JPH03198520A - Logic circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路上に構成される論理回路、特
にMOS論理回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a logic circuit constructed on a semiconductor integrated circuit, particularly to a MOS logic circuit.
従来のMOS論理回路たとえばインバータを第5図に示
す。第5図(81はインバータの論理回路、第5図(b
lは第5図fa)の回路をMOS)ランジスタを用いて
書き表わした回路を示す回路図である。A conventional MOS logic circuit, such as an inverter, is shown in FIG. Figure 5 (81 is the logic circuit of the inverter, Figure 5 (b)
FIG. 1 is a circuit diagram showing a circuit in which the circuit of FIG. 5 fa) is expressed using a MOS transistor.
第5図において、■はPチャネル型Mosトランジスタ
、2はNチャネル型MOSトランジスタ、3はインバー
タ、INは入力端子、OUTは出力端子である。In FIG. 5, ■ is a P-channel type MOS transistor, 2 is an N-channel type MOS transistor, 3 is an inverter, IN is an input terminal, and OUT is an output terminal.
第5図(b)に示すように、入力信号はすべてMOSト
ランジスタの制御線上の信号になり、入力条件に応じて
電源電圧レベルもしくは接地レベルを出力するように構
成されている。As shown in FIG. 5(b), all input signals are signals on the control lines of the MOS transistors, and the circuit is configured to output a power supply voltage level or a ground level depending on the input conditions.
同様な方法によって、従来の多入力の論理回路も構成さ
れている。第6図(a)に示した回路は多入力の論理回
路の一例である。第6図(b)は、第6図(a)の回路
をMOS)ランジスタを用いて書き表わした回路図であ
る。第6図において、5は4人力7ン)’−オフ (A
ND−OR)回路、INA−INDは入力端子であり、
第6図において第5図と同一部分又は相当部分には同一
符号が付しである。Conventional multi-input logic circuits are also constructed using a similar method. The circuit shown in FIG. 6(a) is an example of a multi-input logic circuit. FIG. 6(b) is a circuit diagram representing the circuit of FIG. 6(a) using a MOS transistor. In Figure 6, 5 is 4-person power 7)'-off (A
ND-OR) circuit, INA-IND is the input terminal,
In FIG. 6, the same or equivalent parts as in FIG. 5 are given the same reference numerals.
また、a−dは入力信号である。Moreover, a-d are input signals.
従来の多入力の論理回路は、第6図(b)に示すように
、構成するMOS)ランジスタの数が多く、複雑な構成
となっている。As shown in FIG. 6(b), a conventional multi-input logic circuit has a large number of MOS transistors and has a complicated structure.
また、多入力の論理回路を実現するためには数個のMO
Sトランジスタを直列接続する必要があり、そのため論
理回路の駆動能力が低下する。In addition, in order to realize a multi-input logic circuit, several MO
It is necessary to connect S transistors in series, which reduces the driving ability of the logic circuit.
例えば、2つのMO5I−ランジスタを直列に接続する
と、MO,S)ランジスタのオン抵抗が2倍になる。こ
うして、直列なMO3I−ランジスタの数が多くなると
、オン抵抗の増加のために駆動能力が低くなる。For example, when two MO5I- transistors are connected in series, the on-resistance of the MO,S) transistor is doubled. Thus, as the number of MO3I-transistors in series increases, the drive capability decreases due to the increase in on-resistance.
2つの直列なMO5I−ランジスタをMO3)ランジス
タ単体と同じオン抵抗にするためには、MOSトランジ
スタ幅を2倍にしなければならない。In order to make two series MO5I transistors have the same on-resistance as a single MO3 transistor, the MOS transistor width must be doubled.
したがって、直列MO3I−ランジスタの駆動能力を十
分なものにするためには、直列MO5)ランジスタのサ
イズを大きくしなければならなくなる。Therefore, in order to make the driving capability of the series MO3I transistor sufficient, the size of the series MO5 transistor must be increased.
しかし、MOSトランジスタ幅のサイズを大きくしたこ
とによって負荷容量も増加するので、動作速度は完全に
はMO3f−ランジスタ単体と同じにはならない。However, since the load capacitance also increases due to the increase in the width of the MOS transistor, the operating speed is not completely the same as that of a single MO3f transistor.
