JPH03203144A - 電子放出素子列及びそれを用いた画像表示装置 - Google Patents
電子放出素子列及びそれを用いた画像表示装置Info
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- JPH03203144A JPH03203144A JP1344806A JP34480689A JPH03203144A JP H03203144 A JPH03203144 A JP H03203144A JP 1344806 A JP1344806 A JP 1344806A JP 34480689 A JP34480689 A JP 34480689A JP H03203144 A JPH03203144 A JP H03203144A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多数の電子放出素子と前記多数の電子放出素子
から放出される電子ビーム群を変調するためのグリッド
電極とを備えた画像表示装置に関する。
から放出される電子ビーム群を変調するためのグリッド
電極とを備えた画像表示装置に関する。
従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子として、
例えば、エム・アイ・エリンソン(M。
例えば、エム・アイ・エリンソン(M。
1、Elinson)等によって発表された冷陰極素子
が知られている[ラジオ・エンジニアリング・エレクト
ロン・フイジイツス(Radi。
が知られている[ラジオ・エンジニアリング・エレクト
ロン・フイジイツス(Radi。
Eng、Electron、Phys、)第10巻、1
290〜1296頁、1965年]。
290〜1296頁、1965年]。
これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平
行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利
用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼ばれて
いる。
行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利
用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼ばれて
いる。
この表面伝導形放出素子としては、前記エリンソン等に
より開発されたSnO2(Sb)薄膜を用いたものの他
、Au薄膜によるもの[ジー・ディトマー:″スイン・
ソリド・フィルムス″(G、Dittmer : T
h1n SolidFilms”)、9巻、317頁
、(1972年)]ITO薄膜によるもの[エム・ハー
トウェル中アンド・シー・ジー◆フォンスタツド: ″
アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・デイ−・コ
ンフ” (M、 Ha r twe 11 and
c、G、Fonstad: IEEE Trans
、ED Con、f、″)519頁、(1975年)
]、カーボン薄膜によるもの[荒木久他。
より開発されたSnO2(Sb)薄膜を用いたものの他
、Au薄膜によるもの[ジー・ディトマー:″スイン・
ソリド・フィルムス″(G、Dittmer : T
h1n SolidFilms”)、9巻、317頁
、(1972年)]ITO薄膜によるもの[エム・ハー
トウェル中アンド・シー・ジー◆フォンスタツド: ″
アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・デイ−・コ
ンフ” (M、 Ha r twe 11 and
c、G、Fonstad: IEEE Trans
、ED Con、f、″)519頁、(1975年)
]、カーボン薄膜によるもの[荒木久他。
“真空”、第26巻、第1号、22頁、(1983年)
]、さらには、特開開1−200532号公報、特開平
1−105445号公報、特開平1−93024号公報
、特開平1−97354に記載されもの等がある。
]、さらには、特開開1−200532号公報、特開平
1−105445号公報、特開平1−93024号公報
、特開平1−97354に記載されもの等がある。
これらの表面伝導形放出素子は、
1)高い電子放出効率が得られる、
2)構造が簡単であるため、製造が容易である、3)同
一基板上に多数の素子を配列形威できる、4)応答速度
が速い、 等の利点があり、今後広く応用される可能性をもってい
る。
一基板上に多数の素子を配列形威できる、4)応答速度
が速い、 等の利点があり、今後広く応用される可能性をもってい
る。
とりわけ、近年の成膜技術やフォトリソグラフィー技術
の急速な進歩とあいまって、基板上に多数の素子を形成
することが可能となりつつあり、マルチ電子ビーム源と
して、画像表示装置への応用が期待されるところである
。
の急速な進歩とあいまって、基板上に多数の素子を形成
することが可能となりつつあり、マルチ電子ビーム源と
して、画像表示装置への応用が期待されるところである
。
ところで、これらの電子放出素子を画像表示装置に応用
する場合、一般には、基板上に多数の素子を配列形威し
、各素子間を薄膜もしくは厚膜の電極で電気的に配線し
、マルチ電子ビーム源として用いるが、配線抵抗で生じ
る電圧降下のために、各素子毎に印加される電圧がばら
ついてしまうという現象が起きる。その結果、各放出素
子から放出される電子ビームの電流量にばらつきが生じ
、形成される画像に輝度(濃度)むらが起きるという問
題が発生していた。
する場合、一般には、基板上に多数の素子を配列形威し
、各素子間を薄膜もしくは厚膜の電極で電気的に配線し
、マルチ電子ビーム源として用いるが、配線抵抗で生じ
る電圧降下のために、各素子毎に印加される電圧がばら
