JPH03199356A - 電子機器用高力高導電銅合金の製造方法 - Google Patents
電子機器用高力高導電銅合金の製造方法Info
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- JPH03199356A JPH03199356A JP33659289A JP33659289A JPH03199356A JP H03199356 A JPH03199356 A JP H03199356A JP 33659289 A JP33659289 A JP 33659289A JP 33659289 A JP33659289 A JP 33659289A JP H03199356 A JPH03199356 A JP H03199356A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体集積回路(IC)のリードフレーム材
及びコネクター、端子、リレー スイッチ等の導電性ば
ね材に適する電子機器用銅合金材の製造法に関するもの
である。
及びコネクター、端子、リレー スイッチ等の導電性ば
ね材に適する電子機器用銅合金材の製造法に関するもの
である。
[従来の技術]
一般に半導体機器のリード材及び端子、コネクター リ
レー スイッチ等のばね材に適する電子機器用材料とし
て以下に示す特性が要求されている。
レー スイッチ等のばね材に適する電子機器用材料とし
て以下に示す特性が要求されている。
(1)強度が高く、加工性、耐熱性に優れること。
(2)熱及び電気伝導性が高いこと。
(3〉プレス打抜き、エツチング及び曲げ加工等の加工
性に優れること。
性に優れること。
(4)貴金属とのメツキ密着性及び半田付は性に優れる
こと。
こと。
(5)耐食性に優れること。
(6)モールド材との密着性に優れること。
(7)価格が低置であること。
これら要求特性に対し従来、半導体集積回路のリードフ
レーム材としては、モールド材(セラミック)との密着
性に優れる42合金(Pe−42Ni)などの高ニッケ
ル合金が使われてきた。
レーム材としては、モールド材(セラミック)との密着
性に優れる42合金(Pe−42Ni)などの高ニッケ
ル合金が使われてきた。
しかし、近年半導体集積回路の集積度の向上に伴ない消
費電力が高いICが多くなってきたこと、モールド材と
して樹脂が多く使用されてきたことにより、使用される
リードフレーム材も熱(電気)伝導性に優れる銅基合金
が使われるようになってきた。又、端子、コネクター
リレー スイッチ等のばね材としては、近年、部品の軽
薄短小化が進む中、リードフレーム材と同様熱(電気)
伝導性に優れる銅基合金が使われるようになってきた。
費電力が高いICが多くなってきたこと、モールド材と
して樹脂が多く使用されてきたことにより、使用される
リードフレーム材も熱(電気)伝導性に優れる銅基合金
が使われるようになってきた。又、端子、コネクター
リレー スイッチ等のばね材としては、近年、部品の軽
薄短小化が進む中、リードフレーム材と同様熱(電気)
伝導性に優れる銅基合金が使われるようになってきた。
[発明が解決しようとす°る課題]
上述の電子機器用材料に要求される特性に対し、従来か
ら使用されている無酸素銅、錫入り銅、りん青銅、洋白
、黄銅、42合金はいずれも一長一短があり、上述の要
求特性をすべて満足するものではない。一方、Cu
Cr T t 系合金は上述の要求特性をかなり満足
するものであるが、近年の高集積化に伴ないエツチング
加工時に溶は残った析出物がショートの原因となったり
、曲げ加工条件が厳しくなったため折れや割れ等の問題
が発生してきている。
ら使用されている無酸素銅、錫入り銅、りん青銅、洋白
、黄銅、42合金はいずれも一長一短があり、上述の要
求特性をすべて満足するものではない。一方、Cu
Cr T t 系合金は上述の要求特性をかなり満足
するものであるが、近年の高集積化に伴ないエツチング
加工時に溶は残った析出物がショートの原因となったり
、曲げ加工条件が厳しくなったため折れや割れ等の問題
が発生してきている。
そのため上述のCu−Cr−Ti系合金においてもこれ
らエツチング加工性や曲げ加工性の改善が求められてき
た。
らエツチング加工性や曲げ加工性の改善が求められてき
た。
[課題を解決するための手段]
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
従来のCu−Cr−Ti系合金のエツチング加工性や曲
げ性を改善し、電子機器用材料として好適な諸特性を有
する銅合金を提供しようとするものである。
従来のCu−Cr−Ti系合金のエツチング加工性や曲
