束する技術的手段は公知であり
、イオンフロー制御体以外にも広く応用されている。し
かし上記イオンフロー集束手段は、イオンフロー制御体
101側へ送り出すイオンフローの密度を高めるための
改良であって、各イオンフロー通過孔108に対して個
別に作用するものではない。したがってそのイオンフロ
ー集束効果には限界がある。
本発明者は、イオンフロー通過孔108に取込むイオン
フローを増加させる如く、個々のイオンフロー通過孔ま
たはセグメント化されたイオンフロー通過孔に対して個
別に作用するイオンフロー集束手段を備えてなるイオン
フロー制御体を提案した。その内容は特願平01−05
5487号として出願済である。上記出願に係わる発明
は、イオンフロー通過孔が二次元マトリクス状に配列さ
れ、クロス状に対向する二組の帯状電極で二次元選択駆
動する構成のイオンフロー制御体に適用した場合に極め
て効果的なものである。
第10図は、イオンフロー通過孔を二次元マトリクス状
に配設したイオンフロー制御体を備えてなるイオンフロ
ー記録ヘッドの基本的構成を示す図である。
第11図は、上記イオンフロー記録ヘッドにおけるイオ
ンフロー制御体の構成を示す部分平面図である。
第10図および第11図に示すように、イオンフロー制
御体116は、縦電極117および横電極118で絶縁
板119を挾持し、これにイオンフロー通過孔120を
設けたものとなっている。
上記電極のうちイオン源側の電極117は、各イオンフ
ロー通過孔120を、記録媒体180の移動方向(紙面
に垂直な方向)に沿って電気的に連接するように設けら
れた帯状の縦電極である。記録媒体側の電極118は、
各イオンフロー通過孔120を、記録媒体180の移動
方向とは直交する方向に沿って電気的に連接するように
設けられた帯状の横電極である。
第10図において、121,122はイオンフロー促進
電界電源であり、123はイオンフロー阻止電界電源で
ある。この阻止電界電源123は、縦電極117と横電
極118との間に阻止電界電圧を常時印加し、イオン源
127のコロナワイヤ127aからのイオンフローが、
イオンフロー通過孔120を通過するのを阻止するため
の電源である。促進電界電源121,122は、前記阻
止電界電源123による電界を打ち消してイオンフロー
を促進させる促進電界をつくるための電源である。各促
進電界電源121.,122は、イオンフローがイオン
フロー通過孔120を通過するに十分な電圧の約]/2
の電圧を印加するものとなっている。125,126は
ドライバー、128はイオン源用の高圧電源、129は
記録媒体バイアス用の電源である。
上記構成のイオンフロー記録ヘッドは次のように作動す
る。図示していないコントローラによって、ドライバー
126を作動させて横電極118に促進電界電圧を周期
的に与えると同時に、ドライバー125を作動させて縦
電極117に画像信号に応じた促進電界電圧を選択的に
与える。そうすると、イオン源127のコロナワイヤ1
27aから発生した4イオンは、約172づつの電圧を
同時に印加されている電極どうしがクロスしている位置
のイオンフロー通過孔120を通過する。イオンは上記
以外のイオンフロー通過孔120を通過することを禁止
される。かくして記録媒体180の上には、所要のイオ
ンフロー記録が行なわれる。
第12図は、前述した特願平01−055487号から
引用した図である。同図において、131.132は縦
電極と横電極である。133はイオンフロー通過孔のみ
を開口させたベタ状の中間電極である。134,135
は、これらの各電極どうしを絶縁分離して支持する絶縁
層である。Hlはイオンフロー集束用の通過孔であり、
H2はイオンフロー制御用の通過孔である。イオンフロ
ー集束用の通過孔H1は、イオンフロー通過時において
、より多くのイオンフローを通過させるべく、その孔径
を大きく設定されている。なお上記イオンフロー集束用
の通過孔H1は、各イオンフロー通過孔単位毎に設けて
もよいし、帯状の縦電極131に対応したスリット状開
口を各縦電極毎に設けてもよい。
121.122は第10図に示したものと同じイオンフ
ロー促進電界電源である。123は阻止電界電源であり
、縦電極131とベタ状の中間電極133との間に、イ
オンフローが通過孔H1を通過しない様な電圧を印加す
る。124は同じく阻止電界電源であり、ベタ状の中間
電極133と横電極132との間に、イオンフローが通
過孔H0 1を通過しない様な電圧を印加する。促進電界電源12
