JPH03204887A - シリコーン系桂皮酸誘導体の製造方法 - Google Patents
シリコーン系桂皮酸誘導体の製造方法Info
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- JPH03204887A JPH03204887A JP1343836A JP34383689A JPH03204887A JP H03204887 A JPH03204887 A JP H03204887A JP 1343836 A JP1343836 A JP 1343836A JP 34383689 A JP34383689 A JP 34383689A JP H03204887 A JPH03204887 A JP H03204887A
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- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規なシリコーン系桂皮酸誘導体の製造方法に
関する。さらに、詳しくはシリコーン油に溶解し、耐水
および耐油性に優れ、かっUVB領域の波長の紫外線吸
収特性を有する新規なシリコーン系桂皮酸誘導体の製造
方法に関する。
関する。さらに、詳しくはシリコーン油に溶解し、耐水
および耐油性に優れ、かっUVB領域の波長の紫外線吸
収特性を有する新規なシリコーン系桂皮酸誘導体の製造
方法に関する。
紫外線はさまざまな変化を皮膚にもたらすことが知られ
ている。皮膚科学的には作用波長を400〜320nm
の長波長紫外線、320−290nmの中波長紫外線お
よび290nm以下の短波長紫外線に分類し、夫々UV
−A、UV−BおよびUV−Cと呼んでいる。
ている。皮膚科学的には作用波長を400〜320nm
の長波長紫外線、320−290nmの中波長紫外線お
よび290nm以下の短波長紫外線に分類し、夫々UV
−A、UV−BおよびUV−Cと呼んでいる。
通常、人間が暴露される紫外線の大部分は太陽光線であ
るが、地上に届(紫外線はUV−AおよびUV−B、U
V−Cはオゾン層において吸収されて地上には殆ど達し
ない。地上にまで達する紫外線のなかでUV−Bは、あ
る一定量以上の光量が皮膚に照射されると紅斑や水庖を
形成し、またメラニン形成が亢進され、色素沈着を生ず
る等の変化をもたらす。
るが、地上に届(紫外線はUV−AおよびUV−B、U
V−Cはオゾン層において吸収されて地上には殆ど達し
ない。地上にまで達する紫外線のなかでUV−Bは、あ
る一定量以上の光量が皮膚に照射されると紅斑や水庖を
形成し、またメラニン形成が亢進され、色素沈着を生ず
る等の変化をもたらす。
従って、UV−Bから皮膚を保護することは皮膚の老化
促進を予防し、シミ、ソバカスの発生や増悪を防ぐ意味
において極めて重要であり、これ;): テニ種々のU
V−B吸収剤が開発されてきた。
促進を予防し、シミ、ソバカスの発生や増悪を防ぐ意味
において極めて重要であり、これ;): テニ種々のU
V−B吸収剤が開発されてきた。
既存のUV−B吸収剤としては、PABA誘導体、桂皮
酸誘導体、サリチル酸誘導体、カンファー誘導体、ウロ
カニン酸誘導体、ベンゾフェノン誘導体及び複素環誘導
体が知られている。
酸誘導体、サリチル酸誘導体、カンファー誘導体、ウロ
カニン酸誘導体、ベンゾフェノン誘導体及び複素環誘導
体が知られている。
一方、紫外線吸収能をもつシリコーンの特許として、特
公昭44−29866、特開昭60−58991および
特開昭60−108431がみられる。しかしながら、
これらの化学構造は無置換の桂皮酸を基本骨格とするも
のであり、シリコーン油中ではUV−C側に吸収極大波
長を持ちUV−B領域には殆ど吸収を有しない。
公昭44−29866、特開昭60−58991および
特開昭60−108431がみられる。しかしながら、
これらの化学構造は無置換の桂皮酸を基本骨格とするも
のであり、シリコーン油中ではUV−C側に吸収極大波
長を持ちUV−B領域には殆ど吸収を有しない。
かかる事情から、シリコーン油に溶解し、耐水及び耐油
性に優れ、かつUV−B領域の波長を十分に防御する紫
外線吸収剤の開発が強く望まれていた。
性に優れ、かつUV−B領域の波長を十分に防御する紫
外線吸収剤の開発が強く望まれていた。
本発明者らは、シリコーン油に溶解し、耐水及び耐油性
に優れかつ適切なUV−B波長領域を有する紫外線吸収
