JPH03195215A - Dither circuit - Google Patents

Dither circuit

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JPH03195215A
JPH03195215A JP33575789A JP33575789A JPH03195215A JP H03195215 A JPH03195215 A JP H03195215A JP 33575789 A JP33575789 A JP 33575789A JP 33575789 A JP33575789 A JP 33575789A JP H03195215 A JPH03195215 A JP H03195215A
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Kazutada Yoshimura
吉村 一公
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Abstract

PURPOSE:To facilitate the adjustment of a signal level of a dither signal and to make a device employing the circuit small by constituting a dither circuit utilizing a CMOS transistor(TR) inverter whose input terminal connects to a low level power supply voltage in terms of AC and whose output terminal connects to an input stage of an A/D converter circuit. CONSTITUTION:A linear region is provided to a region of CMOS TR inverters A2, A3 in which a logic output transfers from an H level to an L level. The bias point is set to a point B in the middle (VDD/2) of the linear region. Then the input terminal of the inverter A2 connects to a low level power supply Vss via a coupling capacitor C3 to make the input voltage of the inverter A2 is 0V in terms of AC. Only the internal noise generated from the inverter A2 itself is amplified by the inverter A2. The inverter A3 amplifies the inputted white noise further and the result is outputted from an output terminal (d). The amplified white noise is fed to a band pass filter 8 as a dither signal SD.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、信号のA/D変換時等に発生する量子化雑音
を抑制するために用いられるディザ回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a dither circuit used to suppress quantization noise generated during A/D conversion of a signal.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

DAT (ディジタル・オーディオ・テープレコーダ)
などのP CM (Pulse Code Modul
ation )録音装置では、入力アナログ信号をディ
ジタル信号に変換するために、A/D変換回路が用いら
れる。A/D変換回路では量子化雑音の発生が問題とな
る。量子化雑音は、入力アナログ信号と強い相関をもち
、入力アナログ信号の高次高調波ひずみを発生させる。
DAT (Digital Audio Tape Recorder)
P CM (Pulse Code Module) such as
ation) In a recording device, an A/D conversion circuit is used to convert an input analog signal into a digital signal. In A/D conversion circuits, generation of quantization noise becomes a problem. Quantization noise has a strong correlation with the input analog signal and causes high-order harmonic distortion of the input analog signal.

このひずみは記録信号に混入し、その記録信号の再生時
に耳障りな不快音となって現われる。この量子化雑音の
抑制にはディザ回路が用いられる。ディザ回路はA/D
変換回路の入力段において入力アナログ信号にランダム
ノイズであるディザ信号を加算し、周期性をもつ量子化
雑音を白色化するものである。
This distortion is mixed into the recorded signal and appears as a harsh and unpleasant sound when the recorded signal is reproduced. A dither circuit is used to suppress this quantization noise. Dither circuit is A/D
A dither signal, which is random noise, is added to the input analog signal at the input stage of the conversion circuit to whiten periodic quantization noise.

第5図に、従来のディザ回路を示す。第5図において、
入力端子1には図示しないラインアンプからの入力アナ
ログ信号81Nが入力される。入力アナログ信号SIN
は加算器2に与えられ、加算器2では入力アナログ信号
SINにディザ発生回路7からのディザ信号S、を加算
する。ディザ発生回路7はディザ信号S9発生源として
のツェナーダイオードZDを有する。このツェナーダイ
オードZDに抵抗R3を介して電流を流すことにより発
生した熱雑音がカップリングコンデンサC1を介してオ
ペアンプA1の非反転入力端子に与えられる。オペアン
プAtは、入力された雑音をゲイン設定抵抗R4で定ま
るゲインで増幅し、その増幅した雑音信号をディザ信号
S、としてカップリングコンデンサC2を介してバンド
パスフィルタ8に出力する。バンドパスフィルタ8はデ
ィザ信号S、に対して帯域制限を行なって加算器2にデ
ィザ信号S、を出力する。加算器2においてディザ信号
S が加えられた入力アナログ信号SINは口り 一ハスフィルタ3に入力される。ローパスフィルタ3は
入力アナログ信号SINの再生周波数帯域の上限以上の
不要な信号を除去し、サンプルホールド回路4に送る。
FIG. 5 shows a conventional dither circuit. In Figure 5,
An input analog signal 81N from a line amplifier (not shown) is input to the input terminal 1. Input analog signal SIN
is applied to the adder 2, which adds the dither signal S from the dither generation circuit 7 to the input analog signal SIN. The dither generation circuit 7 has a Zener diode ZD as a dither signal S9 generation source. Thermal noise generated by passing a current through the Zener diode ZD via the resistor R3 is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier A1 via the coupling capacitor C1. The operational amplifier At amplifies the input noise with a gain determined by the gain setting resistor R4, and outputs the amplified noise signal as a dither signal S to the bandpass filter 8 via the coupling capacitor C2. The bandpass filter 8 performs band limitation on the dither signal S, and outputs the dither signal S to the adder 2. The input analog signal SIN to which the dither signal S is added in the adder 2 is input to the filter 3. The low-pass filter 3 removes unnecessary signals above the upper limit of the reproduction frequency band of the input analog signal SIN, and sends the signal to the sample-and-hold circuit 4.