ついてしまうという現象が起きる。その結果、各放出素
子から放出される電子ビームの電流量にばらつきが生じ
、形成される画像に輝度(濃度)むらが起きるという問
題が発生していた。
第5図は、この問題をより詳しく説明するための図で、
(a)は電子放出素子と配線抵抗及び電源を含む等価回
路図であり、(b)は各電子放出素子の正極と負極の電
位を示す図、また(c)は各素子の正負極間に印加され
る電圧を示す図である。第5図(a)は、並列接続され
たN個の電子放出素子D1〜DNと電源■、とを接続し
た回路を示すもので、電源の正極と素子D1の正極を、
また電源の負極と素子DNの負極を接続したものである
。また、各素子を並列に結ぶ共通配線は、図に示すよう
に隣接する素子間でrの抵抗値を有するものとする。(
画像表示装置では、電子ビームのターゲットとなる画素
は、通常等ピツチで配列されている。従って、電子放出
素子も空間的に等間隔をもって配列されており、これら
を結ぶ配線は幅や膜厚が製造上ばらつかない限り、素子
間で等しい抵抗値を有する。) また、全ての電子放出素子D1〜DNは、はぼ等しい抵
抗値Rdを各々有するものとする。
(a)は電子放出素子と配線抵抗及び電源を含む等価回
路図であり、(b)は各電子放出素子の正極と負極の電
位を示す図、また(c)は各素子の正負極間に印加され
る電圧を示す図である。第5図(a)は、並列接続され
たN個の電子放出素子D1〜DNと電源■、とを接続し
た回路を示すもので、電源の正極と素子D1の正極を、
また電源の負極と素子DNの負極を接続したものである
。また、各素子を並列に結ぶ共通配線は、図に示すよう
に隣接する素子間でrの抵抗値を有するものとする。(
画像表示装置では、電子ビームのターゲットとなる画素
は、通常等ピツチで配列されている。従って、電子放出
素子も空間的に等間隔をもって配列されており、これら
を結ぶ配線は幅や膜厚が製造上ばらつかない限り、素子
間で等しい抵抗値を有する。) また、全ての電子放出素子D1〜DNは、はぼ等しい抵
抗値Rdを各々有するものとする。
前記第5図(a)の回路図に於て、各素子の正極及び負
極の電位を示したのが第5図(b)である。図の横軸は
、D、〜DNの素子番号を示し、縦軸は電位を示す。・
印は各素子の正極電位、■印は負極電位を表わしており
、電位分布の傾向を見易(するため、便宜的に・印(■
印)を実線で結んでいる。
極の電位を示したのが第5図(b)である。図の横軸は
、D、〜DNの素子番号を示し、縦軸は電位を示す。・
印は各素子の正極電位、■印は負極電位を表わしており
、電位分布の傾向を見易(するため、便宜的に・印(■
印)を実線で結んでいる。
本図から明らかなように、配線抵抗rによる電圧降下は
、−様に起こるわけではなく、正極側の場合は、素子り
、に近い程急峻であり、逆に負極側では、素子DNに近
い程急峻になっている。これは、正極側ではり、に近い
程、配線抵抗rを流れる電流が大きく、また負極側では
DNに近い程、大きな電流が流れるためである。
、−様に起こるわけではなく、正極側の場合は、素子り
、に近い程急峻であり、逆に負極側では、素子DNに近
い程急峻になっている。これは、正極側ではり、に近い
程、配線抵抗rを流れる電流が大きく、また負極側では
DNに近い程、大きな電流が流れるためである。
これから、各素子の正負極間に印加される電圧をプロッ
トしたのが第5図(C)である。図の横軸は、D1〜D
Nの素子番号、縦軸は印加電圧を各々示し、第5図(b
)と同様傾向を見易くするために便宜的に■を実線で結
んでいる。
トしたのが第5図(C)である。図の横軸は、D1〜D
Nの素子番号、縦軸は印加電圧を各々示し、第5図(b
)と同様傾向を見易くするために便宜的に■を実線で結
んでいる。
本図から明らかなように、第5図(a)のような回路の
場合には、両端の素子(D、及びり、)に近い程大きな
電圧が印加され、中央部付近の素子では印加電圧が小さ
くなる。
場合には、両端の素子(D、及びり、)に近い程大きな
電圧が印加され、中央部付近の素子では印加電圧が小さ
くなる。
従って、各電子放出素子から放出される電子ビームは、
両端の素子程ビーム電流が大きくなり、画像表示装置に
応用した場合、極めて不都合である。(例えば、両端に
近い部分の画像は濃度が濃く、中央部付近の濃度は淡(
なってしまう。) 以上、示したような電子放出素子毎の印加電圧のばらつ
きの程度は並列接続される電子放出素子の数が多いほど
顕著となる傾向がある。
両端の素子程ビーム電流が大きくなり、画像表示装置に
応用した場合、極めて不都合である。(例えば、両端に
近い部分の画像は濃度が濃く、中央部付近の濃度は淡(
なってしまう。) 以上、示したような電子放出素子毎の印加電圧のばらつ
きの程度は並列接続される電子放出素子の数が多いほど
顕著となる傾向がある。
そこで、画素数の多い(すなわち、多数の電子放出素子
を必要とする)大容量表示装置を実現しようとする場合
には、第6図に示すように電子放出素子を複数の群に分
割し、並列接続された各群を直列接続する方法が考えら
れる。第6図の場合電子放出素子はm個の群に分けられ
、各群毎にn個の電子放出素子が並列接続されている。
を必要とする)大容量表示装置を実現しようとする場合
には、第6図に示すように電子放出素子を複数の群に分
割し、並列接続された各群を直列接続する方法が考えら
れる。第6図の場合電子放出素子はm個の群に分けられ
、各群毎にn個の電子放出素子が並列接続されている。
(電子放出素子の総数をNとするとN=mXnである)
。
。
この方法によれば、各電子放出素子に印加される電圧の
ばらつきは、前記第5図に示したN個の素子すべてを並
列接続する場合と比較して、大幅に低減する事ができ、
各電子放出素子から放出される電子ビームの電流量のば
らつきが低減される。
ばらつきは、前記第5図に示したN個の素子すべてを並