げ性を改善し、電子機器用材料として好適な諸特性を有
する銅合金を提供しようとするものである。
すなわち、本発明はCr 0.05〜1.Ovt%、T
i 0.02〜0.8 wt%、F e 0.05〜
3.Ovt%を含み、残部Cu及び不可避不純物からな
る銅合金あるいは更にこれに副成分としてAt5Be。
i 0.02〜0.8 wt%、F e 0.05〜
3.Ovt%を含み、残部Cu及び不可避不純物からな
る銅合金あるいは更にこれに副成分としてAt5Be。
Co、Hf5Mg、Mn、Ni、Sn、Zn。
Zrからなる群より選択された1種又は2種以上を総量
で0.01〜2.0νt%含む銅合金のいずれかを、9
00〜1050℃で1分間以上加熱した後、200℃以
下まで3℃/sec以上の速度で冷却し、更に300〜
700℃で10分間〜10時間加熱することにより析出
物の大きさを2.0μ回以下にすることを特徴とする電
子機器用高力高導電銅合金の製造方法である。又、上記
組成合金は、0の含有量が20pp11以下で、かつS
の含有量が15ppm以下であるとよい。
で0.01〜2.0νt%含む銅合金のいずれかを、9
00〜1050℃で1分間以上加熱した後、200℃以
下まで3℃/sec以上の速度で冷却し、更に300〜
700℃で10分間〜10時間加熱することにより析出
物の大きさを2.0μ回以下にすることを特徴とする電
子機器用高力高導電銅合金の製造方法である。又、上記
組成合金は、0の含有量が20pp11以下で、かつS
の含有量が15ppm以下であるとよい。
本発明において合金成分を上記の如く限定した理由は次
のとおりである。
のとおりである。
Crは時効処理を行うことにより、母材中に金属C「を
析出させ、強度及び耐熱性を向上させるために添加する
もので、その含有量を0.05〜1.0重量%とする理
由は、Crの含有量が0.05重量%未満では前述の効
果が期待できず、逆に1.0重量%を超えると、溶体化
処理後においても未溶解Crが母材中に残留し、著しい
導電率及び加工性の低下が起るためである。
析出させ、強度及び耐熱性を向上させるために添加する
もので、その含有量を0.05〜1.0重量%とする理
由は、Crの含有量が0.05重量%未満では前述の効
果が期待できず、逆に1.0重量%を超えると、溶体化
処理後においても未溶解Crが母材中に残留し、著しい
導電率及び加工性の低下が起るためである。
Tiは時効処理を行うことにより母材中にFeと金属間
化合物を形成し、強度、耐熱性、導電性の向上が図れる
ためで特に導電性はTi−Feの金属間化合物を形成さ
せることで、Ti単独添加に比べ、著しい改善が見られ
る。
化合物を形成し、強度、耐熱性、導電性の向上が図れる
ためで特に導電性はTi−Feの金属間化合物を形成さ
せることで、Ti単独添加に比べ、著しい改善が見られ
る。
Tiの含有量を0.02%〜0.6 wt%とするのは
、0.02vt%未満では前述の効果が期待できず、逆
に0.6νt%を超えると、Crと同様、溶体化処理後
においても未溶解Tiが母材中に残留し著しい導電性及
び加工性の低下が起こるためである。
、0.02vt%未満では前述の効果が期待できず、逆
に0.6νt%を超えると、Crと同様、溶体化処理後
においても未溶解Tiが母材中に残留し著しい導電性及
び加工性の低下が起こるためである。
FeはTiと金属間化合物を形成させることにより強度
及び導電性の向上が図れるためで、その添加量を0.0
5〜1.5 vt%とするのは0.05wt%未満では
前述の効果が期待できず、逆に 1.5wt%を超える
と導電性、はんだ付性、酸化膜密着性が劣化するためで
ある。好ましくはTi/Fe比を0.4〜0.5程度に
することが推奨される。
及び導電性の向上が図れるためで、その添加量を0.0
5〜1.5 vt%とするのは0.05wt%未満では
前述の効果が期待できず、逆に 1.5wt%を超える
と導電性、はんだ付性、酸化膜密着性が劣化するためで
ある。好ましくはTi/Fe比を0.4〜0.5程度に
することが推奨される。
更に、副成分として、Al5Be、Co。
Hf、Mg、Mn、Ni、5nSZnSZrからなる群
より選択された1種又は2種以上を総量で0.01〜2
.0wt%添加するのは、導電性を大きく低下させずに
、強度を向上させる効果が期待できるためで、添加量が
総量で0.01wt%未満では前述の効果が期待できず
、逆に2.0νt%を超えると、著しい導電性、加工性
の劣化が起るためである。
より選択された1種又は2種以上を総量で0.01〜2
.0wt%添加するのは、導電性を大きく低下させずに
、強度を向上させる効果が期待できるためで、添加量が
総量で0.01wt%未満では前述の効果が期待できず