サンプルホールド回路4は、連続的に変化する入力アナ
ログ信号SINを所定のサンプリング周波数f8でサン
プリングし、A/D変換回路5において量子化するのに
必要な時間だけ入力アナログ信号SINの標本値をホー
ルドする。
The sample and hold circuit 4 samples the continuously changing input analog signal SIN at a predetermined sampling frequency f8, and holds the sampled value of the input analog signal SIN for the time required for quantization in the A/D conversion circuit 5. do.

その標本化された入力アナログ信号SINはA/D変換
回路5に入力される。A/D変換回路5は入力アナログ
信号SINの各標本値をその値に応じて量子化してディ
ジタル信号に変換し、ディジタルフィルタ6に出力する
。ディジタルフィルタ6は、ディジタルデータをフィル
タリングし、ディザ信号S、を含む不要成分を除去して
出力する。
The sampled input analog signal SIN is input to the A/D conversion circuit 5. The A/D conversion circuit 5 quantizes each sample value of the input analog signal SIN according to the value, converts it into a digital signal, and outputs the digital signal to the digital filter 6. The digital filter 6 filters the digital data, removes unnecessary components including the dither signal S, and outputs the filtered data.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記従来のディザ回路において、ディザ発生回路7はツ
ェナーダイオードZDを用い、そのツェナーダイオード
ZDから発生する熱雑音をオペアンプA1により増幅出
力する構成となっている。
In the conventional dither circuit described above, the dither generation circuit 7 uses a Zener diode ZD, and is configured to amplify and output thermal noise generated from the Zener diode ZD using an operational amplifier A1.

ところが、ツェナーダイオードZDの特性は必ずしも−
様なものではなく、バラツキがある。したがって、その
バラツキに応じてディザ信号SDの信号レベルの調整が
必要となる。また、オペアンプA+を使用するため、コ
ストアップする等の問題点があった。
However, the characteristics of Zener diode ZD are not necessarily -
There are variations, rather than uniformity. Therefore, it is necessary to adjust the signal level of the dither signal SD according to the variation. Furthermore, since the operational amplifier A+ is used, there are problems such as increased cost.

本発明の目的は、比較的簡単な構成でディザ信号を発生
しうるディザ回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a dither circuit that can generate a dither signal with a relatively simple configuration.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記課題を解決するために、本発明は、A/D変換回路
の入力信号にディザ信号を加算するディザ回路において
、入力端子が交流的に低電位電源電圧に接続され、かつ
、出力端子が前記A/D変換回路の入力段に接続される
CMOSトランジスタインバータからなるディザ発生回
路を備えて構成した。
In order to solve the above problems, the present invention provides a dither circuit that adds a dither signal to an input signal of an A/D conversion circuit, in which an input terminal is connected to a low potential power supply voltage in an alternating current manner, and an output terminal is connected to a low potential power supply voltage. The configuration includes a dither generation circuit including a CMOS transistor inverter connected to the input stage of the A/D conversion circuit.

〔作用〕[Effect]

本発明によれば、CMOSトランジスタインバータの入
力端子が交流的に接地されているため、CMO8)ラン
ジスタインバータ自身が発生する白色雑音が当該CMO
8)ランジスタインバータ自身の増幅作用により所定電
圧レベルに増幅される。その増幅された雑音信号がディ
ザ信号として出力され、A/D変換回路の入力信号であ
る入力アナログ信号に加算される。すなわち、CMOS
トランジスタインバータはそのリニア動作領域において
ハイ・インピーダンスのリニア・アンプとしいて作用す
ることを利用したものであり、デバイス相互間での特性
のバラツキが少ないCMOSICとすることにより、均
一なディザ信号S。
According to the present invention, since the input terminal of the CMOS transistor inverter is AC grounded, the white noise generated by the CMOS transistor inverter itself is transmitted to the CMOS transistor inverter.
8) The voltage is amplified to a predetermined voltage level by the amplification effect of the Lange inverter itself. The amplified noise signal is output as a dither signal and added to the input analog signal that is the input signal of the A/D conversion circuit. That is, CMOS
The transistor inverter takes advantage of the fact that it acts as a high-impedance linear amplifier in its linear operation region, and by using CMOSIC, which has less variation in characteristics between devices, a uniform dither signal S can be generated.

