JPH03205776A - 加熱装置 - Google Patents

加熱装置

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JPH03205776A
JPH03205776A JP1342962A JP34296289A JPH03205776A JP H03205776 A JPH03205776 A JP H03205776A JP 1342962 A JP1342962 A JP 1342962A JP 34296289 A JP34296289 A JP 34296289A JP H03205776 A JPH03205776 A JP H03205776A
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Hidekazu Shirakawa
英一 白川
Akinobu Eto
衞藤 昭信
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、加熱装置に関する。
(従来の技術) 一般に、例えば半導体ウェハ、LCD基板、プリント基
板、マスク等の被処理体の表面へレジストを塗布する工
程や現像処理工程においては、そのレジストを安定化さ
せる等の目的で被処理体を加熱している。
つまり、均一なレジストの薄膜を得るためには、レジス
トの粘度変動を極力抑えることが重要であり、条件の一
部として、膜形成中の被処理体の周辺の気流や雰囲気温
度の均一安定化、被処理体自体の温度の均一化、レジス
ト温度の均一化等が上げられる。
第2図は、このような被処理体への加熱を行う加熱装置
の一例を示すもので、表面から均等に熱を放射する熱拡
散板1が備えられており、この熱拡散板1の内部にはそ
の表面と平行にニクロム線等の発熱体2が埋設されてい
る。発熱体2へは例えば200■の交流電M.3から電
力が供給されるようになっている。
そして、交流電源3から発熱体2へ電力か供給されると
、発熱体2から発生した熱は熱拡散仮1の内部にて拡赦
された後、その表面から均等に触射される。
これにより、発熱体2の上方に載置された被処理体は均
等に熱せられる。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上述した従来の加熱装置では熱拡散板1
の表面から熱を均等に放射させるために、熱拡散板1の
内部にて十分な熱拡散作用を要するため、熱拡散板1を
かなり厚めにする必要がある。
このため、熱拡散板1自体が重くなったり、大きくなっ
たりしてしまい、加熱装置の軽量小型化の妨げとなって
しまう。
さらに、熱拡散仮lを厚くした場合には、発熱体2へ交
流電源3から電カを供給してから所望の温度を得るまで
にかなりの時間を要するため、応答性か悪くなってしま
う。
したかって、加鮎装置の発熱体を一定のベース電力を与
えるものと、温度制御のための制御電カを′jえるもの
とに分けて、これらを合イ〕せもっようにして温度制御
精度を向上しようとしても、ニクロム線の配置間隔が大
きくなったりして、さらに熱拡散板厚を大きくとって熱
拡散板1の表面からの熱を均一に放射するようにせざる
を得す、上記の欠点はさらに助長され現実的ではなかっ
た。
本発明は、このような事情に対処して成されもので、軽
量小型化、昇降温応答性の向上および温度制御精度の向
上を図ることができる加熱装置を提供することを目的と
する。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明の加熱装置は、被処理体を温度設定板に設け、被
処理体の温度を予め定められた温度にする加熱装置にお
いて、前記温度設定板に所定値近傍のヘース熱を与える
薄膜状の第1の発熱体層と、この第1の発熱体層によっ
て与えられた所定値近傍のベース熱に補助熱を与える薄
膜状の第2の発熱体層と、上記第一および第二の発熱体
層に印加する交流電力をゼロクロスポイントで切換え制
御する手段とを具備することを特徴とする。
(作 用) 本発明の加熱装置では、薄膜状の第1の発熱体層がホッ
トプレートに所定値近傍のベース熱を与えると、薄膜状
の第2の発熱体層がその第1の発貼体層によって与えら
れた所定値近傍のベース熱に補助熱を与える。