1は、上記阻止電界電源123の作用を打消してイオン
フローの通過を促進させる電源である。促進電界電源1
22は、阻止電界電源124の作用を打消してイオンフ
ローの通過を促進させる電源である。ドライバー125
.126は第10図に示したものと同じものであり、縦
電極131および横電極132への印加電圧の制御を行
なう。
第12図に示すように、イオンフロー集束用の通過孔H
1は、イオンフロー制御用の通過孔H2よりも大きな孔
径となっており、イオンフロー制御体130へ向かって
流れて来るイオンフローを、より広い範囲から集めてイ
オンフロー制御用の通過孔H2へ送り込むように作用す
る。
前述した第8図に示すものでは、電極103゜105を
クロスする如く対向配置した場合には、イオンフローの
照射面積が広くなる為に、イオンフロー集束板102を
イオンフロー制御体101から十分遠ざけないと所望の
効果が得られなかった。これに対して第12図に示すも
のでは、電極131はイオンフロー通過孔H2に対して
近接−体化されている。また孔径や配置もイオンフロー
通過−孔H2の構成に近い寸法で配列されている。
動作するものである。したがって小型化することができ
る。
この様に、第8図示のものと第12図示のものとは異な
った構成原理に基づいており、両者を各々単独で実施す
ることも、組合わせて実施することも可能である。
[発明が解決しようとする課題] 第12図に示す構成のものにおいて、イオンフロー集束
効果を高める為には、通過孔H1の孔径を大きくシ、よ
り広い範囲からのイオンフローを取込む様にすればよい
。しかしその場合、通過孔H1の孔径を大きくしていく
と、第13図に示す様に通過孔H1どうしがオーバーラ
ツプしてしまい、通過孔の配列が不可能になってしまう
。つまり通過孔H1の孔径拡大には、自ずから限界があ
る。なおイオンフロー集束効果を高める別の手段1 2 として、縦電極と横電極との間に印加する電圧を高くし
て促進電界を強める事が考えられる。しかしこの場合に
は、多数使用されるドライバー素子の耐圧をすべて高め
る必要が生じる。またドライバーを大型で高価なものと
する必要が生じる。
そこで本発明の目的は、孔径の大きなイオンフロー集束
用の通過孔を設けなくとも、広い範囲から多量のイオン
フローを取込むことができ、所要の記録密度を確保しな
がら高速記録を行なうことができ、しかもドライバー素
子の高耐圧化をはかる必要がなく、またドライバーが大
型化、高価格化するおそれのないイオンフロー記録方法
を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明は、上記課題を解決し目的を達成するために次の
ような手段を講じた。
(1)平行配列された複数の帯状電極からなる第1電極
および第2電極を、絶縁層を挟んで互いにクロスする如
く対向配置し、その各クロスポイント部に貫通孔を穿っ
てイオンフロー通過孔を二次元マトリクス状に形成した
イオンフロー制御体によって、コロナワイヤ等のイオン
源から発生したイオンフローを制御することにより、上
記イオンフロー制御体とは相対的に移動可能に設けられ
た記録媒体上に、所要のイオンフロー記録を行なうよう
にしたイオンフロー記録方法において、第1電極、第1
絶縁層、平板状をなす中間電極。
第2絶縁層、第2電極を順次積層し、第1電極をイオン
源側にして配置したイオン、フロー制御体を用い、上記
第1電極と中間電極との間に印加される電圧によってイ
オンフロー通過孔内につくられるイオンフロー促進電界
の電位傾度が、中間電極と第2電極との間に印加される
電圧によってイオンフロー通過孔内につくられるイオン
フロー促進電界の電位傾度よりも大きくなるように、各
促進電界電圧の値を設定してイオンフロー記録を行なう
ようにした。
(2)上記(1)の手段におけるイオンフロー制御体と
して、第1電極の向きを記録媒体との相対的移動方向と
直交する横向きに配置したものを用 3 4 い、イオンフロー記録を行なうようにした。
(3)上記(1)の手段におけるイオンフロー制御体と
して、第1電極と第1絶縁層とを貫通するように設けた
第1イオンフロー通過孔の孔径が、中間電極と第2絶縁
層と第2電極とを貫通するように設けた第2イオンフロ
ー通過孔の孔径よりも大きく設定されたものを用い、イ
オンフロー記録を行なうようにした。
(4)上記(1)の手段におけるイオンフロー制御体と