剤を得ることを目的に鋭意研究した結果、本発明に係る
シリコーン系桂皮酸誘導体が上述の性質を満足する化合
物であることを見い出し特許出願した。
に優れかつ適切なUV−B波長領域を有する紫外線吸収
剤を得ることを目的に鋭意研究した結果、本発明に係る
シリコーン系桂皮酸誘導体が上述の性質を満足する化合
物であることを見い出し特許出願した。
われわれが先きに出願した特願昭63−168838号
明細書ではシリコーン系桂皮酸誘導体は紫外線吸収剤お
よび皮膚外用剤として有用であり、分子中に二重結合を
有する桂皮酸誘導体と分子中にケイ素と結合した水素原
子をもつシロキサンとのヒドロシリル化反応により合成
され得るものである。
明細書ではシリコーン系桂皮酸誘導体は紫外線吸収剤お
よび皮膚外用剤として有用であり、分子中に二重結合を
有する桂皮酸誘導体と分子中にケイ素と結合した水素原
子をもつシロキサンとのヒドロシリル化反応により合成
され得るものである。
この際塩化白金酸等の白金触媒を用いる。
上記塩化白金酸を用いるヒドロシリル化反応では反応収
率及び精製の点で必ずしも満足できるものではなかった
。
率及び精製の点で必ずしも満足できるものではなかった
。
本発明者らは上記事情に鑑み鋭意検討した結果桂皮酸塩
と分子中にクロル基を有するシロキサンとの脱食塩法に
より容易に目的化合物を合成し得る方法を見出し、本発
明を完成するに至った。
と分子中にクロル基を有するシロキサンとの脱食塩法に
より容易に目的化合物を合成し得る方法を見出し、本発
明を完成するに至った。
本発明は、一般式(I)
(式中、Xはアルコキシ基、aは2または3の整数、M
はナトリウムまたはカリウムである) で表される化合物と 一般式(If) R’n O、s−6,、tx 5i−R2C1−(II)〔式
中、R1は炭素数それぞれ同種又は異種の1〜4のアル
キル基又はフェニル基又はトリメチルシロキシ基、R2
は少なくとも1個の炭素原子を有する二価の炭化水素基
(複素原子0を有するものを含む)、nは0〜3の整数
である〕 で表される化合物とを反応させることからなる一般式(
III) 〔式中、Xはアルコキシ基、aは2または3の整数、R
1は炭素数それぞれ同種又は異種の1〜4のアルキル基
又はフェニル基又はトリメチルシロキシ基、R2は少な
くとも1個の炭素原子を有する二価の炭化水素基(複素
原子Oを有するものを含む)、nは0〜3の整数である
〕 であられされる単位を少なくとも1個もつオルガノポリ
シロキサン類の製造方法に関する。
はナトリウムまたはカリウムである) で表される化合物と 一般式(If) R’n O、s−6,、tx 5i−R2C1−(II)〔式
中、R1は炭素数それぞれ同種又は異種の1〜4のアル
キル基又はフェニル基又はトリメチルシロキシ基、R2
は少なくとも1個の炭素原子を有する二価の炭化水素基
(複素原子0を有するものを含む)、nは0〜3の整数
である〕 で表される化合物とを反応させることからなる一般式(
III) 〔式中、Xはアルコキシ基、aは2または3の整数、R
1は炭素数それぞれ同種又は異種の1〜4のアルキル基
又はフェニル基又はトリメチルシロキシ基、R2は少な
くとも1個の炭素原子を有する二価の炭化水素基(複素
原子Oを有するものを含む)、nは0〜3の整数である
〕 であられされる単位を少なくとも1個もつオルガノポリ
シロキサン類の製造方法に関する。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明で製造されるシリコーン系桂皮酸誘導体は一般式
(III)で表されるものである。(式中R1等につい
ては後述の式(I)(II)と同様である。) 本発明に使用される一般式(I)の化合物において、式
中に定義したXの例としては、例えばメトキシ基、ニド
キシ基、イソプロポキシ基等があげられる。いずれもシ
リコーン系基剤に対する溶解性かつUV−B吸収波長に
顕著な差はないが、試薬の入手し易さ等から特にメトキ
シ基が好ましい。aはXの置換数を表す。
(III)で表されるものである。(式中R1等につい
ては後述の式(I)(II)と同様である。) 本発明に使用される一般式(I)の化合物において、式
中に定義したXの例としては、例えばメトキシ基、ニド
キシ基、イソプロポキシ基等があげられる。いずれもシ
リコーン系基剤に対する溶解性かつUV−B吸収波長に
顕著な差はないが、試薬の入手し易さ等から特にメトキ
シ基が好ましい。aはXの置換数を表す。
