JPH03205754A - チャネル電子増倍管 - Google Patents
チャネル電子増倍管Info
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- JPH03205754A JPH03205754A JP2154139A JP15413990A JPH03205754A JP H03205754 A JPH03205754 A JP H03205754A JP 2154139 A JP2154139 A JP 2154139A JP 15413990 A JP15413990 A JP 15413990A JP H03205754 A JPH03205754 A JP H03205754A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
-
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- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/24—Dynodes having potential gradient along their surfaces
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は一体セラミックボディから製造されるチャネル
電子増倍管およびこれを製造する方法に関するものであ
る。本発明は、より長いチャネル長さが必要とされる場
合に特に、より小型の装置のためにまた電子／壁衝突の
増大のために、チャネルが好ましくは３次元の湾曲され
たコンジットを提供するチャネル電子増倍管に向けられ
るものである。
電子増倍管およびこれを製造する方法に関するものであ
る。本発明は、より長いチャネル長さが必要とされる場
合に特に、より小型の装置のためにまた電子／壁衝突の
増大のために、チャネルが好ましくは３次元の湾曲され
たコンジットを提供するチャネル電子増倍管に向けられ
るものである。
［従来の技術］
電子増倍管は標準的には光信号が衝突したときに光電陰
極から放出される電流の増幅器として供される光増倍管
で使用される。このような光増倍管装置では、光電陰極
、電子増倍管およびその他の機能部材は真空外囲器に囲
包される。外囲器内側の真空環境は本質的に安定であり
そしてできるだけ最適の動作性能を得るために光増倍管
の製造中管理が行なわれる。この種類の応用では、電子
増倍管は一般的には、たとえばベリリウムー銅合金また
は銀一マグネシウム合金から形成される用意周到な金属
合金ダイノードを使用する。
極から放出される電流の増幅器として供される光増倍管
で使用される。このような光増倍管装置では、光電陰極
、電子増倍管およびその他の機能部材は真空外囲器に囲
包される。外囲器内側の真空環境は本質的に安定であり
そしてできるだけ最適の動作性能を得るために光増倍管
の製造中管理が行なわれる。この種類の応用では、電子
増倍管は一般的には、たとえばベリリウムー銅合金また
は銀一マグネシウム合金から形成される用意周到な金属
合金ダイノードを使用する。
電子増倍管について、真空外囲器を必要としない別の応
用がある。この種の応用は、たとえば、イオンの検出が
行なわれる質量分析器および電子の検出が行なわれる電
子スベクト口メータにおけるものである。これらの応用
では、検出される信号、すなわちイオンや電子、は真空
外囲器を挿通できないがその代わりに「窓なし」電子増
倍管のダイノード面に直接衝突しなけーればならない。
用がある。この種の応用は、たとえば、イオンの検出が
行なわれる質量分析器および電子の検出が行なわれる電
子スベクト口メータにおけるものである。これらの応用
では、検出される信号、すなわちイオンや電子、は真空
外囲器を挿通できないがその代わりに「窓なし」電子増
倍管のダイノード面に直接衝突しなけーればならない。
用意周到な金属合金ダイノードを付帯した電子増倍管は
、雰囲気に暴露されるときに、これらダイノードの２次
電子放出特性が悪影響を受ける点で、「窓なし」の応用
にとって満足なものではない。さらに、２次電子放出特
性での損失を補償するために動作電圧が増大されるとき
、用意周到なダイノード増倍管は、個々のダイノードか
ら、電界放出による所望されないバックグラウンド信号
（雑音）を呈示する。これらの理由から、チャネル電子
増倍管が「窓なし」検出が必要とされるときにしばしば
使用される。
、雰囲気に暴露されるときに、これらダイノードの２次
電子放出特性が悪影響を受ける点で、「窓なし」の応用