を得ることが可能であり、装置の小型化が可能となる。can be obtained, and the device can be made smaller.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明の好適な実施例を図面に基づいて説明する
Next, preferred embodiments of the present invention will be described based on the drawings.

第1図に本発明の実施例を示す。第1図において、図示
しないラインアンプからの入力アナログ信号S1.は入
力端子1に入力される。加算器2では、入力アナログ信
号SINにディザ発生回路9からのディザ信号S。を加
算する。加算器2はオペアンプ等を用いて構成される。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. In FIG. 1, an input analog signal S1. from a line amplifier (not shown) is input. is input to input terminal 1. In the adder 2, the dither signal S from the dither generation circuit 9 is added to the input analog signal SIN. Add. Adder 2 is configured using an operational amplifier or the like.

ディザ信号S、が加算された入力アナログ信号5Ill
はローパスフィルタ3に入力される。ローパスフィルタ
3はオペアンプを利用したアクティブ形のアナログロー
パスフィルタで構成され、第4図に示すような減衰特性
を有して不要な高域周波数成分を除去する。
Input analog signal 5Ill to which dither signal S is added
is input to the low-pass filter 3. The low-pass filter 3 is composed of an active type analog low-pass filter using an operational amplifier, and has an attenuation characteristic as shown in FIG. 4 to remove unnecessary high frequency components.

ローパスフィルタ3から出力された入力アナログ信号S
INはサンプルホールド回路4に入力される。
Input analog signal S output from low-pass filter 3
IN is input to the sample hold circuit 4.

サンプルホールド回路4は入力アナログ信号S1゜を所
定のサンプリング周波数f8 (例えば、48K Hz
)のn倍(例えば、2倍)のオーバーサンプリングによ
って標本化し、その標本値をA/D変換回路5のA/D
変換時間に必要な時間だけホールドしてA/D変換回路
5に与える。A/D変換回路5は入力された標本値を量
子化し、ディジタル信号に変換して出力する。変換され
たディジタル信号は、サンプリング周波数f8またはオ
ーバーサンプリング周波数n f sにて取出され、不
要成分が除去されて出力される。その出力ディジタル信
号S  はDATの記録部等に送られる。
The sample hold circuit 4 converts the input analog signal S1° to a predetermined sampling frequency f8 (for example, 48K Hz).
) is sampled by n times (for example, 2 times) oversampling, and the sample value is sent to the A/D converter circuit 5.
The signal is held for the time necessary for the conversion time and is applied to the A/D conversion circuit 5. The A/D conversion circuit 5 quantizes the input sample value, converts it into a digital signal, and outputs the digital signal. The converted digital signal is extracted at a sampling frequency f8 or an oversampling frequency nfs, unnecessary components are removed, and the signal is output. The output digital signal S is sent to the recording section of the DAT, etc.

UT 第2図に示すように、ディザ発生回路9は、2段のCM
OSトランジスタインバータA2、CMOSトランジス
タインバータA3を用いて構成される。初段のCMOS
トランジスタインバータA2は白色雑音の発生源および
増幅器として作用し、CMOSトランジスタインバータ
A3は発生された白色雑音をさらに所定レベルにまで増
幅し、その増幅信号をディザ信号S、としてバンドパス
フィルタ8に出力する増幅器として作用する。
UT As shown in FIG. 2, the dither generation circuit 9 has two stages of CM
It is configured using an OS transistor inverter A2 and a CMOS transistor inverter A3. First stage CMOS
The transistor inverter A2 acts as a white noise generation source and an amplifier, and the CMOS transistor inverter A3 further amplifies the generated white noise to a predetermined level, and outputs the amplified signal to the bandpass filter 8 as a dither signal S. Acts as an amplifier.

