JPH03206634A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03206634A JPH03206634A JP189890A JP189890A JPH03206634A JP H03206634 A JPH03206634 A JP H03206634A JP 189890 A JP189890 A JP 189890A JP 189890 A JP189890 A JP 189890A JP H03206634 A JPH03206634 A JP H03206634A
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Links
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にＴＡＢ方式
による製造方法に関する。
による製造方法に関する。
゜従来のＴＡＢ方式による半導体装置の製造方法は、搬
送及び位置決めに使用するスプロケットホールと半導体
素子（以下チップと呼ぶ）が入る開孔部であるデバイス
ホールとを有するポリイミド等の絶縁フィルム上に、銅
などの金属箔を接着し、この金属箔をエッチング等によ
り所望の形状のリードに形戒し、次に金または錫等を電
解または無電解めっき法により施したフィルムキャリア
と、あらかじめ電極パッド上に金等の金属突起であるバ
ンブを設けたチップとを準備し、次に前記フィルムキャ
リアのインナーリードとチップ上のバンプとを熱圧着法
または共晶法等によりインナーリードボンディングする
。
送及び位置決めに使用するスプロケットホールと半導体
素子（以下チップと呼ぶ）が入る開孔部であるデバイス
ホールとを有するポリイミド等の絶縁フィルム上に、銅
などの金属箔を接着し、この金属箔をエッチング等によ
り所望の形状のリードに形戒し、次に金または錫等を電
解または無電解めっき法により施したフィルムキャリア
と、あらかじめ電極パッド上に金等の金属突起であるバ
ンブを設けたチップとを準備し、次に前記フィルムキャ
リアのインナーリードとチップ上のバンプとを熱圧着法
または共晶法等によりインナーリードボンディングする
。
この時の条件としては、熱圧着法の場合、一般的にチッ
プ予備加熱１５０℃、ボンディング温度５００℃、ボン
ディング荷重１００ｇ／リード、ボンディング時間約１
ｓｅｃなどである。続いてアウターリードを所望の長
さに切断し、例えばプリント基板上のボンディングにア
ウターリードをアウターリードボンディングして完或す
る．上記のようなフィルムキャリアには、デバイスホー
ルにリードを長く突出させ、インナーリードとアウター
リードが特に区分けされないタイプと、デバイスホール
内にリードを支えるサスペンダーを設け、サスペンダー
の内側をインナーリードとし、外側をアウターリードと
区分けするタイプとがあるが、どちらの場合でも、リー
ド特にインナーリードは絶縁フィルムに片持ちの状態で
形戒されている． 〔発明が解決しようとする課題〕 最近ＴＡＢ方式は多ビン化の傾向が顕著で、５００ビン
程度の製品も検討されている。それを実現するためには
、インナーリードを細くしてピッチを狭くする必要があ
り、現状では３００ビン程度でリード幅７０μｍ、リー
ド厚３５μｍ、リードピッチ１５０μｍ程度が可能であ
る．しかしながら、このようにリードが細いと、メーカ
ーからの輸送時あるいは製造装置間又は製造装置内での
搬送時の振動や外力によりリードが変形してしまったり
、インナーリードボンディング時の加熱で絶縁フィルム
が伸びてリード先端がずれたり、リードが熱変形を起し
たりするため、歩留りが悪くなってしまうという問題点
がある． そのため、リードに保持部又は保持材を付けることが検
討されていたが、リード間のすき間が８０μｍ程度と狭
いため、従来がらの金型による打抜き加工では対応でき
なくなっている．又、全リードの先端を分離せずに一枚
の板につなげておき、インナーリードボンディング直前
に金型でリード先端を打抜く方法も最近用いられている
が、金型で打抜く際リードが細いため簡単に曲がってし
まい、リードとバンブの位置合せ精度（±１０μｍ）が
得られないことが多く、好ましい方法ではない。
プ予備加熱１５０℃、ボンディング温度５００℃、ボン
ディング荷重１００ｇ／リード、ボンディング時間約１
ｓｅｃなどである。続いてアウターリードを所望の長
さに切断し、例えばプリント基板上のボンディングにア
ウターリードをアウターリードボンディングして完或す
る．上記のようなフィルムキャリアには、デバイスホー
ルにリードを長く突出させ、インナーリードとアウター
リードが特に区分けされないタイプと、デバイスホール
内にリードを支えるサスペンダーを設け、サスペンダー
の内側をインナーリードとし、外側をアウターリードと