して、第1電極と第1絶縁層と第1中間電極とを一′体
化した第1シートと、第2中間電極と第2絶縁層と第2
電極とを一体化した第2シートとが、両シートのイオン
フロー通過孔の位置が一致するように位置決めされ、か
つ両シートの少なくともイオンフロー通過孔形成領域が
非接合状態に支持されたものを用い、イオンフロー記録
を行なうようにした。
[作用] 上記手段を講じた結果、次のような作用が生じる。。
イオンフロー集束用通過孔の入口附近に形成される集束
レンズ電界の曲率が小さくなり、広い範囲からのイオン
フローが取込まれ、多量のイオンフローが制御用の通過
孔へ送り込まれることになる。したがって高速記録が可
能となる。しかもイオンフロー集束のために孔径を太き
(する必要がないので、記録ドツトピッチを広げずにす
み、記録密度を低下させずにすむ。またこれを受けたイ
オンフロー制御用通過孔でのイオンフロー通過制御を低
い制御電圧で行なうことができるので、多数用いられる
ドライバー素子として小型かつ安価な低耐圧のものを使
用可能となる。さらにドライバーが大型化、高価格化す
るおそれもない。
 5 6 [実施例] 第1図は本発明方法の基本構成を説明する為の図である
。同図において10はイオンフロー制御体で、11は複
数の帯状をなす電極からなる第1電極、12は同様に帯
状をなし、かつ上記第1電極にクロスして対向する第2
電極、13はベタ状の中間電極、14は第1絶縁層、1
5は第2絶縁層である。Ml、H2は上記第1電極と第
2電極とがクロスする位置に、上記電極と絶縁層とを貫
通して設けた第1、第2のイオンフロー通過孔である。
20は電源供給部であり、21および22は促進電界電
源、23および24は素子電界電源である。阻止電界電
源23は、イオンフロー通過孔H1をイオンフローが通
過しない様に第1電極11と中間電極13との間に阻止
電界電圧を印加する。阻止電界電源24は、イオンフロ
ー通過孔H2をイオンフローが通過しないように第2電
極12と中間電極13との間に阻止電界電圧を印加する
促進電界電源21は、前記電源23の阻止作用を打消し
て、第1電極11と中間電極13との間に、強いイオン
フロー通過促進用の電界を作る為の電源である。
、促進電界電源22は、前記電源24の阻止作用を打消
して、第2電極12と中間電極13との間に、強いイオ
ンフロー通過促進用の電界を作る為の電源である。
25.26は各電極に供給する電圧を、阻止または促進
に切替える゛ドライバーである。
第1図に示す構成において、各電源21.22゜23.
24の各々の電圧をE、、E2.E、、E4とし、第1
絶縁層14の厚さをtl+第2絶縁層15の厚さをt2
とした時、 f(E+  Ei)/l+1 > [(E2−E4 ) /12 + となる様に各重圧を設定する。
(E+  Ei)/l+は、後述する第2図<a>(b
)の説明から理解される様に、広い範囲からのイオン流
を通過孔H1に取り込む為に、極力大きな値に設定する
 7 8 これに対して(E2  E4)/12は、通過孔H2の
中を通過するイオンフローの通過または阻止を制御する
だけであるから、その動作が保証される範囲内で、電源
およびドライバー素子の電圧が低くなる様に、小さな値
に設定する。
上記の設定を行なった結果、イオンフロー通過時の等電
位線は、第1図中、破線Eで示すようなものとなる。ま
た電気力線Fは、第1図中、実線Fで示すようなものと
なる。
ここで印加電界に対する等電位線E、電気力線Fの関係
について説明する。
第2図(a)(b)はイオンフロー制御体10の基本構
成体16と、この構成体16にイオンフロー促進方向の
電圧を印加した時の等電位線Eおよび電気力線Fの状況
を模式的に示したものである。基本構成体16は2枚の
電極17.18を絶縁層19を挾んで設け、これに通過
孔Hを設けたものである。
同図(a)は画電極17.18に比較的小さい促進電界
電圧を印加した場合を示し、同図(b)は比較的大きな
促進電界電圧を印加した場合を示している。なお外部電
界としてコロトロン帯電器のコロナワイヤからの電界と
、記録媒体用のバイアス電界とが存在するものとする。
第1図と同様に破線は等電位線を示している。そのうち
Exは一対の電極17.18間に印加した促進電界電圧
に基いて形成され、Ewはコロナワイヤによって形成さ
れ、Ebはバイアス電圧によって形成される。
イオンフロー通過孔Hから離れた位置における各電界は
、電極板でシールドされる為、電極板面に平行になって