にとって満足なものではない。さらに、２次電子放出特
性での損失を補償するために動作電圧が増大されるとき
、用意周到なダイノード増倍管は、個々のダイノードか
ら、電界放出による所望されないバックグラウンド信号
（雑音）を呈示する。これらの理由から、チャネル電子
増倍管が「窓なし」検出が必要とされるときにしばしば
使用される。
グッドリッチらによる米国特許第３．１２８ ４０８号
では、おそらくシリカに富んでいるそしてそれゆえに良
好な２次電子放出体である内部の半導体ダイノード面層
と一緒に、まっすぐな軸線を有する滑らかなガラス管を
備えたチャネル増゛倍管装置が開示される。内部半導体
ダイノード面の「連続」性により、外来の電界放出また
は雑音にたいして感応度が小さく、そしてその２次電子
放出特性に悪影響を与えることなく、雰囲気に暴露する
ことが可能である。
では、おそらくシリカに富んでいるそしてそれゆえに良
好な２次電子放出体である内部の半導体ダイノード面層
と一緒に、まっすぐな軸線を有する滑らかなガラス管を
備えたチャネル増゛倍管装置が開示される。内部半導体
ダイノード面の「連続」性により、外来の電界放出また
は雑音にたいして感応度が小さく、そしてその２次電子
放出特性に悪影響を与えることなく、雰囲気に暴露する
ことが可能である。
滑らかなガラス管チャネルの電子増倍管は、比較的大き
な負の抵抗温度係数（ＴＣＲ．ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ
ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆ ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ
）と小さな熱伝導性を有する。かくして、これら電子
増倍管は「熱暴走」として知られる状態の発生を回避す
るために、ダイノード抵抗が比較的大きくなければなら
ない。熱暴走とは、ガラスチャネル電子増倍管の熱伝導
性が低いため、ダイノードの抵抗性熱がダイノードから
適宜に伝導されずダイノード温度は連続的に増加して、
これがさらにダイノードの抵抗の減少を生ぜしめついに
は壊滅的な過熱状態が生じている状態である。
な負の抵抗温度係数（ＴＣＲ．ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ
ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆ ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ
）と小さな熱伝導性を有する。かくして、これら電子
増倍管は「熱暴走」として知られる状態の発生を回避す
るために、ダイノード抵抗が比較的大きくなければなら
ない。熱暴走とは、ガラスチャネル電子増倍管の熱伝導
性が低いため、ダイノードの抵抗性熱がダイノードから
適宜に伝導されずダイノード温度は連続的に増加して、
これがさらにダイノードの抵抗の減少を生ぜしめついに
は壊滅的な過熱状態が生じている状態である。
この問題を回避するために、チャネル電子増倍管はダイ
ノード抵抗を比較的高くして製造される。装置が上昇し
た周囲温度で動作可能であるためには、ダイノード抵抗
はいきおい高くされなければならない。その結果、ダイ
ノード偏移電流は（用意周到なダイノード増倍管と比較
して）低い値に制限されそしてその最大信号もまたこれ
に応じて制限されてしまう。その結果、チャネル増倍管
は高い信号レベルで頻繁に飽和しかくして直線性検出器
として振る舞わない。動作電圧がダイノードを横切って
印加されるに応じて、ダイノードの抵抗性加熱が生ずる
ことが理解されよう。負の抵抗温度係数のために、より
大きな電力がダイノードで浪費され、これがより大きな
抵抗性加熱を招きダイノード抵抗がさらに減少する。
ノード抵抗を比較的高くして製造される。装置が上昇し
た周囲温度で動作可能であるためには、ダイノード抵抗
はいきおい高くされなければならない。その結果、ダイ
ノード偏移電流は（用意周到なダイノード増倍管と比較
して）低い値に制限されそしてその最大信号もまたこれ
に応じて制限されてしまう。その結果、チャネル増倍管
は高い信号レベルで頻繁に飽和しかくして直線性検出器
として振る舞わない。動作電圧がダイノードを横切って
印加されるに応じて、ダイノードの抵抗性加熱が生ずる
ことが理解されよう。負の抵抗温度係数のために、より
大きな電力がダイノードで浪費され、これがより大きな
抵抗性加熱を招きダイノード抵抗がさらに減少する。