以上述べたように、従来の論理回路は複雑なためレイア
ウトがしづらく、また、多入力の論理回路は、十分な動
作速度を得るために非常に大きなレイアウト面積を必要
とした。As described above, conventional logic circuits are complex and difficult to layout, and multi-input logic circuits require a very large layout area in order to obtain sufficient operating speed.
従来の論理回路においては、多入力の論理回路を構成す
るためにMOSトランジスタを数多く必要とするといっ
た課題があった。また、論理回路中に直列トランジスタ
が存在するので、十分な動作速度を得るためにはレイア
ウト面積を大きくしなければならないといった課題もあ
った。Conventional logic circuits have had the problem of requiring a large number of MOS transistors to configure a multi-input logic circuit. Furthermore, since there are series transistors in the logic circuit, there is also the problem that the layout area must be increased in order to obtain sufficient operating speed.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、動作速度の低下を招くことなく
、・できるだけ少ないMO3)ランジスタでレイアウト
し易い多入力の論理回路を得ることにある。The present invention has been made in view of these points, and its purpose is to obtain a multi-input logic circuit that is easy to layout with as few MO3) transistors as possible without causing a decrease in operating speed. It is in.
このような目的を達成するために本発明は、制御線上の
信号に応答して入力信号を導通もしくは非導通とするト
ランスミッションゲートの複数個と、各トランスミッシ
ョンゲートの出力が接続された1つのノードと、制御線
上の信号に応答して何れのトランスミッションゲートも
オフ状態であるときノードを所定電位にするトランジス
タとを設けるようにしたものである。In order to achieve such an object, the present invention provides a plurality of transmission gates that conduct or non-conduct an input signal in response to a signal on a control line, and one node to which the output of each transmission gate is connected. , and a transistor that sets the node to a predetermined potential when any transmission gate is in an off state in response to a signal on a control line.
本発明による論理回路においては、トランスミッション
ゲートのいずれかがオンしている時は、そのトランスミ
ッションゲートは即時に対応信号を伝搬し、トランスミ
ッションゲートのいずれもオフである時は、トランジス
タはトランスミッションゲートの出力を成る電位にし、
これによりトランスミッションゲートの出力に接続され
たノードも成る電位にする。In the logic circuit according to the invention, when any of the transmission gates is on, the transmission gate immediately propagates the corresponding signal, and when any of the transmission gates is off, the transistor transmits the output of the transmission gate. to a potential of
As a result, the node connected to the output of the transmission gate is also brought to the same potential.
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は、本発明による多入力の論理回路の一実施例を
示す回路図、第2図は第1図に示した回路の動作タイミ
ングを示すタイムチャートである。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a multi-input logic circuit according to the present invention, and FIG. 2 is a time chart showing the operation timing of the circuit shown in FIG.
第1図において、lはPチャネル型MO3)ランジスタ
、2はNチャネル型MO3)ランジスタ、3はインバー
タである。In FIG. 1, 1 is a P-channel type MO3) transistor, 2 is an N-channel type MO3) transistor, and 3 is an inverter.
第1図は、第6図(alの多入力の論理回路に本発明を
適用した一実施例を示す回路図である。入力端子INA
とINCとはMOSトランジスタの制御線に接続されて
いる。制御線に入力される信号すなわち入力端子INA
とINCに入力される信号は必ず排他的にイネーブルに
ならなければならない。つまり、INAとINCに入力
される信号a、cが同時にレベル「l」になることはな
い。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a multi-input logic circuit in FIG. 6 (al).
and INC are connected to the control line of the MOS transistor. Signal input to the control line, i.e. input terminal INA
The signals input to INC must be exclusively enabled. In other words, the signals a and c input to INA and INC do not become level "L" at the same time.
信号a、cのどちらかが「1」になると、入力端子[N
BまたはINDに入力される信号すまた(よdがインバ
ータで反転されて出力端子OUTに出力される。信号a
とCの両方がレベル「0」になると、Pチャネル型MO
3I−ランジスタ1がオンしてレベル「1」が出力端子
OUTに出力される。When either signal a or c becomes “1”, the input terminal [N
The signal sum (yod) input to B or IND is inverted by an inverter and output to the output terminal OUT.