従って、第1の発熱体層および第2の発熱体層の各層を
薄膜状とし熱を均等に放射させるようにしたので、熱拡
散板の厚みを薄くできホットプレートを薄く形成するこ
とができ、またホットプレトを薄く形戊することができ
ることによって所望の熱を与える際の昇降瓜の応答性も
良くなるとIiiJ時に第2の発熱体層に与える制御電
力の精度を向上させることができる。また、制御間隔内
における凸仮温度の変動を小さくすることができる。
(夷施例) 以下、本発明の実施例の詳細を図面に基づいて説明する
第1国は、半導fト製造におけるレジストを塗布する王
程において波処理体を加恕する加鴇装置に適用した場合
の一実施例を示すものである。
同図に示すように、ホットプレート5の基台6には、凹
部7,8.9が形成されている。
この基台6は、絶縁性を有した例えばアルミナによって
構成される。
基台6の各四部7,8.9には、例えばCuからなる電
極10,11.12が嵌合されている。
基台6の上面には、例えばアルミナからなる絶縁層13
が形成されている。
絶縁層l3の内部には、第1の発熱体層14例えば薄膜
状の発熱シートおよび第2の発熱体層15たとえば薄膜
状の発熱シートか下からこの順にある程度例えばlII
lfflの間隔を置いて薄膜状に形或されている。
ここで、第1の発熱体層l4はホットプレート5に所定
値近傍のベース熱を与えるためのものであり、第2の発
熱体層15は第1の発熱体層14によって得られた所定
値近傍のベース熱に補助熱を与えるものであって、これ
ら各層によって与えられた熱により、ホットプレート5
の上方に載置された半導体ウエハ等の被処理体は所定温
度で均等に熱せられる。
第1の発熱体層14および第2の発熱体層15の一端は
電極10に接続されている。一方、第1の発熱体層14
および第2の発熱体層15の他端はそれぞれ電極11お
よび電極12に接続されている。
各凹部7,8.9の底部には、接続端子16,17.1
8か取付けられており、これら接続端子16,17.1
8はそれぞれ電極10,11.12に接続している。
接続端子16と17との間には、第1の発熱体層14に
電力を供給するベース電力1つか切替えスイッチ20を
介して接続されている。
接続端子16と18との間には、第2の発熱体層15に
電力を供給する補助電力21が接続されている。
この補助電力21および切替えスイッチ20には、温感
センサ22のIfllI温信号および設定値に基づいて
それぞれの動作を制御する温調器23が接続されている
そして、補助電力21からの電力の供給は、温感センサ
22の測温信号および設定値に基づく温調器23からの
パルス幅変調(PWM)信号によって制御される。
一方、上記の切替えスイッチ2oは、温調器23からの
オン/オフ信号によって切替え動作を行う。
次に、このような構成の加熱装置の動作について説明す
る。
まず、通常、ホットプレート5によって放射される熱は
、投入可能な最大電力のうちの電力を何%与えるかによ
って決定される。
つまり、例えば50Hzの交流電源では、1秒間当り5
0X  2=  100個のゼロクロスポイントがあり
、例えば最大500ジュール熱を発生させることのでき
るホットプレート5が例えば250のジュール熱を発す
る際には50%の電力、即ち 1秒間毎に50個目のゼ
ロクロスポインで電力の供給の処断を行うことになる。
さて、本発明の装置において例えば1秒間当りの電力量
を100%与えた場合、第1の発熱体層14および第2
の発熱体層15の発するジュール熱をそれぞれ250お
よび250とする。
そこで、例えばホットプレート5に 300のジュル熱
を与えようとした場合、第1の発熱体層14および第2
の発熱体層15のジュール熱をそれぞれ例えば250(
切替スイッチ20をオン)および50とする。
このとき、各電力の供給のオン/オフにおいては、ベー
ス電力1つでは全電力の供給か行われ、補助電力21で
は1秒間毎に20個目のゼロクロスポインで電力の供給
の遮断が行われる。このときの制御電力の精度はl%あ
たり 2.5ジュールであり、たた1つの発熱体(最大
500ジュール)を0から 100%にて制御する場合
l%あたり 5ジュルよりもきめ細かく制御できる。ま
た、本発明では交流電源の断接をゼロクロスポイントに
て行うことには変わりがないため電力の供給のオン/オ