標準的なガラス管チャネル増倍管の欠陥を軽減する努力
において、セラミック支持体から形成されるチャネル増
倍管が開発されている。このような装置がエル、ジー、
ヴオルグファング（Ｌ．Ｇ．Ｗｏｌｇｆａｎｇ）による
米国特許第３， ２２４， ９２７号、エイ、ヴイー、
フライオリ（ Ａ． Ｖ． Ｆｒａｉｏｌｉ ）による
米国特許第 ４， ０９５， １３２号およびトヨダ（
Ｔｏｙｏｄａ）による米国特許第３， ６１２， ９
４６号に例示されている。
において、セラミック支持体から形成されるチャネル増
倍管が開発されている。このような装置がエル、ジー、
ヴオルグファング（Ｌ．Ｇ．Ｗｏｌｇｆａｎｇ）による
米国特許第３， ２２４， ９２７号、エイ、ヴイー、
フライオリ（ Ａ． Ｖ． Ｆｒａｉｏｌｉ ）による
米国特許第 ４， ０９５， １３２号およびトヨダ（
Ｔｏｙｏｄａ）による米国特許第３， ６１２， ９
４６号に例示されている。
米国特許第３， ２２４， ４２７号および第４， ０
９５， １３７号に図示および説明せられているように
、電子増倍管は、セラミック材料の２つの部分から形成
され、通路またはコンジットは２つのセラミック部分の
少なくとも一つの内面に切り込まれる細長い管である。
９５， １３７号に図示および説明せられているように
、電子増倍管は、セラミック材料の２つの部分から形成
され、通路またはコンジットは２つのセラミック部分の
少なくとも一つの内面に切り込まれる細長い管である。
このようなチャネルはフライオリによる米国特許に図示
されるように湾曲されるかまたはヴオルフガングによる
米国特許に図示されるように波状とされるが、それぞれ
、２次元形態に制限されかくして電子／壁衝突の機会が
ごく制限されたものとなる。
されるように湾曲されるかまたはヴオルフガングによる
米国特許に図示されるように波状とされるが、それぞれ
、２次元形態に制限されかくして電子／壁衝突の機会が
ごく制限されたものとなる。
米国特許第３，６１２，９４６号では、半導電性セラミ
ック材料がボディおよびこれに包含される通路のための
ダイノード面に供される。この装置が効率の良いチャネ
ル電子増倍管として機能するためには、その通路の長手
軸線の方向は、セラミック材料を通る電流の方向と平行
であることが肝要であり、このような電流は、動作に必
要とされる電気的ポテンシャルの適用から生ずる。
ック材料がボディおよびこれに包含される通路のための
ダイノード面に供される。この装置が効率の良いチャネ
ル電子増倍管として機能するためには、その通路の長手
軸線の方向は、セラミック材料を通る電流の方向と平行
であることが肝要であり、このような電流は、動作に必
要とされる電気的ポテンシャルの適用から生ずる。
本発明は、ガラス管タイプのチャネル増倍管および用意
周到なダイノード増倍管の利益ある動作を組み合わせそ
して従来知られていない製造の容易さおよび堅牢さを付
加する点で、上記の従来技術によるチャネル増倍管の改
良に向けられるものである。
周到なダイノード増倍管の利益ある動作を組み合わせそ
して従来知られていない製造の容易さおよび堅牢さを付
加する点で、上記の従来技術によるチャネル増倍管の改
良に向けられるものである。
［発明が解決しようとする課題］
したがって、本発明の目的は、できるだけ最小限のバッ
クグラウンド雑音で高い利得を有するチャネル電子増倍
管を提供することである。
クグラウンド雑音で高い利得を有するチャネル電子増倍
管を提供することである。
本発明の他の目的は、熱の効率よい放散のために一体セ
ラミックボデイから形成されるチャネル増倍管を提供す
ることである。
ラミックボデイから形成されるチャネル増倍管を提供す
ることである。
本発明のさらに他の目的は、良好な２次電子放出特性を
有する半導電性材料から形成されるダイノード層を有す
るチャネル増倍管を提供することである。
有する半導電性材料から形成されるダイノード層を有す
るチャネル増倍管を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、電子／壁衝突が最適化され
コンパクトな形態でより長いチャネルが提供されるよう
、３次元の通路を持ったチャネル増倍管を提供すること
である。
コンパクトな形態でより長いチャネルが提供されるよう
、３次元の通路を持ったチャネル増倍管を提供すること
である。
本発明のさらに他の目的は、３次元の通路を持ったチャ
ネル増倍管を製造する方法を提供することである。
ネル増倍管を製造する方法を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、堅牢で製造が簡単なチャネ