列接続する場合と比較して、大幅に低減する事ができ、
各電子放出素子から放出される電子ビームの電流量のば
らつきが低減される。
具体的に、前記複数個(N=mxn個)の電子放出素子
を並列隣接と直列接続を組合せて、直線状に結線された
電子放出素子列とする為には第7図(a)に示すような
方法が行われる。第7図(a)は、例えばガラスなどの
ような電気的絶縁性の基板(不図示)上に配列形成され
た複数の電子放出素子101を金属などの電気的良導体
を用いた配線電極103で接続した一列を示すための平
面図で、図中101で示される電子放出素子の一部分で
ある102(黒く塗られた部分)は電子放出部を示して
いる。
を並列隣接と直列接続を組合せて、直線状に結線された
電子放出素子列とする為には第7図(a)に示すような
方法が行われる。第7図(a)は、例えばガラスなどの
ような電気的絶縁性の基板(不図示)上に配列形成され
た複数の電子放出素子101を金属などの電気的良導体
を用いた配線電極103で接続した一列を示すための平
面図で、図中101で示される電子放出素子の一部分で
ある102(黒く塗られた部分)は電子放出部を示して
いる。
しかし、第7図(a)に示した配線パターンを用いた電
子放出素子列に於ては、とりわけ、その素子列を構成す
る電子放出素子が先述した表面伝導線放出素子である場
合には、その素子列上部に配設され表面伝導線放出素子
より放出された電子ビームの照射により発光するターゲ
ット(不図示)の面上での発光点の位置が第7図(a)
に示した様にy方向にずれてしまうという問題が生じた
。
子放出素子列に於ては、とりわけ、その素子列を構成す
る電子放出素子が先述した表面伝導線放出素子である場
合には、その素子列上部に配設され表面伝導線放出素子
より放出された電子ビームの照射により発光するターゲ
ット(不図示)の面上での発光点の位置が第7図(a)
に示した様にy方向にずれてしまうという問題が生じた
。
このような発光点の位置ずれの問題は、前記第7図に示
す配線パターンの電子放出素子列を複数列設け、これら
を画像表示装置のマルチ電子ビーム源として応用した場
合には、表示画像の品位を低下し忠実な画像の再現にお
いて支障をきたしてしまう。
す配線パターンの電子放出素子列を複数列設け、これら
を画像表示装置のマルチ電子ビーム源として応用した場
合には、表示画像の品位を低下し忠実な画像の再現にお
いて支障をきたしてしまう。
そこで、本発明の目的は、多数の表面伝導線放出素子か
ら威るマルチ電子ビーム源を用いた画像表示装置におい
て表示画像全体の輝度むらを無くすとともに輝点のずれ
による表示画像全体の品位の低下を防止して忠実な画像
を再現し得る画像表示装置を提供することにある。
ら威るマルチ電子ビーム源を用いた画像表示装置におい
て表示画像全体の輝度むらを無くすとともに輝点のずれ
による表示画像全体の品位の低下を防止して忠実な画像
を再現し得る画像表示装置を提供することにある。
本発明は、電極間に電子放出部を有し前記電子放出部に
電流を流すことで電子を放出する電子放出素子を複数個
、直列接続及び並列接続を併有し電気的に接続して戊る
電子放出素子列であって、前記複数の電子放出素子の全
てが、それぞれの電子放出部に流れる電流の向きが同一
方向となる様に配設されていることを特徴とする電子放
出素子列であり、更に本発明は電極間に電子放出部を有
し前記電子放出部に電流を流すことで電子を放出する電
子放出素子を複数個、直列接続及び並列接続を併有し電
気的に接続して成る電子放出素子列が複数列と、前記電
子放出素子から放出された電子ビームの照射により発光
するターゲットと、前記複数の電子放出素子列とXYマ
トリックス状に配設された複数の変調グリッド電極とを
有する画像表示装置であって、前記電子放出素子列を構
成する複数の電子放出素子がそれぞれの電子放出部に流
れる電流の向きが同一方向となる様に配設されているこ
とを特徴とする画像表示装置である。
電流を流すことで電子を放出する電子放出素子を複数個
、直列接続及び並列接続を併有し電気的に接続して戊る
電子放出素子列であって、前記複数の電子放出素子の全
てが、それぞれの電子放出部に流れる電流の向きが同一
方向となる様に配設されていることを特徴とする電子放
出素子列であり、更に本発明は電極間に電子放出部を有
し前記電子放出部に電流を流すことで電子を放出する電
子放出素子を複数個、直列接続及び並列接続を併有し電
気的に接続して成る電子放出素子列が複数列と、前記電
子放出素子から放出された電子ビームの照射により発光
するターゲットと、前記複数の電子放出素子列とXYマ
トリックス状に配設された複数の変調グリッド電極とを
有する画像表示装置であって、前記電子放出素子列を構
成する複数の電子放出素子がそれぞれの電子放出部に流
れる電流の向きが同一方向となる様に配設されているこ
とを特徴とする画像表示装置である。
本発明において用いられる電子ビーム源は電極間に電子
放出部を有しその電子放出部に電流を流すことで電子を
放出するタイプのいわゆる先述した表面伝導形放出素子
であり、かかる表面伝導形放出素子を用いた本発明の画
像表示装置は、その電子ビーム源のマルチ化における製
作上の容易性並びに装置の低消費電力化等の点で優れて
いる。
放出部を有しその電子放出部に電流を流すことで電子を
放出するタイプのいわゆる先述した表面伝導形放出素子
であり、かかる表面伝導形放出素子を用いた本発明の画
像表示装置は、その電子ビーム源のマルチ化における製
作上の容易性並びに装置の低消費電力化等の点で優れて
いる。
まず、本発明者らは、本発明を完成する上で、かかる表
面伝導形放出素子の複数個を直列及び並列接続を併有し
電気的に接続して成る第7図(a)に示される様な電子
放出素子列が形成する第7図(b)に示される様なター
ゲラI・面上での発光点のずれの原因について以下の様
に知見し1ま た。
面伝導形放出素子の複数個を直列及び並列接続を併有し