一般式(n)においてR1の例としてはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブ
チル基、t−ブチル基、フェニル基、トリメチルシロキ
シ基等があげられるが、原料の入手しやすさ等の理由か
らメチル基又はその一部がフェニル基であること、又は
トリメチルシロキシ基であることが好ましい。nはR1
の置換数を表す。
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブ
チル基、t−ブチル基、フェニル基、トリメチルシロキ
シ基等があげられるが、原料の入手しやすさ等の理由か
らメチル基又はその一部がフェニル基であること、又は
トリメチルシロキシ基であることが好ましい。nはR1
の置換数を表す。
R2の例としては例えば、
CH2CH2−、−CH2CH2CI(g−、−CH2
CHCHIHs −C−CH2CHt−、−CH2CH2CH−、−CH
2CH2CH2CH2(CH3)z C
Ha CLCLOCLCL ヘキシレン、シクロヘキシレン、デシレン基等があげら
れるが、原料の入手しやすさおよび副反応が比較的少な
いこと等から−CH2CH2CH2−従って、 一般式(II)の例として例えば CI(CHz)、si(O3iMe3)2Me 。
CHCHIHs −C−CH2CHt−、−CH2CH2CH−、−CH
2CH2CH2CH2(CH3)z C
Ha CLCLOCLCL ヘキシレン、シクロヘキシレン、デシレン基等があげら
れるが、原料の入手しやすさおよび副反応が比較的少な
いこと等から−CH2CH2CH2−従って、 一般式(II)の例として例えば CI(CHz)、si(O3iMe3)2Me 。
C(CHz)、si(O3iMez)s 。
CICHtCH(Me)CHySi(O3!Mes)J
e 。
e 。
CICHtCHtCH(Me)Si(O3iMes)s
。
。
CICHtCH(Me)CH2S!(O3jlJe3)
3 。
3 。
CCHzCHxCH(Me) Si(O3iMe3)z
ptl 。
ptl 。
C(CHz)ssi(O3iMes)Je 。
C(CHt)<Si(O3iMes)2ph 。
等があげられる。
反応溶媒としては通常の非プロトン溶媒が使用できるが
、なかでもジメチルアミドおよびジメチルスルホキシド
が好ましく反応温度は高温でおこなうが、なかでも12
0〜130℃が良い。
、なかでもジメチルアミドおよびジメチルスルホキシド
が好ましく反応温度は高温でおこなうが、なかでも12
0〜130℃が良い。
脱食塩法の触媒としてはヨウ化ナトリウムが好ましい。
本発明に用いるシリコーン系桂皮酸誘導体は、目的に応
じて一般式(I)と一般式(IF)のシロキサン類を種
々選択することにより、性状は室温において液状のもの
から樹脂状の固体のものまで含まれる。
じて一般式(I)と一般式(IF)のシロキサン類を種
々選択することにより、性状は室温において液状のもの
から樹脂状の固体のものまで含まれる。
以下、実施例を示し本発明を詳しく詳述する。
合成例1
2.613gの3.4.5− トリメトキシ桂皮酸ナト
リウム塩を100−のトルエンに分散させ1時間還流処
理を行いナトリウム塩に存在する水を除去し、脱溶媒し
た。 100−のジメチルホルムアミド(DMF)と3
.015gの3−(3−クロロプロピル)ヘプタメチル
トリシロキサンを添加し、120℃、4時間加熱攪拌し
た。反応終了後、脱溶媒し、生成物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー(トルエンを溶媒として使用)によ
り単離し、オイル状の本発明のシリコーン系桂皮酸誘導
体3.261 g (65,1%)を得た。このものは
下記の分析値によって同定した。
リウム塩を100−のトルエンに分散させ1時間還流処
理を行いナトリウム塩に存在する水を除去し、脱溶媒し
た。 100−のジメチルホルムアミド(DMF)と3
.015gの3−(3−クロロプロピル)ヘプタメチル
トリシロキサンを添加し、120℃、4時間加熱攪拌し
た。反応終了後、脱溶媒し、生成物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー(トルエンを溶媒として使用)によ
り単離し、オイル状の本発明のシリコーン系桂皮酸誘導
体3.261 g (65,1%)を得た。このものは
下記の分析値によって同定した。
物質名
〔3−ビス(トリメチルシロキシ)メチルシリルプロピ