いる。電極で挟まれている領域の電位傾度が最も強く、
バイアス電界Ebの電位傾度が次に強く、コロナワイヤ
電界Ewの電位傾度が最も弱い。その電位傾度の強さは
、は等電位線の間隔で示されている。
イオンフロー通過孔Hの周縁部では上記三つの電界要素
の相互干渉が生じ、等電位線は図示する様に凸レンズ状
にふくらみ、イオンフロー通過孔Hから盛り上がった形
になる。イオンフローは等 9 0 電位面に直交する方向に作られる電気力線Fにそって移
動する。すなわち図示の如くイオンフロー通過孔の入口
側では通過孔Hに向けて絞り込まれる形状を呈し、通過
孔Hの中央では細く絞られた形状を呈し、通過孔Hを出
たのちは、僅かに広がってから平行流となる。
等電位線Eの曲がり度合は、外部電界とイオンフロー通
過孔内の電界との電位傾度の差によって支配される。外
部電界の電位傾度が大きいほど曲り度合が少ない。この
ため、通過孔Hの出口側でのイオンフローの広がりは抑
制される。従って比較的強い電位傾度を作り出す様にバ
イアス電圧を印加した記録媒体側では、電気力線の拡散
が少なく、コロナワイヤ側では電位傾度が小さい為に電
気力線の拡散が大きくなっている。
第2図(b)に示すように、電極17.18間に印加す
る促進電界電圧を高くした場合には、電極間の等電位線
数が増加している。外部電界が同じであれば、イオンフ
ロー通過孔Hの部分での等電位線の歪はより大きくなる
。これに伴って電気力線Fの拡散もより大きくなる。そ
の結果、通過孔Hに流れ込むイオンフローは、より広い
範囲から集められて、多量のイオンが通過孔Hを通過す
ることになる。通過孔Hを通ったイオンフローの広がり
は第2図(a)の場合に比べて幾分大きくなる。
第1図に説明を戻す。促進電界電源21から高い電圧を
印加され、所定の促進電界を与えられてるイオンフロー
取り込み側通過孔H1の等電位線Eには著しい歪が発生
する。それによって電気力線Fは広い範囲からのイオン
フローを取込む様に作用する。
これに対して促進電界電源22から低い電圧を印加され
、所定の促進電界を与えられるとともに、高いバイアス
電圧印加による外部電界を与えられているイオンフロー
出口側通過孔H2の等電位線Eには歪がほとんど生じな
い。それによって電気力線Fはほとんど広がる事なく記
録媒体面に到達する。
以下、本発明の実施態様の例をいくつか説明す1 2 る。
第3図および第4図(a)(b)(c)は第1実施態様
を示す図である。本例は前記手段(1)に相当する如く
構成されている。イオンフロー制御体10及び促進、阻
止電界電源の構成は第1図に準じている。27はコロト
ロン帯電器であり、コロナワイヤ27aからコロナイオ
ンを発生すると共に、イオンフロー制御体10の近傍に
外部電界をつくる。28はイオン源用の高圧電源である
29は上記記録媒体用のバイアス電源であり、イオンフ
ロー制御体10と記録媒体80との間にバイアス電圧を
印加すると共に、イオンフロー制御体10の近傍に強い
外部電界をつくる。
第4図(a)は第1電極11を上方から見た平面図であ
る。図示の如く第1電極11は、二次元マトリックス状
に配列されているイオンフロー通過孔H1を、記録媒体
80の移動方向と直交する横方向に電気的に連接すると
共に、縦方向に対しては分離した形状となっている。同
図(b)はベタ状の中間電極13を上方から見た平面図
である。
図示の如く、イオンフロー通過孔H2の部分は孔になっ
ているが、残余の部分は1面ペタ状になっており、電極
引出線が設けられている。同図(C)は第2電極12を
下方から見た平面図である。図示の如く、イオンフロー
通過孔H2を記録媒体80の移動方向にそって縦方向に
電気的に連接すると共に、横方向には分離した形状とな
っている。
なお電極12の端部から外へ露出している絶縁層の電位
は、帯電等で不安定に変動して電気力線を歪曲させる恐
れがある。このため、イオンフロー通過孔H2から十分
離れた位置まで延長して電極を設けたり、又横方向に於
てはダミー電極12′を設けたり、電極幅を端部へ長く
延長して所定の電位に維持させるようにしている。
第3図および第4図(a)(b)(c)に於ては、中央
のベタ電極13が一定の電位に保たれ、それに対してク
ロス状に対向する第1.第2電極11.12を選択駆動
する構成である為、駆動が簡易であり、その制御特性が
単純安定化している特徴がある。阻止、促進電界の条件
は第1図で説 3 4 明した内容が適用される。
横電極11と縦電極12とは相互に入れ替え可能である