ル増倍管を提供することである。
ル増倍管を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、電気的リード線、装着ブラ
ケット、アパーチャプレートおよび同様物の絶縁支持体
にも供されるチャネル増倍管を提供することである。
ケット、アパーチャプレートおよび同様物の絶縁支持体
にも供されるチャネル増倍管を提供することである。
本発明の上記目的およびその他の目的および利益は、添
付の図面を参照しつつ、以下の具体例の叙述からより明
瞭となろう。しかし図は単なる例示のためのものであり
、本発明を制限するものでないことを理解されたい。
付の図面を参照しつつ、以下の具体例の叙述からより明
瞭となろう。しかし図は単なる例示のためのものであり
、本発明を制限するものでないことを理解されたい。
［好ましい例の説明］
図面を参照しつつ本発明の例を説明する。なお各図面を
通じて、同様の部材には同様の参照番号が付されている
。
通じて、同様の部材には同様の参照番号が付されている
。
第１図および第３図を参照すると、本発明に従って構成
されたチャネル増倍管が参照番号１０に図示されている
。チャネル増倍管は電気的に絶縁性のセラミック材料か
ら構成される。上述の特許第３， ２２４， ９２７号
および第４，０９５， １３２号で説示されるようなチ
ャネル通路の突き合わせおよび継ぎ合わせの問題は、一
体ボディにより除去される。
されたチャネル増倍管が参照番号１０に図示されている
。チャネル増倍管は電気的に絶縁性のセラミック材料か
ら構成される。上述の特許第３， ２２４， ９２７号
および第４，０９５， １３２号で説示されるようなチ
ャネル通路の突き合わせおよび継ぎ合わせの問題は、一
体ボディにより除去される。
第１図および第３図に図示される例では、チャネル増倍
管の一体ボディ１２は形状が円柱状である。以下で説明
されるように、該ボディの一端部には中空の通路すなわ
ちチャネルｌ６へと展開する円錐形または漏斗形状の通
路すなわち入口１４が提供される。チャネルｌ６は好ま
しくは３次元とされそしてチャネル増倍管１０のボディ
１２を連通する内部の一つまたはそれ以上の巻きを有す
ることが可能でありそして円柱形状のボディの入口ｌ４
とは反対側の端部１８の出口でチャネル電子増倍管１０
を退出する。チャネルの通路は、「イオンのフィードバ
ック」により生ずる不安定性を回避するため、増倍管利
得が約Ｉ Ｘ １０−’よりも大きい応用では、湾曲さ
れねばならないこともまた理解されよう。
管の一体ボディ１２は形状が円柱状である。以下で説明
されるように、該ボディの一端部には中空の通路すなわ
ちチャネルｌ６へと展開する円錐形または漏斗形状の通
路すなわち入口１４が提供される。チャネルｌ６は好ま
しくは３次元とされそしてチャネル増倍管１０のボディ
１２を連通する内部の一つまたはそれ以上の巻きを有す
ることが可能でありそして円柱形状のボディの入口ｌ４
とは反対側の端部１８の出口でチャネル電子増倍管１０
を退出する。チャネルの通路は、「イオンのフィードバ
ック」により生ずる不安定性を回避するため、増倍管利
得が約Ｉ Ｘ １０−’よりも大きい応用では、湾曲さ
れねばならないこともまた理解されよう。
漏斗形状の入口１４および中空の通路１６の面２０は、
良好な２次電子放出特性を有する半導電性材料が被着さ
れる。この被着物は以下でダイノード層として説明され
る。
良好な２次電子放出特性を有する半導電性材料が被着さ
れる。この被着物は以下でダイノード層として説明され
る。
第３図は、入力鍔部材４４がセラミックボディｌ２に密
着して押圧されそして入口１４との電気的接触が行なわ
れるのに使用される第１図の修正タイプのものである。
着して押圧されそして入口１４との電気的接触が行なわ
れるのに使用される第１図の修正タイプのものである。
出力のフランジ部材４６もまたセラミックボディ１２に
押圧されそして信号陽極４８を位置決めしそしてこれを
保持しそして出口１８と電気的接触を行なうのにも使用
される。
押圧されそして信号陽極４８を位置決めしそしてこれを
保持しそして出口１８と電気的接触を行なうのにも使用
される。
第２図を参照すると、図示の例は、自由形態チャネル増
倍管として説明可能である。この例では、増倍管１０は
、拡張された漏斗形状の頭部２４を有するほぼ管状の湾
曲ボディ２２から構成される。通路２６が湾曲ボディ２
２を通じて提供されそして漏斗形状の入口通路２８と連
通ずる。
倍管として説明可能である。この例では、増倍管１０は