When both and C become level “0”, P-channel type MO
3I--Transistor 1 is turned on and level "1" is output to the output terminal OUT.
第1図の構成において、第2図に示すように、入力端子
INAとINCに接続された制御線上の信号a、c(第
2図(b)、 (dl)は入力端子INBとINDに入
力される信号す、 d (第2図(C1,(el)よ
りもイネーブル期間の長い信号にする。そうすることに
よって、第1図の論理回路内の直列トランジスタ1が動
作する際の速度に余裕が生じるので、直列トランジスタ
1のサイズを大きくして動作速度を上げる必要がなくな
る。なお、第2図(a)はクロック、第2図fflは出
力端子OUTの信号である。In the configuration shown in Fig. 1, as shown in Fig. 2, signals a and c (Fig. 2 (b), (dl)) on the control lines connected to input terminals INA and INC are input to input terminals INB and IND. The signal S, d (signal with a longer enable period than that in Figure 2 (C1, (el)). By doing so, there is a margin in the speed at which the series transistor 1 in the logic circuit in Figure 1 operates. Therefore, there is no need to increase the operating speed by increasing the size of the series transistor 1. Note that FIG. 2(a) shows a clock, and FIG. 2(a) shows a signal at the output terminal OUT.
このような回路構成であると、従来の場合とトランジス
タ数は同じであるが、直列トランジスタのサイズを大き
くする必要がない。動作速度に問題がなければ、直列ト
ランジスタであるPチャネル型MoSトランジスタ1は
デバイス作製限界まで小さくできる。これによって、全
体のレイアウト面積が小さくて済む。With such a circuit configuration, the number of transistors is the same as in the conventional case, but there is no need to increase the size of the series transistors. If there is no problem in operating speed, the P-channel MoS transistor 1, which is a series transistor, can be made as small as the device manufacturing limit. This reduces the overall layout area.
また、同じような論理回路を複数個作る場合、信号す、
dを反転するためのインバータを共有することも可能で
あるので、その分のトランジスタ数を減少することは可
能である。Also, when creating multiple similar logic circuits, the signal
Since it is also possible to share an inverter for inverting d, it is possible to reduce the number of transistors accordingly.
第3図は、本発明による多入力の論理回路の他の実施例
を示す回路図である。第3図は、第6図(alの論理回
路に本発明を適用した他の実施例である。第3図の回路
においては、第1図に示した回路とは違い、余分な制御
線(入力端子INEに接続された制御線)を用意しなけ
ればならない。端子INEに入力される信号eは、信号
aとCがレベル「0」の時にレベル「1」になる信号で
ある。FIG. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of the multi-input logic circuit according to the present invention. FIG. 3 shows another embodiment in which the present invention is applied to the logic circuit of FIG. 6 (al). In the circuit of FIG. 3, unlike the circuit shown in FIG. A control line (connected to the input terminal INE) must be prepared.The signal e input to the terminal INE is a signal whose level is "1" when the signals a and C are at the level "0".
第3図においては、入力端子INAどINCとINEに
接続された信号線がMOS)ランジスタ2の制御線とな
っている。制御線上の信号は必ず1つだけがイネーブル
にならなければならない。In FIG. 3, the signal lines connected to the input terminals INA, INC, and INE serve as control lines for the MOS transistor 2. Only one signal on the control line must be enabled at any time.
つまり、信号a、c、eの複数の信号が同時にレベルr
lJになることはない。信号aまたはCのどちらかが「
1」になると、端子INBまたはINDに入力される信
号すまたはdがインバータ3で反転されて出力端子OU
Tに出力される。信号eがレベル「1」になると、Nチ
ャネル型MOSトランジスタ2がオンしてレベル「1」
が出力端子OUTに出力される。In other words, multiple signals a, c, and e are at level r at the same time.
It will never become LJ. Either signal a or C is “
1, the signal S or d input to the terminal INB or IND is inverted by the inverter 3 and output to the output terminal OU.