ル] −3,4,5−トリメトキシシンナメート (以下余白) + CI(CHt)asi(O3iMez)JeG
C−MS M+ 500 ’H−NMR(CDC13)、7.55(IH,d(J
・16,12Hz))。
ル] −3,4,5−トリメトキシシンナメート (以下余白) + CI(CHt)asi(O3iMez)JeG
C−MS M+ 500 ’H−NMR(CDC13)、7.55(IH,d(J
・16,12Hz))。
6.31(IH,d(J=15.63Hz))、6.7
0(2H,S)。
0(2H,S)。
4.11(2H,t)、3.82(9H,S)、 1
.69(2H,m)。
.69(2H,m)。
0.51(2H,t)、 0.06(18H,S)。
合成例2
2、625 gの3.4.5− トリメトキシ桂皮酸ナ
トリウム塩を100−のトルエンに分散させ1時間還流
処理を行いナトリウム塩に存在する水を除去し、脱溶媒
した。100−のDMFと3.732 gの3−クロロ
プロピルトリス(トリメチルシロキシ)シランを添加し
、120℃、4時間加熱攪拌した。反応終了後、脱溶媒
し、生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによ
り単離し、オイル状の本発明のシリコーン系桂皮酸誘導
体3.432 g (59,7%)を得た。このものは
下記の分析値によって同定した。
トリウム塩を100−のトルエンに分散させ1時間還流
処理を行いナトリウム塩に存在する水を除去し、脱溶媒
した。100−のDMFと3.732 gの3−クロロ
プロピルトリス(トリメチルシロキシ)シランを添加し
、120℃、4時間加熱攪拌した。反応終了後、脱溶媒
し、生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによ
り単離し、オイル状の本発明のシリコーン系桂皮酸誘導
体3.432 g (59,7%)を得た。このものは
下記の分析値によって同定した。
物質名
[3−トリス(トリメチルシロキシ)シリルプロピル]
−3,4,5−)リメトキシシンナメート+ C
1(CH2)3Si(O3iMes)saC1 (以下余白) GC−MS M”574 ’H−NMR(CDCIs)、7.61(IH,d(J
15.87Hz))。
−3,4,5−)リメトキシシンナメート+ C
1(CH2)3Si(O3iMes)saC1 (以下余白) GC−MS M”574 ’H−NMR(CDCIs)、7.61(IH,d(J
15.87Hz))。
6.36(IH,d(J=15.87Hz)) 、
6.77(2H,S) 。
6.77(2H,S) 。
4.17(2H,t)、3.90(9H,S)、1.7
4(2H,m)。
4(2H,m)。
o、53(2H,t)、0.13(18H,S)。
但し、化学シフトはCHCI sの水素(7,27pp
m )を標準とした。
m )を標準とした。
合成例3
2.613gの3.4.5−トリメトキシ桂皮酸ナトリ
ウム塩を100艷のトルエンに分散させ1時間還流処理
を行いナトリウム塩に存在する水を除去し、脱溶媒した
。100−のDMFと3.253 gの3−(3クロロ
2−メチルプロピル)へブタメチルトリシロキサンを添
加し、120℃、4時間加熱攪拌した。反応終了後、脱
溶媒し、生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
により単離し、オイル状の本発明のシリコーン系桂皮酸
誘導体3.259 g(63,4%)を得た。このもの
は下記の分析値によって同定した。
ウム塩を100艷のトルエンに分散させ1時間還流処理
を行いナトリウム塩に存在する水を除去し、脱溶媒した
。100−のDMFと3.253 gの3−(3クロロ
2−メチルプロピル)へブタメチルトリシロキサンを添
加し、120℃、4時間加熱攪拌した。反応終了後、脱
溶媒し、生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
により単離し、オイル状の本発明のシリコーン系桂皮酸
誘導体3.259 g(63,4%)を得た。このもの
は下記の分析値によって同定した。
物質名
〔3−ビス(トリメチルシロキシ)メチル−2−メチル
プロピル) −3,4,5−トリメトキシシンナメート 十 SiMes CICH2CHCH2SiMe CH30SiMe3 aC1 GC−MS M”514 ’H−NMR(CDCIs)、7.59(IH,d(J
=15.87To))。