、逆に2.0νt%を超えると、著しい導電性、加工性
の劣化が起るためである。
又、O及びSの含有量をそれぞれ20ppm以下、5p
p−以下とした理由は、0含有量が20ppmを、又S
含有量が15pp−を超えるとめっき密着性が低下する
ためである。
p−以下とした理由は、0含有量が20ppmを、又S
含有量が15pp−を超えるとめっき密着性が低下する
ためである。
又、本発明において前述の金属CrやTiとFeの金属
間化合物等の析出物の大きさを2.0μ鵡以下とする理
由は析出物が粗大ではリード材へエツチング加工する際
溶は残った析出物がリード端面に飛び出した状態になり
、これが直接的や間接的にリード間のショートによる故
障等の原因となり、更に曲げ性を低下させリードを曲げ
加工する際の折れや割れの原因となるためで、本発明者
らの研究の結果、析出物の大きさ 2.0μ四以下では
上記問題点が解消できることが明らかになったためであ
る。
間化合物等の析出物の大きさを2.0μ鵡以下とする理
由は析出物が粗大ではリード材へエツチング加工する際
溶は残った析出物がリード端面に飛び出した状態になり
、これが直接的や間接的にリード間のショートによる故
障等の原因となり、更に曲げ性を低下させリードを曲げ
加工する際の折れや割れの原因となるためで、本発明者
らの研究の結果、析出物の大きさ 2.0μ四以下では
上記問題点が解消できることが明らかになったためであ
る。
又、本発明において上記組成範囲の合金を900〜1o
50℃で1分間以上加熱するのは析出物を20μl以下
に微細化するために、Cr、Ti及びFeを充分に固溶
させるためで、900℃未満及び900〜1050℃で
も1分間未満ではCr。
50℃で1分間以上加熱するのは析出物を20μl以下
に微細化するために、Cr、Ti及びFeを充分に固溶
させるためで、900℃未満及び900〜1050℃で
も1分間未満ではCr。
Ti及びFeが充分に固溶せず、粗大な析出物が残るた
めであり、1050℃を超えて加熱しても著しい効果は
認められず、銅合金が溶融するおそれがあるためである
。又200℃以下への冷却速度を3℃/sec以上とす
る理由は、冷却中の析出物の発生を抑えるためで、冷却
速度がそれより遅いと、冷却中に大きさが2.0μmを
超える析出物が発生するためである。又、更に300〜
700℃で10分〜10時間加熱するのは2.0μm以
上の析出物を発生させるためで、300℃未満では析出
物の発生が不充分で、700℃を超えて加熱すると析出
物の大きさが2.0μ四を超えるためで、又10分間未
満では析出物の発生が不充分で、10時間を超えて加熱
すると析出物の大きさが2,0μ…を超えるためである
。
めであり、1050℃を超えて加熱しても著しい効果は
認められず、銅合金が溶融するおそれがあるためである
。又200℃以下への冷却速度を3℃/sec以上とす
る理由は、冷却中の析出物の発生を抑えるためで、冷却
速度がそれより遅いと、冷却中に大きさが2.0μmを
超える析出物が発生するためである。又、更に300〜
700℃で10分〜10時間加熱するのは2.0μm以
上の析出物を発生させるためで、300℃未満では析出
物の発生が不充分で、700℃を超えて加熱すると析出
物の大きさが2.0μ四を超えるためで、又10分間未
満では析出物の発生が不充分で、10時間を超えて加熱
すると析出物の大きさが2,0μ…を超えるためである
。
又、必要に応じて板厚の厚い■3点で900〜1050
℃で1分間以上の熱処理を行い、その後目標板厚へ冷間
圧延を行った後、300〜700℃で10分〜10時間
の熱処理を行って2.0μm以下の析出物を発生させる
ことや、300〜700℃で10分〜10時間熱処理し
、2.0μ鑵以下の析出物を発生せしめた後、目標板厚
への冷間圧延や歪取りなどの熱処理を行う等のことにつ
いても本発明は当然含むものである。
℃で1分間以上の熱処理を行い、その後目標板厚へ冷間
圧延を行った後、300〜700℃で10分〜10時間
の熱処理を行って2.0μm以下の析出物を発生させる
ことや、300〜700℃で10分〜10時間熱処理し
、2.0μ鑵以下の析出物を発生せしめた後、目標板厚
への冷間圧延や歪取りなどの熱処理を行う等のことにつ
いても本発明は当然含むものである。
[実施例]
次に本発明を具体的に説明する。電気銅あるいは無酸素
銅を原料として、高周波溶解炉にて大気あるいは不活性
雰囲気中で第1表に示す成分組成のインゴットを溶製し
た。このインゴットを顔料後850℃で熱間圧延を行い
81−の厚さとし、顔料後浮さ 1.5gvまで冷間圧
延した。その後、第1表に示すように850℃又は95
0℃にて10分間熱処理を行い、第1表に示す冷却速度