電気的に接続して成る第7図(a)に示される様な電子
放出素子列が形成する第7図(b)に示される様なター
ゲラI・面上での発光点のずれの原因について以下の様
に知見し1ま た。
即ち、第7図(C)は、前記第7図(a)に示された電
子放出素子列に電源を接続した状態を模式的に表わした
もので、複数の表面伝導形放出素子が並列接続されてい
る電子放出素子群を電源から近い順に便宜的に第1群、
第2群、第3群、第4群、第5群と順に呼ぶ事とする。
子放出素子列に電源を接続した状態を模式的に表わした
もので、複数の表面伝導形放出素子が並列接続されてい
る電子放出素子群を電源から近い順に便宜的に第1群、
第2群、第3群、第4群、第5群と順に呼ぶ事とする。
電源が5×vp[v]の電圧を供給した場合、配線抵抗
による電圧降下を無視すれば配線電極Flの電位は5X
VE [VE 、配線電極E2の電位は4×V6[V
E・・・配線電極E6の電位はO[VEとなり、どの表
面伝導形放出素子にもVE [v]の電圧が印加され
る。この時、第1群の素子に対しては、配線電極E1が
正極、配線電極E2が負極として作用するが、第2群の
素子に対しては配線電極E2が正極、配線電極E3が負
極として作用する。同様に見てゆくと、奇数番目の電子
放出素子群に於ては、y軸圧方向(図面上部)に位置す
る配線電極が正極として働き、逆に偶数番目の電子放出
素子群に於ては、y軸負方向(図面下部)に2 位置する配線電極が正極として働く事がわかる。
による電圧降下を無視すれば配線電極Flの電位は5X
VE [VE 、配線電極E2の電位は4×V6[V
E・・・配線電極E6の電位はO[VEとなり、どの表
面伝導形放出素子にもVE [v]の電圧が印加され
る。この時、第1群の素子に対しては、配線電極E1が
正極、配線電極E2が負極として作用するが、第2群の
素子に対しては配線電極E2が正極、配線電極E3が負
極として作用する。同様に見てゆくと、奇数番目の電子
放出素子群に於ては、y軸圧方向(図面上部)に位置す
る配線電極が正極として働き、逆に偶数番目の電子放出
素子群に於ては、y軸負方向(図面下部)に2 位置する配線電極が正極として働く事がわかる。
ところで、表面伝導形放出素子の場合、かかる素子に印
加する電圧の向き、即ち、電子放出部に流れる電流の向
きにより、放出された電子ビームの飛翔方向が微妙に異
なる事が判明した。
加する電圧の向き、即ち、電子放出部に流れる電流の向
きにより、放出された電子ビームの飛翔方向が微妙に異
なる事が判明した。
第8図はこの現象を説明する為の図で、103A及び1
03Bは表面伝導形放出素子に電圧を印加する為に設け
られた配線電極であるが、 どちらが正極もしくは負極
として作用するかは、該素子が前記第7図(C)におい
て奇数群に属しているか偶数群に属しているかにより決
まる。該素子がもし奇数群に属している場合には、配線
電極103Aは正極として、103Bは負極として働き
、該素子の両端にV、[VEの電圧を供給するが、この
場合、電子放出部102より放射される電子ビームは、
図中■の実線で示すように、基板面に対する法線方向よ
りも、やや電極103A寄りの方向に飛翔する。このよ
うに電子ビームが、法線方向からずれて電極103A寄
りの方向に飛翔するのは配線電極103A及び103B
に印加される電圧により、電子放出部102上の空間に
、y軸負方向の電界が発生している為と考えられる。同
様に該素子が前記第7図(c)において偶数群に属して
いる場合には電子放出部102より放射される電子ビー
ムは図中■の点線で示すように基板面に対する法線方向
よりもやや電極103B寄りの方向に飛翔する。
03Bは表面伝導形放出素子に電圧を印加する為に設け
られた配線電極であるが、 どちらが正極もしくは負極
として作用するかは、該素子が前記第7図(C)におい
て奇数群に属しているか偶数群に属しているかにより決
まる。該素子がもし奇数群に属している場合には、配線
電極103Aは正極として、103Bは負極として働き
、該素子の両端にV、[VEの電圧を供給するが、この
場合、電子放出部102より放射される電子ビームは、
図中■の実線で示すように、基板面に対する法線方向よ
りも、やや電極103A寄りの方向に飛翔する。このよ
うに電子ビームが、法線方向からずれて電極103A寄
りの方向に飛翔するのは配線電極103A及び103B
に印加される電圧により、電子放出部102上の空間に
、y軸負方向の電界が発生している為と考えられる。同
様に該素子が前記第7図(c)において偶数群に属して
いる場合には電子放出部102より放射される電子ビー
ムは図中■の点線で示すように基板面に対する法線方向
よりもやや電極103B寄りの方向に飛翔する。
この結果、奇数群の電子放出素子による発光点と、偶数
群の電子放出素子による発光点は、電子ビームが法線方
向からそれた分だけずれる事となり、前記第7図(b)
に示した様な発光点列となってしまっていたものと考え
られる。
群の電子放出素子による発光点は、電子ビームが法線方
向からそれた分だけずれる事となり、前記第7図(b)
に示した様な発光点列となってしまっていたものと考え
られる。
以上の知見に基づき本発明者らは、前記電子放出素子列
を構成する並列及び直列接続を併有し電気的に接続され
た複数の表面伝導形放出素子の各々に印加される電圧の
向きが全て同一方向となる様に即ち、個々の表面伝導形
放出素子の電子放出部に流れる電流の向きが全て同一方
向となる様に前記複数の表面伝導形放出素子を配設する
ことにより、先述した発光点列のずれを解決し得る事を
知見し本発明に至った。
を構成する並列及び直列接続を併有し電気的に接続され
た複数の表面伝導形放出素子の各々に印加される電圧の
向きが全て同一方向となる様に即ち、個々の表面伝導形
放出素子の電子放出部に流れる電流の向きが全て同一方
向となる様に前記複数の表面伝導形放出素子を配設する