プロピル) −3,4,5−トリメトキシシンナメート 十 SiMes CICH2CHCH2SiMe CH30SiMe3 aC1 GC−MS M”514 ’H−NMR(CDCIs)、7.59(IH,d(J
=15.87To))。
6.76(2H,S)、6.35(lH,d(J=15
.87Hz))。
.87Hz))。
4.06(IH,m)、3.94(1)1.m)、3.
88(9H,d)。
88(9H,d)。
2.20(IH,m)、 1.04(3H,d(J=
6.23Hz))。
6.23Hz))。
0.67(IH,dd)、0.41(18,dd)、0
.11(18H,S)。
.11(18H,S)。
0.07(3H,S)。
合成例4
2.613gの3.4.5− )リメトキシ桂皮酸ナト
リウム塩を合成例1と同様に処理した。触媒量のヨウ化
ナトリウムとともに100−のジメチルスルフオキシド
(DMSO)と6.523 gの3−(3−クロロ−1
−メチルプロピル)ヘプタメチルトリシロキサンを添加
し、118℃、2時間加熱攪拌した。
リウム塩を合成例1と同様に処理した。触媒量のヨウ化
ナトリウムとともに100−のジメチルスルフオキシド
(DMSO)と6.523 gの3−(3−クロロ−1
−メチルプロピル)ヘプタメチルトリシロキサンを添加
し、118℃、2時間加熱攪拌した。
反応終了後、脱溶媒し、生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより単離し、オイル状の本発明のシリ
コーン系桂皮酸誘導体3.660g (71,2%)を
得た。このものは下記の分析値によって同定した。
マトグラフィーにより単離し、オイル状の本発明のシリ
コーン系桂皮酸誘導体3.660g (71,2%)を
得た。このものは下記の分析値によって同定した。
物質名
〔3−ビス(トリメチルシロキシ)メチル−1−メチル
プロピル] −3,4,5−)リメトキシシンナメート SiMe3 GC−MS M”514 ’H−NMR(CDCl2) 、7.59(IH,d
(J=16.13Hz)) 。
プロピル] −3,4,5−)リメトキシシンナメート SiMe3 GC−MS M”514 ’H−NMR(CDCl2) 、7.59(IH,d
(J=16.13Hz)) 。
6.35(IH,d(J=15.77Hz)) 、
6.75(2H,S) 。
6.75(2H,S) 。
4.95(IH,Q) 、 3.86(9H,S)
、 1.65(2H,m) 。
、 1.65(2H,m) 。
1.29(3H,d(J=6.23Hz))、0.54
(28,m)。
(28,m)。
0.11(18H,S)、 0.09(3H,S)合
成例5 2.613gの3.4.5− トリメトキシ桂皮酸ナト
リウム塩を合成例1と同様に処理した。 100rdの
DMF 6.263 gの3−(4−クロロブチル)
ヘプタメチルトリシロキサンおよび触媒量のヨウ化ナト
リウムを添加し、110℃、2時間加熱攪拌した。反応
終了後、脱溶媒し、生成物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより単離し、オイル状の本発明のシリコー
ン系桂皮酸誘導体3.578g (69,6%)を得た
。このものは下記の分析値によって同定した。
成例5 2.613gの3.4.5− トリメトキシ桂皮酸ナト
リウム塩を合成例1と同様に処理した。 100rdの
DMF 6.263 gの3−(4−クロロブチル)
ヘプタメチルトリシロキサンおよび触媒量のヨウ化ナト
リウムを添加し、110℃、2時間加熱攪拌した。反応
終了後、脱溶媒し、生成物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより単離し、オイル状の本発明のシリコー
ン系桂皮酸誘導体3.578g (69,6%)を得た
。このものは下記の分析値によって同定した。
物質名
〔3−ビス(トリメチルシロキシ)メチルブチル) −
3,4,5−トリメトキシシンナメート(以下余白) + O3iMes C1(CHt)4siMe SiMe3 aC1 GC−MS M”514 ’H−NMR(CDCIs)、7.59(IH,d(J
・15.62Hz))。
3,4,5−トリメトキシシンナメート(以下余白) + O3iMes C1(CHt)4siMe SiMe3 aC1 GC−MS M”514 ’H−NMR(CDCIs)、7.59(IH,d(J
・15.62Hz))。
6.35(IN、d(J=16.11f(z))、6.