、拡張された漏斗形状の頭部２４を有するほぼ管状の湾
曲ボディ２２から構成される。通路２６が湾曲ボディ２
２を通じて提供されそして漏斗形状の入口通路２８と連
通ずる。
第２図の通路２６は、通路２６が１巻きよりも少ない２
次元通路から構成される点で、第１図の通路１６と異な
ることが理解されよう。第１図の例は、容積またぱ個装
上の問題を考慮すると、第２図の例よりも好ましいもの
であろうと考えられる。第１図および第３図の例と同様
に、通路２６および入口通路２８の面３０にはダイノー
ド層が被着される。
次元通路から構成される点で、第１図の通路１６と異な
ることが理解されよう。第１図の例は、容積またぱ個装
上の問題を考慮すると、第２図の例よりも好ましいもの
であろうと考えられる。第１図および第３図の例と同様
に、通路２６および入口通路２８の面３０にはダイノー
ド層が被着される。
第４図は、チャネル増倍管１０は第１図および第３図に
図示されるものと同様の内部形態を有するが、ボディ３
２は円柱形状でない点で、異なる外部形態を有する。本
発明のチャネル増倍管を製造する方法に関連して以下に
説明される理由により、所望される任意の形状の大抵の
ものが増倍管に適用可能である。
図示されるものと同様の内部形態を有するが、ボディ３
２は円柱形状でない点で、異なる外部形態を有する。本
発明のチャネル増倍管を製造する方法に関連して以下に
説明される理由により、所望される任意の形状の大抵の
ものが増倍管に適用可能である。
ここで第５図および第６図を参照すると、内部の複数の
中空の通路またはチャネルを使用する本発明の代替え例
が総括的に参照番号６０で図示されている。チャネル電
子増倍管６０は、セラミック材料の単一または一体ポデ
ィ６２と一体ボデイ６２の前方面および後方面６６、６
８を相互に連絡する複数の中空の通路６４とから構成さ
れる。
中空の通路またはチャネルを使用する本発明の代替え例
が総括的に参照番号６０で図示されている。チャネル電
子増倍管６０は、セラミック材料の単一または一体ポデ
ィ６２と一体ボデイ６２の前方面および後方面６６、６
８を相互に連絡する複数の中空の通路６４とから構成さ
れる。
通路６４は直線状でもよいし、２次元で湾曲されてもよ
いし、または３次元で湾曲されてもよいことが理解され
よう。好ましくは、前方面および後方面６６、６８は、
それらを金属化することにより導電性を与えられ、ダイ
ノード層が通路に被着される。
いし、または３次元で湾曲されてもよいことが理解され
よう。好ましくは、前方面および後方面６６、６８は、
それらを金属化することにより導電性を与えられ、ダイ
ノード層が通路に被着される。
本発明の増倍管の一体セラミックボデイは、アルミナ、
へりリア、ムライト、ステアタイトまたは同様物のよう
な種々の異なる材料から製造可能である。選択される材
料は、化学的、機械的さらに熱的にダイノード層材料と
相溶性とすべきである。それは、大きな絶縁耐力を有し
そして電気的絶縁物として振る舞うべきである。
へりリア、ムライト、ステアタイトまたは同様物のよう
な種々の異なる材料から製造可能である。選択される材
料は、化学的、機械的さらに熱的にダイノード層材料と
相溶性とすべきである。それは、大きな絶縁耐力を有し
そして電気的絶縁物として振る舞うべきである。
本発明で使用されるダイノード層は種々の種類のいずれ
でもよい。たとえば、第１の種類のダイノード層は、従
来のチャネル増倍管の製造で使用されると同様の総括族
のガラスから構成される。
でもよい。たとえば、第１の種類のダイノード層は、従
来のチャネル増倍管の製造で使用されると同様の総括族
のガラスから構成される。
内側通路壁に適当に被着され、導電性が与えられ、そし
て導電材料で適宜終端されると、それは従来のチャネル
増倍管として機能しよう。２次電子放出特性を与える別
の材料もまた使用可能である。
て導電材料で適宜終端されると、それは従来のチャネル
増倍管として機能しよう。２次電子放出特性を与える別
の材料もまた使用可能である。
本発明の増倍管のセラミックボディは、「セラミック」
技術を使用して製造される。
技術を使用して製造される。
一般に、内部に提供される所望の通路の形態のプレフォ
ームがアルミナのようなセラミック材料で囲包されそし
て高圧力で押圧される。
ームがアルミナのようなセラミック材料で囲包されそし
て高圧力で押圧される。
プレフォームを包含するボディが押圧された後に、それ
は、焼成および焼結のような標準のセラミック技術を使
用して処理される。プレフォームは、高温度処理動作中
に、溶融または消散し、それにより、プレフォームと同