ことにより、先述した発光点列のずれを解決し得る事を
知見し本発明に至った。
本発明において、前記電子放出素子列を構成する複数の
表面伝導形放出素子のより具体的な配設方法について第
2図及び第3図を用いて更に説明する。
表面伝導形放出素子のより具体的な配設方法について第
2図及び第3図を用いて更に説明する。
第2図は、本発明における電子放出素子列の一態様を示
した平面図である。
した平面図である。
第2図に示された電子放出素子列は、基体(不図示)面
上に接続電極103にて並列に接続された3個の表面伝
導形放出素子を一つの群とし、前記電子放出素子群の複
数群をさらに接続電極103にて直列接続して形成され
た素子列である。この素子列において、各表面伝導形放
出素子101は、等間隔で且つ直線状に配列されている
。又、表面伝導形放出素子101は、接続電極103と
電気的に接続された一対の電極(高電位側電極105と
低電位側電極]04)間に電子放出部102を有して成
るが、本態様においては、かかる表面伝導形放出素子1
01の複数個を前記の様に配列するに際して高電位側電
極105と低5 電位側電極104とが必ず交互に配列される様にする。
上に接続電極103にて並列に接続された3個の表面伝
導形放出素子を一つの群とし、前記電子放出素子群の複
数群をさらに接続電極103にて直列接続して形成され
た素子列である。この素子列において、各表面伝導形放
出素子101は、等間隔で且つ直線状に配列されている
。又、表面伝導形放出素子101は、接続電極103と
電気的に接続された一対の電極(高電位側電極105と
低電位側電極]04)間に電子放出部102を有して成
るが、本態様においては、かかる表面伝導形放出素子1
01の複数個を前記の様に配列するに際して高電位側電
極105と低5 電位側電極104とが必ず交互に配列される様にする。
次に第3図は、本発明における電子放出素子列の別の態
様を示した平面図である。
様を示した平面図である。
第3図に示された電子放出素子は、前記第2図に示され
た電子放出素子列において、各電子放出素子群の直列接
続部分にあたる表面伝導形放出素子の低電位側電極10
4と高電位側電極105とを共通の電極107としたも
のである。
た電子放出素子列において、各電子放出素子群の直列接
続部分にあたる表面伝導形放出素子の低電位側電極10
4と高電位側電極105とを共通の電極107としたも
のである。
以上、本発明における電子放出素子列の具体的態様を示
したが、かかる二態様のみに限定されるものではなく、
電子放出列を構成する並列及び直列接続を併有し電気的
に接続された複数の表面伝導形放出素子の各々の電子放
出部に流れる電流の向きが全て同一方向となるように複
数の表面伝導形放出素子が配設されているものであれば
良い。
したが、かかる二態様のみに限定されるものではなく、
電子放出列を構成する並列及び直列接続を併有し電気的
に接続された複数の表面伝導形放出素子の各々の電子放
出部に流れる電流の向きが全て同一方向となるように複
数の表面伝導形放出素子が配設されているものであれば
良い。
次に、以上述べた電子放出素子列の複数列と、前記電子
放出素子列中の表面伝導形放出素子から放出された電子
ビームの照射により発光するターゲットと、前記複数の
電子放出素子列とXYマド6 リツクス状に配設された複数の変調グリッド電極とを有
する本発明の画像表示装置について以下詳述する。
放出素子列中の表面伝導形放出素子から放出された電子
ビームの照射により発光するターゲットと、前記複数の
電子放出素子列とXYマド6 リツクス状に配設された複数の変調グリッド電極とを有
する本発明の画像表示装置について以下詳述する。
第1図は本発明の画像表示装置の一興体例を示す図であ
り、図中VCはガラス製の真空容器で、その一部である
FPは、表示面側のフェースプレートを示している。フ
ェースプレー1− F Pの内面には、例えばITOを
材料とする透明電極が形成され、さらにその内側には、
赤、緑、青の蛍光体がモザイク状に塗り分けられ、CR
Tの分野では公知のメタルバック処理が施されている。
り、図中VCはガラス製の真空容器で、その一部である
FPは、表示面側のフェースプレートを示している。フ
ェースプレー1− F Pの内面には、例えばITOを
材料とする透明電極が形成され、さらにその内側には、
赤、緑、青の蛍光体がモザイク状に塗り分けられ、CR
Tの分野では公知のメタルバック処理が施されている。
(透明電極、蛍光体、メタルバックは図示せず。)また
、前記透明電極は、加速電圧を印加するために、端子E
Vを通じて真空容器外と電気的に接続されている。
、前記透明電極は、加速電圧を印加するために、端子E
Vを通じて真空容器外と電気的に接続されている。
また、Sは前記真空容器VCの底面に固定されたガラス
基板で、その上面には、表面伝導形電子放出素子がN個
×1列にわたり配列形成されている。各列の表面伝導形
放出素子の配設方法は、先述した第2図の如く配設され
ているが、先述した第3図の如く配設方法であっても構
わない。各列の配線は、端子D 、l〜D、、1!およ
び端子り、〜D、lによって真空容器外と電気的に接続
されている。すなわち本装置では、第2図の接続法によ
る素子列が1列にわたり、基板S上に形成されている。
基板で、その上面には、表面伝導形電子放出素子がN個
×1列にわたり配列形成されている。各列の表面伝導形
放出素子の配設方法は、先述した第2図の如く配設され
ているが、先述した第3図の如く配設方法であっても構
わない。各列の配線は、端子D 、l〜D、、1!およ
び端子り、〜D、lによって真空容器外と電気的に接続
されている。すなわち本装置では、第2図の接続法によ
る素子列が1列にわたり、基板S上に形成されている。
(1列あたりの素子数はN個である。)又、装置が有す
る全ての電子放出素子が、その電子放出部に流れる電流
の向きが同一方向となるように配設されている。