で200℃以下へ冷却し、冷間圧延で厚さ0.251の
板とし、最後に400〜750℃でIO分〜240分間
時効処理を行い析出物の大きさを調整した。
銅を原料として、高周波溶解炉にて大気あるいは不活性
雰囲気中で第1表に示す成分組成のインゴットを溶製し
た。このインゴットを顔料後850℃で熱間圧延を行い
81−の厚さとし、顔料後浮さ 1.5gvまで冷間圧
延した。その後、第1表に示すように850℃又は95
0℃にて10分間熱処理を行い、第1表に示す冷却速度
で200℃以下へ冷却し、冷間圧延で厚さ0.251の
板とし、最後に400〜750℃でIO分〜240分間
時効処理を行い析出物の大きさを調整した。
析出物の大きさはX線マイクロアナライザーを用い供試
材断面で2II112の面積を2000倍で観察し最大
の析出物の大きさを測定した。
材断面で2II112の面積を2000倍で観察し最大
の析出物の大きさを測定した。
リードフレーム材及びばね材としての評価項目として強
度、伸びを引張試験により、曲げ性を90’ <り返し
曲げ試験により一往復を1回として破断までの曲げ回数
を測定し、導電性(放熱性)を導電率(%IAC3)に
よって示した。
度、伸びを引張試験により、曲げ性を90’ <り返し
曲げ試験により一往復を1回として破断までの曲げ回数
を測定し、導電性(放熱性)を導電率(%IAC3)に
よって示した。
エツチング性は第1図に示す形状に50℃のFeC1z
浴中にてエツチング加工し、エツチング端面から飛び出
した析出物の有無で評価した。半田付は性は、垂直式浸
漬法230± 5℃の半田浴(錫60%、鉛40%)に
5秒間浸漬し、半田のぬれの状態を目視観察することに
より評価した。メツキ密着性は試料に厚さ 3μ■のA
gメツキを施し、450℃にて5分間加熱し、表面に発
生するフクレの有無を目視観察することにより評価した
。耐熱性は5分間焼鈍した場合、焼鈍前の硬さの80%
となる焼鈍温度で示した。
浴中にてエツチング加工し、エツチング端面から飛び出
した析出物の有無で評価した。半田付は性は、垂直式浸
漬法230± 5℃の半田浴(錫60%、鉛40%)に
5秒間浸漬し、半田のぬれの状態を目視観察することに
より評価した。メツキ密着性は試料に厚さ 3μ■のA
gメツキを施し、450℃にて5分間加熱し、表面に発
生するフクレの有無を目視観察することにより評価した
。耐熱性は5分間焼鈍した場合、焼鈍前の硬さの80%
となる焼鈍温度で示した。
酸化膜密着性については、素材を200〜500℃で3
分間大気中で加熱して表面に酸化膜を生成させ、その酸
化膜に粘着テープを貼った後、気に剥して酸化膜の有無
により評価を行った。
分間大気中で加熱して表面に酸化膜を生成させ、その酸
化膜に粘着テープを貼った後、気に剥して酸化膜の有無
により評価を行った。
ばね性の評価はばね限界値(Kb)を測定することによ
り行った。これらの結果を第1表に示す。
り行った。これらの結果を第1表に示す。
本発明合金No、1〜8はいずれも強度、導電率、曲げ
性及び半田耐熱剥離性に優れ、又、その他の特性も良好
で、更にエツチング端面より析出物の飛び出しは認めら
れない。
性及び半田耐熱剥離性に優れ、又、その他の特性も良好
で、更にエツチング端面より析出物の飛び出しは認めら
れない。
比較合金No、9〜21はいずれも析出物の大きさは2
.0μmを超えており、本発明合金に比べ繰返し曲げ性
が低下しており、又、エツチング端面から析出物の飛び
出しも認められる。更に比較合金No、14.15はそ
れぞれCr及びTiの含有量が十分でないため、強度、
ばね限界値、耐熱性が本発明に比べ劣っている。No、
18はCrの添加量が 1.Ovt%を超えているため
、No、17はTiの添加量が0.6wt%を超えてい
るため、導電率と繰返し曲げ性が低下している。
.0μmを超えており、本発明合金に比べ繰返し曲げ性
が低下しており、又、エツチング端面から析出物の飛び
出しも認められる。更に比較合金No、14.15はそ
れぞれCr及びTiの含有量が十分でないため、強度、
ばね限界値、耐熱性が本発明に比べ劣っている。No、
18はCrの添加量が 1.Ovt%を超えているため
、No、17はTiの添加量が0.6wt%を超えてい
るため、導電率と繰返し曲げ性が低下している。
No、1gはFeの添加量が1 、5wt%を超えてい
るため、導電率が低下し、はんだ付は性及び酸化膜密着
性が劣化している。又、比較合金No、19はFeを添
加しないため導電率が低下している。
るため、導電率が低下し、はんだ付は性及び酸化膜密着
性が劣化している。又、比較合金No、19はFeを添
加しないため導電率が低下している。
又比較合金N o、20.21はそれぞれOとSの含有