区分けするタイプとがあるが、どちらの場合でも、リー
ド特にインナーリードは絶縁フィルムに片持ちの状態で
形戒されている． 〔発明が解決しようとする課題〕 最近ＴＡＢ方式は多ビン化の傾向が顕著で、５００ビン
程度の製品も検討されている。それを実現するためには
、インナーリードを細くしてピッチを狭くする必要があ
り、現状では３００ビン程度でリード幅７０μｍ、リー
ド厚３５μｍ、リードピッチ１５０μｍ程度が可能であ
る．しかしながら、このようにリードが細いと、メーカ
ーからの輸送時あるいは製造装置間又は製造装置内での
搬送時の振動や外力によりリードが変形してしまったり
、インナーリードボンディング時の加熱で絶縁フィルム
が伸びてリード先端がずれたり、リードが熱変形を起し
たりするため、歩留りが悪くなってしまうという問題点
がある． そのため、リードに保持部又は保持材を付けることが検
討されていたが、リード間のすき間が８０μｍ程度と狭
いため、従来がらの金型による打抜き加工では対応でき
なくなっている．又、全リードの先端を分離せずに一枚
の板につなげておき、インナーリードボンディング直前
に金型でリード先端を打抜く方法も最近用いられている
が、金型で打抜く際リードが細いため簡単に曲がってし
まい、リードとバンブの位置合せ精度（±１０μｍ）が
得られないことが多く、好ましい方法ではない。
本発明の半導体装置の製造方法は、銅などの金属を用い
た保持部又は保持材により隣接したリード特にインナー
リードを各々連結したフィルムキャリアを用い、組立工
程において前記保持部又は保持材をレーザー光線により
溶断することで、リード特にインナーリードを分離する
という手段を有している。
た保持部又は保持材により隣接したリード特にインナー
リードを各々連結したフィルムキャリアを用い、組立工
程において前記保持部又は保持材をレーザー光線により
溶断することで、リード特にインナーリードを分離する
という手段を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の実施例１に用いるフィルムキャリアの平面図
、第２図は本発明の実施例１により加工を施したフィル
ムキャリアの平面図である． 絶縁フィルム１上に、搬送及び位置決め用スプロケット
ホール２と、チップが入るデバイスホール４と、リード
５と、デバイスホール４内でリード５を支えるサスペン
ダー３と、リード５のそれぞれに接続された電気選別用
パッド８とを有するフィルムキャリアにおいて、サスペ
ンダー３の内側のデバイスホール４内のリード部分であ
るインナーリード６を各々連結保持するリード保持部７
を設けたフィルムキャリアを用い、レーザー光線により
このリード保持部７を個々に溶断し、インナーリード６
すなわちリード５を分離する。ところで、レーザー光線
としてはヤグレーザー、１ ｋＨｚ ， １．２５Ｗを
用い、ビーム径を５０μｍ程度にすれば、溶断は可能で
あることが確かめられている。
は本発明の実施例１に用いるフィルムキャリアの平面図
、第２図は本発明の実施例１により加工を施したフィル
ムキャリアの平面図である． 絶縁フィルム１上に、搬送及び位置決め用スプロケット
ホール２と、チップが入るデバイスホール４と、リード
５と、デバイスホール４内でリード５を支えるサスペン
ダー３と、リード５のそれぞれに接続された電気選別用
パッド８とを有するフィルムキャリアにおいて、サスペ
ンダー３の内側のデバイスホール４内のリード部分であ
るインナーリード６を各々連結保持するリード保持部７
を設けたフィルムキャリアを用い、レーザー光線により
このリード保持部７を個々に溶断し、インナーリード６
すなわちリード５を分離する。ところで、レーザー光線
としてはヤグレーザー、１ ｋＨｚ ， １．２５Ｗを
用い、ビーム径を５０μｍ程度にすれば、溶断は可能で
あることが確かめられている。
この時、インナーリード６の表面には、保持部溶断面９
が残るが、表面粗さは±５μｍ程度に押えられるので、
特に支障をきたさない。その後、このフィルムキャリア
を通常の製造方法に沿って組立てれば、半導体装置が完
戒する．ここで、レーザー光線によるリード保持部７の
溶断をインナーリードボンデイングの直前に行なえば、
搬送中の振動や外力などによるリードの変形が押えられ
るので、歩留りが向上できる． また、本実施例では、リード保持部をインナーリード中
間位置に設けたが、この保持部をインナーリード先端に
設けた場合でも、同様の方法により製造が可能である．
この場合は、従来の一枚の板につなげるのとは異なり、
その後の打抜き加工を必要としない非接触加工であるた
め、金型等によりリードを曲げることがないので、打抜
き加工に比較して歩留りが向上する利点もある．第３図
は本発明の実施例２を説明する平面図である．第３図は
、第１図のフィルムキャリアにチップ１０をインナーリ