CMOSトランジスタインバータA2の入力端子aはカ
ップリングコンデンサC3を介して低電位側電源■88
(または、GND)に接続されており、CMOSトラン
ジスタインバータA2の出力端子すはCMO3)ランジ
スタインバータA3の入力端子Cに接続されている。C
MOSトランジスタインバータA3の出力端子dはバン
ドパスフィルタ8の入力端子に接続されている。入力端
子aと出力端子すとの間には高抵抗のフィードバック抵
抗R5が、入力端子Cと出力端子dとの間にも同様に高
抵抗のフィードバック抵抗R6がそれぞれ接続されてい
る。
The input terminal a of the CMOS transistor inverter A2 is connected to the low potential power supply ■88 via the coupling capacitor C3.
(or GND), and the output terminal of the CMOS transistor inverter A2 is connected to the input terminal C of the transistor inverter A3 (CMO3). C
The output terminal d of the MOS transistor inverter A3 is connected to the input terminal of the bandpass filter 8. A high-resistance feedback resistor R5 is connected between the input terminal a and the output terminal S, and a similarly high-resistance feedback resistor R6 is connected between the input terminal C and the output terminal d.

CMOSトランジスタインバータA2は、PMOSトラ
ンジスタQPlとNMOSトランジスタQN1からなる
。同様に、CMOSトランジスタインバータA3はPM
O8+−ランジスタQP2とNMOSトランジスタQN
2からなる。PMOSトランジスタQP1のゲートGと
NMOSトランジスタQN1のゲートGは互に共通接続
され、入力端子aを形成している。出力端子すはPMO
8)ランジスタQP1のソースSとNMO8)ランジス
タQN1のDとの接続点に設けられている。入力端子C
はPMOSトランジスタQP2のゲートGとNMOSト
ランジスタQN2のゲートGの共通接続点に設けられて
いる。出力端子dはPMOSトランジスタQP2のソー
スSとNMo5トランジスタQN2のドレインDとの接
続点に設けられている。
CMOS transistor inverter A2 consists of a PMOS transistor QPl and an NMOS transistor QN1. Similarly, CMOS transistor inverter A3 is PM
O8+- transistor QP2 and NMOS transistor QN
Consists of 2. The gate G of the PMOS transistor QP1 and the gate G of the NMOS transistor QN1 are commonly connected to each other and form an input terminal a. Output terminal is PMO
8) It is provided at the connection point between the source S of transistor QP1 and NMO8) D of transistor QN1. Input terminal C
is provided at a common connection point between the gate G of the PMOS transistor QP2 and the gate G of the NMOS transistor QN2. The output terminal d is provided at the connection point between the source S of the PMOS transistor QP2 and the drain D of the NMo5 transistor QN2.

PMO3)ランジスタQPlのドレインDには高電位側
電源■ 、同じくPMosトランジスフジP2D のドレインDにも高電位側電源■DDが与えられる。
PMO3) The drain D of the transistor QPl is supplied with a high-potential power supply (2), and the drain D of the PMOS transistor FUJI P2D is also supplied with a high-potential power supply (2).

NMOSトランジスタQNlのソースS低電位側電源■
s8(または、GND)、NMo5トランジスタQN2
のソースSも低電位側電源VSS(GND)に接続され
ている。
Source S low potential side power supply of NMOS transistor QNl■
s8 (or GND), NMo5 transistor QN2
The source S of is also connected to the low potential side power supply VSS (GND).

以上のCMOSトランジスタインバータA2、A3は、
通常、論理ゲートとして用いられるが、本実施例ではハ
イ・インピーダンスのリニア・アンプとして用いている
。第3図に、CMOSトランジスタインバータA  、
CMO]トランジスフジ インバータA3のトランスファ・カーブを示す。
The above CMOS transistor inverters A2 and A3 are
Although it is normally used as a logic gate, in this embodiment it is used as a high impedance linear amplifier. In FIG. 3, a CMOS transistor inverter A,
CMO] The transfer curve of Transis Fuji Inverter A3 is shown.