。しかし通常は横電極11の本数に比べて縦電極12の
本数が著しく多い為に、横電極11に高い電圧を印加し
、縦電極12に低い電圧を印加して動作させる第3図に
示す方式の方が好都合である。
なお、ベタ電極13の位置を、第1または第2電極と入
れ替えた構成にすることも可能である。
しかし、マトリックス構成の記録ヘッドを構成する場合
には、以下の理由によって極めて大きな困難を伴う上、
所望の効果が得られなくなる恐れがある。
第5図は上記のように構成した例を示す図である。この
イオンフロー記録ヘッドにおける制御体10′は、第1
電極の位置にベタ電極13を置き、中間電極および第2
電極の位置に帯状の分割された電極11.12を置くも
のとする。23.24は各電極に阻止電界電圧を印加す
る阻止電界電源であり、第3図と同じ働きをする。また
促進電界用電源21も同様である。これに対して第2電
極12に印加する促進電界用電源22′は、電源21の
電圧が電極11に印加されている条件下で阻止電界電源
24の効果を打消したうえ、更に通過孔H2にイオンフ
ロー通過を促進させる電界効果を生ぜしめる電圧を与え
る必要がある。この為に電源21と同極性で、より高い
出力電圧を送出し得るものとなす必要がある。その結果
、ドライバ26′として素子耐圧が非常に高いものを使
用することが要求される。また電極11にP点の電圧が
印加されていて、電極12に電源22′の電圧が印加さ
れた時、すなわち通過孔H1がオフで通過孔H2がオン
の場合には、電極11.12間に電源24と22′との
差電圧が加わって両電極間の絶縁が破壊する恐れがある
。また破壊しない様に電圧を低めると、所望のイオンフ
ロー促進効果が得られないという矛盾が生じてしまう。
又この様に強い電位傾度の電界を通過孔H2の近傍に作
った場合、その影響は通過孔H1内にもおよび、阻止電
界電源23の電圧をより高い値にしなけれ 5 6 ばならないという問題を引き起こす。
この様に第5図の構成は、各通過孔H1,H2を駆動す
る為の電極電位が相互に影響し合って極めて効率の悪い
駆動電源構成が要求される。
これに対し、中間電極をベタ電極とする第3ずの構成で
は、帯状電極相互の影響をベタ電極で遮断し、通過孔H
1,H2の動作パラメータの設定が独立して行える。こ
の為に効率の良い構成が実現されているのである。なお
第2電極をベタ電極とした場合の電源構成も、第5図と
同様の不具合をきたす。
第3図に示した実施態様例に於ては、第1.第2イオン
フロー通過孔Kl、H2の孔径が等しい例について説明
したが、本発明者の先願である特願平01−05548
7に示す如く、第1イオンフロー通過孔の孔径を第2イ
オンフロー通過孔の孔径よりも大きくした構成のイオン
フロー制御体に本発明を適用できるのは勿論である。
第6図はその実施態様例であって、第1電極11′と第
1絶縁層14′を貫通して設けた第1イオンフロー通過
孔HIOの孔径を、第2イオンフロー通過孔H2の孔径
りも大きく設定しである。
また、厚さt3の第1絶縁層14′を挟む第1電極11
′と中間電極13との間に印加する促進電界電圧Elに
よって作り出される電位傾度(El−E3)/lsが、
厚さt2の絶縁層15を挟む中間電極13と第2電極1
2との間に印加する促進電界電圧E2によって作り出さ
れる電位傾度(E2  E4)/12よりも大きくなる
様に設定しである。
この様に構成することによって、第1イオンフロー通過
孔HIOを大きくした効果と、電位傾度を大きくした効
果とが相乗的に作用し、取込みイオンフローの増加に役
立つ。従って第1イオンフロー通過孔HIOの孔径を大
きくする事には通過孔配列上限界があり、かつ第1.第
2電極に印加する電圧も電極間耐圧やドライバー素子の
耐圧に制約があって、単独の作用では所望の十分な集束
効果が得られない場合にも、両者を組合わせて目的の効
果を得る事が可能となる。
 7 8 ところで、第1〜第6図に示した実施例に於ては、各電
極と絶縁層とが一体的に積層された構成について示した
が、イオンフロー制御体の加工上の理由で1体に分離し
たシートを作成し、少くともイオンフロー開ロマトリッ
クス部分で両シートが接合されていない状態で両者を重
ね合わせて支持する構成で本発明を実施する事も可能で
ある。
第7図は上記事情に基づいた実施例の説明図である。図
示の如く、第1′w1極11′、第1絶縁層14′、第
1中間電極13a、を一体化してシートAが作られてい