様の形態の通路が残される。
は、焼成および焼結のような標準のセラミック技術を使
用して処理される。プレフォームは、高温度処理動作中
に、溶融または消散し、それにより、プレフォームと同
様の形態の通路が残される。
賦形に続いて、ボディは、先に消散されたプレフォーム
の形状の内部の中空の通路を包含する硬質の稠密なボデ
ィが形成されるよう焼結される。
の形状の内部の中空の通路を包含する硬質の稠密なボデ
ィが形成されるよう焼結される。
冷却の後、中空通路の面は、本出願で先に説明されたよ
うなダイノード材料が知られている技術により被着可能
である。
うなダイノード材料が知られている技術により被着可能
である。
ひとたび、通路がダイノード材料で被着され、開口端部
および出力端部が金属化されると、ボディは、入力鍔部
材またはフランジ３５、セラミックのスペーサ環部材３
４、その内面に光電子放出層を有する透過性のフェース
プレート３６、出力フランジ３８および信号陽極４２が
装着されたセラミック封止部材４０のような第４図に図
示される種々の電気的接続部材および支持接続部材に適
合可能である。装置は、第４図に図示されるような形態
では、光電管真空外囲器電子増倍管として機能する。
および出力端部が金属化されると、ボディは、入力鍔部
材またはフランジ３５、セラミックのスペーサ環部材３
４、その内面に光電子放出層を有する透過性のフェース
プレート３６、出力フランジ３８および信号陽極４２が
装着されたセラミック封止部材４０のような第４図に図
示される種々の電気的接続部材および支持接続部材に適
合可能である。装置は、第４図に図示されるような形態
では、光電管真空外囲器電子増倍管として機能する。
好ましい例が図示されそして説明されたけれども、本発
明の技術思想から逸脱することなく種々の修正および置
換が可能である。それゆえ、本発明は、例示として説明
されたものでありこれに制限されるものではないことを
理解されたい。
明の技術思想から逸脱することなく種々の修正および置
換が可能である。それゆえ、本発明は、例示として説明
されたものでありこれに制限されるものではないことを
理解されたい。
第１図は本発明によるチャネル電子増倍管の斜視図であ
る。 第２図は、本発明による一例の斜視図である。 第３図は、追加の支持体およびその上の電子部品を付帯
して、第１図の線３−３に沿って得られる断面図である
。 第４図は、本発明によるチャネル電子増倍管の修正型の
ものの第３図と同様の断面図である。 第５図は、本発明による別のチャネル電子増倍管の斜視
図である。 第６図は、第５図の線６−６に沿う正断面図である。 図中の各参照番号が示す主な名称を以下に挙げる。 １０ チャネル増倍管 １２ 一体（セラミック）ポディ １４ 人口 １ ６ ３ ４ ３ ５ ３ ６ ３ ８ ４ ０ ４ ２ ４ ４ ４ ６ ４ ８ 中空の通路（チャネル） スベーサ環部材 入力鍔部材またはフランジ 透過性のフェースプレート 出力フランジ セラミック封止部材 信号陽極 入力鍔部材 フランジ部材 陽極 ＦＩＧ，３ ＦＩＧ，４ ＦＩＧ，６
る。 第２図は、本発明による一例の斜視図である。 第３図は、追加の支持体およびその上の電子部品を付帯
して、第１図の線３−３に沿って得られる断面図である
。 第４図は、本発明によるチャネル電子増倍管の修正型の
ものの第３図と同様の断面図である。 第５図は、本発明による別のチャネル電子増倍管の斜視
図である。 第６図は、第５図の線６−６に沿う正断面図である。 図中の各参照番号が示す主な名称を以下に挙げる。 １０ チャネル増倍管 １２ 一体（セラミック）ポディ １４ 人口 １ ６ ３ ４ ３ ５ ３ ６ ３ ８ ４ ０ ４ ２ ４ ４ ４ ６ ４ ８ 中空の通路（チャネル） スベーサ環部材 入力鍔部材またはフランジ 透過性のフェースプレート 出力フランジ セラミック封止部材 信号陽極 入力鍔部材 フランジ部材 陽極 ＦＩＧ，３ ＦＩＧ，４ ＦＩＧ，６
Claims (12)
- （１）Ａ、電気絶縁性のセラミックボディと、該ボディ
の少くとも一つの入口と、該ボディの少くとも一つの出
口と、各対の入口と出口間で該ボディを延長する少くと
も一つの中空の通路とを備え、該中空の通路の壁は２次
電子放出性のダイノード材料を包含する電子増倍管と、 Ｂ、透過性フェースプレートと光電子放出性要素とその
ための支持手段とを有する光電陰極アッセンブリと、 Ｃ、前記光電陰極アッセンブリを前記絶縁性ボディへ封
止する手段であってそれにより該光電子放出性要素が前
記入口で前記通路の内部の領域へ連続する当該手段と、 Ｄ、陽極と、出力信号結合手段と、該陽極のための支持