Output to T. When the signal e becomes level "1", the N-channel MOS transistor 2 turns on and becomes level "1".
is output to the output terminal OUT.
このような回路構成であると、トランジスタ数が減少し
、さらに全体のレイアウト面積が小さくて済む。With such a circuit configuration, the number of transistors can be reduced, and the overall layout area can also be reduced.
第1図の場合と同様に制御線上の信号のイネーブルな期
間を長くすれば、信号eが入力されるトランジスタのサ
イズは大きくする必要がない。動作速度に問題がなけれ
ば、このMOS)ランジスタはデバイス作製限界まで小
さくできる。If the period during which the signal on the control line is enabled is lengthened as in the case of FIG. 1, it is not necessary to increase the size of the transistor to which the signal e is input. If there is no problem with operating speed, this MOS transistor can be made as small as the device manufacturing limit.
また、第3図に示すように、インバータ3を介して信号
を出力するように構成する方が望ましい。Further, as shown in FIG. 3, it is preferable to configure the device so that the signal is output via the inverter 3.
第1図のような出力であると、どれ程の負荷容量が出力
に付くかが場合によって異なる。それによって、トラン
スミッションゲートがすべてオフ状態の時に出力をレベ
ルrlJにするトランジスタのサイズを小さくすること
が難しくなる。When the output is as shown in FIG. 1, the amount of load capacity attached to the output varies depending on the case. This makes it difficult to reduce the size of the transistor that brings the output to level rlJ when all transmission gates are off.
第1図および第3図に示した論理回路の応用例を第4図
を用いて説明する。第4図(a)は、成るデコーダの論
理回路図である。第4図(blは、第4図(alの論理
回路に本発明を適用した場合を示す回路図である。同図
において、1はPチャネル型MOSトランジスタ、2は
Nチャネル型MO3Lランジスタ、3はインバータ、4
は2人カナンド(NAND)回路、5は4人カアンドー
ノア(ANDNOR)回路、6は6人カアンドーノア回
路を示す。また、INI〜IN3.INA、INBは入
力端子、0UTI〜0UT7は出力端子である。An application example of the logic circuit shown in FIGS. 1 and 3 will be explained using FIG. 4. FIG. 4(a) is a logic circuit diagram of the decoder. FIG. 4 (bl is a circuit diagram showing the case where the present invention is applied to the logic circuit of FIG. 4 (al). In the same figure, 1 is a P-channel type MOS transistor, 2 is an N-channel type MO3L transistor, 3 is an inverter, 4
indicates a 2-person NAND circuit, 5 indicates a 4-person ANDNOR circuit, and 6 indicates a 6-person ANDNOR circuit. Also, INI~IN3. INA and INB are input terminals, and 0UTI to 0UT7 are output terminals.
第4図fa)を第6図[blで表わされるような従来の
方法で回路にすると、90個のMO3I−ランジスタを
特徴とする特に、第4図(a)中に示されている点線で
囲まれたアンド−ノア回路とナンド回路から成る部分だ
けを考えると、48個のMOS)ランジスタを必要とす
る。When Figure 4fa) is made into a circuit in the conventional manner as shown in Figure 6[bl], it features 90 MO3I-transistors, in particular the dotted line shown in Figure 4(a). Considering only the portion consisting of the enclosed AND-NOR circuit and NAND circuit, 48 MOS) transistors are required.
しかし、本発明を通用した第4図(b)の場合では70
個のMOS)ランジスタを必要とする。第4図(a)の
点線で囲まれた部分だけを考えると、28個のMOSト
ランジスタのみで済む。However, in the case of FIG. 4(b) where the present invention is applicable, 70
(MOS) transistors are required. Considering only the part surrounded by the dotted line in FIG. 4(a), only 28 MOS transistors are required.
また、トランジスタ数の減少に加え、論理回路を構成す
る個々のMO3I−ランジスタのサイズを小さくできる
ので、さらにレイアウト面積を小さくすることができる
。Furthermore, in addition to reducing the number of transistors, the size of each MO3I transistor constituting the logic circuit can be reduced, so the layout area can be further reduced.