ードボンデイングした状態であり、チップ１０はチツプ
１０上の電極パッド上に設けたバンブ１１を介してイン
ナーリード６に接続されている．この後、レーザー光線
を用いリード保持部７を個々に溶断し、インナーリード
６すなわちリード５を分離する。そして、通常の製造方
法に沿って組立てれば、半導体装置が完戒する． この実施例では、インナーリードボンデイング時でもイ
ンナーリードが連結保持されているので、搬送中の振動
や外力などによるリード変形が減少するほか、インナー
リードボンデイング時の加熱により絶縁フィルムが伸び
た場合でもリードピッチが変わらず、また、リードの熱
変形も少なく押えられるので、歩留りがさらに向上でき
る利点がある． 第４図（ａ）は本発明の実施例３を説明する平面図であ
り、第４図（ｂ）は第４図（ａ＞のインナーリード先端
を拡大した側面図である．この実施例では、リード保持
部の代わりにインナーリード６の先端に金または銅に金
めつきなどを施した金属リングをリード保持材１２とし
て取り付けてある． このリード保持材１２をインナーリードボンディング直
前にレーザー光線を用いて溶断し、インナーリード６を
分離した後で、電極パッド上にバンプが形成されていな
いチップを用いてリード保持材１２をバンブの代わりに
なるようにインナーリードボンデイングし、フィルムキ
ャリアにチップを取り付け、その後、通常の製造方法に
よって組立てれば半導体装置が完或する。
が残るが、表面粗さは±５μｍ程度に押えられるので、
特に支障をきたさない。その後、このフィルムキャリア
を通常の製造方法に沿って組立てれば、半導体装置が完
戒する．ここで、レーザー光線によるリード保持部７の
溶断をインナーリードボンデイングの直前に行なえば、
搬送中の振動や外力などによるリードの変形が押えられ
るので、歩留りが向上できる． また、本実施例では、リード保持部をインナーリード中
間位置に設けたが、この保持部をインナーリード先端に
設けた場合でも、同様の方法により製造が可能である．
この場合は、従来の一枚の板につなげるのとは異なり、
その後の打抜き加工を必要としない非接触加工であるた
め、金型等によりリードを曲げることがないので、打抜
き加工に比較して歩留りが向上する利点もある．第３図
は本発明の実施例２を説明する平面図である．第３図は
、第１図のフィルムキャリアにチップ１０をインナーリ
ードボンデイングした状態であり、チップ１０はチツプ
１０上の電極パッド上に設けたバンブ１１を介してイン
ナーリード６に接続されている．この後、レーザー光線
を用いリード保持部７を個々に溶断し、インナーリード
６すなわちリード５を分離する。そして、通常の製造方
法に沿って組立てれば、半導体装置が完戒する． この実施例では、インナーリードボンデイング時でもイ
ンナーリードが連結保持されているので、搬送中の振動
や外力などによるリード変形が減少するほか、インナー
リードボンデイング時の加熱により絶縁フィルムが伸び
た場合でもリードピッチが変わらず、また、リードの熱
変形も少なく押えられるので、歩留りがさらに向上でき
る利点がある． 第４図（ａ）は本発明の実施例３を説明する平面図であ
り、第４図（ｂ）は第４図（ａ＞のインナーリード先端
を拡大した側面図である．この実施例では、リード保持
部の代わりにインナーリード６の先端に金または銅に金
めつきなどを施した金属リングをリード保持材１２とし
て取り付けてある． このリード保持材１２をインナーリードボンディング直
前にレーザー光線を用いて溶断し、インナーリード６を
分離した後で、電極パッド上にバンプが形成されていな
いチップを用いてリード保持材１２をバンブの代わりに
なるようにインナーリードボンデイングし、フィルムキ
ャリアにチップを取り付け、その後、通常の製造方法に
よって組立てれば半導体装置が完或する。
この実施例では、インナーリードボンデイング直前まで
リード保持材でリードを連結保持しているため、搬送中
の振動や外力などによるリード変形が減少し歩留りが向
上するほか、リード保持材をバンプとして用いるため、
チップ上にバンプを形或する必要がなく、工数削減及び
コストダウンをすることが可能である． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、銅などの金属を用いた保
持部又は保持材により、隣接したリード特にインナ．−
リードを各々連結したフィルムキャリアを使用し、組立
工程中にレーザー光線により保持部又は保持材を溶断加
工することで、搬送中の振動や外力などによるリード変
形が減少するほか、レーザー光線による溶断をインナー
リードボンディングの後に行えば、インナーリードボン
ディング時の加熱により、絶縁テープが伸びた場合でも
、インナーリード先端はずれることなく、またリードの
熱変形も少なく押えることができるなど、リード変形に