る全ての電子放出素子が、その電子放出部に流れる電流
の向きが同一方向となるように配設されている。
また、基板SとフェースプレートFPの中間には、スト
ライプ状のグリッド電極GRが設けられている。グリッ
ド電極GRは、前記素子列と直交してN本設けられてお
り、各電極には電子ビームを透過するための空孔G h
が設けられている。空孔Ghは、第1図の列のように各
電子放出素子に対応して1個づつ設けてもよいし、ある
いは微小な孔をメツシュ状に多数設けてもよい。各グリ
ッド電極は、端子G、〜GNによって真空容器外と電気
的に接続されている。
ライプ状のグリッド電極GRが設けられている。グリッ
ド電極GRは、前記素子列と直交してN本設けられてお
り、各電極には電子ビームを透過するための空孔G h
が設けられている。空孔Ghは、第1図の列のように各
電子放出素子に対応して1個づつ設けてもよいし、ある
いは微小な孔をメツシュ状に多数設けてもよい。各グリ
ッド電極は、端子G、〜GNによって真空容器外と電気
的に接続されている。
本パネルでは、1個の電子放出素子列とN個のグリッド
電極列により、XYマトリクスが構成されている。電子
放出列を一列づつ順次駆動(走査)するのと同期してグ
リッド電極列に画像1ライン分の変調信号を同時に印加
することにより、各電子ビームの蛍光体への照射を制御
し、画像を1ラインづつ表示していくものである。
電極列により、XYマトリクスが構成されている。電子
放出列を一列づつ順次駆動(走査)するのと同期してグ
リッド電極列に画像1ライン分の変調信号を同時に印加
することにより、各電子ビームの蛍光体への照射を制御
し、画像を1ラインづつ表示していくものである。
次に実施例を挙げて本発明を更に詳述に説明する。
(実施例)
実施例1゜
第1図に示した本発明の画像表示装置を作製した。
尚、第1図及び第2図に於ては、図示の容易さから、3
素子をもって、1つの群をなしているが、実際に作製し
た表示装置に於ては、100素子よりなる電子放出素子
群を、5群形威し、1列あたり500素子(N=500
)を配列した。このような電子放出素子列を、40.0
列C1=400)並べ、500X400画素の表示パネ
ルとした。
素子をもって、1つの群をなしているが、実際に作製し
た表示装置に於ては、100素子よりなる電子放出素子
群を、5群形威し、1列あたり500素子(N=500
)を配列した。このような電子放出素子列を、40.0
列C1=400)並べ、500X400画素の表示パネ
ルとした。
9
また、本実施例に用いた表面伝導形放出素子は、第2図
の円の中に、拡大して示された素子101である。該、
表面伝導形放出素子は、以下の手順により作成した。す
なわち、コーニング社製7059ガラスを用いた基板S
上に、まずAuを材料とする厚さ1000人程度0薄膜
104(105)を、フォトリソグラフィー、エツチン
グにより形成する。薄膜104 (105)は、図示の
ように、素子中央部の一部が細くくびれた形状とするが
、これは後述のフォーミング処理を容易に行なう為であ
る。次に、Niを材料とする厚さ1μm程度の薄膜を積
層し、配線電極103を形成するが、その際、前記薄膜
パターン104(105)上に、一部重ねて積層する事
により、電気的な、導通を良好なものとしておく次に、
従来公知のフォーミング処理により、電子放出部102
を形成する。すなわち、電極103を通じて、薄膜10
4 (105)の両端に電圧を印加し、該薄膜を通電加
熱する。この際、該薄膜の細くくびれた部分が周辺の巾
の広い部分0 よりも電気抵抗が大きい為、この部分が集中的に加熱さ
れ、その結果一部が変質して不連続膜となり、電子放出
部102が形成される。
の円の中に、拡大して示された素子101である。該、
表面伝導形放出素子は、以下の手順により作成した。す
なわち、コーニング社製7059ガラスを用いた基板S
上に、まずAuを材料とする厚さ1000人程度0薄膜
104(105)を、フォトリソグラフィー、エツチン
グにより形成する。薄膜104 (105)は、図示の
ように、素子中央部の一部が細くくびれた形状とするが
、これは後述のフォーミング処理を容易に行なう為であ
る。次に、Niを材料とする厚さ1μm程度の薄膜を積
層し、配線電極103を形成するが、その際、前記薄膜
パターン104(105)上に、一部重ねて積層する事
により、電気的な、導通を良好なものとしておく次に、
従来公知のフォーミング処理により、電子放出部102
を形成する。すなわち、電極103を通じて、薄膜10
4 (105)の両端に電圧を印加し、該薄膜を通電加
熱する。この際、該薄膜の細くくびれた部分が周辺の巾
の広い部分0 よりも電気抵抗が大きい為、この部分が集中的に加熱さ
れ、その結果一部が変質して不連続膜となり、電子放出
部102が形成される。
以上の手順により、第1図の表示装置に用いた表面伝導
形放出素子を作成したが、次に第4図を用いて、本実施
例の装置の各構成要素の位置関係について説明する。第
4図は、前記第1図の表示装置を、X軸と平行で基板S
面と垂直な面で切った断面の一部を示している。
形放出素子を作成したが、次に第4図を用いて、本実施
例の装置の各構成要素の位置関係について説明する。第
4図は、前記第1図の表示装置を、X軸と平行で基板S
面と垂直な面で切った断面の一部を示している。
表面伝導形放出素子101が設けられた基板Sは、真空
容器VCの底面から、ho=0.5mmの位置に、図示
外の固定手段により固定されている。ただし、該基板S
と容器底面との距離り。
容器VCの底面から、ho=0.5mmの位置に、図示
外の固定手段により固定されている。ただし、該基板S
と容器底面との距離り。
は、電子ビームの軌道とは、直接関係しないので、必ず
しも、ho=0.5m、mでなくても差し支えない。
しも、ho=0.5m、mでなくても差し支えない。
また、基板S上には、前記第2図(平面図)で説明した