以上説明したように本発明は、制御線上の信号に応答し
て何れのトランスミッションゲートもオフ状態であると
きノードを所定電位にするようにしたことにより、論理
回路の構成が簡単になり、レイアウトが容易になる効果
がある。As explained above, the present invention simplifies the configuration of the logic circuit and improves the layout by setting the node to a predetermined potential when any transmission gate is off in response to a signal on the control line. It has the effect of making it easier.
また、制御線を1本増やすことにより、構成に必要なト
ランジスタ数を減少することができるので、半導体集積
回路のコストの低減が図れる効果がある。Furthermore, by increasing the number of control lines by one, the number of transistors required for the configuration can be reduced, which has the effect of reducing the cost of the semiconductor integrated circuit.
さらに、制御線上の信号のイネーブル期間を仏殿信号よ
りも長くすれば、動作速度に余裕を生じ、MOS)ラン
ジスタのサイズを必要以上に大きくしなくても良いので
、消費電力を低減する効果もある。Furthermore, by making the enable period of the signal on the control line longer than that of the Buddha signal, there is a margin in operating speed, and the size of the MOS transistor does not need to be made larger than necessary, which also has the effect of reducing power consumption. .
第1図は本発明による論理回路の一実施例を示す回路図
、第2図は第1図に示した回路の動作タイミングを示す
タイムチャート、第3図は本発明による論理回路の他の
実施例を示す回路図、第4図(a)は成るデコーダの論
理回路図、第4図(b)は第4図(alに本発明を適用
した場合の論理回路図、第5図(alはインバータの論
理回路図、第5図(blは第5図(alの回路をMOS
)ランジスタを用いて書き表わした論理回路図、第6図
(a)は多入力の論理回路の一例を示す回路図、第6図
(b)は第6図(a)の回路をMOSトランジスタを用
いて書き表わした論理回路図である。
■・・・Pチャネル型MO3I−ランジスタ、2・・・
Nチャネル型MOSトランジスタ、3・・・インバータ
、INA〜INE・・・入力端子、OUT・・・出力端
子。FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the logic circuit according to the present invention, FIG. 2 is a time chart showing the operation timing of the circuit shown in FIG. 1, and FIG. 3 is another embodiment of the logic circuit according to the present invention. FIG. 4(a) is a logic circuit diagram of a decoder that shows an example, FIG. 4(b) is a logic circuit diagram when the present invention is applied to FIG. 4(al), and FIG. 5(al is Logic circuit diagram of the inverter, Figure 5 (bl is the circuit in Figure 5 (al) is MOS
) A logic circuit diagram expressed using transistors, Figure 6(a) is a circuit diagram showing an example of a multi-input logic circuit, and Figure 6(b) is a logic circuit diagram using MOS transistors. FIG. 2 is a logic circuit diagram drawn using ■...P channel type MO3I- transistor, 2...
N-channel MOS transistor, 3...inverter, INA~INE...input terminal, OUT...output terminal.
Claims (1)
通とするトランスミッションゲートの複数個と、各トラ
ンスミッションゲートの出力が接続された1つのノード
と、前記制御線上の信号に応答して何れのトランスミッ
ションゲートもオフ状態であるとき前記ノードを所定電
位にするトランジスタとを備えたことを特徴とする論理
回路。a plurality of transmission gates that make input signals conductive or non-conductive in response to signals on a control line; one node to which the output of each transmission gate is connected; and a transistor which sets the node to a predetermined potential when the gate is also in an off state.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1341069A JPH03198520A (en) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | Logic circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1341069A JPH03198520A (en) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | Logic circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03198520A true JPH03198520A (en) | 1991-08-29 |
Family
ID=18342960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1341069A Pending JPH03198520A (en) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | Logic circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03198520A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015140665A1 (en) * | 2014-03-19 | 2015-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP1341069A patent/JPH03198520A/en active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015140665A1 (en) * | 2014-03-19 | 2015-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2015195073A (en) * | 2014-03-19 | 2015-11-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | semiconductor device |
KR20160134694A (en) * | 2014-03-19 | 2016-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Semiconductor device |
US9899101B2 (en) | 2014-03-19 | 2018-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI671722B (en) * | 2014-03-19 | 2019-09-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | Semiconductor device |
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