74(2)1.S)。
74(2)1.S)。
4.21(2H,t) 、 3.87(9H,S)
、 1.75(2H,m) 。
、 1.75(2H,m) 。
1.47(2H,m) 、 0.51(2H,m)
、 0.10(18H、S) 。
、 0.10(18H、S) 。
0.01(3H,S)。
合成例6
2、086 gの3,4−ジメトキシ桂皮酸ナトリウム
塩を合成例1と同様に処理した。触媒量のヨウ化ナトリ
ウムとともに100艷のDMSOと6.512gの3−
(3−クロロ−1−メチルプロピル)ヘプタメチルトリ
シロキサンを添加し、110℃、2時間加熱攪拌した。
塩を合成例1と同様に処理した。触媒量のヨウ化ナトリ
ウムとともに100艷のDMSOと6.512gの3−
(3−クロロ−1−メチルプロピル)ヘプタメチルトリ
シロキサンを添加し、110℃、2時間加熱攪拌した。
反応終了後、脱溶媒し、生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより単離し、オイル状の本発明のシリ
コーン系桂皮酸誘導体3.392 g (70,0%)
を得た。このものは下記の分析値によって同定した。
マトグラフィーにより単離し、オイル状の本発明のシリ
コーン系桂皮酸誘導体3.392 g (70,0%)
を得た。このものは下記の分析値によって同定した。
物質名
〔3−ビス(トリメチルシロキシ)メチルシリル−1−
メチルプロピル)−3,4−ジメトキシシンナメート SiMes GC−MS M”484 NMR(CDCl2)、7.63(IH,d(J・15
.62Hz))。
メチルプロピル)−3,4−ジメトキシシンナメート SiMes GC−MS M”484 NMR(CDCl2)、7.63(IH,d(J・15
.62Hz))。
6.32 1H,d(J=15.62H2))。
6.85 1H,d(J=8.30Hz))、7.05
(IH,S)。
(IH,S)。
7.10 1H,d(J=8.30Hz))、4.95
(IH,q)。
(IH,q)。
3.90 6H,S)、 1.65(2H,m)。
1.29 3H,d(J=6.83Hz))、0.54
(2H,m)。
(2H,m)。
0.11(181(、S)、0.09(31(、S)。
合成例7
2、085 gの3.4−ジメトキシ桂皮酸ナトリウム
塩を合成例1と同様に処理した。 100−のDMSO
6、523gの3−(3−クロロ−2−メチルプロピル
)ヘプタメチルトリシロキサンおよび触媒量のヨウ化ナ
トリウムを添加し、110℃、2時間加熱攪拌した。反
応終了後、脱溶媒し、生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにより単離し、オイル状の本発明のシリコ
ーン系桂皮酸誘導体3、538 g (73,0%)を
得た。
塩を合成例1と同様に処理した。 100−のDMSO
6、523gの3−(3−クロロ−2−メチルプロピル
)ヘプタメチルトリシロキサンおよび触媒量のヨウ化ナ
トリウムを添加し、110℃、2時間加熱攪拌した。反
応終了後、脱溶媒し、生成物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにより単離し、オイル状の本発明のシリコ
ーン系桂皮酸誘導体3、538 g (73,0%)を
得た。
物質名
[3−ビス(トリメチルシロキシ)メチルシリル−2−
メチルプロピル]−3,4−ジメトキシシンナメート + SiMea CICHtCHCHxSiMe lJ6 0SiMez NaCI GC−MS M”484 ’H−NMR,7,63(IH,d(J=15.62H
z))。
メチルプロピル]−3,4−ジメトキシシンナメート + SiMea CICHtCHCHxSiMe lJ6 0SiMez NaCI GC−MS M”484 ’H−NMR,7,63(IH,d(J=15.62H
z))。
6.32(IH,d(J=15.62Hz))。
6.85(IH,d(J=8.30Hz)) 、
7.05(IH,S) 。
7.05(IH,S) 。
7.10(IH,d(J=8.30Hz))、4.06
(IH,m)。
(IH,m)。
3.94(IH,m)、3.88(98,d)、2.2
0(IH,m)。
0(IH,m)。
1.04(3H,d(J=6.23Hz))、0.67
(IH,dd)。
(IH,dd)。
0.41(IH,dd) 、 0.11(18H,
S) 、 0.07(3H,S)。
S) 、 0.07(3H,S)。
Claims (1)
- (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・( I
) (式中、Xはアルコキシ基、aは2または3の整数、M
はナトリウムまたはカリウムである) で表される化合物と 一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^1はそれぞれ同種又は異種の炭素数1〜4
のアルキル基又はフェニル基又はトリメチルシロキシ基
、R^2は少なくとも1個の炭素原子を有する二価の炭
化水素基(複素原子Oを有するものを含む)、nは0〜
3の整数である〕 で表される化合物とを反応させることからなる一般式(
III) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・(III