様に、X方向に沿って、素子群が配列形成されている。
様に、X方向に沿って、素子群が配列形成されている。
基板Sから、h+ =1.0mmの位置には、グリッド
電極GRが設けられているが、その空孔Ghは、直径D
I=0.8mmの円形であり、その中心は、電子放出部
102の中心よりもdO,3mmはど、正極寄りの位置
にある。
電極GRが設けられているが、その空孔Ghは、直径D
I=0.8mmの円形であり、その中心は、電子放出部
102の中心よりもdO,3mmはど、正極寄りの位置
にある。
また、グリッド電極GRと、蛍光面(フェースプレート
FPの下面)との距離は、h2=4m、mとした。表示
動作を行う際には、表面伝導形放出素子列を順次駆動し
、これと同期してグリッドGRに変調電圧を印加するが
、素子を駆動するには各素子の正負極間に12[Vlの
電圧を印加した。すなわち、本実施例の装置では100
素子よりなる群を5群直列接続して1ラインを構成して
いるので、第1図の配線端子DPとDmの間に60[V
lを印加した。この時、素子の負極電位は群毎に異なる
が、これを■1と表わすと、変調電極GRに印加する変
調電圧は、発光させる場合にはV□+25[Vlとし、
非発光(電子ビームをカットオフ)させる場合には、■
□−25[Vlとした。(すなわち、群毎にVlの値が
異なるので、変調電圧も異なる。)また、フェースプレ
ート・FP下面の蛍光面には5K [V]の加速電圧を
印加した。
FPの下面)との距離は、h2=4m、mとした。表示
動作を行う際には、表面伝導形放出素子列を順次駆動し
、これと同期してグリッドGRに変調電圧を印加するが
、素子を駆動するには各素子の正負極間に12[Vlの
電圧を印加した。すなわち、本実施例の装置では100
素子よりなる群を5群直列接続して1ラインを構成して
いるので、第1図の配線端子DPとDmの間に60[V
lを印加した。この時、素子の負極電位は群毎に異なる
が、これを■1と表わすと、変調電極GRに印加する変
調電圧は、発光させる場合にはV□+25[Vlとし、
非発光(電子ビームをカットオフ)させる場合には、■
□−25[Vlとした。(すなわち、群毎にVlの値が
異なるので、変調電圧も異なる。)また、フェースプレ
ート・FP下面の蛍光面には5K [V]の加速電圧を
印加した。
以上説明したような構成の表示装置により、500X4
00画素のマI・リクス表示を行ったが、表示画像の輝
度むら及び発光点列のずれは全くなくなり、文字あるい
は図形を高い画像品位で表示する事が可能となった。
00画素のマI・リクス表示を行ったが、表示画像の輝
度むら及び発光点列のずれは全くなくなり、文字あるい
は図形を高い画像品位で表示する事が可能となった。
実施例2
本実施例の表面伝導形放出素子はその一部が第3図中の
楕円内に拡大して示された形状を有する素子となってい
る。該電子放出素子は次の様な手順で製造される。すな
わち、まずガラス基板S上にNiもしくはCrを材料と
する厚さ約5000Aの薄膜104.105.107を
真空成膜とフォトリソグラフィーエツチングにより形成
する。該薄膜パターンはW=2μmの間隔をもって対向
して設けられるが、この105と104゜105と10
7,107と104で挟まれた部分をギャップと呼ぶ事
とする。
楕円内に拡大して示された形状を有する素子となってい
る。該電子放出素子は次の様な手順で製造される。すな
わち、まずガラス基板S上にNiもしくはCrを材料と
する厚さ約5000Aの薄膜104.105.107を
真空成膜とフォトリソグラフィーエツチングにより形成
する。該薄膜パターンはW=2μmの間隔をもって対向
して設けられるが、この105と104゜105と10
7,107と104で挟まれた部分をギャップと呼ぶ事
とする。
ギャップは電子放出素子が完成した際に、電子3
放出部102となる領域であるので、X方向に等間隔で
配置されている。
配置されている。
次に、厚さ約1μmのNiを材料とする配線電極103
を形成する。その際、前記薄膜104゜105.107
との電気的接続を良好どする為に、103が一部104
,105,107を覆うようにする。
を形成する。その際、前記薄膜104゜105.107
との電気的接続を良好どする為に、103が一部104
,105,107を覆うようにする。
さらに、前記ギャップにパラジウムの超微粒子を111
着させる。すなわち、裏町製薬製のパラジウム微粒子分
散液(商品名:CCP4230)をスピナーを用いて、
スピンコードした後、140°C前後の温度で乾燥させ
る。尚、この際、ギャップ以外の部分に微粒子が付着し
ても、差し支えなく、スピンコード以外の手法(例えば
、ディッピングやスプレー等)で塗布を行なっても良い
。
着させる。すなわち、裏町製薬製のパラジウム微粒子分
散液(商品名:CCP4230)をスピナーを用いて、
スピンコードした後、140°C前後の温度で乾燥させ
る。尚、この際、ギャップ以外の部分に微粒子が付着し
ても、差し支えなく、スピンコード以外の手法(例えば
、ディッピングやスプレー等)で塗布を行なっても良い
。
次に配線103に電圧を印加し、電子放出特性が安定化
するまでエージングを行う。
するまでエージングを行う。
以上の手順で第3図の電子放出素子列を製造した。尚、
前記、第4図で示したり。、h、h2、Dlの各パラメ
ータは、前記第1実施例と同様と4 した。
前記、第4図で示したり。、h、h2、Dlの各パラメ
ータは、前記第1実施例と同様と4 した。
ただし、本実施例の場合、電子放出素子の駆動電圧とし
ては17[V]が好適であるので、−列あたり5群を直
列接続した場合には、装置全体として85[V]を印加
した。蛍光体およびグリッドGRの印加電圧は、前記第
1実施例どほぼ同一の条件で表示装置を駆動した。
ては17[V]が好適であるので、−列あたり5群を直
列接続した場合には、装置全体として85[V]を印加
した。蛍光体およびグリッドGRの印加電圧は、前記第