第3図かられかるように、CMO3)ランジスタインバ
ータA SA3はそれぞれ論理出力が“H”レベルから
“L”レベルに転移する領域に、リニア領域を有してい
る。このリニア領域における■。、/2の点Bにバイア
ス点を設定することによりCMOSトランジスタインバ
ータA2、CMOSトランジスタインバータA3はリニ
アφアンプとして動作する。そして、CMOSトランジ
スタインバータA2の入力端子aをカップリングコンデ
ンサC3を介して低電位側電源■38(または、GND
)に接続することにより、CMOSトランジスタインバ
ータA2の入力電圧は交流的に0■となり、このときC
MOSトランジスタインバータA2自身から発生される
内部雑音(白色雑音)のみがCMOSトランジスタイン
バータA2により増幅される。この増幅利得は■。。
As can be seen from FIG. 3, each CMO3) range inverter ASA3 has a linear region in the region where the logic output transitions from the "H" level to the "L" level. ■ in this linear region. , /2, the CMOS transistor inverter A2 and CMOS transistor inverter A3 operate as a linear φ amplifier. Then, the input terminal a of the CMOS transistor inverter A2 is connected to the low potential power supply ■38 (or GND) via the coupling capacitor C3.
), the input voltage of CMOS transistor inverter A2 becomes 0 in AC terms, and at this time C
Only the internal noise (white noise) generated from the MOS transistor inverter A2 itself is amplified by the CMOS transistor inverter A2. This amplification gain is ■. .

−5Vのとき、およそ20dBである。増幅され0 た白色雑音は出力端子すから入力端子Cに出力される。At -5V, it is approximately 20dB. amplified to 0 The white noise is output from the output terminal to the input terminal C.

CMO1hランジスタインバータA3は入力された白色
雑音をさらに増幅しく20dB)、出方端子dから出力
する。この増幅された白色雑音がディザ信号SDとして
バンドパスフィルタ8に送られる。
The CMO1h range inverter A3 further amplifies the input white noise by 20 dB) and outputs it from the output terminal d. This amplified white noise is sent to the bandpass filter 8 as a dither signal SD.

ハントハスフィルタ8の存在理由は、ローパスフィルタ
3の減衰特性との関係に基づいている。
The reason for the existence of the Hunthus filter 8 is based on its relationship with the attenuation characteristics of the low-pass filter 3.

すなわち、バンドパスフィルタ8はその中心周波数で決
まる通過帯域を有してディザ信号S、の周波数帯域制限
を行うのであるが、その中心周波数foはサンプリング
周波数f8との関係において、の範囲とするが好ましい
。ところが、中心周波数foを高域側に設定すると、ロ
ーパスフィルタ3の減衰特性によりディザ信号S、の信
号レベルが低下してしまう。これを防止するためには、
再度増幅する必要が生じる。しかし、ディザ信号S。
That is, the bandpass filter 8 has a passband determined by its center frequency and limits the frequency band of the dither signal S, but the center frequency fo is in the range of in relation to the sampling frequency f8. preferable. However, if the center frequency fo is set to the high frequency side, the signal level of the dither signal S will decrease due to the attenuation characteristics of the low-pass filter 3. To prevent this,
It becomes necessary to amplify again. However, the dither signal S.

の信号レベルを過度に上げることはビート等の問題を引
き起すことになる。そこで、第4図に示すように、通過
帯域レベルLより40dB減衰したレベルLMの点に該
当する周波数をfMとし、中心周波数foを 一・F s−f v。
Raising the signal level excessively will cause problems such as beats. Therefore, as shown in FIG. 4, the frequency corresponding to the level LM attenuated by 40 dB from the passband level L is fM, and the center frequency fo is 1·F s−f v.

の範囲に設定するようにする。このようにすることによ
り、適度な減衰量で必要な通過帯域の特性を得ることが
できる。
Set it within the range of . By doing so, it is possible to obtain the necessary passband characteristics with an appropriate amount of attenuation.

なお、以上の実施例では、A/D変換においてサンプリ
ング周波数f8の2倍の速度で動作するものとして説明
したが、変換速度を4倍等、すなわちf8の2n (n
=1.2、・・・)倍で動作するものであってもよい。
In the above embodiments, the A/D conversion was explained as operating at twice the sampling frequency f8, but the conversion speed could be set to four times the sampling frequency f8, that is, 2n (n
= 1.2,...) times.

また、ディザ発生回路9はCMO3)ランジスタインバ
ータA  、CMO8hランジスタインバ一タA3の2
段で説明したが、CMOSトランジスタインバータの増
幅度に応じて1個もしくは複数個としてもよい。
In addition, the dither generation circuit 9 is connected to the CMO3) range inverter A and the CMO8h range inverter A3.
Although the explanation has been made in terms of stages, the number may be one or more depending on the amplification degree of the CMOS transistor inverter.

1 2 さらに、サンプリング周波数f8は上述の48KHのみ
ならず、32KH,44,1KH2z を用いても本発明の効果に変りはない。
1 2 Furthermore, the effects of the present invention will not change even if the sampling frequency f8 is not limited to the above-mentioned 48 KH, but may also be set to 32 KH, 44, or 1 KH2z.