手段とを備える陽極アッセンブリと、Ｅ、前記陽極アッ
センブリを前記絶縁性ボ ディへ封止する手段であってそれにより前記陽極が前記
出口で前記通路の内部の領域へ連続する当該手段とを具
備し、 前記通路と、前記光電陰極アッセンブリと、前記陽極ア
ッセンブリとが前記光電子放出性要素と前記通路の壁と
前記陽極とを包含する閉じた領域を画然しそして該閉領
域はほぼ真空排気されている光電子増倍管。 - （２）前記中空の通路は少くとも一つの巻きを有する特
許請求の範囲第１項記載の光電子増倍管。 - （３）前記通路は前記ボディにて２次元の曲線を形成す
る特許請求の範囲第１項記載の光電子増倍管。 - （４）前記通路は前記ボディにて３次元の曲線を形成す
る特許請求の範囲第３項記載の光電子増倍管。 - （５）前記３次元曲線は螺旋または渦巻曲線である特許
請求の範囲第４項記載の光電子増倍管。 - （６）前記入口は漏斗形状部分を備える特許請求の範囲
第１項記載の光電子増倍管。 - （７）前記ダイノード材料導電性面を有するガラスであ
る特許請求の範囲第１項記載の光電子増倍管。 - （８）前記通路は継ぎ目なしである特許請求の範囲第１
項記載の光電子増倍管。 - （９）前記絶縁性ボディは一体である特許請求の範囲第
１項記載の光電子増倍管。 - （１０）前記光電子放出性要素は、前記フェースプレー
トの一面の光電子放出層である特許請求の範囲第１項記
載の光電子増倍管。 - （１１）前記光電子放出性要素と前記入口との間にダイ
ノードを備えた特許請求の範囲第１項記載の光電子増倍
管。 - （１２）前記通路の壁は、前記ボディ部材の側面につい
て非平行である特許請求の範囲第１項記載の光電子増倍
管。
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| US5097173A (en) * | 1986-11-19 | 1992-03-17 | K And M Electronics, Inc. | Channel electron multiplier phototube |
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| US5148461A (en) * | 1988-01-06 | 1992-09-15 | Jupiter Toy Co. | Circuits responsive to and controlling charged particles |
| JPH0251840A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-21 | Murata Mfg Co Ltd | ２次電子増倍装置 |
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| US8921799B2 (en) | 2011-01-21 | 2014-12-30 | Uchicago Argonne, Llc | Tunable resistance coatings |
| US11326255B2 (en) | 2013-02-07 | 2022-05-10 | Uchicago Argonne, Llc | ALD reactor for coating porous substrates |
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| JP6734738B2 (ja) | 2016-08-31 | 2020-08-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍体、及び、光電子増倍管 |
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| US12065738B2 (en) | 2021-10-22 | 2024-08-20 | Uchicago Argonne, Llc | Method of making thin films of sodium fluorides and their derivatives by ALD |
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-
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-
1987
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