起因する不良を減少させ、歩留りを向上できるという効
果がある．
リード保持材でリードを連結保持しているため、搬送中
の振動や外力などによるリード変形が減少し歩留りが向
上するほか、リード保持材をバンプとして用いるため、
チップ上にバンプを形或する必要がなく、工数削減及び
コストダウンをすることが可能である． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、銅などの金属を用いた保
持部又は保持材により、隣接したリード特にインナ．−
リードを各々連結したフィルムキャリアを使用し、組立
工程中にレーザー光線により保持部又は保持材を溶断加
工することで、搬送中の振動や外力などによるリード変
形が減少するほか、レーザー光線による溶断をインナー
リードボンディングの後に行えば、インナーリードボン
ディング時の加熱により、絶縁テープが伸びた場合でも
、インナーリード先端はずれることなく、またリードの
熱変形も少なく押えることができるなど、リード変形に
起因する不良を減少させ、歩留りを向上できるという効
果がある．
第１図は本発明の実施例１に用いるフィルムキャリアの
平面図、第２図は本発明の実施例ｌにより加工を施した
フィルムキャリアの平面図、第３図は本発明の実施例２
を説明する平面図、第４図（ａ）は本発明の実施例３を
説明する平面図、第４図（ｂ）は図（ａ）のインナーリ
ード先端の拡大側面図である。 １・・・絶縁フィルム、２・・・スブロケットホール、
３・・・サスペンダー、４・・・デバイスホール、５・
・・リード、６・・・インナーリード、７・・・リード
保持部、 ８ ・・電気選別用パッド、 ９・・・保持部溶断面、 １ ０・・・チップ、 １ １・・・バンプ、 ｌ ２・・・リード保持 材。
平面図、第２図は本発明の実施例ｌにより加工を施した
フィルムキャリアの平面図、第３図は本発明の実施例２
を説明する平面図、第４図（ａ）は本発明の実施例３を
説明する平面図、第４図（ｂ）は図（ａ）のインナーリ
ード先端の拡大側面図である。 １・・・絶縁フィルム、２・・・スブロケットホール、
３・・・サスペンダー、４・・・デバイスホール、５・
・・リード、６・・・インナーリード、７・・・リード
保持部、 ８ ・・電気選別用パッド、 ９・・・保持部溶断面、 １ ０・・・チップ、 １ １・・・バンプ、 ｌ ２・・・リード保持 材。
Claims (3)
- （１）半導体素子とフィルムキャリアをギャングボンデ
ィングして組み立てるＴＡＢ方式における半導体装置の
製造方法において、銅などの金属を用いた保持部又は保
持材により隣接したリード特にインナーリードを各々連
結したフィルムキャリアを用い、組立工程において前記
フィルムキャリアの保持部又は保持材をレーザー光線に
より溶断し、前記リード特にインナーリードを分離する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）レーザー光線による溶断はインナーリードボンデ
ィングの前に行ない、隣接したリード特にインナーリー
ドを分離した後でインナーリードボンディングする前項
（１）記載の半導体装置の製造方法。 - （３）レーザー光線による溶断はインナーリードボンデ
ィングの後に行ない、隣接したリード特にインナーリー
ドが保持部又は保持材により連結された状態でインナー
リードボンディングし、その後レーザー光線により前記
保持部又は保持材を溶断し、隣接したリード特にインナ
ーリードを分離する前項（１）記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP189890A JPH03206634A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP189890A JPH03206634A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03206634A true JPH03206634A (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=11514404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP189890A Pending JPH03206634A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03206634A (ja) |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP189890A patent/JPH03206634A/ja active Pending
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