加えて、本発明は、A/D変換のみでなく、D/A変換
に際して生ずる量子化雑音の低減に用いることが可能で
ある。その場合は、D/A変換器の前段に本発明に係る
ディザ発生回路9のディザ信号S、(アナログディザ)
をA/D変換して入力するよう構成すればよい。
In addition, the present invention can be used not only for A/D conversion but also for reducing quantization noise that occurs during D/A conversion. In that case, the dither signal S (analog dither) of the dither generation circuit 9 according to the present invention is provided before the D/A converter.
The configuration may be such that it is A/D converted and inputted.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上の通り本発明によれば、CMOSトランジスタイン
バータを利用してディザ信号を発生するように構成した
ので、ディザ信号の信号レベルの調整手間が簡単になり
、装置の小型化が可能になる。
As described above, according to the present invention, since the dither signal is generated using a CMOS transistor inverter, the time and effort required to adjust the signal level of the dither signal is simplified, and the device can be miniaturized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の実施例を示すブロック図、第2図はデ
ィザ発生回路の電気回路図、第3図はCMOSトランジ
スタインバータの増幅作用の説明図、 第4図は各フィルタの特性図、 第5図は従来のディザ回路の例を示すブロック図である
。 1・・・入力端子 2・・・加算器 3・・・ローパスフィルタ 4・・・サンプルホールド回路 5・・・A/D変換回路 6・・・ディジタルフィルタ 7・・・ディザ発生回路 8・・・バンドパスフィルタ 9・・・ディザ発生回路 AI・・・オペアンプ A2・・・CMOSトランジスタインバータA3・・・
CMOSトランジスタインバータC1C1C3・・・カ
ップリングコンデンサ2 R3・・・抵抗 R、R、R6・・・フィードバック抵抗5 R4・・・ゲイン設定抵抗 3 ZD・・・ツェナーダイオード SIN・・・入力アナログ信号 S  ・・・出力ディジタル信号 UT S、・・・ディザ信号 QPI・・・PMOSトランジスタ QN1・・・NMOSトランジスタ QP2・・・PMO3)ランジスタ QN2・・・NMO3)ランジスタ D・・・ドレイン S・・・ソース G・・・ゲート ■DD・・・高電位側電源 v88・・・低電位側電源 a、c・・・入力端子 す、d・・・出力端子
Fig. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is an electric circuit diagram of a dither generation circuit, Fig. 3 is an explanatory diagram of the amplification action of a CMOS transistor inverter, Fig. 4 is a characteristic diagram of each filter, FIG. 5 is a block diagram showing an example of a conventional dither circuit. 1... Input terminal 2... Adder 3... Low pass filter 4... Sample hold circuit 5... A/D conversion circuit 6... Digital filter 7... Dither generation circuit 8...・Band pass filter 9...Dither generation circuit AI...Operational amplifier A2...CMOS transistor inverter A3...
CMOS transistor inverter C1C1C3...Coupling capacitor 2 R3...Resistors R, R, R6...Feedback resistor 5 R4...Gain setting resistor 3 ZD...Zener diode SIN...Input analog signal S ・... Output digital signal UT S, ... Dither signal QPI ... PMOS transistor QN1 ... NMOS transistor QP2 ... PMO3) Transistor QN2 ... NMO3) Transistor D ... Drain S ... Source G ...Gate ■DD...High potential side power supply v88...Low potential side power supply a, c...Input terminal S, d...Output terminal

Claims (1)

【特許請求の範囲】 A/D変換回路の入力信号にディザ信号を加算するディ
ザ回路において、 入力端子が交流的に低電位電源電圧に接続され、かつ、
出力端子が前記A/D変換回路の入力段に接続されるC
MOSトランジスタインバータからなるディザ発生回路
を備えたことを特徴とするディザ回路。
[Claims] In a dither circuit that adds a dither signal to an input signal of an A/D conversion circuit, an input terminal is connected to a low potential power supply voltage in an alternating current manner, and
C whose output terminal is connected to the input stage of the A/D conversion circuit
A dither circuit comprising a dither generation circuit made of a MOS transistor inverter.
JP33575789A 1989-12-25 1989-12-25 Dither circuit Expired - Fee Related JP2948848B2 (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006129483A (en) * 2004-10-26 2006-05-18 Agilent Technol Inc Linearization adcs using single-bit dither

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