1実施例どほぼ同一の条件で表示装置を駆動した。
本実施例に於ても、表示画像の輝度むら及び発光点列の
位置すれという問題は解決され、高画質な表示が可能と
なった。
位置すれという問題は解決され、高画質な表示が可能と
なった。
以上説明した本発明の電子放出素子列及び画像表示装置
はその製作が容易であることはもちろんの事、表示画像
全体の輝度むらが無くしかも同一走査線上の発光点が一
直線上に並ぶようになったので、文字あるいは図形等の
画像を高品位で再現性良(表示することができ、産業用
あるいは家庭用として、その利用範囲を大幅に広げる事
を可能とした。
はその製作が容易であることはもちろんの事、表示画像
全体の輝度むらが無くしかも同一走査線上の発光点が一
直線上に並ぶようになったので、文字あるいは図形等の
画像を高品位で再現性良(表示することができ、産業用
あるいは家庭用として、その利用範囲を大幅に広げる事
を可能とした。
第1図は本発明の画像表示装置の構成を示す全体図、第
2図及び第3図は本発明の電子放出素子列を示す平面図
、第4図は第1図で示された画像表示装置の一部断面図
、第5図は並列配線時の素子印加電圧のばらつきを説明
する為の図、第6図は並列・直列配線を示す図、第7図
は本発明以外の電子放出素子列を示す平面図及び発光点
の位置ずれを説明する為の図、第8図は表面伝導形放出
素子における電子ビームの飛翔特性を説明する為の図で
ある。 102・・・電子放出部 103.103A、103B・・・配線電極104・・
・低電位側電極 105・・・高電位側電極 107・・・共通電極 FP ・・・フェースプレート Gh ・・・電子ビーム透過孔 GR・・・グリッド電極 vc・・・真空容器 S ・・・基体
2図及び第3図は本発明の電子放出素子列を示す平面図
、第4図は第1図で示された画像表示装置の一部断面図
、第5図は並列配線時の素子印加電圧のばらつきを説明
する為の図、第6図は並列・直列配線を示す図、第7図
は本発明以外の電子放出素子列を示す平面図及び発光点
の位置ずれを説明する為の図、第8図は表面伝導形放出
素子における電子ビームの飛翔特性を説明する為の図で
ある。 102・・・電子放出部 103.103A、103B・・・配線電極104・・
・低電位側電極 105・・・高電位側電極 107・・・共通電極 FP ・・・フェースプレート Gh ・・・電子ビーム透過孔 GR・・・グリッド電極 vc・・・真空容器 S ・・・基体
Claims (3)
- (1)電極間に電子放出部を有し前記電子放出部に電流
を流すことで電子を放出する電子放出素子を複数個、直
列接続及び並列接続を併有し電気的に接続して成る電子
放出素子列であって、前記複数の電子放出素子の全てが
、それぞれの電子放出部に流れる電流の向きが同一方向
となる様に配設されていることを特徴とする電子放出素
子列。 - (2)電極間に電子放出部を有し前記電子放出部に電流
を流すことで電子を放出する電子放出素子を複数個、直
列接続及び並列接続を併有し電気的に接続して成る電子
放出素子列が複数列と、前記電子放出素子から放出され
た電子ビームの照射により発光するターゲットと、前記
複数の電子放出素子列とXYマトリックス状に配設され
た複数の変調グリッド電極とを有する画像形成装置であ
って、前記電子放出素子列を構成する複数の電子放出素
子がそれぞれの電子放出部に流れる電流の向きが同一方
向となる様に配設されていることを特徴とする画像表示
装置。 - (3)画像表示装置が有する全ての電子放出素子が、そ
れぞれの電子放出部に流れる電流の向きが同一方向とな
る様に配設されている請求項(2)に記載の画像表示装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34480689A JP2951984B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 電子放出素子列及びそれを用いた画像表示装置 |
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USRE41086E1 (en) | 2001-08-28 | 2010-01-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source substrate, production method thereof, and image forming apparatus using electron source substrate |
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1989
- 1989-12-28 JP JP34480689A patent/JP2951984B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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USRE41086E1 (en) | 2001-08-28 | 2010-01-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source substrate, production method thereof, and image forming apparatus using electron source substrate |
US7579051B2 (en) | 2005-03-23 | 2009-08-25 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing an electron emitter |
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