る。又第2中間電極13b、第2絶縁層15.第2電極
12を一体化してシートBが作られている。そして両シ
ートA、Bのイオンフロー通過孔HIO,H2の位置を
合わせた状態で、イオンフロー通過孔形成領域を除いた
領域に接着剤41.42を塗布して両シートA、Bを接
合する。なお第1.第2の中間電極13a、13bは同
電位に維持される必要がある為、外部で電気的な接続を
行ない。端子40を引き出す事が好ましい。
この様に構成した場合、シートA、Hの加工を個別に行
なうものであるため、加工が容易となる。
又シートA、Bは、イオンフロー通過孔形成領域を外れ
た位置で接合されるため、接合に伴う接着剤の通過孔へ
のはみ出し等を防止する事ができる。
しかもイオンフロー制御体の作用効果としては前記実施
例表向等のものとなる。
なお本発明は前記各実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であ
るのは勿論である。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば孔径の大きなイオ
ンフロー集束用の通過孔を設けなくとも、広い範囲から
多量のイオンフローを取込むことができ、所要の記録密
度を確保しながら高速記録を行なうことができ、しかも
ドライバー素子の高耐圧化をはかる必要がなく、またド
ライバーが大型化、高価格化するおそれのないイオンフ
ロー記録方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
 9 0 第1図〜第7図は本発明の実施例を示す図である。第8
図〜第13図は技術的課題を説明するために示した図で
ある。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)平行配列された複数の帯状電極からなる第1電極
    および第2電極を、絶縁層を挟んで互いにクロスする如
    く対向配置し、その各クロスポイント部に貫通孔を穿っ
    てイオンフロー通過孔を二次元マトリクス状に形成した
    イオンフロー制御体によって、コロナワイヤ等のイオン
    源から発生したイオンフローを制御することにより、上
    記イオンフロー制御体とは相対的に移動可能に設けられ
    た記録媒体上に、所要のイオンフロー記録を行なうよう
    にしたイオンフロー記録方法において、第1電極、第1
    絶縁層、平板状をなす中間電極、第2絶縁層、第2電極
    を順次積層し、第1電極をイオン源側にして配置したイ
    オンフロー制御体を用い、上記第1電極と中間電極との
    間に印加される電圧によってイオンフロー通過孔内につ
    くられるイオンフロー促進電界の電位傾度が、中間電極
    と第2電極との間に印加される電圧によってイオンフロ
    ー通過孔内につくられるイオンフロー促進電界の電位傾
    度よりも大きくなるように、各促進電界電圧の値を設定
    して記録を行なうようにしたことを特徴とするイオンフ
    ロー記録方法。
  2. (2)イオンフロー制御体として、第1電極の向きを記
    録媒体との相対的移動方向と直交する横向きに配置した
    ものを用い、イオンフロー記録を行なうようにしたこと
    を特徴とする請求項1に記載のイオンフロー記録方法。
  3. (3)イオンフロー制御体として、第1電極と第1絶縁
    層とを貫通するように設けた第1イオンフロー通過孔の
    孔径が、中間電極と第2絶縁層と第2電極とを貫通する
    ように設けた第2イオンフロー通過孔の孔径よりも大き
    く設定されたものを用い、イオンフロー記録を行なうよ
    うにしたことを特徴とする請求項1に記載のイオンフロ
    ー記録方法。
  4. (4)イオンフロー制御体として、第1電極と第1絶縁
    層と第1中間電極とを一体化した第1シートと、第2中
    間電極と第2絶縁層と第2電極とを一体化した第2シー
    トとが、両シートのイオンフロー通過孔の位置が一致す
    るように位置決めされ、かつ両シートの少なくともイオ
    ンフロー通過孔形成領域が非接合状態で支持されたもの
    を用い、イオンフロー記録を行なうようにしたことを特
    徴とする請求項1に記載のイオンフロー記録方法。
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