) 〔式中、Xはアルコキシ基、aは2または3の整数、R
^1は炭素数それぞれ同種又は異種の1〜4のアルキル
基又はフェニル基又はトリメチルシロキシ基、R^2は
少なくとも1個の炭素原子を有する二価の炭化水素基(
複素原子Oを有するものを含む)、nは0〜3の整数で
ある〕 であられされる単位を少なくとも1個もつオルガノポリ
シロキサン類の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1343836A JPH03204887A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | シリコーン系桂皮酸誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1343836A JPH03204887A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | シリコーン系桂皮酸誘導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03204887A true JPH03204887A (ja) | 1991-09-06 |
Family
ID=18364618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1343836A Pending JPH03204887A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | シリコーン系桂皮酸誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03204887A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2756288A1 (fr) * | 1996-11-28 | 1998-05-29 | Oreal | Nouveaux derives de filtres silicies sur leur partie ester, compositions cosmetiques photoprotectrices les contenant et utilisations |
JP2006257321A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Jsr Corp | シルセスキオキサン重合体およびその製造方法並びに屈折率変換材料および光−熱エネルギー変換蓄積材料 |
EP2100591A2 (en) | 2008-03-13 | 2009-09-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Cosmetic comprising a silicone polymer with a benzotriazol residue |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1343836A patent/JPH03204887A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2756288A1 (fr) * | 1996-11-28 | 1998-05-29 | Oreal | Nouveaux derives de filtres silicies sur leur partie ester, compositions cosmetiques photoprotectrices les contenant et utilisations |
EP0845466A1 (fr) * | 1996-11-28 | 1998-06-03 | L'oreal | Nouveaux dérivés de filtres siliciés sur leur partie ester, compositions cosmétiques photoprotectrices les contenant et utilisations |
JP2006257321A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Jsr Corp | シルセスキオキサン重合体およびその製造方法並びに屈折率変換材料および光−熱エネルギー変換蓄積材料 |
JP4634834B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-02-16 | Jsr株式会社 | シルセスキオキサン重合体並びに屈折率変換材料および光−熱エネルギー変換蓄積材料 |
EP2100591A2 (en) | 2008-03-13 | 2009-09-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Cosmetic comprising a silicone polymer with a benzotriazol residue |
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