量が20ppI!lと15ppIIlを超えているため
、メツキ密着性が劣化している。
量が20ppI!lと15ppIIlを超えているため
、メツキ密着性が劣化している。
[発明の効果]
以上詳述した様に本発明は強度、導電性、曲げ性及びそ
の他の特性に優れ、エツチング加工時にショートの原因
となる端部からの析出物の飛び出しを押えた半導体集積
回路(IC)のリードフレーム材及び端子、コネクター
リレースイッチ等のばね材としても適した銅合金を提
供するものである。。
の他の特性に優れ、エツチング加工時にショートの原因
となる端部からの析出物の飛び出しを押えた半導体集積
回路(IC)のリードフレーム材及び端子、コネクター
リレースイッチ等のばね材としても適した銅合金を提
供するものである。。
第1図はエツチング性試験の説明図である。
Claims (4)
- (1)Cr0.05〜1.0wt%、Ti0.02〜0
.6wt%、Fe0.05〜1.5wt%を含み、残部
Cu及び不可避不純物からなる銅合金を900〜105
0℃で1分間以上加熱した後、200℃以下まで3℃/
sec以上の速度で冷却し、更に300〜700℃で1
0分〜10時間加熱することにより、析出物の大きさを
2.0μm以下にすることを特徴とする電子機器用高力
高導電銅合金の製造方法。 - (2)Cr0.05〜1.0wt%、Ti0.02〜0
.6wt%、Fe0.05〜1.5wt%更に副成分と
してAl、Be、Co、Hf、Mg、Mn、Ni、Sn
、Zn、Zrからなる群より選択された1種又は2種以
上を総量で0.01〜2.0wt%を含み、残部Cu及
び不可避不純物からなる銅合金を900〜1050℃で
1分間以上加熱した後、200℃以下まで3℃/sec
以上の速度で冷却し、更に300〜700℃で10分〜
10時間加熱することにより析出物の大きさを2.0μ
m以下にすることを特徴とする電子機器用高力高導電銅
合金の製造方法。 - (3)銅合金の組成においてOの含有量が20ppm以
下で、かつSの含有量が15ppm以下である請求項(
1)記載の電子機器用高力高導電銅合金の製造方法。 - (4)銅合金の組成においてOの含有量が20ppm以
下で、かつSの含有量が15ppm以下である請求項(
2)記載の電子機器用高力導電銅合金の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33659289A JPH03199356A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 電子機器用高力高導電銅合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33659289A JPH03199356A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 電子機器用高力高導電銅合金の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03199356A true JPH03199356A (ja) | 1991-08-30 |
Family
ID=18300746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33659289A Pending JPH03199356A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 電子機器用高力高導電銅合金の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03199356A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009016706A1 (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Materials Solution Inc. | Cu合金材 |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP33659289A patent/JPH03199356A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009016706A1 (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Materials Solution Inc. | Cu合金材 |
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