フによって生じるノイズを防止することもてきる。
つまり、例えば第1の発熱体層14のみで、ポットプレ
ート5に300のジュール熱を与えようとした場合の電
力の供給のオン/オフは、1秒間毎に72.5個目のゼ
ロクロスポインで行うことになる。
いいかえれば、1秒間毎に72個目と73個目との間で
電力の供給の遮断を行うことになり、この間は電圧かオ
ン状態にあるために電力の供給をオフとするとノイズが
発生してしまうことになる。また、制御間隔内における
電力の変化は、従来タイプでは300Wであるのに対し
て、本発明では50Wであり、制御間隔内における熱板
温度の変動を小さくすることができる。
このように、本実施例では、各発熱体層を薄膜状とし熱
を均等に放射させるようにしたので、ホットプレートを
薄く形成することかでき、これにより加熱装置の軽量小
型化を図ることができ、また所望の熱を得る際の応答性
も良くなる。
さらには、ホットプレートに第1の発熱体層によって所
定値近傍のベース熱を与え、第2の発熱体層によってそ
の所定値近傍のベース熱に補助熱を与えるようにしたの
で、ホットプレートが発する熱を肌理細かく制御するこ
とができるばかりでな<、電力の供給のオン/オフによ
って生じるノイズを防止することもできるとともに、制
御間隔内における熱板温度の変動を小さくすることがで
きる。
なお、本実施例では、発熱体層を、所定値近傍のベース
熱を与える第1の発熱体層およびその所定値近傍の予熱
に補助熱を与える第2の発熱体層の2層とした場合につ
いて説明したが、この例に限らす各発熱体層をそれぞれ
2層以上に形成してもよい。
つまり、第1の発熱体層を多層に形成し、それぞれの発
熱体層に所定値近傍の予熱を段階的に設定し、各第1の
発熱体層を設定温度に応じて選択するようにしてもよい
また第2の発熱体層を多層にしてそれぞれの発熱体層に
単位時間当りのジュール熱を段階的に設定するようにし
てもよく、この場合にはさらに肌理の細かい制御が可能
となる。
さらに、第1の発熱体層および第2の発熱体層をそれぞ
れ多層に形成して、必要に応じて各発熱体層を選択する
ようにしてもよい。
なお、本実施例では、本発明をレジストを塗布する工程
において被処理体を加熱する加熱装置に適用した場合に
ついて説明したが、この例に限らず露光や現像等の他の
工程において彼処理体を加熱する加熱装置に適用しても
よい。
上記実施例では、第1および第2の発熱体層間に絶縁体
を介在させた例について説明したが、積層してもよい。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の加熱装置によれば、第1
の発熱体層および第2の発熱体層の各層を薄膜状とし熱
を均等に放射させるようにしたので、ホットプレートを
薄く形成することができ、これにより装置の軽量小型化
を図ることができ、また所望の熱を得る際の応答性も良
くなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明をレジストを塗布する工程において被処
理体を加熱する加熱装置に適用した場合の一実施例を示
す図、第2図は従来の加熱装置を示す図である。 5.・・・ホノトプレート、6・・・基台、7.8.9
・・・四部、10,11.12・・・電極、13・・・
絶縁層、14・・・第1の発熱体層、15・・・第2の
発熱体層、16,17.1’8・・・接続端子、19・
・・ベース電力、20・・・切替えスイッチ、21・・
・補助電力、22・・・温感センサ、23・・・温調器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被処理体を温度設定板に設け、被処理体の温度を
    予め定められた温度にする加熱装置において、 前記温度設定板に所定値近傍のベース熱を与える薄膜状
    の第1の発熱体層と、 この第1の発熱体層によって与えられた所定値近傍のベ
    ース熱に補助熱を与える薄膜状の第2の発熱体層と、 上記第一および第二の発熱体層に印加する交流電力をゼ
    ロクロスポイントで切換え制御する手段とを具備するこ
    とを特徴とする加熱装置。
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